KR101217576B1 - 바이오 센서 및 그의 구동 방법 - Google Patents

바이오 센서 및 그의 구동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101217576B1
KR101217576B1 KR1020090089537A KR20090089537A KR101217576B1 KR 101217576 B1 KR101217576 B1 KR 101217576B1 KR 1020090089537 A KR1020090089537 A KR 1020090089537A KR 20090089537 A KR20090089537 A KR 20090089537A KR 101217576 B1 KR101217576 B1 KR 101217576B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
biosensor
transistor
fluid tube
source
drain
Prior art date
Application number
KR1020090089537A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110032172A (ko
Inventor
박찬우
안창근
아칠성
김태엽
김안순
양종헌
성건용
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020090089537A priority Critical patent/KR101217576B1/ko
Priority to US12/703,939 priority patent/US8164123B2/en
Publication of KR20110032172A publication Critical patent/KR20110032172A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101217576B1 publication Critical patent/KR101217576B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416Systems
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Urology & Nephrology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 바이오 센서에 대한 것으로서, 이 장치는 소스, 드레인 및 상기 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널을 포함하는 기판, 상기 채널 위에 형성되는 게이트 절연막, 상기 소스, 드레인과 각각 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 내부 공간을 갖도록 상기 트랜지스터를 덮으며, 타겟 분자를 포함하는 샘플 용액을 흘리는 유체관, 상기 유체관의 내벽에 형성되어 있는 기준 전극, 그리고 상기 기준 전극 위에 부착되어 있으며, 상기 타겟 분자와 반응하는 프로브 분자층을 포함한다. 따라서 기준 전극을 유체관 내벽에 형성함으로써, 바이오 소자의 소형화가 가능해지며, 프로브 분자를 기준 전극 위에 형성함으로써 기준 전극과 게이트 절연막 사이의 전위 차에 따른 문턱 전압 변화를 측정함으로 감도 및 반응 속도가 크게 향상될 수 있다.
바이오 센서, 전계 효과 트랜지스터, 기준 전압, 유체관

Description

바이오 센서 및 그의 구동 방법{The bio sensor and the driving method thereof}
본 발명은 바이오 센서에 관한 것이다. 특히 본 발명은 기준 전극을 유체관과 일체시켜 소형화할 수 있는 바이오 센서에 관한 것이다.
전기적인 신호로 바이오 분자를 검출하는 바이오 센서 중 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 기반 바이오 센서는 전기적인 신호의 전환이 빠르고, 집적 회로로 제조가 가능하여 활발히 연구되고 있다.
도 1은 종래 전계 효과 트랜지스터를 사용하여 생물학적 반응을 측정하는 바이오 센서를 도시한 것이다.
도 1을 참고하면, 종래의 전계 효과 트랜지스터 기반 바이오 센서는 기판(100) 위에 소스/드레인(110)이 형성되어 있으며, 소스/드레인(110) 사이에 채널(115)이 형성된다.
채널(115) 상으로 게이트 절연막(120)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(120) 위에 프로브 분자층(160)이 형성되어 있다.
한편, 절연막(130) 위로 소스/드레인(110)과 연결되는 소스/드레인 전 극(140)이 형성되어 있으며, 소스/드레인 전극(140) 위로 소자 절연막(150)이 형성되어 있다.
이와 같이, 게이트 절연막(120) 위의 프로브 분자층(160)이 외부에 노출되어 있으며, 그 위로 샘플 용액(180)이 흐른다.
이때, 샘플 용액(180) 내에 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전압(Vgate)을 인가하기 위한 기준 전극(190)이 담겨 있으며, 이와 같은 기준 전극(190)에 의해 게이트 전압(Vgate)이 샘플 용액(180)에 전달되는데, 기준 전극(190)과 샘플 용액(180) 간의 전위 차이는 일정하게 유지된다.
샘플 용액(180) 내의 타겟 분자(170)가 게이트 절연막(120) 위의 프로브 분자층(160)의 프로브 분자와 결합하면, 타겟 분자(170)가 가지고 있는 전하에 의해 게이트 절연막(120) 표면의 전위가 변한다. 이에 따라 게이트 절연막(120) 하부의 채널(115)에 전류를 인가하기 위한 문턱 전압의 값이 변화한다.
이때, 전계 효과 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 읽어 반응 여부를 검출하게 되는데, 기준 전극(190)과 샘플 용액(180) 사이에 전위 차가 일정하게 유지되지 않으면 문턱 전압 변화의 신뢰도가 떨어진다.
또한, 기준 전극(190)은 외부에서 샘플 용액(180) 내에 삽입하여야 하므로 전계 효과 트랜지스터가 소형화된다 하여도 기준 전극(190)의 삽입 구조에 의해 바이오 센서의 소형화에 어려움이 있어, 센서의 감도를 증가시키고 측정 시간을 줄이는 데 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기준 전극의 구조를 변화하여 센서의 소형화를 할 수 있는 바이오 센서를 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 바이오 센서는,
소스, 드레인 및 상기 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널을 포함하는 기판,
상기 채널 위에 형성되는 게이트 절연막,
상기 소스, 드레인과 각각 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극
을 포함하는 트랜지스터,
상기 트랜지스터와 내부 공간을 갖도록 상기 트랜지스터를 덮으며, 타겟 분자를 포함하는 샘플 용액을 흘리는 유체관,
상기 유체관의 내벽에 형성되어 있는 기준 전극, 그리고
상기 기준 전극 위에 부착되어 있으며, 상기 타겟 분자와 반응하는 프로브 분자층
을 포함한다.
실시예로서, 상기 바이오 센서는 상기 프로브 분자와 상기 타겟 분자 사이의 반응에 따라 상기 트랜지스터의 문턱 전압이 가변한다.
상기 기준 전극은
외부로부터 상기 샘플 용액에 가해지는 게이트 전압을 인가받는다.
상기 트랜지스터는
상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 절연막을 더 포함한다.
상기 유체관은
마이크로미터 스케일일 수 있다.
상기 기판은 실리콘 기판일 수 있다.
상기 유체관은
상기 기판의 채널을 덮도록 형성되어 있다.
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 유체관의 양 측면에 배치되어 있다.
또한, 상기한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 바이오 센서의구동 방법은,
유체관 내벽의 기준 전극 위에 프로브 분자층을 부착하는 단계,
게이트 절연막이 노출되어 있는 트랜지스터 위에 상기 유체관을 조립하는 단계,
타겟 분자 없는 유체를 흘려 상기 트랜지스터의 문턱 전압을 측정하는 단계, 그리고
상기 타겟 분자를 포함하는 샘플 용액을 흘려 상기 트랜지스터의 문턱 전압을 측정하는 단계
를 포함한다.
실시예로서, 상기 프로브 분자층을 부착하는 단계는 상기 트랜지스터와 상기 유체관의 조립 후에 진행할 수 있다.
상기 트랜지스터 및 상기 유체관은 마이크로미터 스케일을 충족한다.
실시예로서, 상기 바이오 센서의 상기 프로브 분자와 상기 타겟 분자 사이의 반응에 따른 상기 트랜지스터의 문턱 전압의 변화를 측정할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기준 전극을 유체관 내벽에 형성함으로써, 바이오 소자의 소형화가 가능해지며, 프로브 분자를 기준 전극 위에 형성함으로써 기준 전극과 게이트 절연막 사이의 전위 차에 따른 문턱 전압 변화를 측정하므로 감도 및 반응 속도가 크게 향상될 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참고하여 본 발명에 따른 바이오 센서를 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 바이오 센서를 도시한 것이고, 도 3은 도 2의 바이오 센서의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 바이오 센서는 전계 효과 트랜지스터가 형성되어 있는 기판(200) 및 유체관(250)을 포함한다.
기판(200)은 p 타입 또는 n타입의 실리콘 기판일 수 있으며, p타입 기판인 경우, 기판(200) 내에 n타입 도핑되어 소스/드레인 영역(205)이 형성되어 있다.
소스/드레인 영역(205)의 사이에는 트랜지스터의 채널(207)이 형성되어 있으며, 채널(207) 위에 게이트 절연막(280)이 형성되어 있다.
한편, 소스/드레인 영역(205) 이외의 부분에 절연막(217)이 형성되어 있으며, 절연막(217) 위로 소스/드레인 영역(205)과 연결되는 소스/드레인 전극(215)이 형성되어 있다.
이때, 소스/드레인 전극(215)은 일반적인 도전성을 가지는 금속일 수 있다.
이와 같은 소스/드레인 전극(215) 위에 소스/드레인 전극(215)을 덮는 소자 절연막(210)이 형성되어 있다.
이러한 기판(200) 위의 트랜지스터는 소스/드레인 전극(215) 사이에 가로로 긴 채널(207)을 포함하며, 트랜지스터 옆으로 게이트 전압(Vgate)을 인가하기 위한 게이트 패드(270)가 형성되어 있다.
한편, 유체관(250)은 기판(200) 위에 소스/드레인 전극(215) 사이의 채널(207)과 교차하도록 세로로 긴 형상을 가진다.
유체관(250)은 트랜지스터의 게이트 절연막(280) 위를 덮도록 형성되어 있으며, 내부에 샘플 용액(300)이 흐를 수 있는 공간을 포함한다.
유체관(250) 내벽에는 기준 전극(260)이 적층되어 형성되어 있으며, 기준 전극(260)은 유체관(250) 외부까지 연장되어 기판(200) 위에 형성되어 있는 게이트 패드(270)와 연결되어 외부로부터 게이트 전압(Vgate)을 인가받는다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 바이오 센서는 유체관(250) 내벽에 형성되어 있는 기준 전극(260) 위에 프로브 분자층(320)이 형성되어 있다.
샘플 용액(300) 내의 타깃 분자(310)들이 기준 전극(260) 표면의 프로브 분자층(320)과 결합하면, 타깃 분자(310)의 전하에 의해 기준 전극(260)과 샘플 용액(300) 사이의 전위 차가 변화한다. 따라서, 게이트 전압(Vgate)이 동일하게 인가되더라도, 채널(207)에 실제 인가되는 게이트 전압(Vgate)이 달라진다.
따라서, 프로브 분자층(320)과 결합한 타깃 분자(310)들의 양에 비례하여 외부적으로 측정되는 전계 효과 트랜지스터의 문턱 전압 값이 바뀐다.
이러한 바이오 센서는 기판(200) 위에 전계 효과 트랜지스터를 형성한 후, 기준 전극(260)이 형성된 유체관(250)과 조립한 후 샘플 용액(300)을 유체관(250)의 내부 공간으로 흘리면서 문턱 전압을 측정하여 반응 여부를 검출한다.
이때, 프로브 분자층(320)는 조립 전에 기준 전극(260)에 부착할 수 있으며, 조립 후에 부착도 가능하다.
이와 같이 기준 전극(260)을 유체관(250) 내벽에 형성함으로써 트랜지스터의 마이크로미터 스케일에 따라 유체관(250)도 마이크로미터 스케일로 제작이 가능하여 바이오 소자의 미세화가 가능해진다.
도 4는 본 발명에 따른 바이오 센서의 특성 곡선을 나타낸 것이다.
프로브 분자층이 부착된 상태에서 트랜지스터의 기준 특성 곡선(fref)은 프로브 분자층과 타겟 분자가 반응한 후의 반응 특성 곡선(fr)과 차이 나며, 특히 문턱 전압의 차가 발생한다.
즉, 타겟 분자와 프로브 분자 사이의 반응에 따른 반응 특선 곡선(fr)은 타겟 분자가 없는 샘플 용액을 흘린 상태에서의 트랜지스터의 기준 특성 곡선(fref)에 대하여 문턱 전압이 이동하는 것을 볼 수 있으며, 이러한 문턱 전압의 변화 방향은 기판의 n 또는 p타입 여부에 따라 결정된다.
이러한 문턱 전압의 변화에 의해 반응 여부를 검출할 수 있으며, 또한 유체관의 부피를 마이크로미터 스케일로 줄임으로써 동일한 부피의 샘플 용액 공급 시 용액 내 각각의 타깃 분자들이 프로브 분자층과 만나서 결합할 수 있는 확률이 높아져 센서의 감도 및 반응 속도를 크게 향상 시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 종래 전계 효과 트랜지스터를 사용하여 생물학적 반응을 측정하는 바이오 센서를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 바이오 센서를 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 바이오 센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 바이오 센서의 특성 곡선을 나타낸 것이다.

Claims (12)

  1. 소스, 드레인 및 상기 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널을 포함하는 기판,
    상기 채널 위에 형성되는 게이트 절연막,
    상기 소스, 드레인과 각각 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극
    을 포함하는 트랜지스터,
    상기 트랜지스터와 내부 공간을 갖도록 상기 트랜지스터를 덮으며, 타겟 분자를 포함하는 샘플 용액을 흘리는 유체관,
    상기 유체관의 내벽에 형성되어 있는 기준 전극, 그리고
    상기 기준 전극 위에 부착되어 있으며, 상기 타겟 분자와 반응하는 프로브 분자층
    을 포함하는 바이오 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바이오 센서는 상기 프로브 분자와 상기 타겟 분자 사이의 반응에 따라 상기 트랜지스터의 문턱 전압이 가변하는
    바이오 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준 전극은
    외부로부터 상기 샘플 용액에 가해지는 게이트 전압을 인가받는
    바이오 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 트랜지스터는
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 위에 절연막을
    더 포함하는
    바이오 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유체관은
    마이크로미터 스케일인
    바이오 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 기판인
    바이오 센서.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유체관은
    상기 기판의 채널을 덮도록 형성되어 있는
    바이오 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 유체관의 양 측면에 배치되어 있는
    바이오 센서.
  9. 유체관 내벽의 기준 전극 위에 프로브 분자층을 부착하는 단계,
    게이트 절연막이 노출되어 있는 트랜지스터 위에 상기 유체관을 조립하는 단계,
    타겟 분자 없는 유체를 흘려 상기 트랜지스터의 문턱 전압을 측정하는 단계, 그리고
    상기 타겟 분자를 포함하는 샘플 용액을 흘려 상기 트랜지스터의 문턱 전압을 측정하는 단계
    를 포함하는
    바이오 센서의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 프로브 분자층을 부착하는 단계는 상기 트랜지스터와 상기 유체관의 조 립 후에 진행하는
    바이오 센서의 구동 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 트랜지스터 및 상기 유체관은 마이크로미터 스케일을 충족하는
    바이오 센서의 구동 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 바이오 센서의 상기 프로브 분자와 상기 타겟 분자 사이의 반응에 따른 상기 트랜지스터의 문턱 전압의 변화를 측정하는
    바이오 센서의 구동 방법.
KR1020090089537A 2009-09-22 2009-09-22 바이오 센서 및 그의 구동 방법 KR101217576B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089537A KR101217576B1 (ko) 2009-09-22 2009-09-22 바이오 센서 및 그의 구동 방법
US12/703,939 US8164123B2 (en) 2009-09-22 2010-02-11 Biosensor and method of driving the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089537A KR101217576B1 (ko) 2009-09-22 2009-09-22 바이오 센서 및 그의 구동 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110032172A KR20110032172A (ko) 2011-03-30
KR101217576B1 true KR101217576B1 (ko) 2013-01-03

Family

ID=43755699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090089537A KR101217576B1 (ko) 2009-09-22 2009-09-22 바이오 센서 및 그의 구동 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8164123B2 (ko)
KR (1) KR101217576B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513685B1 (ko) 2013-07-31 2015-04-22 주화숙 바이오센서 회전장치
US10788440B2 (en) 2016-11-23 2020-09-29 Lg Chem, Ltd. Biosensor

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2909616A1 (en) 2012-10-16 2015-08-26 Koninklijke Philips N.V. Integrated circuit with sensing transistor array, sensing apparatus and measuring method
WO2015088055A1 (ko) * 2013-12-09 2015-06-18 나노칩스(주) 상온동작 단전자 트랜지스터를 이용한 바이오센서, 그 바이오센서의 제조방법, 그 바이오센서를 갖는 분석시스템 및 분석방법
DE102015104419A1 (de) * 2014-04-02 2015-10-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Fluidsensor und Verfahren zur Untersuchung eines Fluids
US10352899B2 (en) * 2014-10-06 2019-07-16 ALVEO Technologies Inc. System and method for detection of silver
US9921182B2 (en) 2014-10-06 2018-03-20 ALVEO Technologies Inc. System and method for detection of mercury
US10627358B2 (en) * 2014-10-06 2020-04-21 Alveo Technologies, Inc. Method for detection of analytes
US9506908B2 (en) 2014-10-06 2016-11-29 Alveo Technologies, Inc. System for detection of analytes
US10196678B2 (en) * 2014-10-06 2019-02-05 ALVEO Technologies Inc. System and method for detection of nucleic acids
TWI565946B (zh) * 2015-04-20 2017-01-11 國立清華大學 生物檢測方法及其生物感測器
US11465141B2 (en) 2016-09-23 2022-10-11 Alveo Technologies, Inc. Methods and compositions for detecting analytes
KR20190027076A (ko) 2017-09-06 2019-03-14 서울대학교산학협력단 바이오 센싱 장치
KR102025812B1 (ko) * 2017-12-01 2019-09-25 주식회사 큐에스택 다공성 전도체를 포함하는 바이오 센서
KR102122082B1 (ko) * 2018-05-29 2020-06-11 주식회사 큐에스택 수직 채널을 포함하는 바이오 센서
KR102187736B1 (ko) 2019-07-05 2020-12-07 서울대학교산학협력단 바이오 센싱 장치
US20220091065A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Visera Technologies Company Limited Sensor device and method of using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246478A1 (en) * 2005-02-03 2006-11-02 Yoo Kyu-Tae Method of electrically detecting biomolecule
KR100727533B1 (ko) * 2006-04-19 2007-06-14 (재)대구경북과학기술연구원 전계효과 트랜지스터형 센서시스템을 위한 판상 덮개구조체와 그 구조체가 구현된 전계효과 트랜지스터형센서시스템
KR20080050958A (ko) * 2006-12-04 2008-06-10 한국전자통신연구원 바이오 센서 및 그 제조 방법
KR20090065124A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4020830A (en) 1975-03-12 1977-05-03 The University Of Utah Selective chemical sensitive FET transducers
US20020006632A1 (en) 2000-02-24 2002-01-17 Gopalakrishnakone Ponnampalam Biosensor
JP2003322633A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp センサセル、バイオセンサ及びこれらの製造方法
US20060121501A1 (en) * 2004-10-22 2006-06-08 Stanislaw Burzynski Method for immobilizing molecular probes to a semiconductor oxide surface
KR100682918B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 표면 개질을 갖는 fet형 바이오 센서
TWI279539B (en) 2005-11-01 2007-04-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Biosensor containing ruthenium, and measurement using the same and the application thereof
KR100738081B1 (ko) 2005-11-22 2007-07-12 삼성전자주식회사 무기막을 구비하는 fet 기반 바이오 센서, 그의 제조방법 및 그를 이용한 생분자 검출 방법
KR100906154B1 (ko) 2007-12-05 2009-07-03 한국전자통신연구원 반도체 나노선 센서 소자 및 이의 제조 방법
TWI383144B (zh) * 2008-09-23 2013-01-21 Univ Nat Chiao Tung 感測元件、製造方法及其生物檢測系統

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246478A1 (en) * 2005-02-03 2006-11-02 Yoo Kyu-Tae Method of electrically detecting biomolecule
KR100727533B1 (ko) * 2006-04-19 2007-06-14 (재)대구경북과학기술연구원 전계효과 트랜지스터형 센서시스템을 위한 판상 덮개구조체와 그 구조체가 구현된 전계효과 트랜지스터형센서시스템
KR20080050958A (ko) * 2006-12-04 2008-06-10 한국전자통신연구원 바이오 센서 및 그 제조 방법
KR20090065124A (ko) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513685B1 (ko) 2013-07-31 2015-04-22 주화숙 바이오센서 회전장치
US10788440B2 (en) 2016-11-23 2020-09-29 Lg Chem, Ltd. Biosensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20110068015A1 (en) 2011-03-24
KR20110032172A (ko) 2011-03-30
US8164123B2 (en) 2012-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101217576B1 (ko) 바이오 센서 및 그의 구동 방법
US20220082607A1 (en) Methods and apparatus for testing isfet arrays
JP5876044B2 (ja) 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ
CN102132153B (zh) 减小电子设备中的电容性充电
US7884398B2 (en) Floating gate field effect transistors for chemical and/or biological sensing
US11008611B2 (en) Double gate ion sensitive field effect transistor
Reddy et al. High-k dielectric Al 2 O 3 nanowire and nanoplate field effect sensors for improved pH sensing
JP2018109654A (ja) イオン感応性電荷蓄積回路および方法
CN107589165B (zh) 具有放大的生物传感器像素电路
US9719959B2 (en) Hydrogen ion sensor
KR101322354B1 (ko) 습도 센서, 습도 센싱 방법 및 이를 위한 트랜지스터
KR20210012454A (ko) 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
Zhao et al. Floating-Gate Ion Sensitive Field-Effect Transistor for Chemical and Biological Sensing
JP2011215105A (ja) 化学センサ及び検出方法
Mokhtarifar et al. Low-cost EGFET-based pH-sensor using encapsulated ITO/PET-electrodes
US9103773B2 (en) Capacitive element sensor and method for manufacturing same
TWI435078B (zh) 離子感測裝置及其製造方法
JP2011085557A (ja) 半導体センサ及び製造方法
JP2019002727A (ja) センサ用トランジスタ
US20210270769A1 (en) Chemical sensor and detection apparatus
US11467123B2 (en) Double-gate field-effect-transistor based biosensor
Mokhtarifar et al. A Flow-through Cell Apparatus with Integrated EGFET Differential Pair for pH-sensing in Aqueous Solutions
Mokhtarifar et al. Development of an Extended Gate Field Effect Transistor (EGFET) based low-cost pH-sensor
JP2011220955A (ja) 化学センサ及び検出方法
JP2022142596A (ja) 検出装置及び検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee