JP2016041838A - スパッタリングターゲット、Ag合金膜、及び導電性フィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このスパッタリングターゲットは、Nbを0.5〜1.5at%、Auを0.5〜1.5at%、及び、Agを残部の90at%以上含む。
【選択図】なし
Description
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、Ag、Nb、及び、Auを含み、Nbを0.5〜1.5at%、Auを0.5〜1.5at%、及び、Agを残部の90at%以上含む。Agは残部の95at%以上であることが好ましく、Agは残部の99at%以上であることも好ましい。
本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを使用したAg合金膜の製造方法の一例について説明する。
図1に示す導電性フィルム100は、フィルム基材10、透明導電性金属酸化物膜14、Ag合金膜16、透明導電性金属酸化物膜18をこの順に積層したものである。透明導電性金属酸化物膜14、Ag合金膜16、及び、透明導電性金属酸化物膜18が積層型の透明導電体を構成する。透明導電性金属酸化物膜18には配線電極用の金属配線(図示せず)を設けることができる。
実施例1〜7、及び比較例1〜8の各スパッタリングターゲットの原料として、表1に示される比率でAg粉末、Nb粉末、及びAu粉末を用意した。Ag粉末の純度は99.9%、平均粒径は15μm、Nb粉末の純度は99.9%、平均粒径は15μm、Au粉末の純度は99.9%、平均粒径は5μmであった。これらの粉末を、アルミナ製のボールミルポット中で媒体としてアルミナボールを使用して混合して原料粉体を得た。混合は湿式で行い、溶媒として変性アルコールを使用した。
厚さ100μmのPET基材上に、40nmの透明導電性酸化物薄膜、9nmのAg合金薄膜、40nmの透明導電性酸化物薄膜をこの順にDCスパッタリング法により積層し、実施例1〜7及び比較例1〜8の導電性フィルムを得た。なお、スパッタリング中に、パーティクルの発生は確認されず、所望の厚みの薄膜を形成することができた。
実施例1〜7及び比較例1〜8の導電性フィルム中の導電性を示す3つの層の積層体について、4端子抵抗率計(商品名:ロレスタGP、三菱化学株式会社製)を用いて表面抵抗値を測定した。また、分光色差計CM−5、コニカミノルタ製を用いて、各導電性フィルムの波長555nmにおける屈折率及び光線透過率を測定した。
Nb及びAuに代えて、Pd及びCuをそれぞれ1.5at%添加する以外は実施例1と同様にしてスパッタリングターゲットを得た。これを用いてAg合金膜のスパッタリングを行ったところ、粒径30μm以上の粒子が発生して所望の厚みのAg合金膜を形成することができなかった。
Claims (3)
- Ag、Nb、及び、Auを含み、
Nbを0.5〜1.5at%、Auを0.5〜1.5at%、及び、Agを残部の90at%以上含む、スパッタリングターゲット。 - 請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜されたAg合金膜。
- 請求項2に記載のAg合金膜と、前記Ag合金膜上に設けられた透明導電性金属酸化物膜とを備える導電性フィルム。
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