JP2016103782A - Esd保護回路及びrfスイッチ - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器モジュールを示す図である。携帯端末用GaAs電力増幅器(PA: Power Amplifier)の終段の電力増幅器HBT2の出力に出力整合回路が設けられ、その後段にRFスイッチSWが接続されている。Lb1〜Lb3はボンドワイヤ、TRL1は電力増幅器HBT2のコレクタ電流供給線路、Ls1は出力整合用インダクタンス、Cp1,Cp2は出力整合用キャパシタンス、Cvc2はデカップリングキャパシタである。DC/DCコンバータは、バッテリ電圧Vbat(通常約3.7V)を適当なDC電圧Vcc2(通常3.4V、場合によっては3.4〜0.5V)に変換する。
図11は、本発明の実施の形態2に係るESD保護回路を示す図である。ESD保護回路は第1の端子Vaと第2の端子Vbの間においてMIMキャパシタCと並列に接続されている。ESD保護回路は図2のESD保護回路ESDc,ESD1,ESD2に対応し、MIMキャパシタCは図2のMIMキャパシタCcom,Cpo1,Cpo2に対応する。
図14は、本発明の実施の形態3に係るESD保護回路を示す図である。MIMキャパシタCa,Cbが抵抗Ra,Rbにそれぞれ並列に接続されている。このCa,Cbの容量は数pFであり、保護すべき容量Cの容量である十数pFに比べて十分小さい。その他の構成は実施の形態2と同様である。
Com 入力端子、Da0,Da1,…,Dan、Db0,Db1,…,Dbm ショットキーダイオード、ESDc,ESD1,ESD2 ESD保護回路、Fswa,Fswb,Fa,Fb トランジスタ、P1,P2 出力端子、Ra,Rb 抵抗、SW RFスイッチ、Va 第1の端子、Vb 第2の端子
Claims (4)
- 第1の端子と第2の端子の間にMIMキャパシタと並列に接続されたESD保護回路であって、
互いに直列に接続され、アノードが前記第1の端子側に接続され、カソードが前記第2の端子側に接続された複数の第1のショットキーダイオードと、
互いに直列に接続され、前記複数の第1のショットキーダイオードに逆並列に接続された複数の第2のショットキーダイオードとを備え、
前記第1の端子は、RF信号が前記第1及び第2の端子の何れにも入力されていない状態においてDC電圧が前記第2の端子よりも高く、
前記複数の第1のショットキーダイオードは前記複数の第2のショットキーダイオードよりも段数が多く、
前記MIMキャパシタをRF信号が通過する際に前記RF信号の振幅が所定のRF信号振幅までは減衰しないように前記複数の第2のショットキーダイオードの段数が設定されていることを特徴とするESD保護回路。 - 第1の端子と第2の端子の間にMIMキャパシタと並列に接続されたESD保護回路であって、
前記ESD保護回路は、互いに逆並列に接続された第1及び第2のESD保護回路を有し、
前記第1のESD保護回路は、デプレッションモードかつ電界効果型の第1のトランジスタと、互いに直列に接続された複数の第1のショットキーダイオードと、第2のショットキーダイオードと、第1の抵抗とを有し、
前記第1のトランジスタのドレインが前記第1の端子に接続され、
前記第1のトランジスタのソースが前記複数の第1のショットキーダイオードのアノードに接続され、
前記第1のトランジスタのゲートが前記第2のショットキーダイオードのアノードに接続され、
前記複数の第1のショットキーダイオードのカソードと前記第2のショットキーダイオードのカソードは互いに接続され、かつ前記第2の端子に接続され、
前記第1の抵抗は前記第2のショットキーダイオードと直列に接続され、
前記複数の第1のショットキーダイオードのビルトイン電圧と段数の積は前記第1のトランジスタの閾値電圧よりも高く、
前記第2のESD保護回路は、デプレッションモードかつ電界効果型の第2のトランジスタと、互いに直列に接続された複数の第3のショットキーダイオードと、第4のショットキーダイオードと、第2の抵抗とを有し、
前記第2のトランジスタのドレインが前記第2の端子に接続され、
前記第2のトランジスタのソースが前記複数の第3のショットキーダイオードのアノードに接続され、
前記第2のトランジスタのゲートが前記第4のショットキーダイオードのアノードに接続され、
前記複数の第3のショットキーダイオードのカソードと前記第4のショットキーダイオードのカソードは互いに接続され、かつ前記第1の端子に接続され、
前記第2の抵抗は前記第4のショットキーダイオードと直列に接続され、
前記複数の第3のショットキーダイオードのビルトイン電圧と段数の積は前記第2のトランジスタの閾値電圧よりも高いことを特徴とするESD保護回路。 - 前記第1及び第2の抵抗にそれぞれ並列に接続された第1及び第2のMIMキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項2に記載のESD保護回路。
- 電力増幅器の出力に接続されたRFスイッチであって、
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子の間に接続されたDモードHEMTのトランジスタと、
前記入力端子と前記トランジスタとの間に接続された第3のMIMキャパシタと、
前記出力端子と前記トランジスタとの間に接続された第4のMIMキャパシタと、
前記第3及び第4のMIMキャパシタにそれぞれ並列に接続された第1及び第2のESD保護回路とを備え、
前記第1及び第2のESD保護回路は請求項1〜3の何れか1項に記載のESD保護回路であることを特徴とするRFスイッチ。
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