JP2016051768A5 - - Google Patents

Description

上記課題を解決するために、基板に処理を行う処理装置であって、ステージに設置され、基板を保持するチャックと、基板を吸着して基板をチャックから移動させる吸着部と、基板をチャックから吸着部によって移動させるとき、基板の穴に関する情報に基づいて吸着部の吸着を停止又は吸着部の吸着力を低下させる制御部とを備えたことを特徴とする。

Claims (19)

1. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
   前記基板を前記チャックから前記吸着部によって移動させるとき、前記基板の穴に関する情報に基づいて前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させる制御部と
   を備えたことを特徴とする処理装置。
2. 前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
   前記制御部は前記基板の穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入を遅延させることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 前記制御部は前記侵入のための前記搬送部の駆動開始時間を遅延させることにより、前記搬送部の侵入を遅延させることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
4. 前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
   前記制御部は前記基板の穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入の加速度又は速度を変更することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
5. 前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記穴と前記吸着部とが重なるか否かを判断し、前記穴と前記吸着部が重なる場合、前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の処理装置。
6. 前記吸着部が複数設けられ、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記穴に重なる前記吸着部を判定し、前記穴に重なる前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の処理装置。
7. 前記吸着部が複数設けられ、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記制御部は前記穴に重なる前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延させる時間を変更することを特徴とする請求項２又は３に記載の処理装置。
8. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
   前記吸着部の吸着圧力を計測する圧力計と、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい場合は前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させる制御部と
   を備えることを特徴とする処理装置。
9. 基板に処理を行う処理装置であって、
   ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
   前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
   前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
   前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させる制御部と
   を備えることを特徴とする処理装置。
10. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
    前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
    前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延させる時間を変更する制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
11. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と
    前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に侵入する搬送部をさらに備え、
    前記基板の穴に関する情報に基づいて前記搬送部の侵入を遅延させる制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
12. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる吸着部と、
    前記吸着部の吸着圧力を計測する圧力計と、
    前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい場合は前記搬送部の侵入を遅延させる制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
13. 基板に処理を行う処理装置であって、
    ステージに設置され、前記基板を保持するチャックと、
    前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる複数の吸着部と、
    前記複数の吸着部のぞれぞれの吸着圧力を計測する複数の圧力計と、
    前記吸着部が前記基板を前記チャックから移動させるとき、前記複数の圧力計から得られた前記吸着圧力と閾値を比較し、前記吸着圧力が前記閾値より小さい前記吸着部の個数を判定し、前記個数に基づいて前記搬送部の侵入を遅延させる時間を変更する制御部と
    を備えることを特徴とする処理装置。
14. 前記制御部は複数の制御プロファイルを切り換えることによって、前記搬送部の侵入を遅延させる時間を変更することを特徴とする請求項２、１０ないし１３のいずれか１項に記載の処理装置。
15. 前記穴は貫通穴を含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の処理装置。
16. 前記処理は、前記基板を露光する露光処理を含む、ことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の処理装置。
17. 請求項１６に記載の処理装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含み、現像された前記基板からデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
18. 基板に処理を行う処理方法であって、
    ステージに設置されたチャックにより前記基板を保持する工程と、
    吸着部により前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる工程と、
    前記基板を前記チャックから前記吸着部によって移動させるとき、制御部により前記基板の穴に関する情報に基づいて前記吸着部の吸着を停止又は前記吸着部の吸着力を低下させる工程と
    を備えたことを特徴とする処理方法。
19. 基板に処理を行う処理方法であって、
    ステージに設置されたチャックにより前記基板を保持する工程と、
    吸着部により前記基板を吸着して前記基板を前記チャックから移動させる工程と
    前記吸着部によって移動された前記基板と前記チャックとの間に搬送部が侵入する工程と、
    制御部が前記基板の穴に関する情報に基づいて、前記搬送部の侵入を遅延させる工程と
    を備えることを特徴とする処理方法。

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