JP2016072264A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)エッチングプロセス中に壁面に形成された被覆膜が消耗されるため、エッチングプロセスの途中で壁面が部分露出してエッチャントの消耗量が変化する。これに起因するプロセス変動を防止するためには、ウェハ処理前において被覆膜はプロセス完了まで残存する膜厚として形成される必要がある。しかし、マスク(Si系)エッチングプロセスなど被覆膜に対するエッチング選択比が低いウェハ処理条件が用いられる場合、壁面に形成された被覆膜の消耗量が多く、プロセス完了まで残存させるために必要となる被覆膜厚が膨大になり、被覆膜形成プロセスの時間が極めて長くなるため、著しくスループットが低下する。
(2)また、被覆膜は処理室内全体にある程度均一に形成されるため、ウェハ処理中は消耗されない電極上には塩素系プラズマクリーニングからの電極保護に必要となる膜厚よりはるかに厚い被覆膜が形成され、これをウェハ処理毎に完全に除去するために多くの時間を要し、これもスループットを低下させる要因となる。
(3)さらに、壁面に形成する被覆膜は温度や残留物といったチャンバー内壁の雰囲気により組成や膜厚が変化し、エッチング工程におけるプラズマ状態の変動要因になるという懸念がある。
(4)最後に、被覆膜の組成はウェハ処理中のプラズマ状態に直接影響を及ぼすため、被覆膜形成条件を変更した場合、同時にウェハ処理条件の変更を要し、量産が開始された後、あるいは量産に近い時期にある工程に対して上記技術を新規に適用する、あるいは既存の被覆膜形成条件を変更することは極めて困難で、上記技術の適用可能な工程には制限がある。
前記第一の試料がプラズマ処理される処理室内にプラズマを用いて被覆膜を形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記処理室内に配置された試料台に第二の試料を配置する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記被覆膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、前記第二の試料を前記処理室から搬出する第四の工程と、
前記第四の工程後、前記第一の試料を前記試料台に載置するとともに前記処理室内で前記第一の試料をプラズマ処理する第五の工程と、
前記第五の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の前記被覆膜上に堆積した堆積膜を除去する第六の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
前記試料がプラズマ処理される処理室内にプラズマを用いて被覆膜を形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記試料を前記試料台に載置するとともに前記処理室内で前記試料をプラズマ処理する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の金属元素を含有する堆積膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の前記被覆膜上に堆積した堆積膜を除去する第四の工程と、
前記試料の所定の枚数だけ前記第二の工程ないし前記第四の工程を繰り返しした後、プラズマを用いて前記処理室内の被覆膜を除去する第五の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
前記被覆膜厚モニター手段は、前記電流検知手段により検知された電流と前記電圧検知手段により検知された電圧を用いて求められたインピーダンスと予め求められたインピーダンスとの差分に基づいて前記試料台上に被覆された被覆膜の膜厚と予め求められた所望の膜厚との大小関係を求め、
被覆膜が前記試料台上に被覆されているとき、前記試料のプラズマ処理を行う制御装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。なお、図中において同一符号は同一構成要素を示す。
被覆膜Zが厚くなりすぎた場合、基板電極109へのウェハ吸着力やウェハへの熱伝導の低下により製品ウェハ表面温度に影響を与える可能性があるため、被覆膜厚Zを十分薄くできるよう一度に連続処理される製品ウェハ処理枚数Nは1ロット(25枚)程度が望ましい。
異なる被覆膜厚に対して、形成されるプラズマ密度が一定であると仮定すると、被覆膜の比誘電率ε、面積Sが既知の場合には、基板電極109から、プラズマおよびアース114間の合成高周波インピーダンスを測定することで、被覆膜の厚み変化をインピーダンス変化として測定することが可能である。
Claims (10)
- 金属元素を含有する膜が配置された第一の試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記第一の試料がプラズマ処理される処理室内にプラズマを用いて被覆膜を形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記処理室内に配置された試料台に第二の試料を配置する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記被覆膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、前記第二の試料を前記処理室から搬出する第四の工程と、
前記第四の工程後、前記第一の試料を前記試料台に載置するとともに前記処理室内で前記第一の試料をプラズマ処理する第五の工程と、
前記第五の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の前記被覆膜上に堆積した堆積膜を除去する第六の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第六の工程のプラズマ処理は、前記被覆膜に対して選択的に前記堆積膜を除去するプラズマ処理であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第三の工程後の被覆膜の膜厚をZ、プラズマ処理される前記第一の試料の枚数をN、前記第六の工程にて除去される被覆膜の膜厚をXとするとき、前記第一の工程にて形成される被覆膜は、Z>N×Xを満たすように形成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の試料の所定の枚数だけ前記第五の工程と前記第六の工程を繰り返した後、プラズマを用いて前記試料台上の被覆膜を除去する第七の工程をさらに有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記第六工程は、プラズマを用いて前記処理室内の金属元素を含有する堆積膜を除去する第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後、プラズマを用いて前記処理室内の前記被覆膜上に堆積した堆積膜を除去する第二のクリーニング工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のクリーニング工程は、Cl2ガスとSiCl4ガスの混合ガスまたはCl2ガスとBCl3ガスの混合ガスを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記被覆膜がSiを含有する膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 金属元素を含有する膜が配置された試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記試料がプラズマ処理される処理室内にプラズマを用いて被覆膜を形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記試料を前記試料台に載置するとともに前記処理室内で前記試料をプラズマ処理する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の金属元素を含有する堆積膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、プラズマを用いて前記処理室内の前記被覆膜上に堆積した堆積膜を除去する第四の工程と、
前記試料の所定の枚数だけ前記第二の工程ないし前記第四の工程を繰り返しした後、プラズマを用いて前記処理室内の被覆膜を除去する第五の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に流れる電流を検知する電流検知手段と、前記試料台に印加される電圧を検知する電圧検知手段と、前記試料台上を被覆する被覆膜の膜厚をモニターする被覆膜厚モニター手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記被覆膜厚モニター手段は、前記電流検知手段により検知された電流と前記電圧検知手段により検知された電圧を用いて求められたインピーダンスと予め求められたインピーダンスとの差分に基づいて前記試料台上に被覆された被覆膜の膜厚と予め求められた所望の膜厚との大小関係を求め、
被覆膜が前記試料台上に被覆されているとき、前記試料のプラズマ処理を行う制御装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記試料台上に被覆された被覆膜の厚さが10nm未満の場合、
前記試料台上に被覆された被覆膜の厚さが所望の厚さに到達するまで前記試料台上に被覆膜を被覆した後、次の試料のプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046216A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
US10184173B1 (en) | 2017-09-15 | 2019-01-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
TWI674627B (zh) * | 2017-03-27 | 2019-10-11 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理方法 |
WO2020050124A1 (ja) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
WO2023120412A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のメンテナンス方法及び基板処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244292A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置の処理性能安定化方法 |
JP2009105412A (ja) * | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 |
JP2011192872A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011249405A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング装置のプラズマクリーニング方法 |
JP2013214584A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2014116566A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの改質方法及びプラズマ処理装置 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196467A patent/JP6275610B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105412A (ja) * | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | チャッキングの再現性を向上するための技術的手段 |
JP2008244292A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置の処理性能安定化方法 |
JP2011192872A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011249405A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング装置のプラズマクリーニング方法 |
JP2013214584A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2014116566A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの改質方法及びプラズマ処理装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046216A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
US11355324B2 (en) | 2017-03-27 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
TWI674627B (zh) * | 2017-03-27 | 2019-10-11 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理方法 |
JP2019054135A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
KR20190031101A (ko) | 2017-09-15 | 2019-03-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 방법 |
KR102035585B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2019-10-24 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 방법 |
US10184173B1 (en) | 2017-09-15 | 2019-01-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
WO2020050124A1 (ja) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
CN112640062A (zh) * | 2018-09-05 | 2021-04-09 | 株式会社国际电气 | 清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置 |
JPWO2020050124A1 (ja) * | 2018-09-05 | 2021-08-26 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
CN112640062B (zh) * | 2018-09-05 | 2024-04-12 | 株式会社国际电气 | 清扫方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置 |
WO2023120412A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のメンテナンス方法及び基板処理装置 |
JP7357182B1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のメンテナンス方法及び基板処理装置 |
CN117321740A (zh) * | 2021-12-22 | 2023-12-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置的维护方法和基板处理装置 |
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