KR20210012454A - 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서는 플로팅 게이트와 상부 절연막 상에 배치된 감지 게이트, 하부 절연막 상에 채널과 이격 배치된 제어 게이트, 상기 하부 절연막 및 상기 감지 게이트 사이에 배치된 채널을 포함하는 측정부; 및 측정부에 연결되는 감지부를 포함하고, 감지부의 감지막과 용액에 포함된 생리 물질의 반응에 따른 감지 게이트의 전압 변화를 기초하여 채널의 하부에 배치된 하부 절연막과 채널의 상부에 배치된 상부 절연막의 용량비(coupling ratio)에 따라 제어 게이트의 문턱전압에 변화를 일으킨다. 이에, 트리플 게이트 구조의 ISFET을 이용함으로써 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있다.
Description
본 발명은 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 감지도를 효과적으로 자가 증폭시킬 수 있는 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서에 관한 것이다.
바이오 센서(Bio sensor)는 생체물질이 가진 분자간 선택적 반응성을 이용하여 다양한 생리활성 물질의 농도를 신속하게 정량화할 수 있는 센서이다. 대표적인 센서로는 이온 전계 효과 트랜지스터(Ion-Sensitive Field Effect Transistor, ISFET)를 이용한 바이오 센서가 있다.
이온 전계 효과 트랜지스터(ISFET)를 이용한 바이오 센서는 생리 물질을 포함한 용액과 센서의 감지막이 직접적으로 접촉하여 감지막과 용액 사이의 반응으로 생리 활성 물질 (예컨대, 바이러스, 혈당, DNA, 세포, 항원-항체, 수소 등)의 농도를 구별할 수 있다. 최근 ISFET를 이용한 바이오 센서는 헬스 케어 시장에서 각광받고 있으며, 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있다.
그러나, ISFET를 이용한 바이오 센서는 약 59mV/pH의 네른스트(Nernst) 응답 한계로 인한 저해상도(저감도) 및 재현성 문제로 상용화에 큰 어려움이 있었다.
또한, 이온 전계 효과 트랜지스터(ISFET)는 하나의 소자 내에 감지부와 측정부가 함께 존재하기 때문에, 감지부가 검사대상 물질인 용액에 의해 손상되는 경우, 상대적으로 공정이 복잡한 측정부 또한 손상되게 된다. 따라서, 상술한 손상에 의해 소자의 수명이 크게 감소할 수 있어 높은 비용을 유발해 비효율적이다. 따라서, ISFET은 상술한 바와 같이 해상력의 한계 및 소자 손상으로 인한 고비용 발생으로 상용화의 한계가 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 확장 게이트(Extended Gate, EG) 트랜지스터를 이용하여 기존의 감지부와 측정부를 분리한 분리형 센서가 제안되었다. 분리형 센서는 측정부와 감지부가 분리되어 위치함에 따라 감지부가 검사대상 물질인 용액에 의해 손상되어도, 상대적으로 공정이 복잡한 측정부를 재사용 할 수 있다. 따라서, 생리 물질을 포함한 용액에 취약한 기존 ISFET 소자의 단점을 극복할 수 있었다. (특허문헌 1 및 특허문헌 2)
그러나, 확장 게이트 전계 효과 트랜지스터(EGFET)의 경우, 소자 손상으로 인한 고비용 발생의 문제점은 해결할 수 있었으나, 여전히, 저감도로 인한 문제는 여전히 미해결 과제로 남아 있었다.
또는, 위의 ISFET의 문제를 해결하기 위하여 SOI 기판을 이용한 이중 게이트(double-gate, DG) 구조의 이온 전계 효과 트래지스터(ISFET)가 개발된 바 있다(특허문헌 3). 그러나, SOI 기판을 이용한 듀얼 게이트 이온 전계 효과 트랜지스터(DG ISFET)는 상부 게이트 절연막과 하부 게이트 절연막의 유전 커플링 현상을 이용하여 기존의 낮은 감도를 자가 증폭 할 수 있었다. DG ISFET를 이용한 바이오 센서는 상부 절연막의 두께를 줄이고 하부 절연막의 두께를 늘림으로써 용량성 커플링(capacitive coupling) 효과를 증가시켰다. 그러나, 두꺼운 하부 절연막은 긴 공정 시간을 유발하고, 얇은 상부 절연막은 게이트 누설 전류(leakage current)를 유발시키는 문제점도 있었다.
따라서, 저비용, 고감도를 만족시켜 상업화가 가능한 고성능 바이오 센서를 구현할 수 있는 ISFET 센서에 대한 개발이 절실히 요청되고 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 트리플 게이트 구조의 ISFET을 이용함으로써 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있는 고성능 센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 감지부와 측정부를 분리하여 측정부가 감지 용액에 직접적으로 노출되는 것을 방지함으로써 소자 제작 비용을 감소시킬 수 있는 고성능 센서를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상술한 고성능 센서를 POC(Point Of Care), 재택 진단, 연구소, 환경 모니터링에 활용하는 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서는 플로팅 게이트와 상부 절연막 상에 배치된 감지 게이트, 하부 절연막 상에 채널과 이격 배치된 제어 게이트, 하부 절연막 및 감지 게이트 사이에 배치된 채널을 포함하는 측정부; 및 측정부에 연결되는 감지부를 포함한다. 감지부의 감지막과 용액에 포함된 생리 물질의 반응에 따른 감지 게이트의 전압 변화를 기초하여, 채널의 하부에 배치된 하부 절연막과 채널의 상부에 배치된 상부 절연막의 용량비(coupling ratio)에 따라 제어 게이트의 문턱전압에 변화를 일으킨다. 이에, 트리플 게이트 구조의 ISFET을 이용함으로써 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상부 절연막은 감지 게이트와 채널 사이의 제1 용량을 포함하고, 하부 절연막은 플로팅 게이트와 채널 사이의 제2 용량 및 제어 게이트와 채널 사이의 제3 용량을 포함하고, 제2 용량 및 제3 용량은 직렬 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상부 절연막의 용량과 하부 절연막의 용량을 기초로 증폭인자를 산출하고, 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출될 수 있다.
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 게이트 전극의 면적이 감소할 경우, 제3 용량이 감소하고, 상부 절연막과 하부 절연막 사이의 용량차가 증가하여 증폭인자의 값이 증가하고, 증폭인자 값에 비례하여 감지도가 증가할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 생리 물질은 용액 및 가스 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖을 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 감지부는 감지 게이트에 연결되는 금속 전극; 금속 전극 상에 배치되며 생리 물질과 반응하는 감지막; 및 감지막 상에 배치되며 감지 용액을 담을 수 있는 챔버를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 감지 게이트와 연결된 감지막의 표면 전위 변화에 기초하여 제어 게이트의 문턱전압이 자가 증폭(Self-amplification)될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 채널은 비정질 a-IGZO(In-Ga-Zn-O) 물질을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서는 삼중으로 구성된 복수의 게이트를 포함하며, 서로 상이한 용량을 갖는 두 영역을 갖는 제1 절연층; 및 제1 절연층과 서로 상이한 용량을 갖는 제2 절연층을 포함하는 트리플 게이트 구조의 ISFET; 및
트리플 게이트 구조의 ISFET의 복수의 게이트 중 최상측에 배치된 게이트와 연결되는 금속 전극, 금속 전극 상에 배치되는 감지막 및 챔버를 포함하는 확장 게이트를 포함한다. 이에, 트리플 게이트 구조의 ISFET을 이용함으로써 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트는 제1 게이트, 제2 게이트 및 제3 게이트를 포함하고, 제1 게이트와 제3 게이트 사이에 채널을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 절연층은 채널과 제1 게이트 사이의 제1 영역과 제1 게이트와 제2 게이트 사이의 제2 영역을 포함하며, 제1 영역과 제2 영역은 서로 상이한 용량을 갖을 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 영역의 용량은 제1 절연층의 제2 영역 상에 배치된 제2 게이트의 면적에 기초하여 변화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 게이트의 면적이 감소할 경우, 제2 영역의 용량은 감소하고, 제2 게이트의 면적이 증가할 경우, 제2 영역의 용량은 증가할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 절연층의 용량은 제1 절연층의 용량보다 클 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 절연층의 용량과 제2 절연층의 용량을 기초로 증폭인자를 산출하고, 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출될 수 있다.
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 절연층은 증폭인자를 증가시키기 위해 유전율이 작은 물질을 포함하고, 제2 절연층은 증폭인자를 증가시키기 위해 유전율이 큰 물질을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법은 제1 게이트와 제1 게이트 상에 하부 절연막을 형성하는 단계; 하부 절연막 상에 채널을 형성하는 단계; 채널 상에 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계; 채널 상에 상부 절연막을 형성하는 단계; 제2 게이트와 제3 게이트를 동시에 형성하는 단계; 및 제2 게이트의 면적을 기초로 상부 절연막과 하부 절연막 사이의 용량비(coupling ratio)를 조절하여 제어 게이트의 문턱전압을 자가증폭하는 단계를 포함한다. 이에, 고성능 센서를 POC(Point Of Care), 재택 진단, 연구소, 환경 모니터링에 활용할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제2 게이트의 면적이 감소할 경우, 제1 게이트와 제2 게이트 사이의 용량이 감소할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 문턱전압의 자가증폭된 증폭비인 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출될 수 있다.
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 트리플 게이트 구조의 ISFET을 이용함으로써 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 감지부와 측정부를 분리하여 측정부가 감지 용액에 직접적으로 노출되는 것을 방지함으로써 소자 손상으로 인한 고비용 발생의 문제점은 해결할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상술한 고성능 센서를 POC(Point Of Care), 재택 진단, 연구소, 환경 모니터링에 활용할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 감지부와 측정부를 분리하여 나타낸 전체 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정부에 대한 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지부에 대한 공정 순서도이다.
도 5는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 회로도이다.
도 6은 트리플 게이트 구조의 ISFET을 용량과 함께 나타낸 단면도이다.
도 7은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 8은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다.
도 9은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 현상에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 비를 나타낸 그래프이다.
도 11는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서를 용량과 함께 나타낸 단면도이다.
도 12은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 13은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다.
도 14는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 pH농도에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 15는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 pH감지도를 나타낸 그래프이다.
도 16은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 hysteries 전압을 측정한 그래프이다.
도 17은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 drift 속도를 측정한 그래프이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다.
도 19는 비교예에 따른 듀얼 게이트 ISFET의 구조 및 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 전극의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정부에 대한 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지부에 대한 공정 순서도이다.
도 5는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 회로도이다.
도 6은 트리플 게이트 구조의 ISFET을 용량과 함께 나타낸 단면도이다.
도 7은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 8은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다.
도 9은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 현상에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 비를 나타낸 그래프이다.
도 11는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서를 용량과 함께 나타낸 단면도이다.
도 12은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다.
도 13은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다.
도 14는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 pH농도에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 15는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 pH감지도를 나타낸 그래프이다.
도 16은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 hysteries 전압을 측정한 그래프이다.
도 17은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 drift 속도를 측정한 그래프이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다.
도 19는 비교예에 따른 듀얼 게이트 ISFET의 구조 및 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 전극의 예시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층위(on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다. 본 발명에서는 설명의 편의를 위해 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서는 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)로 지칭될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 감지부와 측정부를 분리하여 나타낸 전체 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 트리플 게이트 구조의 고성능 바이오 센서는 트리플 게이트 구조의 ISFET(110) 및 확장 게이트(120)를 포함한다. 여기서, 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)은 측정부 역할을 수행하고, 확장 게이트(120)는 감지부 역할을 수행한다.
도 1을 참조하면, 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)은 차폐층(111), 제1 유전체층(112), 소스영역, 채널영역, 드레인영역, 제2 유전체층(114) 및 복수의 게이트를 포함한다. 구체적으로, 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)은 채널 영역(113C)을 기준으로 하부에 배치된 플로팅 게이트(FG), 채널영역과 동일 층상에 배치된 제어 게이트(CG) 및 채널 영역(113C) 상부에 배치된 감지 게이트(SG)를 포함한다. 본 명세서에서 플로팅 게이트(FG), 제어 게이트(CG) 및 감지 게이트(SG)는 각각 제1 게이트, 제2 게이트 및 제3 게이트로 지칭될 수도 있다.
차폐층(111)은 외부로 노출된 플로팅 게이트(FG)를 차폐시키는 구성으로, 이온 민감형 전계 효과 트랜지스터(ISFET)로 유입되는 노이즈(noise)를 제거할 수 있다. 차폐층(111)은 플로팅 게이트(FG) 하면에 배치되고, 실리콘 산화막으로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 일반적인 유기 절연재료 또는 무기 절연재료를 포함할 수도 있다.
플로팅 게이트(FG)는 트리플 구조의 ISFET 내의 채널 영역(113C)으로부터 절연되어 있으며, 채널 영역(113C) 하부에 배치된다. 플로팅 게이트(FG)는 제1 유전체층(112)과 차폐층(111)에 의해 절연되며, Indium tin oxide(ITO)로 이루어 지지만 금속과 같은 전도성 물질이 사용될 수도 있다. 폴로팅 게이트의 전압은 제어 게이트(CG)의 전압에 따라 결정될 수 있으며, 이에 대한 상세한 내용은 추후 설명하기로 한다.
제1 유전체층(112)은 이온 민감형 감지도를 자가 증폭(Self-amplification)하기 위한 구성으로서, 플로팅 게이트(FG) 상부에 배치된다. 제1 유전체층(112)은 대략 270nm의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제1 유전체층(112)은 유전율이 작은 물질인 두꺼운 실리콘 산화물, Hydrogen SilsesQuioxane(HSQ), Methyl SilsesQuioxane(MSQ)와 같은 Spin-On Silicon 기반의 폴리머 유전체, Polyimide, Polynobornenes, PolyTetraFluoroEthylene(PTFE)와 같은 Spin-On Organic 등으로 이루어질 수 있다. 한편, 본 발명에서 하부 유전체층 또는 하부 절연막으로 지칭될 수도 있다.
채널 영역(113C)은 제1 유전체층(112) 상에서 제1 유전체층(112)의 일부 영역과 중첩하도록 배치된다. 이때, 채널 영역(113C)은 비정질 a-IGZO(In-Ga-Zn-O)로 이루어져 있어 종래에 비해 제작 공정을 단순화할 수 있다.
또한, 제1 유전체층(112) 상에는 활성 영역이 정의되어 있으며 활성 영역에 소스 영역(113S)과 드레인 영역(113D)이 형성된다. 다시 말해, 도 2에 도시된 바와 같이, 소스 영역(113S)과 드레인 영역(113D)은 상기 채널 영역(113C)의 양 측에 배치된다. 소스 영역(113S)과 드레인 영역(113D)은 전계 효과 트랜지스터(FET)의 구성에 따라 실리콘 채널의 경우 n형 도펀트, p형 도펀트 및 TiSi2, NiSi, CoSi와 같은 실리사이드(silicide) 그리고 산화물 반도체의 경우 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명은 비정질 a-IGZO(In-Ga-Zn-O) 채널과 Indium tin oxide (ITO) 소스/드레인을 이용하여 n형 FET인 N-타입 전계 효과 트랜지스터(N-type Field Effect Transistor, NFET)일 수 있다.
활성 영역의 소스 영역(113S)과 드레인 영역(113D) 사이의 영역 상에는 제2 유전체층(114)이 배치된다. 제2 유전체층(114)은 대략 50nm의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제2 유전체층(114)은 유전율이 큰 물질인 매우 얇은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 고유전 상수(high-k)를 갖는 유전체 및 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 고유전 상수(high-k)의 재료는 하프늄 산화물, 하프튬 산화물(HfO2), 탄탈룸 산화물(Ta2O5), 지르코늄 산화물(ZrO2), 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 이들의 조합 등으로 이루어질 수 있다. 한편, 본 발명에서 제2 유전체층(114)은 상부 유전체층 또는 상부 절연막으로 지칭될 수도 있다.
제어 게이트(CG)는 제1 유전체층(112) 상에서 채널 영역(113C)과 이격되도록 배치되며, 제2 유전층 상부에는 센싱 게이트가 배치된다. 제어 게이트(CG)는 제1 유전체층(112)에 의해 플로팅 게이트(FG)와 분리되고, 감지 게이트(SG)는 제2 유전체층(114)에 의해 플로팅 게이트(FG)와 분리된다. 여기서, 제어 게이트(CG) 및 감지 게이트(SG)는 Al, Cu, W, Ti, Ta, Cr, Pt, Ag, Au와 같은 금속재료로 이루어질 수 있고, TiSi2, NiSi, CoSi와 같은 실리사이드(silicide)로 이루어질 수 있고, 도핑된 다결정 실리콘으로 이루질 수 있고, 또는 ITO, MWCNT, Ag 나노 파이버와 같은 투명 전극으로 이루어질 수 있다.
트리플 게이트 구조의 ISFET(110) 상부에는 확장 게이트(120)가 배치된다. 확장 게이트(120)는 감지 게이트(SG)에 연결되어 있는 금속 전극(121), 금속 전극(121) 상에 배치되고 이온을 감지하는 감지막(122), 감지 용액을 담을 수 있는 PDMS 재질의 챔버(123, Chamber) 및 기준 전극(124)를 포함한다. 기준 전극(124)는 도 20과 같은 상용 기준 전극을 사용할 수 있다. 예컨대, 도 20의 (A)와 같이, Saturated calomel기준 전극(SCE)일 수 있고, (B)와 같이, Glass기준 전극일 수 있고, (C)와 같이, Ion-sensitive기준 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 고체 페이스트(paste)를 사용할 수도 있다.
이하에서는, 도 3a 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)의 공정 순서를 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정부에 대한 공정 순서도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지부에 대한 공정 순서도이다. 도 3a 내지 도 4는 도 2의 구성요소와 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 3a를 참조하면, 차폐층(111) 상부에 플로팅 게이트(FG)가 배치된다(단계 a). 플로팅 게이트(FG) 상부에 제1 유전체층(112)이 배치되고(단계 b), 제1 유전체층(112) 상에는 채널층(113)이 배치된다(단계 c). 채널층(113)의 일부 영역 상에 소스 영역(113S)과 드레인 영역(113D)을 형성한다(단계 d). 이어서, 제1 유전체층(112) 상부에 배치된 마스크를 이용하여 소스 영역(113S), 채널 영역(113C) 및 드레인 영역(113D)을 격자화(patterning)한다(단계 e).
도 3b를 참조하면, 소스 영역(113S), 채널 영역(113C) 및 드레인 영역(113D) 상부에 제2 유전체층(114)이 배치된다(단계 f). 이어서, 제2 유전체층(114) 상에 감지 게이트(SG)가 그리고 제 2 유전체층(112) 상에 채널영역 (113C)와 이격되어 제어 게이트(CG)가 배치된다(단계 g).
이어서, 도 4를 참조하면, 금속 전극(121) 상에 감지막(122)이 배치된다(단계 h, i). 이어서, 감지막(122) 상부에 챔버(123)가 배치되고, 챔버(123)에는 시료가 유입되는 주입구가 형성되고(단계 j), 상기 주입구에는 기준 전극(124)이 삽관되도록 배치된다(단계 k).
이에 따라, 본 발명의 트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서는 도 2에 도시된 바와 같이, 측정부 상에 감지부가 배치되는 형태를 갖는다. 한편, 측정부에 감지부가 연결되는 방식은 이에 제한되지 않으며, 도 18을 참조하여 후술하기로 한다.
이하에서는, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET의 동작 방법을 설명하기로 한다.
도 5는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 회로도이다. 도 6은 트리플 게이트 구조의 ISFET을 용량과 함께 나타낸 단면도이다. 도 7은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다. 도 8은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다. 도 9는 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 현상에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 10은 트리플 게이트 구조의 ISFET의 용량성 커플링 비를 나타낸 그래프이다.
도 5를 참조하면, 제어 게이트(CG)에 가해진 입력 전압(Vin)에 의해 출력 전류(Output current)인 드레인 전류가 측정된다. 또한, 기준 전극(124) 및 소스 영역(113S)은 접지(Common ground)시킨다. 여기서, 감지 게이트(SG)의 전압은 오직 감지막(122)의 표면 전위 값만 갖는다.
종래의 ISFET은 상온에서 감지도가 최대 59mV/pH의 네른스트 한계를 극복하기 위해 듀얼 게이트 구조의 ISFET을 이용해 감지도를 자가 증폭시켰다. 구체적으로, 듀얼 게이트 구조의 ISFET(DG ISFET)의 경우, 제1 유전체층(112)의 두께를 줄이고, 제2 유전체층(114)의 두께를 늘림으로써 상부와 제2 유전체층(114) 사이의 커플링(capacitive coupling) 현상을 이용하여 감지도를 자가 증폭시키는 방식을 적용하였다.
그러나, 두꺼운 제2 유전체층(114)은 긴 공정 시간이 소요되고, 얇은 제1 유전체층(112)은 게이트 누설 전류(leakage current)를 유발하여 복잡한 공정 과정이 요구된다는 문제점이 있었다. 따라서, 종래의 듀얼 게이트 구조의 ISFET(DG ISFET)은 네른스트 한계에 따른 감지도를 증폭시키면서 용량성 커플링 한계를 개선하는데에 어려움이 존재한다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 제2 유전체층(114)의 용량(CLower)은 채널(113C)과 플로팅 게이트(FG) 사이의 용량인 제2 용량(C2) 및 제어 게이트(CG)와 플로팅 게이트(FG) 사이의 용량인 제3 용량(C3)으로 정의될 수 있다. 이때, 제2 용량(C2) 및 제3 용량(C3)은 직렬로 연결되기 때문에 용량이 절반 이상으로 줄어든다.
또한, 감지 게이트(SG)에 감지 게이트 전압(Vsg)이 인가됨에 따라, 용량성 커플링 현상에 의해 제어 게이트(CG)의 제어 게이트 전압(Vcg)은 전류 변화에 대응하여 문턱전압이 변할 수 있다. 여기서, 용량성 커플링 현상은 감지 게이트(SG) 및 제어 게이트(CG) 사이에서 제1 유전체층(112)의 용량(CUpper)과 제2 유전체층(114)의 용량(CLower)에 의해 결정된다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)은 플로팅 게이트(FG)를 활용하여 제2 용량(C2) 및 제3 용량(C3)을 직렬 연결시킴으로써 제2 유전체층(114)의 용량을 효과적으로 줄일 수 있다.
또한, 제어 게이트(CG)의 문턱전압(
)은 하기 수학식 2에 도시된 바와 같이, 제1 유전체층(112)의 용량(CUpper)을 제2 유전체층(114)의 용량(CLower)으로 나눈 값으로 정의될 수 있다. 또는, 제어 게이트(CG)의 문턱전압(
)은 센싱 게이트 및 채널 사이의 용량인 제1 용량(C1)에 제2 용량(C2)과 제3 용량(C3)을 더한 값을 곱한 후, 제2 용량(C2)과 제3 용량(C3)을 곱한 값으로 나눈 값으로 정의될 수도 있다. 여기서, 제1 유전체층(112)의 용량(CUpper)과 제2 유전체층(114)의 용량(CLower)은 하기 수학식 1을 기초로 산출될 수 있다.
(수학식 1)
여기서, 0는 진공의 유전율, r은 유전체의 비유전율, A는 유전체의 면적, 그리고 d는 유전체의 두께를 나타낸다.
또한, 본 발명에 따르면, 제어 게이트(CG)와 플로팅 게이트(FG) 사이의 용량인 제3 용량(C3)은 제어 게이트 (CG)의 면적에 따라 결정된다. 따라서 제1 유전체층(112)과 제2 유전체층(114)의 용량비는 제어 게이트(CG)의 면적을 조절하여 조절할 수 있다.
예컨대, 제어 게이트(CG)의 면적이 80 × 400 μm = 32,000 μm2인 경우, 용량비는 4.75이고, 면적이 80 × 300 μm = 24,000 μm2인 경우, 용량비는 4.84이고, 면적이 80 × 200 μm = 16,000 μm2인 경우, 용량비는 5.00이고, 면적이 80 × 100 μm = 8,000 μm2인 경우, 용량비는 5.11이고, 면적이 60 × 70 μm = 4,200 μm2인 경우, 용량비는 5.23이고, 면적이 50 × 60 μm = 3,000 μm2인 경우, 용량비는 5.30이고, 면적이 40 × 50 μm = 2,000 μm2인 경우, 용량비는 5.89이고, 면적이 30 × 40 μm = 1,200 μm2인 경우, 용량비는 6.58일 수 있다.
이처럼, 제1 유전체층(112)과 제2 유전체층(114)의 용량(CUpper, CLower)을 기초로 증폭인자(Amplification factor)가 결정되며, 증폭인자(Amplification factor)는 하기 수학식 2와 같다.
(수학식 2)
여기서, CUpper은 제1 유전체층(112)의 용량, CLower은 제2 유전체층(114)의 용량을 나타낸다.
도 9를 참조하면, 제어 게이트의 면적에 따라 감지 게이트 전압(VSG)을 -540mV 내지 540mV 범위 내에서 180mV의 간격으로 감지 게이트(SG)에 인가할 경우, 용량성 커플링 현상에 의해 감지 게이트 전압(VSG)의 문턱전압이 점차적으로 변화하는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명은 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)에 의해 제2 유전체층(114)의 두께를 2배로 키우는 효과가 있다.
이에 따라, 발명은 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)은 듀얼 게이트 구조의 ISFET 보다 용량성 커플링 효과를 증가시킴으로써 감도를 효과적으로 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
이하에서는, 도 11 내지 도 17을 참조하여, 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 11는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서를 용량과 함께 나타낸 단면도이다. 도 12는 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 회로 레이아웃을 나타낸 개략도이다. 도 13은 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서의 단순화된 커플링 회로를 나타낸 개략도이다. 도 14는 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 pH농도에 따른 문턱전압의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 13은 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 pH감지도를 나타낸 그래프이다. 도 16은 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 hysteries 전압을 측정한 그래프이다. 도 17는 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 drift 속도를 측정한 그래프이다.
도 11을 참조하면, 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)는 측정부의 역할을 수행하는 트리플 게이트 구조의 ISFET(110)와 감지부 역할을 수행하는 확장 게이트(120)가 연결된 구조이다. 이때, 측정부의 감지 게이트(SG)와 감지부의 금속 전극(121)이 연결되도록 배치된다.
도 11을 참조하면, 확장 게이트(120)는 감지 게이트(SG)에 연결되는 금속 전극(121), 금속 전극(121) 상에 배치되며 이온을 감지하는 감지막(122) 및 감지막(122) 상에서 감지 용액을 담을 수 있는 챔버(123)를 포함한다.
도 12를 참조하면, 기준전극 전압(VREF)은 접지된다. 또한, 바이오 감지 물질들이 챔버(123)에 수용되자마자 감지막(122)의 표면 포텐셜은 변하고, 변화된 표면 포텐셜은 감지 게이트(SG)에 전달될 수 있다. 이때, 제어 게이트(CG)의 전압(VCG)은 용량성 커플링 현상에 의해 상기 전달된 감지 게이트(SG)의 전압(VSG)에 따라 문턱전압이 변할 수 있다.
도 13에 도시된 측정부는 상술한 도 8의 측정부와 동일한 회로 구조를 갖으므로, 중복설명은 생략한다. 도 13을 참조하면, 감지부는 감지 물질들의 농도에 따라 전기 이중층으로 구성될 수 있다. 여기서, 전기 이중층은 구이-채프만 스턴 모델에 따라 직렬로 연결된 조밀 이중층의 스턴 용량(CStern)과 확산층의 구이-채프만 용량(CGouy)으로 구성된다. 도 13에서는 스턴 용량과 구이 채프만 용량을 감지물질 용량(CElectrolyte)로 표시하였다.
감지 물질인 이온이 감지막(122) 표면에 흡착되면 표면에 전하가 생성된다. 이때 생성된 표면 전하는 감지막(122)의 표면 포텐셜을 변화시키고 감지막(122)의 용량(CSENS)과 직렬로 연결되어 감지 게이트 전압(VSG)을 변화시킨다.
감지막(122)의 표면 포텐셜에 따라, 용량성 커플링 현상을 통해, 제어 게이트(CG)의 문턱전압이 변할 수 있다. 용량성 커플링 현상에 따른 감지도의 자가 증폭은 하기 수학식 3과 같이 나타낼 수 있다.
(수학식 3)
종래의 ISFET pH센서는 감지막(122)으로 SnO2를 사용하였으며, pH농도에 따라 전류 변화에 응답하여 문턱전압이 변하였다. SnO2를 사용한 기존의 ISFET pH센서는 상온에서 57mV/pH내지 58mV/pH의 감지도를 갖는다.
이에 반해, 본 발명은 제어 게이트(CG)의 면적을 기초로 제1 유전체층(112)과 제2 유전체층(114)의 용량비를 조절하여 제어 게이트(CG)의 문턱전압을 자가 증폭시킬 수 있다. 즉, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 트리플 게이트 구조의 ISFET 센서(100)는 pH 조건을 기초로 전압 변화에 응답하여 용량성 커플링 현상을 통해 제어 게이트(CG)의 문턱전압 변화에 따라 감지도가 자가 증폭되는 것을 알 수 있다. 여기서, pH조건은 pH3 내지 pH10인 것으로 가정한다.
도 13을 참조하면, 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)의 감지도는 제어 게이트(CG)와 플로팅 게이트(FG) 사이의 용량인 제3 용량(C3)은 제어 게이트 (CG)의 면적에 따라 결정된다.
예컨대, 제어 게이트(CG)의 면적이 80 × 400 μm = 32,000 μm2인 경우, pH 감지도는 290.80 mV/pH이고, 면적이 80 × 300 μm = 24,000 μm2인 경우, pH 감지도는 298.18 mV/pH 이고, 면적이 80 × 200 μm = 16,000 μm2인 경우, pH 감지도는 301.37 mV/pH 이고, 면적이 80 × 100 μm = 8,000 μm2인 경우, pH 감지도는 306.03 mV/pH 이고, 면적이 60 × 70 μm = 4,200 μm2인 경우, pH 감지도는 315.98 mV/pH 이고, 면적이 50 × 60 μm = 3,000 μm2인 경우, pH 감지도는 332.43 mV/pH 이고, 면적이 40 × 50 μm = 2,000 μm2인 경우, pH 감지도는 350.16 mV/pH 이고, 면적이 30 × 40 μm = 1,200 μm2인 경우, pH 감지도는 387.58 mV/pH 일 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 감지도의 자가 증폭은 종래의 ISFET구조의 상온에서 감지도가 최대 59mV/pH인 네른스트 한계를 극복할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라, 바이오 센서의 실질적인 감지물질인 세포, 항원-항체, DNA, 효소의 반응에 따른 미세한 신호를 감지할 수 있는 효과가 있다.
바이오 센서는 감지 특성만큼 안정성 및 신뢰성이 매우 중요하다. 따라서, 소자의 안정성 및 신뢰성을 평가하기 위해서는 hysteresis 전압 및 drift 시간을 측정하여야 한다.
Hysteresis는 감지막(122) 표면이 감지 물질 용액 내의 이온들과 반응이 늦게 일어나면서 변화하는 미소 전하량에 의해 발생되며, 문턱전압의 변화를 초래할 수 있다. 이에, 도 16을 참조하면, 제어 게이트 면적에 따른 Hysteresis 전압은 Hysteresis pH루프(pH7 →pH10 →pH7 →pH4 →pH7)의 처음과 마지막에서의 pH7의 문턱전압 차이를 나타낸다.
또한, Drift 속도는 감지막(122) 표면이 감지 물질 용액에 장시간 동안 노출될 때, 이온이 감지막(122) 내부로 침투함에 따라 변화하는 전하량에 의한 문턱전압의 변화량을 나타낸다. 도 17에 도시된 바와 같이, 제어 게이트 면적에 따른 Drift 속도는 pH7 완충 용액에서 10시간 동안 평가된 경우, 트리플 구조의 ISFET센서(100)의 hysteresis전압과 drift 속도는 각각 제어 게이트(CG)의 면적이 80 × 400 μm = 32,000 μm2인 경우, 18.16 mV, 34.8 mV/hour 이고, 면적이 80 × 300 μm = 24,000 μm2인 경우, 7.24 mV, 38.5 mV/hour 이고, 면적이 80 × 200 μm = 16,000 μm2인 경우, 52.70 mV, 36.4 mV/hour 이고, 면적이 80 × 100 μm = 8,000 μm2인 경우, 28.40 mV, 29.8 mV/hour 이고, 면적이 60 × 70 μm = 4,200 μm2인 경우, 62.81 mV, 51.0 mV/hour 이고, 면적이 50 × 60 μm = 3,000 μm2인 경우, 54.55 mV, 64.8 mV/hour 이고, 면적이 40 × 50 μm = 2,000 μm2인 경우, 감지도는 68.22 mV, 81.8 mV/hour 이고, 면적이 30 × 40 μm = 1,200 μm2인 경우, 53.67 mV, 71.1 mV/hour일 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)는 상술한 바와 같이 용량성 커플링 비율을 증가시킴으로서 감도를 효과적으로 증폭시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)는 감지부와 측정부를 분리하여 측정부가 감지 용액에 직접적으로 노출되는 것을 방지함으로써 소자 손상으로 인한 고비용 발생의 문제점은 해결할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)는 POC(Point Of Care), 재택 진단, 연구소, 환경 모니터링 등에 활용하는 등 활용도를 높일 수 있는 효과가 있다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)를 설명하기로 한다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서의 단면도이다. 도 18에 도시된 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(100)와 비교하여 측정부와 감지부가 연결되는 방식만 상이할 뿐 구성은 동일하므로, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 18을 참조하면, 트리플 게이트 구조의 ISFET(1810)에 포함된 감지 게이트(SG)의 측면에는 홈이 형성되어 있다. 이에 따라, 감지 게이트(SG)는 'ㄷ'자 형상을 갖을 수 있다. 또한, 확장 게이트(1820)에 포함된 금속 전극(121)의 측면은 상기 감지 게이트(SG)에 형성된 홈에 대응하도록 돌출된 형상을 갖는다.
이처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따른 트리플 게이트 구조의 ISFET센서(1800)는 감지부(1820)가 측정부(1810)의 홈에 끼워지는 형태로서, 제작 공정이 단순하다는 장점이 있다.
이하에서는 도 19를 참조하여, 종래 기술과 본 발명을 대비하여, 본 발명의 효과에 대하여 상세하게 설명한다.
도 19는 비교예에 따른 듀얼 게이트 ISFET의 구조 및 등가회로를 나타낸 도면이다. 비교예에 따른 ISFET센서는 도 10(A), 도 10(B)와 같은 구조를 가지고, 도 10(C)와 같은 등가 회로를 가지게 된다.
이때, 아래 수학식 4와 같은 등식이 성립하게 된다.
(수학식 4)
여기서, CBOX는 기판 자체의 용량이고, CTOX는 게이트 절연층의 용량이다. 또한, 
는 플로팅 게이트(DG)의 문턱전압이고, 
는 감지막(122) 표면에서의 전위이다. 즉, 수학식 1을 참조하면, 비교예에 따른 듀얼게이트 ISFET는 감지막(122) 표면에서 이온에 의하여 인가되는 전위 
가 
만큼 증폭되어 인가될 수 있다.
이러한 종래 기술의 경우에는 제어가능한 요소들이 게이트 절연층의 두께, 기판의 유전율(기판 물질) 및 기판의 두께뿐인데, 게이트 절연층의 두께를 조정하면 소자의 성능 자체가 변경되므로 제어가 어렵고, 기판의 유전율이나 기판의 두께를 조정하는 경우에는 제작 비용이 감당하기 어려울 만큼 높아지기 때문에 센서의 감도를 높이는데 한계가 있다.
그러나, 본 발명은 상술한 바와 같은 두께 및 유전율 조정 외에도 제어 게이트(CG)와 플로팅 게이트(FG) 사이의 용량인 제3 용량(C3)의 크기를 제어 게이트(CG)의 면적에 의해 제어할 수 있다. 또한, 제어 게이트(CG)를 사용하는 경우 절연층의 두께 두께를 2배 이상으로 늘려주는 효과가 있어 훨씬 저렴한 제작 비용이 들며, 따라서, 본 발명과 같은 구조를 가질 경우에는 저비용으로 고감도의 바이오 센서가 제작될 수 있게 된다.
따라서, 본 명세서에 따르면, 발명의 바이오 센서는 확장 게이트(EG)를 이용함으로써 생리 물질을 포함한 용액에 대한 상대적으로 공정이 복잡한 측정부에 대한 손상을 방지할 수 있고, 빛 또는 외부 환경의 영향을 낮출 수 있는 효과가 있다.
또한, 제어 게이트의 면적을 조정하여 종래의 59mV/Ph 보다 감도를 저비용으로 현저하게 높일 수 있는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100:
트리플 게이트 구조의 ISFET센서
110: 트리플 게이트 구조의 ISFET
111: 차폐층 112: 제1 유전체층
113S: 소스 영역 113C: 채널 영역
113D: 드레인 영역 120: 확장 게이트
121: 금속 전극 122: 감지막
123: 챔버 124: 기준 전극
FG: 플로팅 게이트 CG: 제어 게이트
SG: 감지 게이트
110: 트리플 게이트 구조의 ISFET
111: 차폐층 112: 제1 유전체층
113S: 소스 영역 113C: 채널 영역
113D: 드레인 영역 120: 확장 게이트
121: 금속 전극 122: 감지막
123: 챔버 124: 기준 전극
FG: 플로팅 게이트 CG: 제어 게이트
SG: 감지 게이트
Claims (19)
- 플로팅 게이트와 상부 절연막 상에 배치된 감지 게이트, 하부 절연막 상에 채널과 이격 배치된 제어 게이트, 상기 하부 절연막 및 상기 감지 게이트 사이에 배치된 상기 채널을 포함하는 측정부; 및
상기 측정부에 연결되는 감지부를 포함하고,
상기 감지부의 감지막과 용액에 포함된 생리 물질의 반응에 따른 상기 감지 게이트의 전압 변화를 기초하여,
상기 채널의 하부에 배치된 상기 하부 절연막과 상기 채널의 상부에 배치된 상부 절연막의 용량비(coupling ratio)에 따라 상기 제어 게이트의 문턱전압에 변화를 일으키는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1항에 있어서,
상기 상부 절연막은 상기 감지 게이트와 상기 채널 사이의 제1 용량을 포함하고, 상기 하부 절연막은 상기 플로팅 게이트와 상기 채널 사이의 제2 용량 및 상기 제어 게이트와 상기 채널 사이의 제3 용량을 포함하고,
상기 제2 용량 및 상기 제3 용량은 직렬 연결되는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1항에 있어서,
상기 상부 절연막의 용량과 상기 하부 절연막의 용량을 기초로 증폭인자를 산출하고, 상기 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출되는,
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제3항에 있어서,
상기 게이트 전극의 면적이 감소할 경우, 상기 제3 용량이 감소하고,
상기 상부 절연막과 상기 하부 절연막 사이의 용량차가 증가하여 상기 증폭인자의 값이 증가하고,
상기 증폭인자 값에 비례하여 감지도가 증가하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1항에 있어서,
상기 생리 물질은 용액 및 가스 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1항에 있어서,
상기 감지부는
상기 감지 게이트에 연결되는 금속 전극;
상기 금속 전극 상에 배치되며 이온을 감지하는 감지막; 및
상기 감지막 상에 배치되며 감지 용액을 담을 수 있는 챔버를 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제6항에 있어서,
상기 감지 게이트와 연결된 상기 감지막의 표면 전위 변화에 기초하여 상기 제어 게이트의 문턱전압이 자가 증폭(self amplification)되는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1항에 있어서,
상기 채널은 비정질 a-IGZO(In-Ga-Zn-O) 물질을 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 삼중으로 구성된 복수의 게이트를 포함하며, 서로 상이한 용량을 갖는 두 영역을 갖는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층과 서로 상이한 용량을 갖는 제2 절연층을 포함하는 트리플 게이트 구조의 ISFET; 및
상기 트리플 게이트 구조의 ISFET의 상기 복수의 게이트 중 최상측에 배치된 게이트와 연결되는 금속 전극, 상기 금속 전극 상에 배치되는 감지막 및 챔버를 포함하는 확장 게이트를 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제9항에 있어서,
상기 복수의 게이트는 제1 게이트, 제2 게이트 및 제3 게이트를 포함하고,
상기 제1 게이트와 상기 제3 게이트 사이에 채널을 더 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제10항에 있어서,
상기 제1 절연층은 상기 채널과 상기 제1 게이트 사이의 제1 영역과 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트 사이의 제2 영역을 포함하며,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 서로 상이한 용량을 갖는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제11항에 있어서,
상기 제2 영역의 용량은 상기 제1 절연층의 상기 제2 영역 상에 배치된 상기 제2 게이트의 면적에 기초하여 변화하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제12항에 있어서,
상기 제2 게이트의 면적이 감소할 경우, 상기 제2 영역의 용량은 감소하고,
상기 제2 게이트의 면적이 증가할 경우, 상기 제2 영역의 용량은 증가하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제9항에 있어서,
상기 제2 절연층의 용량은 상기 제1 절연층의 용량 보다 큰,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제9항에 있어서,
상기 제1 절연층의 용량과 제2 절연층의 용량을 기초로 증폭인자를 산출하고, 상기 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출되는,
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제15항에 있어서,
상기 제1 절연층은 상기 증폭인자를 증가시키기 위해 유전율이 작은 물질을 포함하고, 상기 제2 절연층은 상기 증폭인자를 증가시키기 위해 유전율이 큰 물질을 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서. - 제1 게이트와 상기 제1 게이트 상에 하부 절연막을 형성하는 단계;
상기 하부 절연막 상에 채널을 형성하는 단계;
상기 채널 상에 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계;
상기 채널 상에 상부 절연막을 형성하는 단계;
제2 게이트와 제3 게이트를 동시에 형성하는 단계; 및
상기 제2 게이트의 면적을 기초로 상기 상부 절연막과 상기 하부 절연막 사이의 용량비(coupling ratio)를 조절하여 상기 제2 게이트의 문턱전압을 자가증폭하는 단계를 포함하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 제2 게이트의 면적이 감소할 경우, 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트 사이의 용량이 증가하는,
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 문턱전압의 자가증폭된 증폭비인 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출되는,
(수학식)
(여기서, CUpper은 상부 절연막의 용량, CLower은 하부 절연막의 용량을 나타냄)
트리플 게이트 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법.
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| KR (1) | KR102316202B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114689672A (zh) * | 2021-03-05 | 2022-07-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于检测生物分子的系统及方法 |
| KR20220130985A (ko) | 2021-03-19 | 2022-09-27 | 금오공과대학교 산학협력단 | 샘플 희석이 필요 없는 트랜지스터형 바이오 센서 |
| CN115184436A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-14 | 上海天马微电子有限公司 | 一种检测装置及其检测方法 |
| KR102475066B1 (ko) | 2021-10-14 | 2022-12-07 | 고려대학교 산학협력단 | 가변형 로직 인 메모리 셀 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160013768A (ko) | 2014-07-28 | 2016-02-05 | 한국과학기술연구원 | 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(isfet) 센서 |
| KR101616560B1 (ko) | 2014-11-24 | 2016-04-28 | 한국과학기술연구원 | 나노프로브 융합 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 |
| US20160131613A1 (en) * | 2013-06-07 | 2016-05-12 | Cornell University | Floating gate based sensor apparatus and related floating gate based senor applications |
| KR101767670B1 (ko) | 2016-05-24 | 2017-08-14 | 한국생명공학연구원 | 재사용이 가능하고 민감도와 안정성이 우수한 생화학 센서 및 제조 방법 |
-
2019
- 2019-07-25 KR KR1020190090207A patent/KR102316202B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160131613A1 (en) * | 2013-06-07 | 2016-05-12 | Cornell University | Floating gate based sensor apparatus and related floating gate based senor applications |
| KR20160013768A (ko) | 2014-07-28 | 2016-02-05 | 한국과학기술연구원 | 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(isfet) 센서 |
| KR101616560B1 (ko) | 2014-11-24 | 2016-04-28 | 한국과학기술연구원 | 나노프로브 융합 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 |
| KR101767670B1 (ko) | 2016-05-24 | 2017-08-14 | 한국생명공학연구원 | 재사용이 가능하고 민감도와 안정성이 우수한 생화학 센서 및 제조 방법 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114689672A (zh) * | 2021-03-05 | 2022-07-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于检测生物分子的系统及方法 |
| CN114689672B (zh) * | 2021-03-05 | 2024-05-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于检测生物分子的系统及方法 |
| KR20220130985A (ko) | 2021-03-19 | 2022-09-27 | 금오공과대학교 산학협력단 | 샘플 희석이 필요 없는 트랜지스터형 바이오 센서 |
| KR102475066B1 (ko) | 2021-10-14 | 2022-12-07 | 고려대학교 산학협력단 | 가변형 로직 인 메모리 셀 |
| CN115184436A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-14 | 上海天马微电子有限公司 | 一种检测装置及其检测方法 |
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