JP2016115171A - 電源回路及びこれを備えるフラッシュメモリシステム並びに電源回路の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
V3a≧V3d≧V3b≧V3c
である。このうち、電圧V3a,V3bはフラッシュメモリ40に電源電圧として供給され、電圧V3a〜V3dはメモリコントローラ30に電源電圧として供給される。但し、降圧回路22a〜22dは昇圧機能を有していないため、入力レベルがそれぞれ第3の電圧V3a〜V3d未満である場合は、所望のレベルを生成することはできない。降圧回路22a〜22dの出力ノードは、それぞれ抵抗Ra〜Rdを介して接地されている。抵抗Ra〜Rdを設けることは必須でないが、電源遮断後の電源配線を安定化するために設けることが好ましい。
11 電源端子
12 データ端子
20A,20B,20C 電源回路
21 昇圧回路
22a〜22d 降圧回路
23,25〜27 電圧検出回路
24 放電回路
30 メモリコントローラ
40 フラッシュメモリ
C キャパシタ
D1,D2 ダイオード
DATA データ
FBSY ビジー信号
FWP ライトプロテクト信号
POR 検出信号
Ra〜Rd 抵抗
SW スイッチ回路
V1 第1の電圧
V2 第2の電圧
V3a〜V3d 第3の電圧
VA 第1の所定値
VB 第2の所定値
VC 第3の所定値
VD 第4の所定値
VAEN,VBEN イネーブル信号
Claims (14)
- 外部から第1の電圧が供給される電源端子と、
前記第1の電圧を昇圧することによって、前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を生成する昇圧回路と、
前記第2の電圧によって充電されるキャパシタと、
前記第2の電圧を降圧することによって、前記第2の電圧よりも低い第3の電圧を生成する降圧回路と、
前記第1の電圧が第1の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタと前記電源端子との間を遮断するスイッチ回路と、を備えることを特徴とする電源回路。 - 前記昇圧回路は、前記第1の電圧が前記第1の所定値未満に低下したことに応答して昇圧動作を停止することを特徴とする請求項1に記載の電源回路。
- 前記降圧回路は、前記キャパシタの充電電圧が第2の所定値以上であることに応答して活性化されることを特徴とする請求項2に記載の電源回路。
- 前記キャパシタの充電電圧が前記第2の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタを放電する放電回路をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の電源回路。
- 前記第1の電圧が第3の所定値以上であることに応答して第1の検出信号を活性化させる第1の電圧検出回路をさらに備え、
前記第3の電圧は、メモリコントローラに電源電圧として供給され、
前記メモリコントローラは、前記第1の検出信号に基づいてリセット状態が解除されることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電源回路。 - 前記第3の所定値は、前記第1の所定値よりも高いことを特徴とする請求項5に記載の電源回路。
- 前記第3の電圧が第4の所定値以上であることに応答して第2の検出信号を活性化させる第2の電圧検出回路をさらに備え、
前記第3の電圧は、フラッシュメモリに電源電圧として供給され、
前記フラッシュメモリは、前記第2の検出信号に基づいてライトプロテクト状態が解除されることを特徴とする請求項5又は6に記載の電源回路。 - 前記第4の所定値は、前記第2の所定値よりも高いことを特徴とする請求項7に記載の電源回路。
- 前記第1の電圧と前記第3の電圧が互いに等しいことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電源回路。
- メモリコントローラと、
前記メモリコントローラによって制御されるフラッシュメモリと、
前記メモリコントローラ及び前記フラッシュメモリに動作電圧を供給する電源回路と、を備え、
前記電源回路は、
外部から第1の電圧が供給される電源端子と、
前記第1の電圧を昇圧することによって、前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を生成する昇圧回路と、
前記第2の電圧によって充電されるキャパシタと、
前記第2の電圧を降圧することによって、前記第2の電圧よりも低い第3の電圧を生成する降圧回路と、
前記第1の電圧が第1の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタと前記電源端子との間を遮断するスイッチ回路と、を含み、
前記第3の電圧が前記動作電圧として前記メモリコントローラ及び前記フラッシュメモリに供給されることを特徴とするフラッシュメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記第1の電圧が前記第1の所定値よりも高い第3の所定値未満に低下したことに応答してリセットされることを特徴とする請求項10に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記降圧回路は、前記キャパシタの充電電圧が第2の所定値以上であることに応答して活性化されることを特徴とする請求項10又は11に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記フラッシュメモリは、前記第3の電圧が前記第2の所定値よりも高い第4の所定値未満に低下したことに応答してライトプロテクトされることを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリシステム。
- 電源端子に供給される第1の電圧を昇圧することによって、前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を生成し、
前記第2の電圧によってキャパシタを充電し、
前記第2の電圧を降圧することによって、前記第2の電圧よりも低い第3の電圧を生成し、
前記第1の電圧が第1の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタと前記電源端子との間を遮断する、ことを特徴とする電源回路の制御方法。
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