JP2016098399A - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本開示に係るめっき装置は、アノードを保持するように構成されたアノードホルダと、アノードホルダと対向して配置され、基板を保持するように構成された基板ホルダと、アノードホルダの前面に設けられ、アノードと基板との間に流れる電流が通過する第1の開口を有するアノードマスクと、を有する。アノードマスクは、第1の開口の径を調節可能に構成される。第1の基板にめっきをするとき、第1の開口の径は第1の径に調節される。第2の基板にめっきをするとき、第1の開口の径は、第1の径よりも小さい第2の径に調節される。
【選択図】図1
Description
は部分的にレジストに覆われており、前記第2の基板のレジスト開口率は、前記第1の基板のレジスト開口率よりも低い。即ち、第5の形態によれば、相対的に低いレジスト開口率を有する第2の基板は、アノードマスクの第1の開口の径が第2の径に調節された状態でめっきされ得る。これにより、めっきが進んでもターミナルエフェクトの影響が変化し難い(大きいままである)第2の基板の基板中央部の膜厚を厚くすることができる。したがって、ターミナルエフェクトの影響による面内均一性の低下を抑制することができる。
ドマスク25の相対位置が固定されるので、アノードホルダ20に保持されるアノード21の位置とアノードマスク25の第1の開口25aの位置とがずれることを防止することができる。
な面積を有する円の直径で定義することもできる。なお、アノード21と、絞り羽根27のアノード21と対向する面の距離は、例えば0mm以上8mm以下である。
り、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる(条件D,F参照)。さらに、レギュレーションプレート30の第2の開口30aの径を調節することにより、基板Wの周縁部の膜厚を調節することができ、ターミナルエフェクトによる基板Wの膜厚の面内均一性の低下をさらに抑制することができる(条件D参照)。
した場合(以下条件Aという)、基板中央部の膜厚が厚く、基板周縁部の膜厚が薄くなる。これに対して、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、第1の開口25aの径を260mmとし、第2の開口30aの径を276mmとしてめっき処理した場合(以下、条件Cという)、条件Cは第1の開口25aの径が条件Aに比べて大きいので、基板中央部の膜厚が薄くなる。また、比較的高い電気抵抗を有するめっき液でめっきされる基板Wを、第1の開口25aの径を260mmとし、第2の開口30aの径を272mmとしてめっき処理した場合(以下、条件Bという)、条件Bは第2の開口30aの径が条件Cに比べて小さいので、基板周縁部の膜厚が薄くなる。
、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。例えば、以上の実施形態では、第1の開口25aの径を調節する機構として複数の絞り羽根27が使用され、第2の開口30aの径を調節する機構として弾性チューブ32が使用されている。しかしながら、複数の絞り羽根27及び弾性チューブ32に限らず、他の形態の調節機構を採用することが可能である。
20…アノードホルダ
21…アノード
25…アノードマスク
25a…第1の開口
30…レギュレーションプレート
30a…第2の開口
32…弾性チューブ
40…基板ホルダ
W…基板
Claims (9)
- アノードを保持するように構成されたアノードホルダと、
前記アノードホルダと対向して配置され、基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードホルダに一体に取り付けられ、前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第1の開口を有するアノードマスクと、
前記アノードマスクと前記基板ホルダの間に設けられ、前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第2の開口を有するレギュレーションプレートと、を有し、
前記アノードマスクは、前記第1の開口の径を調節する第1調節機構を有する、めっき装置。 - 請求項1に記載されためっき装置において、
前記レギュレーションプレートは、前記第2の開口の径を調節する第2調節機構を有する、めっき装置。 - 請求項2に記載されためっき装置において、
前記第2調節機構は、前記第2の開口に沿って設けられる弾性体であり、
前記第2の開口の径は、前記弾性体の内部に流体を注入し又は前記弾性体の内部から前記流体を排出することにより調節される、めっき装置。 - アノードと基板との間に流れる電流が通過する第1の開口を有するアノードマスクを一体に備えるアノードホルダをめっき槽内に配置する工程と、
第1の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、
前記アノードと前記基板との間に流れる電流が通過する第2の開口を有するレギュレーションプレートを前記アノードマスクと前記基板との間に配置する工程と、
前記第1の開口の径を第1の径に調節して、第1の基板にめっきする工程と、
第2の基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に配置する工程と、
前記第1の開口の径を前記第1の径よりも小さい第2の径に調節して、第2の基板にめっきする工程と、を有する、めっき方法。 - 請求項4に記載されためっき方法において、
前記第1の基板および第2の基板は部分的にレジストに覆われており、
前記第2の基板のレジスト開口率は、前記第1の基板のレジスト開口率よりも低い、めっき方法。 - 請求項4に記載されためっき方法において、
前記第2の基板が有するシード層は、前記第1の基板が有するシード層よりも薄い、めっき方法。 - 請求項4に記載されためっき方法において、
前記第2の基板にめっきする工程は、前記第1の基板にめっきする工程において使用されるめっき液よりも電気抵抗の低いめっき液を用いてめっきする工程である、めっき方法。 - 請求項4ないし7のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レギュレーションプレートの第2の開口の径を調節する工程を有する、めっき方法。 - 請求項8に記載されためっき方法において、
前記レギュレーションプレートは、前記第2の開口に沿って設けられる弾性体を有し、
前記レギュレーションプレートの第2の開口の径を調節する工程は、前記弾性体の内部に流体を注入し又は前記弾性体の内部から前記流体を排出する工程を含む、めっき方法。
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