JP2016072818A - 回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続することで構成される回路基板において、反射特性を改善する。【解決手段】回路基板１は、第１基板部１０、第１線路１１及びグランド１２を有するマイクロストリップライン２と、第２基板部２０、第２線路２１及びグランド２２，２３を有するストリップライン３、第１線路１１と第２線路２１とを高周波を伝送可能として接続するスルーホール３１とを備えている。スルーホール３０と第２線路２１との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられている。インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、スルーホール３０からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さを有し、この導体箔と連続する第２線路２１よりも幅広に設定されている。【選択図】 図１

Description

本発明は、回路基板に関する。

例えばミリ波を利用したレーダや通信装置では、送受信アンテナとミリ波発振回路とを接続するために伝送線路が必要となる。そこで、伝送線路を回路基板に設けたものがある。

このような回路基板として、ストリップラインを成す基板と、マイクロストリップラインを成す基板とを接続し、所望の高周波回路を構成したものがある。更に、例えば、特許文献１の図５には、種類が異なる基板を積層して、相互をスルーホールにより接続した回路基板が開示されている。

特表２０１２−５２１７１６号公報

前記のとおり、ストリップラインを成す基板とマイクロストリップラインを成す基板とをスルーホールによって接続して回路基板を構成する場合、スルーホールにより発生する反射波が影響を与え、この回路基板における反射特性が劣化するという問題点がある。

そこで、本発明は、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続することで構成される回路基板において、反射特性を改善することを目的とする。

本発明の回路基板は、第１基板部、前記第１基板部の一方側の面に設けられている線状の導体箔からなる第１線路、及び、前記第１基板部の他方側の面に設けられている導体箔からなるグランドを有するマイクロストリップラインと、第２基板部、前記第２基板部の内部に設けられている線状の導体箔からなる第２線路、及び、前記第２基板部の両面にそれぞれ設けられている導体箔からなるグランドを有するストリップラインと、前記第１線路と前記第２線路とを高周波を伝送可能として接続するスルーホールとを備え、前記第１線路と前記スルーホールとの間、又は、前記スルーホールと前記第２線路との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられており、前記インピーダンス整合部を構成する前記導体箔は、前記スルーホールからλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さを有し、当該導体箔と連続する前記第１線路又は前記第２線路よりも幅広に設定されている。

本発明によれば、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続する場合であっても、マイクロストリップライン側の第１線路とスルーホールとの間、又は、スルーホールとストリップライン側の第２線路との間に、前記導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられていることにより、反射特性を改善することが可能となる。
つまり、インピーダンス整合部を構成する導体箔は、スルーホールからλ／４の奇数倍に相当する長さを有し、そして、第１線路又は第２線路よりも幅広に設定されていることで段差部を有し、この段差部により生じる反射波をスルーホールで生じる反射波に対して逆位相とすることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板における反射特性を改善することが可能となる。

また、前記第１基板部と前記第２基板部とは、共通する誘電体基板から構成されているのが好ましい。
この場合、誘電体基板の一方側にマイクロストリップラインが設けられ、その他方側にストリップラインが設けられた回路基板となる。

また、この回路基板において、前記スルーホールの周囲に、前記誘電体基板を貫通し内周に導体が設けられている孔が複数設けられており、隣り合う前記孔の間隔がλ／４（λは伝送する高周波の波長）未満に設定されているのが好ましい。
この場合、導体が内周に設けられている前記孔によって、スルーホールからの電磁波の漏洩を抑制することが可能となり、透過率を向上させることができる。

また、前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドには、前記第１線路を位置させるための切り欠き部が設けられており、前記切り欠き部は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有しているのが好ましい。
この場合、回路基板の透過率を向上させることができる。

また、前記誘電体基板の一方側の面に、前記第１線路及び前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドが、導体箔により形成され、前記誘電体基板の他方側の面に、前記マイクロストリップラインが有する前記グランド及び前記ストリップラインが有する他方側の前記グランドが、導体箔により形成され、前記誘電体基板の内部に、前記第２線路が設けられているのが好ましい。
この場合、誘電体基板の一方側及び他方側の面それぞれに、所定形状の導体パターンを設けることで、回路基板を構成することができる。

本発明によれば、マイクロストリップラインとストリップラインとをスルーホールにより接続することで構成される回路基板において、前記インピーダンス整合部が設けられていることにより、反射特性を改善することが可能となる。

本発明の回路基板の実施の一形態を示す平面図である。 図１に示す回路基板の横断面図である。 図１に示す回路基板のＶ１矢視の断面図である。 図１に示す回路基板のＶ２矢視の断面図である。 図１に示す回路基板の背面図である。 誘電体基板の第二層（中間層）における断面図である。 インピーダンス整合部の説明図である。 回路基板における反射量についてのシミュレーション結果である。 回路基板における透過量についてのシミュレーション結果である。 インピーダンス整合部の長さを変化させた場合の反射量についてのシミュレーション結果を示す説明図である。 切り欠き部がアール部を有している場合と、アール部を有していない場合との透過量についてのシミュレーション結果を示す説明図である。 （Ａ）はアール部を有している切り欠き部の説明図であり、（Ｂ）はアール部を有していない切り欠き部の説明図である。 本発明の回路基板の他の形態を示す平面図である。 回路基板の製造方法を説明する説明図である。 インピーダンス整合部の変形例を説明する説明図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明の回路基板１は、例えばミリ波を利用したレーダや通信装置に用いられ、（送受信）アンテナと（ミリ波）発振回路とを接続するための伝送路を備えている基板である。なお、以下に説明する回路基板１では、使用周波数帯を６０ＧＨｚとしている。

図１は、本発明の回路基板１の実施の一形態を示す平面図である。図２は、図１に示す回路基板１の横断面図である。図３は、図１に示す回路基板１のＶ１矢視の断面図である。図４は、図１に示す回路基板１のＶ２矢視の断面図である。この回路基板１は、一つの基板からなり、この一つの基板にマイクロストリップライン２とストリップライン３とを有している。ここでは、マイクロストリップライン２側を入力側とし、ストリップライン３側を出力側としている。

マイクロストリップライン２は、第１基板部１０、第１基板部１０の一方側の面１０ａに設けられている線状の導体箔からなる第１線路１１、及び、第１基板部１０の他方側の面１０ｂに設けられている導体箔からなるグランド１２を有しており、高周波を伝送する伝送路を構成している。
ストリップライン３は、第２基板部２０、第２基板部２０の内部に設けられている線状の導体箔からなる第２線路２１、及び、第２基板部２０の両面２０ａ，２０ｂに設けられている導体箔からなるグランド２２，２３を有しており、高周波を伝送する伝送路を構成している。
そして、この回路基板１は、第１線路１１と第２線路２１とを高周波を伝送可能として接続するスルーホール３０を備えている。

本実施形態では、第１基板部１０と第２基板部２０とは、同一面（１０ｂ）上に並んで設けられており、共通する誘電体基板５から構成されている。誘電体基板５は、ガラスエポキシ樹脂やフッ素樹脂等を含む誘電体からなる。つまり、誘電体基板５の一方側（図２の左側）にマイクロストリップライン２が設けられ、その他方側（図２の右側）にストリップライン３が設けられた回路基板１となる。

したがって、誘電体基板５の一方側の面５ａに、第１線路１１、ストリップライン３が有する一方側のグランド２２、及び、後述する第１線路１１とスルーホール３０との接続部（パッド部）１５が、導体箔により形成されている。また、誘電体基板５の他方側の面５ｂに、マイクロストリップライン２が有するグランド１２、ストリップライン３が有する他方側のグランド２３、及び、後述する接続部（パッド部）３５が、導体箔により形成されている。そして、誘電体基板５の内部に、第２線路２１、及び、後述する第２線路２１とスルーホール３０との接続部（パッド部）２５が設けられている。

図５は、図１に示す回路基板１の背面図である。マイクロストリップライン２のグランド１２と、ストリップライン３のグランド２３とは、誘電体基板５の他方側の面５ｂに設けられている導体箔により形成されており、これらグランド１２，２３は相互に連続している。つまり、一つのグランドの一部が、マイクロストリップライン２用であり、他部が、ストリップライン３用である。

以上より、この回路基板１は三層の導体箔を有しており、第一層として、第１線路１１、グランド２２及び第１の接続部１５が設けられ、第二層（中間層）として、第２線路２１及び第２の接続部２５が設けられ、第三層として、グランド１２，２３及び第３の接続部３５が設けられた構成となる。そして、各層が一部においてスルーホール３０により接続される。前記各導体箔は、金属箔であり、本実施形態では銅箔である。

スルーホール３０は、誘電体基板５を貫通して形成した孔の内周にめっき（導体膜）が付されることで構成されている。このスルーホール３０のめっき層は、第１線路１１の端部（図１参照）に設けられている第１の接続部（パッド部）１５と、電気的に接続されている。なお、この第１の接続部１５は、グランド２２と絶縁されている。本実施形態では、この接続部１５がスルーホール３０に含まれるものとして説明する。第１の接続部１５は、第１線路１１及びグランド２２と共に、誘電体基板５に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。

前記のとおり、誘電体基板５の一方側の面５ａに、マイクロストリップライン２の第１線路１１と、ストリップライン３のグランド２２とが設けられており、このグランド２２には（図１参照）、第１線路１１を位置させるための切り欠き部２７が設けられている。そして、この切り欠き部２７は、開口側（入力側）に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有している。本実施形態では、切り欠き部２７は、間隔が広くなる部分として、第１線路１１の両側にアール部２７ａを有している。

図６は、誘電体基板５の前記第二層（中間層）における断面図である。誘電体基板５の中間層において、第２線路２１の端部に、後述するインピーダンス整合部７を挟んで、第２の接続部（パッド部）２５が設けられており、スルーホール３０のめっき層は、この接続部２５と電気的に接続されている。本実施形態では、この接続部２５は、スルーホール３０に含まれるものとして説明する。第２の接続部２５は、グランド１２，２２，２３と絶縁されている。第２の接続部２５は、第２線路２１と共に、（後にも説明するが、）誘電体基板５の一部を構成する下層部に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。

更に、誘電体基板５の他方側の面５ｂには、図５に示すように、第３の接続部（パッド部）３５が設けられており、スルーホール３０のめっき層は、この接続部３５と電気的に接続されている。本実施形態では、この接続部３５は、スルーホール３０に含まれるものとして説明する。第３の接続部３５は、グランド１２，２３と絶縁されている。第３の接続部３５は、グランド１２，２３と共に、誘電体基板５に貼り付けられた導体箔をエッチングすることにより得られる。

なお、本発明では、スルーホール３０（めっき層）は、少なくとも第１線路１１及び第２線路２１と、電気的に接続されていればよい。このため、スルーホール３０は、誘電体基板５の板厚方向の全体を貫通した孔でなくてもよく、中間層まで貫通した有底孔であってもよい。

そして、本実施形態では、図６及び図７に示すように、スルーホール３０の第２の接続部２５と第２線路２１との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられている。図７は、インピーダンス整合部７の説明図である。
インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、スルーホール３０からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有している。本実施形態の接続部２５（１５，３５）は、円環形状であって、スルーホール３０を構成する貫通孔と同一中心に配置されている。そこで、インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、このスルーホール３０の中心（接続部２５の中心）からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有している。

また、図７に示すように、このインピーダンス整合部７を構成する導体箔は、この導体箔と連続する第２線路２１よりも幅広に設定されている（インピーダンス整合部７の幅寸法Ｗ１＞第２線路２１の幅寸法Ｗ２）。また、このインピーダンス整合部７を構成する導体箔の幅寸法Ｗ１は、接続部２５の外径Ｄよりも小さく設定されている。更に、この幅寸法Ｗ１は、接続部２５の内径ｄよりも小さく設定されている。
更に、本実施形態では、接続部２５におけるインピーダンスＺ１よりも、インピーダンス整合部７におけるインピーダンスＺ２が小さくなるように設定されており、また、インピーダンス整合部７におけるインピーダンスＺ２よりも、第２線路２１におけるインピーダンスＺ３が小さくなるように設定されている（Ｚ１＞Ｚ２＞Ｚ３）。

本実施形態の回路基板１では、スルーホール３０の周囲に、誘電体基板５を貫通し内周に導体（導体膜）が設けられている孔８が複数設けられている。なお、前記導体は、めっき層からなる。そして、隣り合う孔８の間隔は、λ／４（λは伝送する高周波の波長）未満に設定されている。これら導体が内周に設けられている孔８によって、スルーホール３０からの電磁波の漏洩を抑制することが可能となり、透過率を向上させることができる。以下、この導体が設けられている孔８を、シールド用の孔８と呼ぶ。

以上の構成を有する回路基板１によれば、マイクロストリップライン２とストリップライン３とを、スルーホール３０により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン２とストリップライン３とをスルーホール３０により接続する場合であっても、スルーホール３０とストリップライン３側の第２線路２１との間に、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、反射特性を改善することが可能となる。

つまり、インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、スルーホール３０からλ／４の奇数倍に相当する長さを有しており、そして、第２線路２１よりも幅広に設定されていることで段差部７ａ（図７参照）を有している。この段差部７ａに生じる反射波がスルーホール３０で生じる反射波に対して逆位相となることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板１における反射特性を改善することが可能となる。
以上より、本実施形態の回路基板１には、マイクロストリップライン２とストリップライン３との変換部が構成されていると言える。

図８及び図９は、前記構成を有する回路基板１における反射量及び透過量についてのシミュレーション結果である。図１及び図２に示す形態を有する回路基板１の場合のシミュレーション結果を、実線で示している。なお、図８及び図９には、比較として、インピーダンス整合部７が設けられていない回路基板の場合のシミュレーション結果を、破線で示している。更に、図８及び図９には、（後述の）図１３に示す形態を有する回路基板１の場合のシミュレーション結果（二点鎖線）についても記載しているが、これについては、後で説明する。
図８に示すように、本実施形態のようにインピーダンス整合部７を備えている回路基板１（実施例）によれば、使用周波数帯（６０ＧＨｚ）において、反射量を低減することが可能となり、図９に示すように、この実施例によれば透過量を増加させることが可能となる。

なお、インピーダンス整合部７は、スルーホール３０からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有していればよい。図１０は、インピーダンス整合部７の長さＬを変化させた場合の反射量についてのシミュレーション結果である。この図１０に示すように、λ／４、（３λ）／４、（５λ）／４・・・と、λ／４の奇数倍の長さを有するインピーダンス整合部７を備えた回路基板１によれば、反射量を小さくすることが可能となる。

前記のとおり（図１参照）、ストリップライン側のグランド２２には、第１線路１１を位置させるための切り欠き部２７が設けられており、この切り欠き部２７は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分としてアール部２７ａを有している。
そこで、図１１は、このようなアール部２７ａを有している場合（図１２（Ａ）参照）と、アール部を有していない場合（図１２（Ｂ）参照）との透過量についてのシミュレーション結果を示している。なお、図１２（Ａ）に示すように、アール部２７ａを有する本実施形態の誘電体基板５の一方側の面５ａには、第１線路１１とグランド２２とにより、トリプレートライン４が構成されている。つまり、この回路基板１は、マイクロストリップライン２からトリプレートライン４へと変換する変換部を有しているとも言える。

アール部２７ａを有している場合（図１２（Ａ）参照）では、マイクロストリップライン２からトリプレートライン４への変換が徐々に行われることから、アール部を有していない場合（図１２（Ｂ）参照）と比較して、図１１に示すように、使用周波数帯（６０ＧＨｚ）において回路基板１における透過を向上させることができる。

〔他の回路基板１について〕
図１３は、本発明の回路基板１の他の形態を示す平面図である。図１に示す回路基板１と図１３に示す回路基板１との異なる点は、インピーダンス整合部７が設けられている位置であり、その他は同じである。すなわち、図１３に示す回路基板１では、マイクロストリップライン２が有する第１線路１１と、スルーホール３０の第１の接続部１５との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられている。

このインピーダンス整合部７を構成する導体箔は、図１に示す形態と同様に、スルーホール３０からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有している。接続部１５は、円形であって、スルーホール３０を構成する貫通孔と同一中心に配置されていることから、インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、このスルーホール３０の中心（接続部１５の中心）からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有している。

そして、このインピーダンス整合部７を構成する導体箔は、この導体箔と連続する第１線路１１よりも幅広に設定されている（インピーダンス整合部７の幅寸法＞第１線路１１の幅寸法）。また、このインピーダンス整合部７を構成する導体箔の幅寸法は、円環形状である接続部１５の外径よりも小さく設定されている。更に、この導体箔の幅寸法は、接続部１５の内径よりも小さく設定されている。
更に、この図１３に示す回路基板１においても、接続部１５におけるインピーダンスＺ１よりも、インピーダンス整合部７におけるインピーダンスＺ２が小さくなるように設定されており、また、インピーダンス整合部７におけるインピーダンスＺ２よりも、第１線路１１におけるインピーダンスＺ３が小さくなるように設定されている（Ｚ１＞Ｚ２＞Ｚ３）。

この図１３に示す回路基板１によれば、マイクロストリップライン２とストリップライン３とを、スルーホール３０により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン２とストリップライン３とをスルーホール３０により接続する場合であっても、マイクロストリップライン２側の第１線路１１とスルーホール３０との間に、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、反射特性を改善することが可能となる。

つまり、インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、スルーホール３０からλ／４の奇数倍に相当する長さを有しており、そして、第１線路１１よりも幅広に設定されていることで段差部７ａを有している。この段差部７ａに生じる反射波がスルーホール３０で生じる反射波に対して逆位相となることで、両反射波を打ち消し合う作用が生じ、回路基板１における反射特性を改善することが可能となる。
以上より、本実施形態の回路基板１には、マイクロストリップライン２とストリップライン３との変換部が構成されていると言える。

図８及び図９には、図１３に示す形態を有する回路基板１における反射量及び透過量についてのシミュレーション結果が、二点鎖線で示されている。図８及び図９に示すように、図１３に示すインピーダンス整合部７を備えている回路基板１によれば、使用周波数帯（６０ＧＨｚ）において、反射量を低減することが可能となり、また、図９に示すように、透過量を増加させることが可能となる。

〔回路基板１の製造方法について〕
図１４は、図１及び図２に示す回路基板１の製造方法を説明する説明図である。図１４（Ａ）に示すように、第１の誘電体板４１の両面に導体箔（銅箔）４３，４４を設ける。ここで説明する製造方法によって回路基板１が完成すると、この誘電体板４１は、図２に示す誘電体基板５の厚さ方向について一方側の層（下層部）となる。そして、図１４（Ｂ）に示すように、この誘電体板４１の一方側の面４１ａにおいて、第２線路２１及び第２の接続部２５（図１参照）となるパターンをエッチングする。

また、第１の誘電体板４１とは別に、図１４（Ｃ）に示すように、第２の誘電体板４２の片面に導体箔（銅箔）４５を貼り付ける。ここで説明する製造方法によって回路基板１が完成すると、この誘電体板４２は、図２に示す誘電体基板５の厚さ方向について他方側の層（上層部）となる。つまり、前記下層部と前記上層部とで誘電体基板５が得られる。

そして、図１４（Ｂ）に示す誘電体板４１と図１４（Ｃ）に示す誘電体板４２とを、図１４（Ｄ）に示すように接合して誘電体基板５を得る。この誘電体基板５に対して、スルーホール３０を構成するための孔と、シールド用の孔８を構成するための孔とを設けてから、図１４（Ｅ）に示すように、この誘電体基板５に対してめっきを行う（めっき層４９）。

その後、図１４（Ｆ）に示すように、この誘電体基板５の一方側の面５ａにおいて、第１線路１１、第１の接続部１５、図外のグランド２２となるパターンをエッチングし、また、他方側の面５ｂにおいて、第３の接続部３５、グランド１２、及び、図外のグランド２３となるパターンをエッチングする。
以上より、図１及び図２に示す回路基板１が得られる。

〔各形態の回路基板１について〕
前記各形態の回路基板１によれば、マイクロストリップライン２とストリップライン３とを、スルーホール３０により接続することができ、また、このように、マイクロストリップライン２とストリップライン３とをスルーホール３０により接続する場合であっても、スルーホール３０とストリップライン３側の第２線路２１との間に（図１参照）、又は、マイクロストリップライン２側の第１線路１１とスルーホール３０との間に（図１３参照）、所定の形状を有する導体箔からなるインピーダンス整合部７が設けられていることにより、インピーダンス特性の不連続が緩和され、回路基板１における反射特性を改善することが可能となる。

また、本実施形態では、マイクロストリップライン２を構成するための第１基板部１０と、ストリップライン３を構成するための第２基板部２０とは、共通する誘電体基板５から構成されているので、この誘電体基板５の一方側にマイクロストリップライン２が設けられ、その他方側にストリップライン３が設けられた回路基板１となる。
このため、この回路基板１を、その途中部において曲げて用いる場合、ストリップライン３の範囲で曲げるのが好ましい。つまり、ストリップライン３の範囲内に回路基板１の曲げ部が位置するのが好ましい。これは、ストリップライン３では、曲げ部の最外層には、グランド２２（又は２３）が位置し、高周波を伝送する線路（第２線路２１）が設けられないことから、曲げ応力による断線の発生を抑制することができるためである。

なお、前記各形態では、インピーダンス整合部７を構成する導体箔は、スルーホール３０の中心（接続部２５，１５の中心）からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有している場合について説明したが、このインピーダンス整合部７を構成する導体箔は、接続部２５（又は接続部１５）の端部ｅ１（ｅ２）からλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さＬを有していてもよい（図１５（Ａ）（Ｂ）参照）。つまり、インピーダンス整合部７を構成する導体箔の端部位置Ｐ１は、接続部２５（又は接続部１５）の範囲内で調整可能であり、この端部位置Ｐ１からの長さＬが、λ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍となるように設定されていればよい。

本発明の回路基板１は、図示する形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。例えば、回路基板１をミリ波帯（６０ＧＨｚ）で使用できるものとして説明したが、電波帯（周波数帯）としては、ミリ波以外であってもよい。
また、図１２（Ａ）では、切り欠き部２７の開口側をアール部２７ａとして説明したが、この開口側の形状は一方側（入力側）に向かうにしたがって、開口寸法が広くなる構成であればよく、アール部２７ａの代わりに直線形状であってもよい。なお、アール部２７ａとする場合、その曲率半径を大きくするほど、透過率を増加させることができる。

１：回路基板 ２：マイクロストリップライン ３：ストリップライン
５：誘電体基板 ５ａ：一方側の面 ５ｂ：他方側の面
７：インピーダンス整合部 ８：孔 １０：第１基板部
１０ａ：一方側の面 １０ｂ：他方側の面 １１：第１線路
１２：グランド ２０：第２基板部 ２０ａ：一方側の面
２０ｂ：他方側の面 ２１：第２線路 ２２：グランド
２３：グランド ２７：切り欠き部 ３０：スルーホール

Claims (5)

1. 第１基板部、前記第１基板部の一方側の面に設けられている線状の導体箔からなる第１線路、及び、前記第１基板部の他方側の面に設けられている導体箔からなるグランドを有するマイクロストリップラインと、
   第２基板部、前記第２基板部の内部に設けられている線状の導体箔からなる第２線路、及び、前記第２基板部の両面にそれぞれ設けられている導体箔からなるグランドを有するストリップラインと、
   前記第１線路と前記第２線路とを高周波を伝送可能として接続するスルーホールと、
   を備え、
   前記第１線路と前記スルーホールとの間、又は、前記スルーホールと前記第２線路との間に、導体箔からなるインピーダンス整合部が設けられており、
   前記インピーダンス整合部を構成する前記導体箔は、前記スルーホールからλ／４（λは伝送する高周波の波長）の奇数倍に相当する長さを有し、当該導体箔と連続する前記第１線路又は前記第２線路よりも幅広に設定されていることを特徴とする回路基板。
2. 前記第１基板部と前記第２基板部とは、共通する誘電体基板から構成されている請求項１に記載の回路基板。
3. 前記スルーホールの周囲に、前記誘電体基板を貫通し内周に導体が設けられている孔が複数設けられており、
   隣り合う前記孔の間隔がλ／４（λは伝送する高周波の波長）未満に設定されている請求項２に記載の回路基板。
4. 前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドには、前記第１線路を位置させるための切り欠き部が設けられており、
   前記切り欠き部は、開口側に向かうにしたがって間隔が広くなっている部分を有している請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板。
5. 前記誘電体基板の一方側の面に、前記第１線路及び前記ストリップラインが有する一方側の前記グランドが、導体箔により形成され、
   前記誘電体基板の他方側の面に、前記マイクロストリップラインが有する前記グランド及び前記ストリップラインが有する他方側の前記グランドが、導体箔により形成され、
   前記誘電体基板の内部に、前記第２線路が設けられている請求項２又は３に記載の回路基板。

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