JP2016122779A - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウェーハWの表面位置bをサセプタ20の外周部の表面位置cより高くし、前記シリコンウェーハWの表面位置bを前記ヒートリング30の表面位置aより低くし、かつ、前記シリコンウェーハWの表面位置bと前記ヒートリング30の表面位置aとの差(b−a)を調整して、前記シリコンウェーハWの<110>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みと、前記シリコンウェーハWの<100>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みとの差を制御することを特徴とする。
【選択図】図5
Description
また、ウェーハが載置されるウェーハ載置部と、その周縁を囲む状態で設けられた外周部と、外周部に設けられ、載置されるウェーハの外周部における気相成長の速度を制御する気相成長制御部とを備えたサセプタが開示されている(特許文献2,3参照)。
また、上記特許文献2,3では、ウェーハの外周部の結晶方位に合わせて複雑な形状のサセプタを用意する必要があり、サセプタ加工コストの増大などの問題がある。
図2に示すように、シリコンウェーハWの<110>方位を基準結晶方位W1とする。図2の<110>方位は、図1において、0度(360度)、90度、180度及び270度に対応し、図2の<100>方位は、図1における45度、135度、225度及び315度に対応する。また、図1は、エピタキシャルウェーハの外周端から中心側にそれぞれ2mm向かった位置の周方向におけるエピタキシャル層の膜厚プロファイルを示している。
図1に示すように、<100>方位の外周部では、エピタキシャル層の膜厚が薄いのに対して、<110>方位の外周部ではエピタキシャル層の膜厚が厚く、外周部におけるエピタキシャル層の膜厚は、周方向で周期的な変化が生じている。これは、<100>方位の外周部では、エピタキシャル層の成長速度が遅いのに対して、<110>方位の外周部では成長速度が速いことによるものと推察される。このように、外周部におけるエピタキシャル層の成長速度が、下地となるシリコンウェーハの結晶方位に依存していることが確認できる。
具体的には、図3(B)に示すように、<100>方位の面取り部に形成されるエピタキシャル層には、成長速度が速い(110)面が存在している。この部位でのエピタキシャル成長が促進される結果、外周部のエピタキシャル層の成長が抑制される。一方で、図3(A)に示すように、<110>方位の面取り部に形成されるエピタキシャル層には、成長速度が遅い(311)面及び(111)面が存在している。このため、これらの部位でのエピタキシャル成長が抑制される結果、外周部のエピタキシャル層の成長が促進されてしまう。結果として、外周部に形成されるエピタキシャル層の膜厚は、<100>方位では薄く、<110>方位では厚くなるものと考えられる。
こうして、結晶方位によって外周部のエピタキシャル層の膜厚には周方向で周期的な変化が生じる。
前記シリコンウェーハの表面位置bを前記サセプタの外周部の表面位置cより高くし、前記シリコンウェーハの表面位置bを前記ヒートリングの表面位置aより低くし、かつ、前記シリコンウェーハの表面位置bと前記ヒートリングの表面位置aとの差(b−a)を調整して、前記シリコンウェーハの<110>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みと、前記シリコンウェーハの<100>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みとの差を制御することを特徴とする。
ここで、前記エピタキシャル層の高さ変位は、前記エピタキシャルシリコンウェーハの外周端から中心側に11mmから9mmまでの範囲に形成した前記エピタキシャル層の表面高さを基準としたときの、前記エピタキシャルシリコンウェーハの外周端から中心側2mmに形成した前記エピタキシャル層の表面高さの差分である。
具体的には、シリコンウェーハの表面位置bをサセプタの外周部の表面位置cより高くし(以下、条件(1)という)、シリコンウェーハの表面位置bをヒートリングの表面位置aより低くし(以下、条件(2)という)、かつ、シリコンウェーハの表面位置bとヒートリングの表面位置aとの差(b−a)(以下、ギャップ値(b−a)という。)を調整する。上記のように位置関係を調整して、前記シリコンウェーハの<110>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みと、前記シリコンウェーハの<100>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みとの差を制御する。
なお、条件(1)を満たさない場合、反応室内に供給される原料ガスがシリコンウェーハの外周部に到達しにくくなるため、外周部に形成されるエピタキシャル層の膜厚が全体的に薄くなってしまう。また、エピタキシャル層の外周部における周方向の厚み分布の均一性も悪化して、D1に対するD2の比が小さくなる傾向がある。
また、条件(2)を満たさない場合、反応室内に供給される原料ガスがシリコンウェーハの外周部への接ガス量が増えてしまうため、外周部に形成されるエピタキシャル層の膜厚が厚くなりすぎてしまう。
上記のように、ガス流れの基準となる、ギャップ値(b−a)を調整することで、エピタキシャル成長において生じる、シリコンウェーハの結晶配向性に起因したエピタキシャル層の外周部における周方向の厚みの差を、最小化できる。
結果として、外周部における平坦度が小さいエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
〔エピタキシャル成長装置の構成〕
まず、エピタキシャル成長装置の構成について説明する。
枚葉式のエピタキシャル成長装置10は、図4に示すように、凹面を有する円形の上側ドーム3と、同じく円形の下側ドーム4とを備える。上側ドーム3及び下側ドーム4は、石英などの透明な素材で形成されている。そして、上側ドーム3と下側ドーム4とを上下に対向して配設し、これらの端縁部は円環状のドーム取付体6の上下面にそれぞれ固定される。これにより、平面視で略円形の密閉された反応室2が形成される。反応室2の上方及び下方には、反応室2内を加熱するハロゲンランプ9が、円周方向に略均等間隔で離間して複数個それぞれ設けられる。
図4に戻って、サセプタ20の裏面側(下方)には、これを支持するためのサセプタ支持部材8が設けられる。サセプタ支持部材8は、下方に軸部7が固着して設けられる。軸部7は、図示しない回転機構により回転自在に設けられ、その結果、サセプタ支持部材8及びサセプタ20も、水平面内において所定速度で回転自在に設けられる。また、軸部7は、図示しない上下動機構により軸方向に上下動が可能に設けられ、その結果、円筒形状のサセプタ支持部材8及びサセプタ20も、上下動が可能に設けられる。
次に、図4の枚葉式のエピタキシャル成長装置10を用いた、本実施形態のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を説明する。
本実施形態のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、シリコンウェーハWをサセプタ20の座ぐり20bに載置したときに、条件(1)が満たされるような形状のサセプタ20を使用する。
そして、結晶面が(100)面であるシリコンウェーハWを、反応室2内の図示しない移載機構により、サセプタ20の座ぐり20bに載置する。この後、反応室2を密閉する。次に、反応室2内のヒートリング30と、シリコンウェーハWとの位置関係を調整する。位置関係の調整は、図示しない上下動機構により、サセプタ支持部材8の軸部7を軸方向に上下動させることにより行う。
図5に示すように、ヒートリング30の表面位置a、シリコンウェーハWの表面位置b、及びサセプタ20の外周部の表面位置cの位置関係は、条件(1)及び(2)を満たし、かつ、ギャップ値(b−a)を調整して、シリコンウェーハWの<110>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みと、シリコンウェーハWの<100>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みとの差を制御することにより行われる。具体的には、ギャップ値(b−a)が、−0.6mm以上、−0.2mm以下となるように調整することが好ましい。
そして、図4に戻って、図示しない回転機構により、サセプタ支持部材8の軸部7を所定速度で回転させて、サセプタ20に搭載されたシリコンウェーハWを回転させる。
キャリアガスとしては、H2ガス、N2ガス、Arガスなどが挙げられる。原料ソースガスとしては、4塩化ケイ素(SiCl4)、モノシラン(SiH4)、トリクロロシラン(SiHCl3)、ジクロルシラン(SiH2Cl2)などが挙げられる。ドーパントガスとしては、ジボラン(B2H6)、フォスフィン(PH3)などが挙げられる。
そして、反応室2の上方及び下方に設けられたハロゲンランプ9により、熱を輻射させてシリコンウェーハWの温度を1100℃程度に加熱する。これにより、シリコンウェーハWの表面で原料ソースガスなどが反応し、シリコンウェーハWの表面にエピタキシャル層を成長させることができる。
以上の方法により、外周部における平坦度が小さいエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
また、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造等は本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
直径300mm、厚さ775μm、結晶面(100)面のp型シリコンウェーハを用意した。また、図4に示す枚葉式のエピタキシャル成長装置10を使用した。なお、シリコンウェーハWをサセプタ20の座ぐり20bに載置したときに、シリコンウェーハWの表面位置bとサセプタ20の外周部の表面位置cとの差(b−c)が+15μmとなる、座ぐり20bが浅い形状のサセプタ20を使用した。
先ず、シリコンウェーハWをサセプタ20の座ぐり20bに載置し、反応室2を密閉した。次いで、反応室2内のヒートリング30と、シリコンウェーハWとの位置関係を調整した。次に、反応室2内に水素ガスを供給して、1130℃の温度で30秒間の水素ベークを行った。水素ベーク後、キャリアガスである水素ガスとともにシリコンソースガス(トリクロロシラン)及びドーパントガス(ジボラン)を炉内に供給して、1130℃の温度でエピタキシャル成長を行った。これにより、シリコンウェーハWの表面に、シリコンウェーハWの中心部における膜厚が3μmのエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハを得た。
また、図示しない上下動機構により、サセプタ20及びシリコンウェーハWを上下動させ、下記表1に示すように、ヒートリング30と、シリコンウェーハWとの位置関係を調整した以外は、上記と同様の条件で、シリコンウェーハWに対してエピタキシャル成長を行い、複数枚のエピタキシャルシリコンウェーハを得た。
ここで、エピタキシャル層の高さ変位は、エピタキシャルシリコンウェーハの外周端から中心側に11mmから9mmまでの範囲に形成したエピタキシャル層の表面高さを基準としたときの、エピタキシャルシリコンウェーハの外周端から中心側2mmに形成したエピタキシャル層の表面高さの差分である。また、その平均値とは、<110>方位では、0度(360度)、90度、180度及び270度におけるエピタキシャル層の表面高さ差分の平均値であり、<100>方位では45度、135度、225度及び315度におけるエピタキシャル層の表面高さ差分の平均値である。エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層の高さは平坦度測定器(KLA-Tencor社製Wafer Sight)を用いて測定した値である。
なお、図6は、表1に示すギャップ値(b−a)とD1及びD2との関係を示している。図7は、表1に示すギャップ値(b−a)とD2/D1との関係を示している。
サセプタ20を、シリコンウェーハWの表面位置bとサセプタ20の外周部の表面位置cとの差(b−c)が−30μmとなる、座ぐり20bが深い形状のものに変更した以外は、試験番号No.1〜No.10と同様にして、エピタキシャル成長を行い、複数枚のエピタキシャルシリコンウェーハを得た。その結果を下記表1及び図6,7に示す。なお、便宜的に、試験番号No.11〜No.20における、ギャップ値(b−a)をギャップ値(b−a)’、D1をD1’、D2をD2’、及びD2/D1をD2’/D1’とそれぞれ表記した。
表1及び図7から、D2/D1の結果は、正規分布が少し崩れたような分布をとり、ギャップ値(b−a)が−0.5前後のときに極値を示した。この結果から、ギャップ値(b−a)をマイナス側に設定してエピタキシャル成長を実施すると、<110>方位と、<100>方位との、表面の高さの変位量の差を小さくでき、より安定的に生産できることが判る。このうち、D2/D1が70%以上であり、エピタキシャル層の外周部における周方向の厚みの差を最小化できる、ギャップ値(b−a)が−0.6mm以上、−0.2mm以下の範囲が特に好ましい。
試験番号No.1〜No.10と、試験番号No.11〜No.20とを比較すると、試験番号No.11〜No.20では、D1’,D2’の値が小さくなる傾向が見られた。これらの結果から、条件(1)を満たさないと、外周部に形成されるエピタキシャル層の膜厚が全体的に薄くなってしまうことが裏付けられた。
また、D2’/D1’の結果は、試験番号No.1〜No.10のD2/D1の結果よりも小さく、エピタキシャル層の外周部における周方向の厚み分布の均一性も悪化していた。
Claims (3)
- ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタの外周に間隔をあけて配置されたヒートリングとを備えたエピタキシャル成長装置を用い、面方位が(100)面のシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
前記シリコンウェーハの表面位置bを前記サセプタの外周部の表面位置cより高くし、前記シリコンウェーハの表面位置bを前記ヒートリングの表面位置aより低くし、かつ、前記シリコンウェーハの表面位置bと前記ヒートリングの表面位置aとの差(b−a)を調整して、前記シリコンウェーハの<110>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みと、前記シリコンウェーハの<100>方位の外周部に形成されるエピタキシャル層の厚みとの差を制御する
ことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記シリコンウェーハの表面位置bと前記ヒートリングの表面位置aとの差(b−a)が−0.6mm以上、−0.2mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコンウェーハの<110>方位の外周部に形成されたエピタキシャル層の高さ変位の平均値をD1、<100>方位の外周部に形成されたエピタキシャル層の高さ変位の平均値をD2とするとき、前記D1に対する前記D2の比が70%以上である
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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