JP2016038367A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016038367A5 JP2016038367A5 JP2014169886A JP2014169886A JP2016038367A5 JP 2016038367 A5 JP2016038367 A5 JP 2016038367A5 JP 2014169886 A JP2014169886 A JP 2014169886A JP 2014169886 A JP2014169886 A JP 2014169886A JP 2016038367 A5 JP2016038367 A5 JP 2016038367A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volatile memory
- memory type
- conductive paths
- sense amplifiers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 18
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 3
- 210000001138 Tears Anatomy 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 3
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 210000004369 Blood Anatomy 0.000 description 1
- 210000002700 Urine Anatomy 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
結合体5は、ターゲット7が運んできた電荷を持っており、この電荷が酸化膜1を通して半導体基板4の表面電界を変化させる。その結果、ソース2とドレイン3の間を流れる電流が変化し、その変化を読み取ることで溶液中にターゲットが含まれるかどうか判定することができる。
図3、4に示すように、酸化膜1の表面に存在する電荷はまばらになることがある。このような場合、結合体5が齎す電荷は酸化膜1の表面上で点電荷のように振る舞うため、図6に示すように、電子はソース2からドレイン3へ伝導する際、結合体5を容易に迂回する。このため、結合体5は電流特性に変化を齎すことができなくなる。
また、本発明に係る半導体バイオセンサーは、検体サンプルを含む溶液に晒す前に前記複数のセンスアンプを利用して前記複数の導電路からの出力信号を検査し、断裂や異常高抵抗などの導電不全の有無を判断する初期化ステップと、前記初期化ステップの判断に基づき、断裂や異常高抵抗の導電路に接続する不揮発性メモリ型トランジスタに対して書き込み処理を行う間引きステップと、をさらに備えていることを特徴とする。
この発明によれば、バイオセンサーの検知限界LODを大幅に向上することが可能となり、医療用ヘルスケアチップの性能アップと低価格化を同時に行い、従来のバイオセンサーでは不可能であった病気の早期発見を可能とし、大幅な医療費節減効果を期待することがことができる。
Claims (6)
- 高精度小型検査装置の中心部品となる半導体チップであって、半導体チップ内に製造され、複数の導電路と、前記複数の導電路の一端に連接される共通ソース領域と、前記複数の導電路の他端に個別に接続する複数の不揮発性メモリ型トランジスタと、前記複数の不揮発性メモリ型トランジスタに個々に接続する複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプの出力を解析して前記複数のセンスアンプの動作を管理するビット線デコーダと、前記複数の導電路を包み込む酸化膜と、前記酸化膜表面に付着する複数のレセプターと、を備えていることを特徴とする半導体バイオセンサー。
- 請求項1記載の半導体バイオセンサーを、検体サンプルを含む溶液に晒す前に前記複数のセンスアンプを利用して前記複数の導電路からの出力信号を検査し、断裂や異常高抵抗などの導電不全の有無を判断する初期化ステップと、前記初期化ステップの判断に基づき、断裂や異常高抵抗の導電路に接続する不揮発性メモリ型トランジスタに対して書き込み処理を行う間引きステップと、を備えていることを特徴とする、半導体バイオセンサーの動作方法。
- 前記間引きステップの後、さらに、前記複数の不揮発性メモリ型トランジスタのうち、前記間引きステップで書き込みが行われなかった不揮発性メモリ型トランジスタの閾電圧を選択的に微調整するオフセット調整ステップを、さらに備えていることを特徴とする、請求項2記載の半導体バイオセンサーの動作方法。
- 高精度小型検査装置の中心部品となる半導体チップであって、半導体チップ内に製造され、複数の導電路と、前記複数の導電路の一端に連接される共通ソース領域と、前記複数の導電路の他端に個々に接続する複数のドレイン選択ゲートトランジスタと、前記複数のドレイン選択ゲートトランジスタに個々に接続する複数の不揮発性メモリ型トランジスタと、前記複数の不揮発性メモリ型トランジスタに個々に接続する複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプの出力を解析して前記複数のセンスアンプの動作を管理するビット線デコーダと、前記複数の導電路を包み込む酸化膜と、前記酸化膜表面に付着する複数のレセプターと、を備えていることを特徴とする半導体バイオセンサー。
- 請求項4記載の半導体バイオセンサーを、検体サンプルを含む溶液に晒す前に前記複数のセンスアンプを利用して前記複数の導電路からの出力信号を検査し、断裂や異常高抵抗などの導電不全の有無を判断する初期化ステップと、前記初期化ステップの判断に基づき、断裂や異常高抵抗などの導電路に接続する不揮発性メモリ型トランジスタに対して書き込み処理を行う間引きステップと、を備えていることを特徴とする、半導体バイオセンサーの動作方法。
- 前記間引きステップの後、さらに、前記複数の不揮発性メモリ型トランジスタのうち、前記間引きステップで書き込みが行われなかった不揮発性メモリ型トランジスタの閾電圧を選択的に微調整するオフセット調整ステップを、さらに備えていることを特徴とする、請求項5記載の半導体バイオセンサーの動作方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014169886A JP6434744B2 (ja) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 半導体バイオセンサー |
US14/792,661 US20160041119A1 (en) | 2014-08-07 | 2015-07-07 | Semiconductor biosensor and control method thereof |
CN201510415782.XA CN105372302B (zh) | 2014-08-07 | 2015-07-15 | 半导体生化感测器及其控制方法 |
EP15177452.8A EP2982981B8 (en) | 2014-08-07 | 2015-07-20 | Semiconductor biosensor and control method thereof |
US16/257,445 US10908120B2 (en) | 2014-08-07 | 2019-01-25 | Semiconductor biosensor and control method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014169886A JP6434744B2 (ja) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 半導体バイオセンサー |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016038367A JP2016038367A (ja) | 2016-03-22 |
JP2016038367A5 true JP2016038367A5 (ja) | 2016-05-19 |
JP6434744B2 JP6434744B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=53716381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014169886A Active JP6434744B2 (ja) | 2014-08-07 | 2014-08-07 | 半導体バイオセンサー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160041119A1 (ja) |
EP (1) | EP2982981B8 (ja) |
JP (1) | JP6434744B2 (ja) |
CN (1) | CN105372302B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6393376B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-09-19 | 渡辺 浩志 | 電子装置のネットワーク、電子装置及びその検査工程 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4743954A (en) * | 1985-06-07 | 1988-05-10 | University Of Utah | Integrated circuit for a chemical-selective sensor with voltage output |
JP4719906B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2011-07-06 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 超高速の核酸配列決定のための電界効果トランジスタ装置 |
JP3946701B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2007-07-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ポテンシオメトリックdnaマイクロアレイ、その製造方法、及び核酸解析方法 |
US20040110277A1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corporation | Sensor cell, bio-sensor, capacitance element manufacturing method, biological reaction detection method and genetic analytical method |
JP2003322633A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Seiko Epson Corp | センサセル、バイオセンサ及びこれらの製造方法 |
JP4774476B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-09-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | センサー |
JP4438049B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
US7335526B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-02-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing system |
WO2008063901A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-29 | Trustees Of Boston University | Nanochannel-based sensor system for use in detecting chemical or biological species |
US20080173864A1 (en) * | 2007-01-20 | 2008-07-24 | Toshiba America Research, Inc. | Carbon nanotube transistor having low fringe capacitance and low channel resistance |
WO2009041914A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Agency For Science, Technology And Research | A biosensor and a method for determining the ohmic resistance of a sensing circuit of a biosensor |
US20110291673A1 (en) * | 2009-04-27 | 2011-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical sensor |
CN102103112B (zh) * | 2009-12-16 | 2013-05-01 | 中国科学院电子学研究所 | 一种识别残留农药的光寻址分子印迹阵列传感器 |
US8052931B2 (en) * | 2010-01-04 | 2011-11-08 | International Business Machines Corporation | Ultra low-power CMOS based bio-sensor circuit |
US9970984B2 (en) * | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
US8697565B2 (en) * | 2012-03-30 | 2014-04-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Shallow via formation by oxidation |
CN103472114B (zh) * | 2012-06-07 | 2015-05-06 | 中国科学院电子学研究所 | 带补偿功能的多通道isfet传感器读出电路 |
US10030266B2 (en) * | 2013-06-27 | 2018-07-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2014
- 2014-08-07 JP JP2014169886A patent/JP6434744B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-07 US US14/792,661 patent/US20160041119A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-15 CN CN201510415782.XA patent/CN105372302B/zh active Active
- 2015-07-20 EP EP15177452.8A patent/EP2982981B8/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6357502B2 (ja) | Isfetアレイをテストする方法及び装置 | |
JP2016502644A5 (ja) | ||
US9964516B2 (en) | Methods and apparatus for an ISFET | |
JP5890423B2 (ja) | Isfet装置 | |
JP2016048783A5 (ja) | 電流測定方法 | |
Oh et al. | A carbon nanotube metal semiconductor field effect transistor-based biosensor for detection of amyloid-beta in human serum | |
CN107064271B (zh) | 双栅极生物敏感场效应晶体管及阈值校准方法 | |
EP2521909B1 (en) | Ultra low-power cmos based bio-sensor circuit | |
JP2016166900A5 (ja) | ||
TW202018315A (zh) | 時間依賴介電擊穿測試結構及相關測試方法 | |
RU2015118418A (ru) | Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения | |
JP2016146227A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016174352A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016105343A5 (ja) | ||
JP2016051496A5 (ja) | ||
JP2016038367A5 (ja) | ||
JP6397266B2 (ja) | 半導体トランジスタのテスト方法 | |
TW201937179A (zh) | 一種mos電晶體之接點電阻的計測方法 | |
JP6434744B2 (ja) | 半導体バイオセンサー | |
JP2016192249A5 (ja) | 検査方法 | |
Naumova et al. | Optimization of the response of nanowire biosensors | |
WO2016151917A1 (ja) | 電気化学センサ及びそれを用いた測定方法 | |
US10908120B2 (en) | Semiconductor biosensor and control method thereof | |
US9410921B2 (en) | Method for testing a CMOS transistor | |
TWI324774B (en) | Biasing and shielding circuit for source side sensing memory |