JP2016088988A - ブライトバーン消去機能を有するシンチレータ、および該シンチレータを有する放射線検出器、並びにこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決課題】ブライトバーンを除去や抑制する後処理を行う必要が無く、ブライトバーンの発生を防止することができるシンチレータ等の提供をすることを目的とする。
【解決手段】本発明のシンチレータは、アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されたシンチレータであって、該無機結晶中に、一価の陽イオンになり得る原子が、前記賦活剤よりも多いモル数含有されており、前記無機結晶が柱状構造を有していることを特徴としている。
【選択図】なし
【解決手段】本発明のシンチレータは、アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されたシンチレータであって、該無機結晶中に、一価の陽イオンになり得る原子が、前記賦活剤よりも多いモル数含有されており、前記無機結晶が柱状構造を有していることを特徴としている。
【選択図】なし
Description
本発明は、ブライトバーン消去機能を有するシンチレータ、該シンチレータの製造方法、並びに前記シンチレータを有する放射線検出器、並びにこれらの製造方法の製造方法に関する。
従来、Ｘ線画像等の放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。該放射線画像の撮影は、ヒト等の被験体に所定量の線量の放射線を照射し、被験体を通過した放射線を放射線検出器により放射線画像に変換する。
前記放射線検出器は、前記放射線を放射線画像に変換するシンチレータを備えており、該シンチレータは、ＣｓＩ等を基板に真空蒸着させて形成した柱状結晶からなる蛍光体の層を備えている。被験体を通過した放射線がシンチレータの蛍光体層に達すると蛍光に変換され、この蛍光をＣＭＯＳ等の受光素子で受光することにより前記放射線画像を形成している。
しかしながら、ＣｓＩシンチレータに多量のＸ線が照射されることにより、ＣｓＩシンチレータに一時的な感度上昇（ブライトバーン現象）が発生し、ＦＰＤ画像でのアーチファクトまたは残像を生じさせる。この感度上昇は経時とともに元の感度に戻るが、撮影のたびにＦＰＤのゲイン補正（感度補正）を実施することでは対応が難しい。また感度上昇は画像領域内で不均一に発生してしまうため、コントラストの低下等を招き、画質を劣化させるという問題もあるため、ブライトバーン現象を抑制する性能または除去する性能を有するシンチレータを備えた放射線検出器が望まれている。
特許文献１には、Ｘ線検出器におけるブライトバーンを低減させる方法が開示されている。この方法は、Ｘ線源とＸ線検出器との間に被験体が存在しないときに、比較的強い線量の光線を照射して放射線画像を得る除去スキャンを行うことにより、平面検出器においてゴースト（ブライトバーン）を意図的に均一に発生させることで、更なるブライトバーン現象を抑制する方法である。
特許文献２には、ブライトバーンのゴースト値を調節可能とする放射線検出器及びその製造方法が開示されている。特許文献２の放射線検出器では、２つの波長にそれぞれピークを有する光を発するシンチレータと、該可視光を受けて電荷を発するアモルファスシリコンを備えた光電変換パネルを有しており、前記シンチレータの蛍光体中のセシウム（Ｃｓ）に対するタリウム（Ｔｌ）のモル比（Ｔｌ／Ｃｓ比）の調節と、シンチレータの蛍光体を形成した後に該蛍光体を所定条件（６０℃〜２００℃）で熱処理（アニール処理）とを行うことにより、受光感度に対する放射線画像のブライトバーン（ゴースト値）の調節を可能にしている。
特許文献３では、加熱装置を備えたＸ線を検出する放射線検出器が開示されている。この放射線検出器は、放射線画像の撮影を終えてから、シンチレータを加熱して、ディープトラップ（深いトラップ準位）に保持された電荷を放出させることで、ブライトバーンを抑制している。
その他にも、ブライトバーンが発生したシンチレータに対して、紫外線を照射することで発生したブライトバーンを抑制する方法も知られている。
しかしながら、特許文献１の発明では、ブライトバーン（ゴースト）による悪影響を抑制するためにより強い線量の放射線を蛍光体に照射するため、蛍光体の寿命が短くなる虞があり、また、ブライトバーンを意図的に起こすことで更なる悪影響を防いでいるに過ぎず、ブライトバーンの発生自体を防止するものではない。更に、特許文献１にはブライトバーンの消去効果があったかどうかを確認した数値データが一切開示されておらず、本当に消去効果があるかどうかは立証されていない。
しかしながら、特許文献１の発明では、ブライトバーン（ゴースト）による悪影響を抑制するためにより強い線量の放射線を蛍光体に照射するため、蛍光体の寿命が短くなる虞があり、また、ブライトバーンを意図的に起こすことで更なる悪影響を防いでいるに過ぎず、ブライトバーンの発生自体を防止するものではない。更に、特許文献１にはブライトバーンの消去効果があったかどうかを確認した数値データが一切開示されておらず、本当に消去効果があるかどうかは立証されていない。
特許文献２の発明では、シンチレータの製造条件を変えているだけであり、シンチレータは、母材（ＣｓＩ）と賦活剤（Ｔｌ）の構成元素のみで構成され、その他の元素が添加されているものではないため、シンチレータの構成元素の変更によりブライトバーンを抑制する発明ではない。そのため、何らかの理由によって製造条件を変更する場合、ブライトバーン抑制効果が減少・消失する可能性がある。また、特許文献２の発明では、シンチレータの製造過程でアニール処理（熱処理）をしているので、シンチレータを加熱する時間およびシンチレータを冷却するのに要する時間が必要になると共に、操作も煩雑化する虞がある。
特許文献３の発明は、発生したブライトバーンを熱処理により抑制する発明であるので、ブライトバーンの発生自体を防止するものではない。
さらに、ブライトバーンが発生したシンチレータに対して、紫外線を照射することで発生したブライトバーンを抑制出来たとしても、Ｘ線と同じく、可視光より高いエネルギーを有する紫外線によって、シンチレータの蛍光体としての寿命が短くなる虞があり、ブライトバーンの発生を防止することはできない。
さらに、ブライトバーンが発生したシンチレータに対して、紫外線を照射することで発生したブライトバーンを抑制出来たとしても、Ｘ線と同じく、可視光より高いエネルギーを有する紫外線によって、シンチレータの蛍光体としての寿命が短くなる虞があり、ブライトバーンの発生を防止することはできない。
本発明は、ブライトバーンを除去あるいは抑制する後処理を行う必要が無く、ブライトバーンの発生を防止することができるシンチレータ、および該シンチレータを有する放射線検出器、並びにこれらの製造方法の提供をすることを目的とする。
本発明に係るシンチレータは、アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されたシンチレータであって、該無機結晶中に、一価の陽イオンになり得る原子が、前記賦活剤よりも多いモル数含有されており、前記無機結晶が柱状構造を有していることを特徴としている。
ここで、前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量が、前記賦活剤のモル数より多く、かつ、２０モル％以下としてもよい。
また、前記一価の陽イオンになり得る原子が、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であってもよい。
また、前記一価の陽イオンになり得る原子が、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であってもよい。
前記シンチレータの母材がヨウ化セシウムを含んでいてもよく、また、前記賦活剤がタリウムであってもよい。
本発明に係る放射線検出器は、上記シンチレータと、光電変換素子とを備えたことを特徴としている。
本発明に係る放射線検出器は、上記シンチレータと、光電変換素子とを備えたことを特徴としている。
本発明に係るシンチレータの製造方法は、無機結晶の母材の原料としてのアルカリ金属のヨウ化物と、一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物と、賦活剤を含む化合物とを用いて、基材に対して垂直に規則的構造を形成させる蒸着工程を含み、前記無機結晶における前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量は、前記賦活剤よりも多いモル数であり、前記規則的構造が、柱状構造であることを特徴としている。
ここで、上記シンチレータの製造方法では、前記規則的構造を蒸着法または積層造形法により形成させてもよい。また、前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量が、前記賦活剤のモル数より多く、かつ、２０モル％以下であってもよい。
また、前記一価の陽イオンになり得る原子が、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であってもよい。また、前記シンチレータの母材が、ヨウ化セシウムを含んでいてもよい。
本発明に係る放射線検出器の製造方法は、上記シンチレータの製造方法を含むことを特徴としている。
本発明に係る放射線検出器の製造方法は、上記シンチレータの製造方法を含むことを特徴としている。
本発明により、ブライトバーンを除去あるいは抑制する後処理を行う必要が無く、ブライトバーンの発生を防止することができるシンチレータ、および該シンチレータを有する放射線検出器、並びにこれらの製造方法の提供をすることができる。
《放射線検出器》
図１に本発明に係る放射線検出器を示す。図２に、図１のＡ−Ａ線に沿った放射線検出器の断面を示す。
図１に本発明に係る放射線検出器を示す。図２に、図１のＡ−Ａ線に沿った放射線検出器の断面を示す。
放射線検出器１は、図１に例示したように外観形状がフラットパネル状に形成されている。また、放射線検出器１は、図２に例示したように、シンチレータ３と、光電変換素子層１４等とを少なくとも有する。なお、放射線検出器１の筐体２には、電源スイッチ１０、インジケータ１２、コネクタ１１、蓋部材等が設けられている（図１）。
（シンチレータ）
本発明に係るシンチレータは、アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されている。
本発明に係るシンチレータは、アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されている。
［無機結晶］
シンチレータ３を構成する無機結晶の蛍光体は、鮮鋭性の高い発光画像が得られるとの観点から、複数の柱状構造を有する結晶（柱状結晶）であることが好ましい。各柱状結晶の柱径は２．０〜２０．０μｍの範囲内が好ましく、３．０〜１５．０μｍの範囲内がより好ましい。
シンチレータ３を構成する無機結晶の蛍光体は、鮮鋭性の高い発光画像が得られるとの観点から、複数の柱状構造を有する結晶（柱状結晶）であることが好ましい。各柱状結晶の柱径は２．０〜２０．０μｍの範囲内が好ましく、３．０〜１５．０μｍの範囲内がより好ましい。
シンチレータ３の層厚は、１００〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１２０〜８００μｍの範囲内、特に好ましくは１４０〜６００μｍの範囲内である。
［シンチレータを形成する母材］
シンチレータ３を形成する成分の母材としては、アルカリ金属のヨウ化物が好適に用いられ、アルカリ金属のヨウ化物として、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、ヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕等が挙げられる。２種以上のヨウ化物を混合して母材として用いてもよい。上記ヨウ化物のうち、セシウムハライド系であるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が特に好ましい。ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光への変換率が比較的高く、また、蒸着によって容易にシンチレータ３を構成する複数の結晶のそれぞれを柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ（蛍光体）の厚さを厚くすることが可能であるからである。
シンチレータ３を形成する成分の母材としては、アルカリ金属のヨウ化物が好適に用いられ、アルカリ金属のヨウ化物として、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、ヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕等が挙げられる。２種以上のヨウ化物を混合して母材として用いてもよい。上記ヨウ化物のうち、セシウムハライド系であるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が特に好ましい。ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光への変換率が比較的高く、また、蒸着によって容易にシンチレータ３を構成する複数の結晶のそれぞれを柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ（蛍光体）の厚さを厚くすることが可能であるからである。
［賦活剤］
蛍光体層は、発光効率をさらに向上させることを目的として各種の賦活剤を含有している。この賦活剤としては、タリウム〔Ｔｌ〕、ユウロピウム〔Ｅｕ〕、インジウム〔Ｉｎ〕、リチウム〔Ｌｉ〕、カリウム〔Ｋ〕、ルビジウム〔Ｒｂ〕、ナトリウム〔Ｎａ〕などのイオンを例示することができる。４００〜７５０ｎｍまでの広い発光波長を有する蛍光体が得られ、受光素子が蛍光体の発光を最も検出しやすいという観点から、母材がヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕である場合、賦活剤はタリウムのイオンであることが好ましい。
蛍光体層は、発光効率をさらに向上させることを目的として各種の賦活剤を含有している。この賦活剤としては、タリウム〔Ｔｌ〕、ユウロピウム〔Ｅｕ〕、インジウム〔Ｉｎ〕、リチウム〔Ｌｉ〕、カリウム〔Ｋ〕、ルビジウム〔Ｒｂ〕、ナトリウム〔Ｎａ〕などのイオンを例示することができる。４００〜７５０ｎｍまでの広い発光波長を有する蛍光体が得られ、受光素子が蛍光体の発光を最も検出しやすいという観点から、母材がヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕である場合、賦活剤はタリウムのイオンであることが好ましい。
上記賦活剤の濃度は、発光強度を増加させるために、シンチレータ３の母材に希土類イオンを多く賦活する際、ドープしすぎると希土類イオン間の距離が接近して、希土類イオン間での発光に関与しないエネルギー伝達の頻度が増えることにより、一定の濃度を境に発光強度が減少する現象（いわゆる濃度消光）が発生する可能性があり、従って、本発明で配合する賦活剤の濃度を調整することが望ましい。本発明においては、シンチレータ３に含まれる賦活剤の濃度は、シンチレータ３の目的・性能等に応じて調節することが望ましく、シンチレータ３を構成する母体（例；ＣｓＩ）１モルに対して０．３〜２０．０モル％であることが好ましい。
ここで、上記賦活剤の濃度が母体の化合物（例：ＣｓＩ）１モルに対して０．０１モル％未満であると、該シンチレータ３の発光輝度は、母材（例：ＣｓＩ）だけで形成したシンチレータ３の発光輝度と大差がなく、目的とする発光輝度を得られにくくなる。また、上記賦活剤のモル濃度が母体の化合物（例：ＣｓＩ）１モルに対して２０モル％を超えると柱状結晶構造の形成が困難になり、画質の大幅な劣化が発生し、母材の性質、機能を保持しにくくなる。
なお、シンチレータを賦活する方法としては、一種以上の賦活剤を含む化合物をシンチレータ内に含有させる方法などがある。一種以上の賦活剤を含む化合物としては、種々の賦活剤のハロゲン化物などが考えられ、特に真空蒸着法を用いてシンチレータを作成する場合は、ハロゲン化物の融点の低さから、賦活剤をシンチレータ内に含有させやすく、好ましい。具体的には、タリウムのハロゲン化物としては、ヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕、臭化タリウム〔ＴｌＢｒ〕、塩化タリウム〔ＴｌＣｌ〕、フッ化タリウム〔ＴｌＦ〕または〔ＴｌＦ3〕などが挙げられる。特に、シンチレータを構成する母材のハロゲン元素と、賦活剤ハロゲン化物のハロゲン元素が一致している方が、シンチレータ結晶内のハロゲン元素サイトに歪みが生じにくく、結晶成長に問題が起こりにくいため、最も好ましい。
本発明において、タリウム化合物の融点は、３００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。タリウム化合物の融点が７００℃以下であれば、柱状結晶内で添加剤が均一に存在し、発光効率が向上するからである。なお、本発明において、融点とは、常温常圧下における融点をいう。
［賦活剤の濃度の測定方法］
シンチレータ中の賦活剤の濃度については、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（Inductively Coupled Plasmａ Atomic Emission Spectrometer：ＩＣＰ−ＡＥＳ）にて測定することができる。この方法は金属元素等をプラズマ中で励起させたときに発生する光を分光し、各元素特有の波長から定性分析、発光強度から定量分析を行う手法であり、結晶中に含まれる微量無機元素の定量、及び定性ができる。例えば、蒸着によって得られたシンチレータについて柱状結晶の厚さ方向に対し、１層目と２層目の部分で結晶を分割し、分割された各々について少なくとも賦活剤の濃度を測定する。
シンチレータ中の賦活剤の濃度については、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（Inductively Coupled Plasmａ Atomic Emission Spectrometer：ＩＣＰ−ＡＥＳ）にて測定することができる。この方法は金属元素等をプラズマ中で励起させたときに発生する光を分光し、各元素特有の波長から定性分析、発光強度から定量分析を行う手法であり、結晶中に含まれる微量無機元素の定量、及び定性ができる。例えば、蒸着によって得られたシンチレータについて柱状結晶の厚さ方向に対し、１層目と２層目の部分で結晶を分割し、分割された各々について少なくとも賦活剤の濃度を測定する。
賦活剤の定量には蛍光体を基板から剥がした試料に濃塩酸を加えて加熱乾固し、更に王水を加えて加熱溶解した後、超純水で適宜希釈したものを測定する。賦活剤濃度はヨウ化セシウムに対するモル％で表される。このＩＣＰ−ＡＥＳによりシンチレータ中の賦活剤（例；Ｔｌ）の濃度のみならず、後述する一価の陽イオンとなりうる原子の濃度も測定することができ、シンチレータ中に存在する賦活剤と一価の陽イオンとなりうる原子とのモル比を算出することができる。
［一価の陽イオンになり得る原子］
本発明に係るシンチレータには、一価の陽イオンになり得る原子が所定量含有されている。これらの原子としては、少なくともリチウム〔Ｌｉ〕、ナトリウム〔Ｎａ〕、カリウム〔Ｋ〕、ルビジウム〔Ｒｂ〕の原子のいずれか１種以上であることが好ましい。一価の陽イオンになり得る原子は以下に説明するように、２種類の陰イオン空孔の無効化に寄与する。
本発明に係るシンチレータには、一価の陽イオンになり得る原子が所定量含有されている。これらの原子としては、少なくともリチウム〔Ｌｉ〕、ナトリウム〔Ｎａ〕、カリウム〔Ｋ〕、ルビジウム〔Ｒｂ〕の原子のいずれか１種以上であることが好ましい。一価の陽イオンになり得る原子は以下に説明するように、２種類の陰イオン空孔の無効化に寄与する。
陰イオン空孔とは、シンチレータを構成する結晶から陰イオン（ヨウ化物の場合はヨウ素など）が抜き取られて形成された格子欠陥を意味し、陰イオン空孔は、負の電荷を有する陰イオンが抜けたことによって、正の電荷を有する。一般には、放射線の照射や該結晶の加熱等によって与えられたエネルギーによる原子移動の結果生じる格子欠陥、該結晶の形成の際に原子の余剰または不足による生じる格子欠陥、前記結晶を形成する際に結晶材料である母材に含まれる不純物により形成された格子欠陥、前記結晶に与えられる応力により生じる格子欠陥等が挙げられる。
通常、シンチレータに放射線が照射されると、結晶内に電子（負に帯電）と正孔（正に帯電）という、２種類のキャリアが発生し、これらが再結合することによって可視光を発光して消滅する。しかし、発生した電子が正孔と再結合する前に、正の電荷を有する格子欠陥（陰イオン空孔）に捕獲されると、捕獲された電子と陰イオン空孔との電気的な引力により、長期間に亙って該陰イオン空孔の内部に残る（このときの陰イオン空孔は、その外よりもエネルギー準位が若干低くなるため、本明細書では「トラップ準位の浅い陰イオン空孔」と呼ぶこととする）。本明細書に記載のアルカリ金属ヨウ化物等の、ある種の組成を有する母材（例；ＣｓＩ）から成るシンチレータでは、Ｘ線による格子欠陥（陰イオン空孔）生成と、上記の電子捕獲が起こりやすいため、発光に寄与するはずの電子の目減りが大きくなり、正孔との再結合による発光が起きにくくなる。また、格子欠陥は、可視光の一部を吸収して着色を引き起こす効果もあり、着色に伴う光伝播の阻害も起こす。これが、Ｘ線照射による発光量低下、すなわちＸ線耐久性劣化の原因となる。さらに、陰イオン空孔近くに電気陰性度が高い賦活剤原子（Ｔｌ等）が存在すると、陰イオン空孔と電子の電気的な引力が更に強まるため、捕獲された電子がＸ線照射後もずっと残り、その後のＸ線照射時に意図せず発光し、偽像（アーティファクト）を形成する場合がある（この時の陰イオン空孔は、電気的な引力の強まりによって、上記の「トラップ準位の浅い陰イオン空孔」よりもエネルギー準位が低くなるため、本特許では「トラップ準位の深い陰イオン空孔」と呼ぶこととする）。これがブライトバーンである。したがって、これら２種類の陰イオン空孔（トラップ準位が浅い陰イオン空孔、トラップ準位が深い陰イオン空孔）を無効化することができれば、Ｘ線耐久性劣化のみならずブライトバーンをも防止することができる。
［トラップ準位の浅い陰イオン空孔を無効化する場合］
トラップ準位の浅い陰イオン空孔を無効化するためには、以下の式（Ｉ）に示すように、炭酸イオンを介在させた状態で、一価の陽イオンになり得る原子Ａ（例；ナトリウム原子）を前記陰イオン空孔と会合体を形成させて無帯電化することで無効化することができる。
トラップ準位の浅い陰イオン空孔を無効化するためには、以下の式（Ｉ）に示すように、炭酸イオンを介在させた状態で、一価の陽イオンになり得る原子Ａ（例；ナトリウム原子）を前記陰イオン空孔と会合体を形成させて無帯電化することで無効化することができる。
まず、一価の陽イオンになり得る原子をシンチレータの各結晶内に導入すると、導入された原子が、蛍光体の柱状結晶を構成しているアルカリ金属原子（例；セシウム）と入れ替わる現象が起きる。さらに一価の陽イオンになり得る原子の量を増加させた場合、一価の陽イオンになり得る原子の柱状結晶の母材の化合物（例；ＣｓＩ）１モルに対する濃度が約０．０１モル％以上を超える付近から、アルカリ金属原子（例；セシウム）との交換が限界となり、余剰の一価の陽イオンになり得る原子はシンチレータの結晶内で、コロイドと呼ばれる凝集体として存在するようになる。このコロイドは結晶格子をすり抜けられる程度に小さいため、該結晶内を比較的自由に動き回り、陰イオン空孔の近くまで移動し、上記無帯電化を起こすようになる。
しがたって、Ｘ線耐久性劣化を防止するためには、１価の陽イオンとなりうる原子の、母材の化合物（例；ＣｓＩ）１モルに対する濃度は、少なくとも約０．０１モル％であることが好ましい。
（トラップ準位の深い陰イオン空孔を無効化する場合）
浅いトラップ準位の陰イオン空孔［＋１価］の近傍に、アルカリ金属原子（例；セシウム）よりも電気陰性度の高く、かつ価数が可変である賦活剤原子（タリウムなど）が存在すると、陰イオン空孔に捕捉された電子を賦活剤原子が取り込んで、賦活剤原子の価数が変化することがある（タリウムの場合は、＋１価→０価など）。この電子取り込みにより、陰イオン空孔に捕捉された電子の消滅と同時に無帯電化が発生し、賦活剤原子と陰イオン空孔が両方とも無帯電化する。本来正に帯電するはずの賦活剤原子が無帯電化したことで、賦活剤原子の周囲は負の電荷を帯びるため、正孔を補足してしまう可能性もあるが、実際には、上記式（Ｉ）と同様の下記式（ＩＩ）の機構とにより、余剰の一価の陽イオンになり得る原子Ａ（例；Ｎａ）により無帯電化することが可能となり、ブライトバーンを防止することができる。
浅いトラップ準位の陰イオン空孔［＋１価］の近傍に、アルカリ金属原子（例；セシウム）よりも電気陰性度の高く、かつ価数が可変である賦活剤原子（タリウムなど）が存在すると、陰イオン空孔に捕捉された電子を賦活剤原子が取り込んで、賦活剤原子の価数が変化することがある（タリウムの場合は、＋１価→０価など）。この電子取り込みにより、陰イオン空孔に捕捉された電子の消滅と同時に無帯電化が発生し、賦活剤原子と陰イオン空孔が両方とも無帯電化する。本来正に帯電するはずの賦活剤原子が無帯電化したことで、賦活剤原子の周囲は負の電荷を帯びるため、正孔を補足してしまう可能性もあるが、実際には、上記式（Ｉ）と同様の下記式（ＩＩ）の機構とにより、余剰の一価の陽イオンになり得る原子Ａ（例；Ｎａ）により無帯電化することが可能となり、ブライトバーンを防止することができる。
したがって、Ｘ線耐久性劣化のみならずブライトバーンをも防止するための一価の陽イオンになりうる原子の濃度は、母材の化合物（ＣｓＩ等）１モルに対して０．０１モル％以上の範囲内であり、かつ、前記賦活剤よりも多いモル数含有することが好ましく、具体的には、結晶に含まれる上記賦活剤の原子の濃度（０．３モル％〜２０モル％）以上であることが好ましい。
一価の陽イオンになり得る原子とは、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であることが好ましい。
例えば、母体を構成するアルカリ金属のヨウ化物がＣｓＩである場合、一価の陽イオンになり得る原子は、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子であることが好ましい。このうち、その原子のヨウ化物自身がシンチレータ母材になり得るナトリウム原子であることが特に好ましい。
例えば、母体を構成するアルカリ金属のヨウ化物がＣｓＩである場合、一価の陽イオンになり得る原子は、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子であることが好ましい。このうち、その原子のヨウ化物自身がシンチレータ母材になり得るナトリウム原子であることが特に好ましい。
（保護層）
保護層１９は、シンチレータ３を物理的または化学的に保護するものである。母材の化合物がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）である場合、吸湿性が高く空気中に露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸収して潮解してしまうため、これを防止する役割を果たす。保護層１９は、水分を透過しない樹脂等で形成することが望ましく、このような樹脂例としてはポリパラキシリレンなどを挙げることができる。
保護層１９は、シンチレータ３を物理的または化学的に保護するものである。母材の化合物がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）である場合、吸湿性が高く空気中に露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸収して潮解してしまうため、これを防止する役割を果たす。保護層１９は、水分を透過しない樹脂等で形成することが望ましく、このような樹脂例としてはポリパラキシリレンなどを挙げることができる。
（光学補償層）
保護層１９の表面には、光学補償層１３を形成することができる。通常、この光学補償層１３は樹脂で形成されており、ここで使用することができる樹脂の例としては熱硬化性の樹脂が挙げられる。熱硬化性の樹脂としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂を挙げることができる。
保護層１９の表面には、光学補償層１３を形成することができる。通常、この光学補償層１３は樹脂で形成されており、ここで使用することができる樹脂の例としては熱硬化性の樹脂が挙げられる。熱硬化性の樹脂としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂を挙げることができる。
（光電変換素子層）
基板１５の上には光電変換素層１４が配置されており、上述のように放射線照射方向（図２において上側）から照射されたＸ線がシンチレータ３で可視光線に変換され、この可視光線を前記光電変換素層１４が検出して電気信号に変換する。
基板１５の上には光電変換素層１４が配置されており、上述のように放射線照射方向（図２において上側）から照射されたＸ線がシンチレータ３で可視光線に変換され、この可視光線を前記光電変換素層１４が検出して電気信号に変換する。
上記基板１５は、多くの場合、ガラス基板で構成されており、光電変換素子層１４が既に形成されているものが用いられる。光電変換素子層１４は、図２に示すように基板１５のシンチレータ３に対向する側の光電変換素子層１４の面の上に配設され、複数の走査線と複数の信号線とが互いに交差するように配設されている（不図示）。基板１５の面の上の複数の走査線と複数の信号線により区画された各小領域には、可視光線検出素子（ＴＦＴやＣＭＯＳ等）がそれぞれ設けられている。
（光学結合層）
シンチレータパネル（図２の例では、支持体（基材）１６〜保護層１９）と、光電変換素子層１４とをカプリングする光学結合層（不図示）を設けることができる。この光学結合層は、シンチレータパネルと光電変換素子アレイを光学的に連続にする機能を有する。光学的に連続するとは、各層の間を光が進む際に損失なく伝搬することであり、シンチレータパネルと光電変換素子アレイの界面の屈折率差を小さくでき、透明性が高い材料を選択することが好ましい。光学結合層に用いられる材料としては、シリコン系のゲルやオイルが好ましい。
シンチレータパネル（図２の例では、支持体（基材）１６〜保護層１９）と、光電変換素子層１４とをカプリングする光学結合層（不図示）を設けることができる。この光学結合層は、シンチレータパネルと光電変換素子アレイを光学的に連続にする機能を有する。光学的に連続するとは、各層の間を光が進む際に損失なく伝搬することであり、シンチレータパネルと光電変換素子アレイの界面の屈折率差を小さくでき、透明性が高い材料を選択することが好ましい。光学結合層に用いられる材料としては、シリコン系のゲルやオイルが好ましい。
また、光学結合層は、シンチレータパネルと光電変換素子アレイを光学的に連続にする機能（カプリング機能という）と同時に、シンチレータパネルと光電変換素子のアレイを機械的に固定し接着させる機能を有することもできる。接着機能を有する光学結合層としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系などの常温硬化型の接着剤が使用できる。特に弾力性を有する接着樹脂としてはゴム系の接着剤が使用できる。
光学結合層の形成によって、シンチレータ３と保護層１９、光学補償層１３、光電変換素層１４の間に置ける屈折率の差を小さくすることが可能となり、照射された放射線によりシンチレータ内で発光した光が、保護層１９、光学補償層１３、光電変換素層１４それぞれの境界面において反射される度合が小さくなる。そのため、当該シンチレータ３の発光箇所と、光電変換素層１４の受光箇所の、横方向のずれが抑制される。また、反射光がシンチレータ３等で吸収されることも的確に防止される。そのため、当該シンチレータの発光箇所と、光電変換素層の受光箇所が良好に一致する状態になり、高感度でかつ鮮鋭性が高い放射線画像を得ることが可能となる。
（下引層）
支持体１６とシンチレータ３の接着性向上のため、支持体１６とシンチレータ３との間に下引層１７を設けることが好ましい。さらに、反射層１８を設ける場合は、下引層１７と支持体１６の間に反射層１８を設けることが好ましい。また、１つの層で、前記下引層１７と反射層１８を兼ねさせてもよい。
支持体１６とシンチレータ３の接着性向上のため、支持体１６とシンチレータ３との間に下引層１７を設けることが好ましい。さらに、反射層１８を設ける場合は、下引層１７と支持体１６の間に反射層１８を設けることが好ましい。また、１つの層で、前記下引層１７と反射層１８を兼ねさせてもよい。
下引層１７を構成する具体的な材料としては、易接着性のポリマー、すなわち高分子結合材（バインダー）であり、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、アラミドおよびナイロン、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、尿素ホルムアミド樹脂などが挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリパラキシリレンが好ましい。また、これらのバインダーは一種単独で用いても、二種以上を併用してもよい。下引層１７には、シンチレータ３が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために、顔料や染料を含有させてもよい。
（反射層）
支持体１６の少なくともシンチレータ３が蒸着される面に反射層１８を有することが好ましい。反射層を設けることによって、シンチレータの発光を非常に効率よく取り出すことが出来、輝度が飛躍的に向上する。反射層の例としては、アルミニウム等の金属材料を含む膜や、ＳｉＯ2やＴｉＯ2等の金属酸化物からなる増反射膜、白色顔料等の光散乱粒子と易接着性のポリマー物質との混合物による塗布膜、更にこれらを組み合わせた膜などが挙げられる。
支持体１６の少なくともシンチレータ３が蒸着される面に反射層１８を有することが好ましい。反射層を設けることによって、シンチレータの発光を非常に効率よく取り出すことが出来、輝度が飛躍的に向上する。反射層の例としては、アルミニウム等の金属材料を含む膜や、ＳｉＯ2やＴｉＯ2等の金属酸化物からなる増反射膜、白色顔料等の光散乱粒子と易接着性のポリマー物質との混合物による塗布膜、更にこれらを組み合わせた膜などが挙げられる。
（その他の部材）
基板１５の裏面側には鉛の薄板２０を介して基台６が配置されている。また、基台６には、センサパネル等に衝撃が加わって筐体２の内部に衝突するのを防止するために、筐体２の内部の側壁との間に緩衝部材９，９等が適宜取り付けられる。この基台６には、シグナルインターフェイス基板、ゲートインターフェイス基板、コントロール基板および電源基板等の電子部品７，・・・が配設されたＰＣＢ基板８，８並びに放射線検出器１の各機能部に電力を供給するバッテリ５等が配設されている。
基板１５の裏面側には鉛の薄板２０を介して基台６が配置されている。また、基台６には、センサパネル等に衝撃が加わって筐体２の内部に衝突するのを防止するために、筐体２の内部の側壁との間に緩衝部材９，９等が適宜取り付けられる。この基台６には、シグナルインターフェイス基板、ゲートインターフェイス基板、コントロール基板および電源基板等の電子部品７，・・・が配設されたＰＣＢ基板８，８並びに放射線検出器１の各機能部に電力を供給するバッテリ５等が配設されている。
《蒸着装置》
まず、本発明に係る放射線検出器の製造方法に使用可能な蒸着装置について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は抵抗加熱法によって蒸着物質を蒸発させる物理蒸着（ＰＶＤ）を行う装置であるが、実際の蒸着は、電子線照射装置や高周波誘導加熱手段によって蒸発させる物理蒸着、高電圧印加によりイオン化した気体元素を蒸着物質に衝突させて製膜するスパッタリング、成膜時の基板表面にて化学反応を生ぜしめる気相化学成長（ＣＶＤ）等の手法を用いて成膜しても良い。
まず、本発明に係る放射線検出器の製造方法に使用可能な蒸着装置について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は抵抗加熱法によって蒸着物質を蒸発させる物理蒸着（ＰＶＤ）を行う装置であるが、実際の蒸着は、電子線照射装置や高周波誘導加熱手段によって蒸発させる物理蒸着、高電圧印加によりイオン化した気体元素を蒸着物質に衝突させて製膜するスパッタリング、成膜時の基板表面にて化学反応を生ぜしめる気相化学成長（ＣＶＤ）等の手法を用いて成膜しても良い。
図３に、本発明に係るシンチレータの製造方法に使用可能な蒸着装置２５を示す。
蒸着装置２５の真空容器２１の内部の底面付近には、支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の対峙する位置に蒸着源２２〜２４が配置されている。この場合において、支持体１６と蒸着源２２〜２４との間隔は、例えば１００〜１，５００ｍｍとするのが好ましく、より好ましくは２００〜１，０００ｍｍである。また、支持体１６に垂直な中心線と蒸着源２２〜２４との間隔は１００〜１，５００ｍｍとするのが好ましく、より好ましくは２００〜１，０００ｍｍである。
蒸着装置２５の真空容器２１の内部の底面付近には、支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の対峙する位置に蒸着源２２〜２４が配置されている。この場合において、支持体１６と蒸着源２２〜２４との間隔は、例えば１００〜１，５００ｍｍとするのが好ましく、より好ましくは２００〜１，０００ｍｍである。また、支持体１６に垂直な中心線と蒸着源２２〜２４との間隔は１００〜１，５００ｍｍとするのが好ましく、より好ましくは２００〜１，０００ｍｍである。
なお、蒸着源２２〜２４の代わりに、３個を超える多数（例；８個、１６個、２４個等）の蒸着源を設けることも可能であり、各々の蒸着源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。
蒸着源２２〜２４は、例えば加熱手段を有する坩堝であり、例えば、母材化合物、賦活剤化合物及び一価の陽イオンを形成し得る原子を含む化合物をそれぞれ収容して該化合物を抵抗加熱手段により加熱する。従って、各蒸着源２２〜２４を、ヒータを巻回したアルミナ製の坩堝から構成してもよいし、ボート、或いは高融点金属からなるヒータから構成してもよい。
また、前記加熱手段は、抵抗加熱法以外にも、電子線照射装置や高周波誘導加熱手段であってもよいが、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、極めて多くの物質に適用可能である点から、上記抵抗加熱手段が好ましく、該抵抗加熱手段を坩堝の周囲に配置して、該坩堝を間接的に加熱するように構成することが好ましい。
蒸着装置２５によれば、複数の蒸発器２２〜２４の蒸気流が重なり合う部分が整流化され、支持体２２の表面に蒸着するシンチレータの結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発器を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲においてシンチレータの結晶性を均一にすることができる。また、蒸発器２２〜２４を支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、支持体１６の表面において等方的に得ることができる。
支持体ホルダー２６は、支持体１６のシンチレータ３を形成する面が真空容器２１の底面に対向し、かつ、真空容器２１の底面と平行となるように支持体１６を保持する構成となっている。
また、支持体ホルダー２６には、支持体１６を加熱する加熱ヒータあるいは冷却装置（不図示）を備えることが好ましい。この加熱ヒータあるいは冷却装置で支持体１６の温度を調整することによって、支持体１６の支持体ホルダー２６に対する密着性の強化や、シンチレータ３の膜質調整を行う。また、支持体１６の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１６の表面とシンチレータ３との間に不純物層が発生することを防止する。
また、加熱手段として温媒または熱媒を循環させるための機構（不図示）を有していてもよい。この機構は、シンチレータ３を蒸着させる際に支持体１６の温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。さらに、加熱手段としてハロゲンランプ（不図示）を有していてもよい。この加熱手段は、シンチレータを蒸着により形成する際に支持体１６の温度を１５０℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。
支持体ホルダー２６には、支持体１６を水平方向に回転させる支持体回転機構２７が設けられている。支持体回転機構２７は、支持体ホルダー２６を支持するとともに支持体１６を回転させる支持体回転軸２８および真空容器２１の外部に配置されて支持体回転軸２８の駆動源となるモータ（不図示）から構成されている。
蒸着装置２５には、上記構成の他に、真空容器２１に真空ポンプ２９が配設されている。真空ポンプ２９は、真空容器２１の内部に存在する気体の排気を行うもので、高真空領域まで排気するために、作動圧力領域の異なる真空ポンプを二種またはそれ以上配置してもよい。真空ポンプ２９としては、例えば、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ、メカニカルブースタ等を用いることができる。
真空容器２１には、内部にガスを導入できる機構が設けられており（不図示）、該導入するガスは、一般的には例えばＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガスが用いられる。真空容器２１内の圧力は、真空容器２１内を真空ポンプ２９で排気しながら導入するガス量で調整してもよいし、真空容器２１内を所望の圧力よりも低い圧力の状態となるまで排気を行った後に該排気を停止して、その後所望の圧力となるまで真空容器２１内にガスを導入することにより前記圧力を調整してもよい。また、真空容器２１と真空ポンプ２９の間に圧力制御弁を設けることにより、真空ポンプ２９の排気量を調整して真空容器２１内の圧力を制御してもよい。
また、蒸着源２２〜２４と支持体１６との間には、蒸着源２２〜２４から支持体１６に至る空間を遮断するシャッター３０〜３２が配置されており、水平方向に配置及び退避が自在できるように設けられている。このシャッター３０〜３２によって、蒸着源２２〜２４においてシンチレータ３の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体１６に付着するのを防ぐことができるようになっている。
≪シンチレータの製造方法≫
本発明に係るシンチレータは、少なくとも以下の蒸着工程により製造できるが、シンチレータの一般的なシンチレータの製造等を考慮すると、通常、例えば、以下の（i）予備加熱工程、（ii）減圧工程、(iii)蒸着工程、(iv)反射層形成工程、（v）下引層製造工程、(vi)冷却工程、および(vii)後処理工程により行われる。以下、図３の蒸着装置を用いて上記工程（i）〜(vii)を行う場合を例にして、本発明に係るシンチレータの製造方法の実施形態について説明する。
本発明に係るシンチレータは、少なくとも以下の蒸着工程により製造できるが、シンチレータの一般的なシンチレータの製造等を考慮すると、通常、例えば、以下の（i）予備加熱工程、（ii）減圧工程、(iii)蒸着工程、(iv)反射層形成工程、（v）下引層製造工程、(vi)冷却工程、および(vii)後処理工程により行われる。以下、図３の蒸着装置を用いて上記工程（i）〜(vii)を行う場合を例にして、本発明に係るシンチレータの製造方法の実施形態について説明する。
（母材化合物）
本発明に係るシンチレータの製造に使用可能なシンチレータの母材原料の化合物（以下、母材化合物という）として、少なくともアルカリ金属やアルカリ土類金属のヨウ化物が用いられる。このアルカリ金属のヨウ化物の例としては、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、ヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕等が挙げられる。このアルカリ土類金属のヨウ化物の例としては、ヨウ化銅〔ＣｕＩ〕、ヨウ化カルシウム〔ＣａＩ〕等が挙げられる。これらの母材化合物は、例えば、蒸着用として通常市販されているものを使用することができる。
本発明に係るシンチレータの製造に使用可能なシンチレータの母材原料の化合物（以下、母材化合物という）として、少なくともアルカリ金属やアルカリ土類金属のヨウ化物が用いられる。このアルカリ金属のヨウ化物の例としては、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、ヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕等が挙げられる。このアルカリ土類金属のヨウ化物の例としては、ヨウ化銅〔ＣｕＩ〕、ヨウ化カルシウム〔ＣａＩ〕等が挙げられる。これらの母材化合物は、例えば、蒸着用として通常市販されているものを使用することができる。
（一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物）
一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物（以下、陽イオン生成化合物という）は、一価の陽イオンとなりうるアルカリ金属原子を含む化合物であり、例えば、該アルカリ金属のヨウ化物を挙げることができる。陽イオン生成化合物は、好適には、上記母材化合物に含まれる母材形成用のアルカリ金属原子より原子番号の小さいアルカリ金属原子を含むものである。
一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物（以下、陽イオン生成化合物という）は、一価の陽イオンとなりうるアルカリ金属原子を含む化合物であり、例えば、該アルカリ金属のヨウ化物を挙げることができる。陽イオン生成化合物は、好適には、上記母材化合物に含まれる母材形成用のアルカリ金属原子より原子番号の小さいアルカリ金属原子を含むものである。
例えば、母材化合物がＣｓＩである場合、セシウムよりも原子番号の小さいアルカリ金属は、リチウム〔Ｌｉ〕、ナトリウム〔Ｎａ〕、カリウム〔Ｋ〕、ルビジウム〔Ｒｂ〕であるので、これらのヨウ化物（ヨウ化リチウム〔ＬｉＩ〕、ヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕およびヨウ化ルビジウム〔ＲｂＩ〕を一価の陽イオンを含む化合物として好適に用いることができる。イオン化傾向の大きいアルカリ金属原子である程、１価の陽イオンとして柱状結晶中に供給されやすいため、イオン化傾向の観点から、ヨウ化リチウム〔ＬｉＩ〕、ヨウ化カリウム〔ＫＩ〕あるいはヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕が好ましく、特にヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕が好ましい。
上述した一価の陽イオンを含む化合物は、特級試薬に準ずる純度を有するものを入手してシンチレータの製造に用いることができる。
上述した一価の陽イオンを含む化合物は、特級試薬に準ずる純度を有するものを入手してシンチレータの製造に用いることができる。
（賦活剤化合物）
上述した賦活剤を含む化合物（以下、賦活剤化合物という）として、ヨウ化タリウム〔Ｔｌ〕、ユウロピウム〔Ｅｕ〕を含む化合物、セリウム〔Ｃｅ〕を含む化合物、サマリウム〔Ｓｍ〕を含む化合物、ビスマス〔Ｂｉ〕を含む化合物、銅〔Ｃｕ〕を含む化合物、テルビウム〔Ｔｂ〕を含む化合物などの賦活剤の原子を含むヨウ化物を例示することができる。なお、これらの化合物としては、ＥｕＳ、ＥｕＦ3、Ｅｕ2Ｏ3や、ＥｕＣｌ3等のハロゲン化物のような酸化物（例：Ｅｕ2Ｏ3）、硫化物（例：ＥｕＳ）、複酸化物（例：Ｅｕ2Ｏ3―Ｙ2Ｏ3）、硝酸塩（例：Ｅｕ(ＮＯ3）3）、硫酸塩（ＥｕＳＯ4）、炭酸塩（例：ＥｕＣＯ3）等の塩を例示することができる。なお、賦活剤化合物が有する原子は、柱状結晶を組成する母材化合物が有する原子とは異なる原子であることは勿論である。
上述した賦活剤を含む化合物（以下、賦活剤化合物という）として、ヨウ化タリウム〔Ｔｌ〕、ユウロピウム〔Ｅｕ〕を含む化合物、セリウム〔Ｃｅ〕を含む化合物、サマリウム〔Ｓｍ〕を含む化合物、ビスマス〔Ｂｉ〕を含む化合物、銅〔Ｃｕ〕を含む化合物、テルビウム〔Ｔｂ〕を含む化合物などの賦活剤の原子を含むヨウ化物を例示することができる。なお、これらの化合物としては、ＥｕＳ、ＥｕＦ3、Ｅｕ2Ｏ3や、ＥｕＣｌ3等のハロゲン化物のような酸化物（例：Ｅｕ2Ｏ3）、硫化物（例：ＥｕＳ）、複酸化物（例：Ｅｕ2Ｏ3―Ｙ2Ｏ3）、硝酸塩（例：Ｅｕ(ＮＯ3）3）、硫酸塩（ＥｕＳＯ4）、炭酸塩（例：ＥｕＣＯ3）等の塩を例示することができる。なお、賦活剤化合物が有する原子は、柱状結晶を組成する母材化合物が有する原子とは異なる原子であることは勿論である。
（蒸着装置の準備）
図３の蒸着装置の支持体ホルダー２６に上述した支持体１６を取付け、真空容器２１の底面付近において、支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸着源２２〜２４を配置する。ここで、蒸着源２２〜２４はガス流を均一に混合して蒸着させる観点から、図３に示すように等間隔に配置することが好ましい。次に、図３の蒸着装置の蒸着器２２〜２４に、（Ａ）母材化合物（例：ＣｓＩ）と、（Ｂ）賦活剤化合物（例：ＴｌＩ）と、（Ｃ）陽イオン形成化合物（例；ＮａＩ）とをそれぞれ充填する。ここで、蒸着源である坩堝やボートは１個以上であれば数は限定されない。すなわち、上記（Ａ）〜（Ｃ）の３成分のうち、２成分以上を一つの蒸着源から蒸発させて蒸着に供しても構わない。例えば、上記３成分（Ａ）〜（Ｃ）を混合したものを１つ蒸着器の中に格納して蒸着に供してもよい。
図３の蒸着装置の支持体ホルダー２６に上述した支持体１６を取付け、真空容器２１の底面付近において、支持体１６に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸着源２２〜２４を配置する。ここで、蒸着源２２〜２４はガス流を均一に混合して蒸着させる観点から、図３に示すように等間隔に配置することが好ましい。次に、図３の蒸着装置の蒸着器２２〜２４に、（Ａ）母材化合物（例：ＣｓＩ）と、（Ｂ）賦活剤化合物（例：ＴｌＩ）と、（Ｃ）陽イオン形成化合物（例；ＮａＩ）とをそれぞれ充填する。ここで、蒸着源である坩堝やボートは１個以上であれば数は限定されない。すなわち、上記（Ａ）〜（Ｃ）の３成分のうち、２成分以上を一つの蒸着源から蒸発させて蒸着に供しても構わない。例えば、上記３成分（Ａ）〜（Ｃ）を混合したものを１つ蒸着器の中に格納して蒸着に供してもよい。
（反射層形成工程）
ここで、上述した支持体１６の下面（図３において下側）の適した位置に反射層１８を形成する工程（反射層形成工程）を行ってもよい。例えば、支持体１６の表面に酸化金属（銀等）をスパッタ法等にてコーティングすることで、反射層（例：０．１０μｍ）を形成することができる。反射層の厚さは、シンチレータ３やそれを構成する結晶径にもよるが、金属薄膜を用いる場合は、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。また、白色顔料等の光産卵分子と易接着性のポリマー物質との混合物による塗布膜を用いる場合は１０〜５００μｍであることが好ましい。反射層の膜厚が１０μｍ以上で充分な輝度が得られ、また５００μｍ以下で、反射層表面の平滑性が向上する。
ここで、上述した支持体１６の下面（図３において下側）の適した位置に反射層１８を形成する工程（反射層形成工程）を行ってもよい。例えば、支持体１６の表面に酸化金属（銀等）をスパッタ法等にてコーティングすることで、反射層（例：０．１０μｍ）を形成することができる。反射層の厚さは、シンチレータ３やそれを構成する結晶径にもよるが、金属薄膜を用いる場合は、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。また、白色顔料等の光産卵分子と易接着性のポリマー物質との混合物による塗布膜を用いる場合は１０〜５００μｍであることが好ましい。反射層の膜厚が１０μｍ以上で充分な輝度が得られ、また５００μｍ以下で、反射層表面の平滑性が向上する。
（下引層形成工程）
さらに、支持体１６とシンチレータ３の接着性向上のために、必要に応じて、支持体１６（又は反射層１８）の下面に蒸着して下引き層１７を形成する工程（下引層形成工程）を行ってもよい。例えば、高分子ポリマー（例；高分子ポリエステル樹脂等）を所定の溶媒（例；メチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノン）に溶解または分散させ、十数時間（例；１５時間）撹拌した後、下引塗設用の塗布液を調製し、この塗布液を上記支持体１６の反射層１８の側（図２において下側）に乾燥層厚が１．０μｍになるようにスピンコーターで塗布したのち所定温度（例；１００℃）で数時間（例；８時間程度）乾燥することで下引層を作製することができる。
さらに、支持体１６とシンチレータ３の接着性向上のために、必要に応じて、支持体１６（又は反射層１８）の下面に蒸着して下引き層１７を形成する工程（下引層形成工程）を行ってもよい。例えば、高分子ポリマー（例；高分子ポリエステル樹脂等）を所定の溶媒（例；メチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノン）に溶解または分散させ、十数時間（例；１５時間）撹拌した後、下引塗設用の塗布液を調製し、この塗布液を上記支持体１６の反射層１８の側（図２において下側）に乾燥層厚が１．０μｍになるようにスピンコーターで塗布したのち所定温度（例；１００℃）で数時間（例；８時間程度）乾燥することで下引層を作製することができる。
この下引層１７は、ポリエステルを含有する塗布液を塗布してポリエステルからなる膜を形成する方法、ＣＶＤ法（気相化学成長法）によりポリパラキシリレン膜を成膜する方法、あるいは、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体等の高分子結合材（バインダー）による方法があるが、膜付の観点からメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール等の溶剤を用いて高分子結合材（バインダー）を後述の反射層１８に塗および乾燥する方法が好ましい。また、下引層１７の厚さは３〜１０μｍが好ましい。
（予備加熱工程）
後述する減圧工程の前に、充填した（Ａ）母材化合物、（Ｂ）賦活剤化合物、および（Ｃ）陽イオン生成化合物の３成分に含まれている不純物を蒸着する前に除去するために予備加熱工程を行ってもよい。この予備加熱工程は、使用する上記（Ａ）〜（Ｃ）の各化合物の融点以下であることが望ましい。
後述する減圧工程の前に、充填した（Ａ）母材化合物、（Ｂ）賦活剤化合物、および（Ｃ）陽イオン生成化合物の３成分に含まれている不純物を蒸着する前に除去するために予備加熱工程を行ってもよい。この予備加熱工程は、使用する上記（Ａ）〜（Ｃ）の各化合物の融点以下であることが望ましい。
例えば、母体化合物がヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕である場合、予備加熱の温度は、好ましくは５０〜６２０℃であり、より好ましくは１００〜５００℃である。また、ヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕を予備加熱する場合、予備加熱の温度は、５０〜４４０℃が好ましく、１００〜４００℃がより好ましい。さらに、陽イオン形成化合物がＮａＩである場合には、予備加熱の温度は、５０〜６６０℃が好ましく、１００〜６００℃がより好ましい。融点以下の上記３成分（Ａ）〜（Ｃ）の共通する温度範囲で予備加熱をすることが好ましい。
（減圧工程）
個々の柱状結晶が独立しているシンチレータを形成する観点で、蒸着装置２５内の気体を一旦排出し、例えば、Ａｒガスを導入して、蒸着装置２５内の気圧を、０．００１〜１０Ｐａ、好ましくは０．０１〜１Ｐａにした後、支持体１６を回転させる減圧工程を設けても良い。この回転は、好ましくは２〜１５ｒｐｍであり、より好ましくは４〜１０ｒｐｍである。
個々の柱状結晶が独立しているシンチレータを形成する観点で、蒸着装置２５内の気体を一旦排出し、例えば、Ａｒガスを導入して、蒸着装置２５内の気圧を、０．００１〜１０Ｐａ、好ましくは０．０１〜１Ｐａにした後、支持体１６を回転させる減圧工程を設けても良い。この回転は、好ましくは２〜１５ｒｐｍであり、より好ましくは４〜１０ｒｐｍである。
（蒸着工程）
蒸着工程は、無機結晶の母材の原料としてのアルカリ金属のヨウ化物（母材化合物）と、一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物と、賦活剤を含む化合物（賦活剤化合物）と、を用いて、支持体１６に対して垂直に規則的構造を有する無機結晶を形成させる工程である。なお、形成された無機結晶の層がシンチレータ３である。
蒸着工程は、無機結晶の母材の原料としてのアルカリ金属のヨウ化物（母材化合物）と、一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物と、賦活剤を含む化合物（賦活剤化合物）と、を用いて、支持体１６に対して垂直に規則的構造を有する無機結晶を形成させる工程である。なお、形成された無機結晶の層がシンチレータ３である。
ここで、前記無機結晶における前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量は、前記賦活剤よりも多いモル数であることが必要である。一価の陽イオンになり得る原子の含有量を、前記賦活剤よりも多いモル数とする方法については限定されず、以下に例示する方法で行うことができる。具体的には、賦活剤化合物と陽イオン形成化合物について、例えば（i）各蒸着源の加熱温度、（ii）各蒸着源の加熱時間、（iii）各蒸着源の化合物の格納量および格納順序を調節することにより、陽イオン形成化合物の蒸着量を賦活剤化合物の蒸着量と同量またはそれ以上となるように調節することができる。
（冷却工程）
蒸着の際に加熱を行っていた高温の支持体１６を取り出すために冷却する必要がある。ここで、シンチレータ３を平均冷却速度０．５℃〜１０℃/分の範囲で８０℃まで冷却することで、支持体１６等にダメージを与えることなく冷却することができる。この効果は、例えば、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルム等の比較的薄い基板を支持体１６に用いた場合に特に有効である。この冷却工程は、真空度１×１０-5Ｐａ〜０．１Ｐａの雰囲気下で行われることが特に好ましい。また、冷却工程時に、蒸着装置２５の真空容器２１内にＡｒやＨｅ等の不活性ガスを導入してもよい。なお、ここでいう平均冷却速度とは、冷却開始（蒸着終了時）から８０℃まで冷却する間の時間と温度を連続的に測定し、この間の1分間あたりの冷却速度を求めたものである。
蒸着の際に加熱を行っていた高温の支持体１６を取り出すために冷却する必要がある。ここで、シンチレータ３を平均冷却速度０．５℃〜１０℃/分の範囲で８０℃まで冷却することで、支持体１６等にダメージを与えることなく冷却することができる。この効果は、例えば、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルム等の比較的薄い基板を支持体１６に用いた場合に特に有効である。この冷却工程は、真空度１×１０-5Ｐａ〜０．１Ｐａの雰囲気下で行われることが特に好ましい。また、冷却工程時に、蒸着装置２５の真空容器２１内にＡｒやＨｅ等の不活性ガスを導入してもよい。なお、ここでいう平均冷却速度とは、冷却開始（蒸着終了時）から８０℃まで冷却する間の時間と温度を連続的に測定し、この間の1分間あたりの冷却速度を求めたものである。
（後処理工程）
蒸着終了後、シンチレータ３を加熱処理してもよい。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
蒸着終了後、シンチレータ３を加熱処理してもよい。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
《シンチレータの確認》
（柱状結晶の形成確認）
同一条件で製造したシンチレータ３を支持体１６と平行に切除し、切除した断面の走査型電子顕微鏡写真を、画像処理ソフトを使用して柱状結晶の部分とそれらの間の空隙部とを調べることができる。
（柱状結晶の形成確認）
同一条件で製造したシンチレータ３を支持体１６と平行に切除し、切除した断面の走査型電子顕微鏡写真を、画像処理ソフトを使用して柱状結晶の部分とそれらの間の空隙部とを調べることができる。
（シンチレータの断裁）
支持体１６がガラス製やシリコーン製の場合は、蒸着後のシンチレータ３をレーザダイシング装置で断裁することができる。また、支持体１６が樹脂フィルムである場合、レーザ断裁装置を使用することが好ましい。レーザ処理により断裁したシンチレータ３は、支持体１６のほぼ全域に柱状結晶が形成されており、断裁した後に支持体１６上にシンチレータ３を形成する場合に比較し、画像有効領域が広く好ましいが、その反面、保護層１９の形成をはじめとするその後の各プロセスにおけるハンドリングが難しくなる。そこで断裁終了後のシンチレータ３にハンドリング用の保持部材を使用することが好ましい。この保持部材は、真空吸引、静電吸引といった半導体を持ち運ぶために一般的に使用される機器でもよく、また、粘着もしくは接着により固定され、各工程終了後、梱包前に熱、ＵＶ、冷却、超音波等の処理により簡単に剥離できるようなシートを用いてもよい。また、剛直で大面積の平板にこのようなシートをシンチレータ３の断裁形状に両面テープで貼り付けておけば、小サイズで数量の多い品種でも断裁後のピックアップや保護層形成といったその後の工程をまとめて行うことができ、生産プロセスの時間短縮につながり、有用である。
支持体１６がガラス製やシリコーン製の場合は、蒸着後のシンチレータ３をレーザダイシング装置で断裁することができる。また、支持体１６が樹脂フィルムである場合、レーザ断裁装置を使用することが好ましい。レーザ処理により断裁したシンチレータ３は、支持体１６のほぼ全域に柱状結晶が形成されており、断裁した後に支持体１６上にシンチレータ３を形成する場合に比較し、画像有効領域が広く好ましいが、その反面、保護層１９の形成をはじめとするその後の各プロセスにおけるハンドリングが難しくなる。そこで断裁終了後のシンチレータ３にハンドリング用の保持部材を使用することが好ましい。この保持部材は、真空吸引、静電吸引といった半導体を持ち運ぶために一般的に使用される機器でもよく、また、粘着もしくは接着により固定され、各工程終了後、梱包前に熱、ＵＶ、冷却、超音波等の処理により簡単に剥離できるようなシートを用いてもよい。また、剛直で大面積の平板にこのようなシートをシンチレータ３の断裁形状に両面テープで貼り付けておけば、小サイズで数量の多い品種でも断裁後のピックアップや保護層形成といったその後の工程をまとめて行うことができ、生産プロセスの時間短縮につながり、有用である。
《放射線検出器の製造方法》
本発明に係る放射線検出器の製造方法は、少なくとも、上述した本発明に係るシンチレータの製造方法を工程として含み、さらに、任意に以下の保護層形成工程、光学補償層形成工程、光電変換素子層形成工程、光学結合層形成工程等を経るものである。
本発明に係る放射線検出器の製造方法は、少なくとも、上述した本発明に係るシンチレータの製造方法を工程として含み、さらに、任意に以下の保護層形成工程、光学補償層形成工程、光電変換素子層形成工程、光学結合層形成工程等を経るものである。
（保護層形成工程）
保護層は、蛍光体層を物理的または化学的に保護することを主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕等の母材は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを目的とする。上記蒸着工程終了後、必要に応じて前記シンチレータ３の支持体１６側とは反対の側に保護層を設けることが好ましい。
保護層は、蛍光体層を物理的または化学的に保護することを主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕等の母材は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを目的とする。上記蒸着工程終了後、必要に応じて前記シンチレータ３の支持体１６側とは反対の側に保護層を設けることが好ましい。
例えば、別のＣＶＤ装置にてポリパラキシリレンからなる層にホットメルト樹脂を塗設後、ホットメルト樹脂面をシンチレータ３の層面に配置し、１２０℃に加熱したローラーで加圧しながら張り合わせることで保護層１９を形成する。受光素子面との接着に接着剤を使用する場合は保護層と接着剤層の厚みのトータルが３０μｍ以下になるように保護層の厚みを調整する。
（光学補償層形成工程）
光学補償層１３は、シンチレータ３と光電変換素子層１４との間に介在させる層で、両者の境界面での屈折率の差を小さくして、境界面で反射される光の量をより低減するためのものである。光学補償層１３は、熱硬化性の樹脂等の樹脂で形成されている。熱硬化性の樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好ましく用いられる。シンチレータ３に熱硬化性の樹脂を塗布した後、シンチレータの周囲の温度に塗布した樹脂の硬化温度まで加熱して、熱硬化性の樹脂を硬化させることにより、シンチレータ３の柱状結晶の先端部分と光電変換層１４との間に光学補償層１３が形成される。
光学補償層１３は、シンチレータ３と光電変換素子層１４との間に介在させる層で、両者の境界面での屈折率の差を小さくして、境界面で反射される光の量をより低減するためのものである。光学補償層１３は、熱硬化性の樹脂等の樹脂で形成されている。熱硬化性の樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好ましく用いられる。シンチレータ３に熱硬化性の樹脂を塗布した後、シンチレータの周囲の温度に塗布した樹脂の硬化温度まで加熱して、熱硬化性の樹脂を硬化させることにより、シンチレータ３の柱状結晶の先端部分と光電変換層１４との間に光学補償層１３が形成される。
（光電変換素子層形成工程）
光電変換素子層１４は、少なくとも、透明電極と、該透明電極を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層と、前記透明電極に対しての対極となる対電極とから構成されており、図２の上側からこの順に配置される（不図示）。
光電変換素子層１４は、少なくとも、透明電極と、該透明電極を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層と、前記透明電極に対しての対極となる対電極とから構成されており、図２の上側からこの順に配置される（不図示）。
（光学結合層形成工程）
下引層１７、反射層１８、支持体１６、シンチレータ３、保護層１９及び光学補償層１３で構成されたシンチレータパネルと、光電変換素子層１４の受光素子（不図示）を接着剤で張り合わせる場合、接着にあたっては接着剤が固化するまで１０〜５００ｆｇ／ｃｍ2（０．９８〜４９ｋＰａ）の圧力で加圧する。加圧により接着剤層から気泡が除去される。保護層１２３としてホットメルト樹脂を使用した場合は１０〜５００ｆｇ／ｃｍ2（０．９８〜４９ｋＰａ）の圧力で加圧しながら、ホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０℃程度高い温度まで加熱し１〜２時間静置後、徐々に冷却する。急冷するとホットメルト樹脂の収縮応力により受光素子の画素にダメージかあるので、好ましくは２０℃／ｈ以下の速度で５０℃以下まで冷却する。接着剤としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコン系等の常温硬化型の接着剤が使用できる。特に弾力性を有する接着樹脂としてはポリブチレン等のゴム系の接着剤が使用できる。
下引層１７、反射層１８、支持体１６、シンチレータ３、保護層１９及び光学補償層１３で構成されたシンチレータパネルと、光電変換素子層１４の受光素子（不図示）を接着剤で張り合わせる場合、接着にあたっては接着剤が固化するまで１０〜５００ｆｇ／ｃｍ2（０．９８〜４９ｋＰａ）の圧力で加圧する。加圧により接着剤層から気泡が除去される。保護層１２３としてホットメルト樹脂を使用した場合は１０〜５００ｆｇ／ｃｍ2（０．９８〜４９ｋＰａ）の圧力で加圧しながら、ホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０℃程度高い温度まで加熱し１〜２時間静置後、徐々に冷却する。急冷するとホットメルト樹脂の収縮応力により受光素子の画素にダメージかあるので、好ましくは２０℃／ｈ以下の速度で５０℃以下まで冷却する。接着剤としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコン系等の常温硬化型の接着剤が使用できる。特に弾力性を有する接着樹脂としてはポリブチレン等のゴム系の接着剤が使用できる。
（その他の部材の形成）
また、鉛の薄板２０を設けて、放射線検出器１を透過した放射線や、放射線検出器１の構成素材が放射線吸収により発生する２次放射線の装置外への漏洩を防止する。また、基台６、バッテリ５、ＰＣＢ基板８，緩衝剤９，９，筐体２等を設けて、放射線検出器１が製造される。
また、鉛の薄板２０を設けて、放射線検出器１を透過した放射線や、放射線検出器１の構成素材が放射線吸収により発生する２次放射線の装置外への漏洩を防止する。また、基台６、バッテリ５、ＰＣＢ基板８，緩衝剤９，９，筐体２等を設けて、放射線検出器１が製造される。
＜シンチレータのブライトバーン抑制能の評価＞
製造したシンチレータ３のブライトバーン消去機能を評価する方法は以下の通りに行うことができる。
製造したシンチレータ３のブライトバーン消去機能を評価する方法は以下の通りに行うことができる。
例えば、製造したシンチレータ３に管電圧８０ｋＶｐのＸ線を３０Ｒ照射した際に、照射前に比べてシンチレータ３のパネル感度がどの程度変化したかを、下記式によって算出し、これを変化率と規定する。
パネル感度上昇率（％）＝（Ｘ線照射後のパネル感度−Ｘ線照射前のパネル感度）／Ｘ線照射前のパネル感度×１００
この変化率の程度によって、ブライトバーンがあれば変化率は正の値となる一方、変化率が０％になれば、ブライトバーンが無い（または消去された）ことを評価することができる。
パネル感度上昇率（％）＝（Ｘ線照射後のパネル感度−Ｘ線照射前のパネル感度）／Ｘ線照射前のパネル感度×１００
この変化率の程度によって、ブライトバーンがあれば変化率は正の値となる一方、変化率が０％になれば、ブライトバーンが無い（または消去された）ことを評価することができる。
［実施例１］
≪シンチレータの製造≫
（反射層および下引層の作成）
Ａｌ−０．３５％Ｃｒのターゲットを準備し、１３．２５ＭＨｚのＲＦ電力１０Ｗ／ｃｍ2、Ａｒ雰囲気中０．５Ｐａ、支持体１６の温度１００℃、ベース圧力０．００１Ｐａの条件でスパッタ法を行った。Ａｒ+イオンによりターゲットのＡｌ−０．３５％Ｃｒ合金が打ち出され、対向電極上に置かれた厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（支持体１６）（宇部興産（株）製、ユーピレックス）の上にＡｌ−０．３５％Ｃｒ合金の膜（反射層１８）を形成した。
≪シンチレータの製造≫
（反射層および下引層の作成）
Ａｌ−０．３５％Ｃｒのターゲットを準備し、１３．２５ＭＨｚのＲＦ電力１０Ｗ／ｃｍ2、Ａｒ雰囲気中０．５Ｐａ、支持体１６の温度１００℃、ベース圧力０．００１Ｐａの条件でスパッタ法を行った。Ａｒ+イオンによりターゲットのＡｌ−０．３５％Ｃｒ合金が打ち出され、対向電極上に置かれた厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（支持体１６）（宇部興産（株）製、ユーピレックス）の上にＡｌ−０．３５％Ｃｒ合金の膜（反射層１８）を形成した。
これを図３のＣＶＤ装置にセットし、反射層１８に融点２９０℃のパリレンＣ（日本パリレン合同会社製）からなる下引層１７を形成した。下引層１７の厚さは３μｍであった。なお、パリレンＣは、ベンゼン環が−ＣＨ2−を介して重合した基本構造を有し、このベンゼン環の水素一個が塩素で置換されたものである。
（蒸着工程）
図３の蒸着装置を参照して説明する。まず、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、賦活剤〔ＴｌＩ〕およびヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕を３つの抵抗加熱るつぼ２２，２３，２４にそれぞれ充填し、これを蒸発源とし、支持体ホルダーの金属製の枠（図示せず）に下引層１７を有する支持体を設置し、下引層１７と上記蒸発源２２〜２４との間隔を４００ｍｍとなるよう調整した。
図３の蒸着装置を参照して説明する。まず、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム〔ＣｓＩ〕、賦活剤〔ＴｌＩ〕およびヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕を３つの抵抗加熱るつぼ２２，２３，２４にそれぞれ充填し、これを蒸発源とし、支持体ホルダーの金属製の枠（図示せず）に下引層１７を有する支持体を設置し、下引層１７と上記蒸発源２２〜２４との間隔を４００ｍｍとなるよう調整した。
続いて、蒸着装置２５内のガスを一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．０５Ｐaに真空度を調整した後、６ｒｐｍの速度で、支持体ホルダー２７と上記のように形成した下引層１７等とを一体に回転させた。このとき、支持体ホルダー２６の加熱ヒーター（図示せず）により、下引層１７等の温度を３０℃とした。
次に、蒸着源２２，２３，２４の抵抗加熱坩堝を加熱して蛍光体の蒸着を開始した。下引層１６等の温度を３０℃として厚さ１０μｍの下地層を形成した。その後、下引層１６等の加熱を開始し、その温度を２００℃に加熱したところで蛍光体層の形成を開始した。
なお、蒸着源２２〜２４に、それぞれヨウ化タリウム、ヨウ化セシウム、ヨウ化ナトリウムが格納した後、各化合物の蒸着源２２〜２４の加熱温度、格納量、加熱時間を適宜制御することで、下記表１の組成となるようにシンチレータを製造した。そして、シンチレータ３の蛍光体層の厚さが４００μｍとなったところ（蛍光体柱状結晶の高さが４００μｍとなったところ）で蒸着を終了し、下引層１６等およびシンチレータ３を有するシンチレータプレートが得られた。
（シンチレータの断裁）
断裁条件をＹＡＧ−ＵＶ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶：波長２６６ｎｍ）、周波数５０００Ｈｚでビーム径２０μｍのパルスレーザ光、出力３００ｍＷに設定したレーザ断裁装置を用いて、得られたシンチレータを所定サイズに断裁した。なお、製造したシンチレータセシウム、タリウム、ナトリウムはＩ中の組成比率は、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（Inductively Coupled Plasmａ Atomic Emission Spectrometer：ＩＣＰ−ＡＥＳ）にて測定した。
断裁条件をＹＡＧ−ＵＶ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶：波長２６６ｎｍ）、周波数５０００Ｈｚでビーム径２０μｍのパルスレーザ光、出力３００ｍＷに設定したレーザ断裁装置を用いて、得られたシンチレータを所定サイズに断裁した。なお、製造したシンチレータセシウム、タリウム、ナトリウムはＩ中の組成比率は、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（Inductively Coupled Plasmａ Atomic Emission Spectrometer：ＩＣＰ−ＡＥＳ）にて測定した。
《放射線検出器の製造》
上記製造したシンチレータを用いて、以下の各工程を経て放射線検出器を製造した。
（保護層形成工程）
断裁したシンチレータプレートを、図３のＣＶＤ装置にセットして、シンチレータ３の蛍光体層の表面にポリパラキシリレンからなる保護層１９を形成した（図２参照）。保護層の厚さは３μｍであった。
上記製造したシンチレータを用いて、以下の各工程を経て放射線検出器を製造した。
（保護層形成工程）
断裁したシンチレータプレートを、図３のＣＶＤ装置にセットして、シンチレータ３の蛍光体層の表面にポリパラキシリレンからなる保護層１９を形成した（図２参照）。保護層の厚さは３μｍであった。
（光学補償層形成工程）
上記形成した蛍光体保護層１９の上（図２において蛍光体保護層１９の下側）にさらに光学補償層１３を形成した。光学補償層１３は、熱硬化型のエポキシ樹脂透明接着をディスペンサー塗布方式で厚さ１５μｍとなるように保護層上に塗布し、その後加熱して硬化させて形成した。
上記形成した蛍光体保護層１９の上（図２において蛍光体保護層１９の下側）にさらに光学補償層１３を形成した。光学補償層１３は、熱硬化型のエポキシ樹脂透明接着をディスペンサー塗布方式で厚さ１５μｍとなるように保護層上に塗布し、その後加熱して硬化させて形成した。
なお、予め、ガラス製の基板１５に回路基板と光電変換素子アレイとをこの順に形成した後（光電変換層１４）、さらに、この光電変換素子アレイ表面にアクリル樹脂を塗布して平坦化層（不図示）を形成した。シンチレータ３に対向する前記平坦化層の面の表面平均粗さ〔Ｒa〕を０．００３μｍとなるように形成した。光学補償層１３を形成するエポキシ樹脂の屈折率ｎは約１．５５であり、蛍光体柱状結晶であるＣｓＩ：Ｔｌの屈折率ｎは約１．８であり、平坦化層を形成するアクリル樹脂の屈折率ｎが約１．５である。
（発光輝度の測定）
保護層１９と光学補償層１３とをさらに形成したシンチレータプレートのシンチレータ３の蛍光体層側の面に、10ｃｍ×10ｃｍの大きさのＣＭＯＳフラットパネル（テレダイン ラドアイコン社製のＸ線ＣＭＯＳカメラシステム「Ｓｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ 4ＫＥＶ」）等をセットして図２に示す放射線検出器を製造した。
管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各放射線パネルに内蔵されているシンチレータプレートの基板側の面から照射し（図２の上側から照射し）、測定カウント値を発光輝度（感度）と表す。
保護層１９と光学補償層１３とをさらに形成したシンチレータプレートのシンチレータ３の蛍光体層側の面に、10ｃｍ×10ｃｍの大きさのＣＭＯＳフラットパネル（テレダイン ラドアイコン社製のＸ線ＣＭＯＳカメラシステム「Ｓｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ 4ＫＥＶ」）等をセットして図２に示す放射線検出器を製造した。
管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各放射線パネルに内蔵されているシンチレータプレートの基板側の面から照射し（図２の上側から照射し）、測定カウント値を発光輝度（感度）と表す。
＜感度上昇率＞
感度上昇率は、シンチレータに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を３０Ｒ照射した際のパネル感度の変化率である。Ｘ線照射前から変化しない場合は０％とした。ブライトバーンがあれば感度上昇率は高くなり、感度上昇率が０％であることはブライトバーンが消去されたことを意味する。
感度上昇率は、シンチレータに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を３０Ｒ照射した際のパネル感度の変化率である。Ｘ線照射前から変化しない場合は０％とした。ブライトバーンがあれば感度上昇率は高くなり、感度上昇率が０％であることはブライトバーンが消去されたことを意味する。
［実施例２〜４、比較例１〜９］
実施例１の蒸着工程において、加熱条件を適宜調節することで、表1の各実施例２〜４および比較例１〜９に記載された組成になるようにしたこと以外は、実施例１と同様の蒸着工程等を行ってシンチレータを製造した（表１，２参照）。
実施例１の蒸着工程において、加熱条件を適宜調節することで、表1の各実施例２〜４および比較例１〜９に記載された組成になるようにしたこと以外は、実施例１と同様の蒸着工程等を行ってシンチレータを製造した（表１，２参照）。
（結果・考察）
実施例で製造したシンチレータおよび放射線検出器によれば、アルカリ金属のヨウ化物であるＣｓＩを母材とする無機結晶からなるシンチレータについて、該ＣｓＩの無機結晶中に、一価の陽イオンとなりうる原子であるヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕を、賦活剤であるヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕よりも多いモル数含有することにより、ブライトバーンを好適に抑制することができた（実施例１〜４）。
実施例で製造したシンチレータおよび放射線検出器によれば、アルカリ金属のヨウ化物であるＣｓＩを母材とする無機結晶からなるシンチレータについて、該ＣｓＩの無機結晶中に、一価の陽イオンとなりうる原子であるヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕を、賦活剤であるヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕よりも多いモル数含有することにより、ブライトバーンを好適に抑制することができた（実施例１〜４）。
図４に示したように、賦活剤（Ｔｌ）濃度別にみると、賦活剤濃度がアルカリ金属原子１モルに対して０．０７５モル％で含める場合、結晶に含める１価の陽イオンとなりうる原子を増加させていくと、賦活剤と同じモル数（0.075mol%）となる比較例４を境目（変化点）として、感度上昇率が低下していく（つまりブライトバーン抑制能が高まる）ことが理解できる（実施例１参照）。なお、破線は、近似曲線を表す。
一方、賦活剤濃度がアルカリ金属原子１モルに対して０．３００モル％で含める場合、結晶に含める１価の陽イオンとなりうる原子（Ｎａ）を増加させていくと、賦活剤と同じモル数（0.300mol%）となる比較例８を境目（変化点）として、感度上昇率が低下していく（つまりブライトバーン抑制能が上昇していく）ことが理解できる（実施例２〜４参照）。
賦活剤の濃度が変わっても１価の陽イオンとなりうる原子が賦活剤と等モル以上となるときにブライトバーン抑制能が得られることから、図４に示される賦活剤（Ｔｌ）のモル％が０．３００モル％の近似線と０．０７５モル％の近似線との隙間を埋める近似面が存在すると理解することができる。
また、賦活剤がシンチレータの製造に支障を与えない範囲で含有させたときにも同様にブライトバーン抑制能が得られることも推認することができる。
一方、比較例１〜９では、上記無機結晶中のヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕の濃度がヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕よりも少ないモル数含有することにより、ブライトバーンが抑制されなかった。
一方、比較例１〜９では、上記無機結晶中のヨウ化ナトリウム〔ＮａＩ〕の濃度がヨウ化タリウム〔ＴｌＩ〕よりも少ないモル数含有することにより、ブライトバーンが抑制されなかった。
なお、比較例４および８では、陽イオンになり得る原子が母材結晶中のアルカリ金属（Ｃｓ）１モルに対して、２５モル％以上の場合、シンチレータが柱状結晶を形成しないことが確認された。
これは、陽イオンになり得る原子を多量に添加したことに伴い、シンチレータの母材（ＣｓＩ）の融点が変化し、成膜される結晶の形態が柱状結晶から大きくずれたためと考えられる。これは、非特許文献（B. A. Movchan A. V. Demchishin, Phys. Metals Metallogr., 28, 653 （1969）.）に記載されている、シンチレータ母材の融点低下に伴う柱状結晶形態と一致する。比較例４および８のように柱状結晶が形成出来ない場合、シンチレータの発光が多重散乱を起こし、発光した箇所と異なる横方向の位置に存在する受光素子に入るため、得られる画像の画質が低下して、実用に供することが出来なくなるという問題が生じる。
以上、本発明に係るシンチレータおよび放射線検出器、これらの製造方法について実施の形態および実施例に基づいて詳細に説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態および実施例に限定されず、特許請求の範囲に規定されている本発明の要旨を逸脱しない限り設計変更は許容される。
１ 放射線検出器
２ 筐体
３ シンチレータ
５ バッテリ
６ 基台
７ 電子部品
８ ＰＣＢ基板
９ 緩衝部材
１０ 電源スイッチ
１１ コネクタ
１２ インジケータ
１３ 光学補償層
１４ 光電変換素子層
１５ 基板
１６ 支持体（基材）
１７ 下引層
１８ 反射層
１９ 保護層
２０ 薄板
２１ 真空容器
２２，２３，２４ 蒸着源
２５ 蒸着装置
２６ 支持体ホルダー
２７ 支持体回転機構
２８ 支持体回転軸
２９ 真空ポンプ
３０〜３２ シャッター
２ 筐体
３ シンチレータ
５ バッテリ
６ 基台
７ 電子部品
８ ＰＣＢ基板
９ 緩衝部材
１０ 電源スイッチ
１１ コネクタ
１２ インジケータ
１３ 光学補償層
１４ 光電変換素子層
１５ 基板
１６ 支持体（基材）
１７ 下引層
１８ 反射層
１９ 保護層
２０ 薄板
２１ 真空容器
２２，２３，２４ 蒸着源
２５ 蒸着装置
２６ 支持体ホルダー
２７ 支持体回転機構
２８ 支持体回転軸
２９ 真空ポンプ
３０〜３２ シャッター
Claims (14)
- アルカリ金属のヨウ化物を母材とし、賦活剤を含有する無機結晶から形成されたシンチレータであって、
該無機結晶中に、一価の陽イオンになり得る原子が、前記賦活剤よりも多いモル数含有されており、
前記無機結晶が柱状構造を有していることを特徴とするシンチレータ。 - 前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量が、前記賦活剤のモル数より多く、かつ、２０モル％以下であることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータ。
- 前記一価の陽イオンになり得る原子が、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であることを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータ。
- 前記シンチレータの母材が、ヨウ化セシウムを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のシンチレータ。
- 前記賦活剤がタリウムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のシンチレータ。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のシンチレータと、光電変換素子とを備えたことを特徴とする放射線検出器。
- 無機結晶の母材の原料としてのアルカリ金属のヨウ化物と、一価の陽イオンになり得る原子を含む化合物と、賦活剤を含む化合物とを用いて、基材に対して垂直に規則的構造を形成させる蒸着工程を有し、
前記無機結晶における前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量は、前記賦活剤よりも多いモル数であり、
前記規則的構造が柱状構造であることを特徴とするシンチレータの製造方法。 - 前記規則的構造が、蒸着法または積層造形法により形成することを特徴とする請求項７に記載のシンチレータの製造方法。
- 前記規則的構造を、蒸着法により形成させることを特徴とする請求項８に記載のシンチレータの製造方法。
- 前記一価の陽イオンになり得る原子の含有量が、前記賦活剤のモル数より多く、２０モル％以下であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載のシンチレータの製造方法。
- 前記一価の陽イオンになり得る原子が、母材を構成するアルカリ金属より原子番号の小さいアルカリ金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載のシンチレータの製造方法。
- 前記シンチレータの母材が、ヨウ化セシウムを含むことを特徴とする請求項７〜１１のいずれか一項に記載のシンチレータの製造方法。
- 前記賦活剤を含む化合物が、ヨウ化タリウムであることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか一項に記載のシンチレータの製造方法。
- 請求項７〜１３のいずれか一項に記載のシンチレータの製造方法を含むことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN109765602A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-17 | 佳能株式会社 | 闪烁体、其形成方法和放射线检测装置 |
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2014
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