RU2015118418A - Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения - Google Patents
Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015118418A RU2015118418A RU2015118418A RU2015118418A RU2015118418A RU 2015118418 A RU2015118418 A RU 2015118418A RU 2015118418 A RU2015118418 A RU 2015118418A RU 2015118418 A RU2015118418 A RU 2015118418A RU 2015118418 A RU2015118418 A RU 2015118418A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuit
- region
- transistor
- transistors
- channel
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
- H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
- H01L29/0673—Nanowires or nanotubes oriented parallel to a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4141—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for gases
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
1. Интегральная схема (100), содержащая:полупроводниковую подложку (110);изолирующий слой (120) поверх упомянутой подложки;первый транзистор (140а) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую функционализированную область (146а) канала между областью (142а) истока и областью (144) стока, предназначенную для восприятия аналита в среде;второй транзистор (140b) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую область (146b) канала между областью (142b) истока и упомянутой областью (144) стока, предназначенную для восприятия потенциала упомянутой среды, причем упомянутая область стока является общей для упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора; игенератор (150) напряжения смещения, проводящим образом связанный с полупроводниковой подложкой, для подачи напряжения смещения на упомянутые первый и второй транзисторы, при этом упомянутый генератор напряжения смещения является реагирующим на упомянутый второй транзистор.2. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована связывающим слоем для связывания представляющего интерес аналита (148).3. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована путем химической модификации упомянутой области канала.4. Интегральная схема (100) по п. 1, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых транзисторов (146b).5. Интегральная схема (100) по п. 2, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых
Claims (20)
1. Интегральная схема (100), содержащая:
полупроводниковую подложку (110);
изолирующий слой (120) поверх упомянутой подложки;
первый транзистор (140а) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую функционализированную область (146а) канала между областью (142а) истока и областью (144) стока, предназначенную для восприятия аналита в среде;
второй транзистор (140b) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую область (146b) канала между областью (142b) истока и упомянутой областью (144) стока, предназначенную для восприятия потенциала упомянутой среды, причем упомянутая область стока является общей для упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора; и
генератор (150) напряжения смещения, проводящим образом связанный с полупроводниковой подложкой, для подачи напряжения смещения на упомянутые первый и второй транзисторы, при этом упомянутый генератор напряжения смещения является реагирующим на упомянутый второй транзистор.
2. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована связывающим слоем для связывания представляющего интерес аналита (148).
3. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована путем химической модификации упомянутой области канала.
4. Интегральная схема (100) по п. 1, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых транзисторов (146b).
5. Интегральная схема (100) по п. 2, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых транзисторов (146b).
6. Интегральная схема (100) по п. 4, в которой каждый из упомянутых первых транзисторов (146а) функционализирован отдельно.
7. Интегральная схема (100) по п. 5, в которой каждый из упомянутых первых транзисторов (146а) функционализирован отдельно.
8. Интегральная схема (100) по любому из пп. 1-7, в которой каждая область (146а, 146b) канала содержит нанопроволоку или нанотрубку.
9. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой нанопроволока содержит или состоит из кремниевой нанопроволоки.
10. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой нанотрубка содержит или состоит из углеродной нанотрубки.
11. Интегральная схема (100) по любому из пп. 1-7, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
12. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
13. Интегральная схема (100) по п. 9, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
14. Интегральная схема (100) по п. 10, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
15. Сенсорное устройство, содержащее отделение для образца и интегральную схему (100) по любому из пп. 1-14, при этом первый транзистор (140а) и второй транзистор (140b) открыты для воздействия в упомянутом отделении для образца.
16. Сенсорное устройство по п. 15, в котором упомянутое отделение для образца содержит проточный канал.
17. Сенсорное устройство по п. 15 или 16, дополнительно содержащее процессор обработки сигналов, отдельно связанный с соответствующими первым и вторым транзисторами (140а, 140b).
18. Способ измерения представляющего интерес аналита в среде, содержащий:
обеспечение интегральной схемы (100) по любому из пп. 1-14;
подвергание упомянутого первого транзистора (140а) и упомянутого второго транзистора (140b) воздействию среды, потенциально включающей в себя упомянутый аналит;
восприятие потенциала среды с использованием второго транзистора (140b); и
регулирование напряжения смещения, подаваемого на подложку, в ответ на упомянутый воспринятый потенциал упомянутой среды.
19. Способ по п. 18, дополнительно содержащий:
измерение тока сток-исток, протекающего через первый транзистор (140а), вслед за упомянутым этапом регулирования напряжения смещения; и
выведение присутствия упомянутого аналита из упомянутого измеренного тока сток-исток.
20. Способ по п. 19, в котором упомянутый этап измерения осуществляют в течение периода времени, когда потенциал упомянутой среды является постоянным.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261714400P | 2012-10-16 | 2012-10-16 | |
| US61/714,400 | 2012-10-16 | ||
| PCT/IB2013/059296 WO2014060916A1 (en) | 2012-10-16 | 2013-10-11 | Integrated circuit with sensing transistor array, sensing apparatus and measuring method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015118418A true RU2015118418A (ru) | 2016-12-10 |
| RU2650087C2 RU2650087C2 (ru) | 2018-04-06 |
Family
ID=49911749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015118418A RU2650087C2 (ru) | 2012-10-16 | 2013-10-11 | Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10302590B2 (ru) |
| EP (1) | EP2909616A1 (ru) |
| JP (1) | JP6353454B2 (ru) |
| CN (1) | CN104737008B (ru) |
| BR (1) | BR112015008211B1 (ru) |
| RU (1) | RU2650087C2 (ru) |
| WO (1) | WO2014060916A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9797976B2 (en) * | 2013-12-11 | 2017-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Biosensor calibration system and related method |
| US10067070B2 (en) * | 2015-11-06 | 2018-09-04 | Applied Materials, Inc. | Particle monitoring device |
| CN109414936B (zh) * | 2016-09-23 | 2021-04-02 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 流体喷射装置和颗粒检测器 |
| US10447202B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for communication across a capacitively coupled channel |
| JP6740949B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-08-19 | 日立金属株式会社 | ガスセンサ |
| US11531027B2 (en) * | 2017-12-01 | 2022-12-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Low cost disposable medical sensor fabricated on glass, paper or plastics |
| FR3077926B1 (fr) * | 2018-02-15 | 2023-04-14 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Dispositif de detection, en particulier incorpore dans un ph-metre, et procede de realisation correspondant. |
| BR112021005243A2 (pt) * | 2018-09-21 | 2021-06-15 | Teralytic Inc. | plataforma de fusão de sensores multimodal, extensível, para sensoriamento remoto de terreno proximal |
| CN114674897B (zh) * | 2022-03-28 | 2023-06-06 | 深圳大学 | 一种用于检测单细胞外pH值的探针型有机电化学晶体管传感器及其制备方法、检测方法 |
| EP4332562A1 (en) * | 2022-09-02 | 2024-03-06 | IQ Biozoom Sp. z o.o. | A mesfet biosensor and a biosensing kit |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040136866A1 (en) | 2002-06-27 | 2004-07-15 | Nanosys, Inc. | Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same |
| US20060263255A1 (en) * | 2002-09-04 | 2006-11-23 | Tzong-Ru Han | Nanoelectronic sensor system and hydrogen-sensitive functionalization |
| RU2257567C1 (ru) * | 2004-05-19 | 2005-07-27 | Воронежский государственный технический университет | Твердотельный интегральный датчик газов |
| US20060188934A1 (en) * | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Ying-Lan Chang | System and method for implementing a high-sensitivity sensor with improved stability |
| TWI287041B (en) * | 2005-04-27 | 2007-09-21 | Jung-Tang Huang | An ultra-rapid DNA sequencing method with nano-transistors array based devices |
| FR2886459B1 (fr) | 2005-05-31 | 2007-08-24 | Thales Sa | Reseau de transistors fet a nanotube ou nanofil semi-conducteur et dispositif electronique correspondant, pour la detection d'analytes |
| US8349604B2 (en) | 2006-06-15 | 2013-01-08 | University Of South Florida | Nano-based device for detection of disease biomarkers and other target molecules |
| KR100799577B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2008-01-30 | 한국전자통신연구원 | 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법 |
| WO2008063901A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-29 | Trustees Of Boston University | Nanochannel-based sensor system for use in detecting chemical or biological species |
| IL189576A0 (en) * | 2008-02-18 | 2008-12-29 | Technion Res & Dev Foundation | Chemically sensitive field effect transistors for explosive detection |
| WO2009124111A2 (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | Trustees Of Boston University | Glucose sensor employing semiconductor nanoelectronic device |
| CN102132153B (zh) * | 2008-08-25 | 2014-08-20 | Nxp股份有限公司 | 减小电子设备中的电容性充电 |
| TWI383144B (zh) | 2008-09-23 | 2013-01-21 | Univ Nat Chiao Tung | 感測元件、製造方法及其生物檢測系統 |
| US20100219085A1 (en) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Edwards Lifesciences Corporation | Analyte Sensor Offset Normalization |
| WO2010120297A1 (en) | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P | Nanowire sensor having a nanowire and electrically conductive film |
| KR101217576B1 (ko) | 2009-09-22 | 2013-01-03 | 한국전자통신연구원 | 바이오 센서 및 그의 구동 방법 |
| US8368123B2 (en) * | 2009-12-23 | 2013-02-05 | Nokia Corporation | Apparatus for sensing an event |
-
2013
- 2013-10-11 WO PCT/IB2013/059296 patent/WO2014060916A1/en active Application Filing
- 2013-10-11 US US14/434,559 patent/US10302590B2/en active Active
- 2013-10-11 RU RU2015118418A patent/RU2650087C2/ru active
- 2013-10-11 BR BR112015008211A patent/BR112015008211B1/pt active IP Right Grant
- 2013-10-11 EP EP13815572.6A patent/EP2909616A1/en not_active Withdrawn
- 2013-10-11 JP JP2015536269A patent/JP6353454B2/ja active Active
- 2013-10-11 CN CN201380053874.7A patent/CN104737008B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6353454B2 (ja) | 2018-07-04 |
| US10302590B2 (en) | 2019-05-28 |
| CN104737008B (zh) | 2017-06-09 |
| EP2909616A1 (en) | 2015-08-26 |
| JP2016502644A (ja) | 2016-01-28 |
| WO2014060916A1 (en) | 2014-04-24 |
| BR112015008211A2 (pt) | 2017-07-04 |
| US20150276667A1 (en) | 2015-10-01 |
| CN104737008A (zh) | 2015-06-24 |
| BR112015008211B1 (pt) | 2020-05-19 |
| RU2650087C2 (ru) | 2018-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015118418A (ru) | Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения | |
| JP2016502644A5 (ru) | ||
| JP6357502B2 (ja) | Ｉｓｆｅｔアレイをテストする方法及び装置 | |
| Zhang et al. | Sweat biomarker sensor incorporating picowatt, three-dimensional extended metal gate ion sensitive field effect transistors | |
| Milgrew et al. | Matching the transconductance characteristics of CMOS ISFET arrays by removing trapped charge | |
| Sawada et al. | Highly sensitive ion sensors using charge transfer technique | |
| JP2020073910A (ja) | イオン感応性電荷蓄積回路および方法 | |
| US11008611B2 (en) | Double gate ion sensitive field effect transistor | |
| Lee et al. | A highly responsive silicon nanowire/amplifier MOSFET hybrid biosensor | |
| Milgrew et al. | The fabrication of scalable multi-sensor arrays using standard CMOS technology [chemical sensors] | |
| KR101217576B1 (ko) | 바이오 센서 및 그의 구동 방법 | |
| WO2010125717A1 (ja) | 化学センサ | |
| Jeon et al. | Scaling and graphical transport-map analysis of ambipolar Schottky-barrier thin-film transistors based on a parallel array of Si nanowires | |
| US20230408441A1 (en) | Ion sensing device | |
| RU2015118350A (ru) | Интегральная схема с нанопроводными датчиками на полевых транзисторах, изготовленных химическим методом, сенсорное устройство, способ измерения и способ изготовления | |
| Prodromakis et al. | A novel design approach for developing chemical sensing platforms using inexpensive technologies | |
| Hammond et al. | Performance and system-on-chip integration of an unmodified CMOS ISFET | |
| Sinha et al. | Modeling and simulation of ISFET microsensor for different sensing films | |
| Schwartz et al. | DNA detection with top–down fabricated silicon nanowire transistor arrays in linear operation regime | |
| Rani et al. | ISFET pH sensor characterization: towards biosensor microchip application | |
| Khanna et al. | Design and development of a novel high-transconductance pH-ISFET (ion-sensitive field-effect transistor)-based glucose biosensor | |
| RU2015118120A (ru) | Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления | |
| JP2007278760A (ja) | 化学・物理現象検出装置 | |
| Panahi et al. | Open-Gate Junction Field Effect Transistor (OG-JFET) for Life Science Applications: Design, Implementation, and Characterization | |
| Huang et al. | Development of a low-hysteresis and high-linearity extended gate field-effect transistor-based chloride ion-sensitive microsensor |