JP2016035951A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】深孔加工性が高く容易に深くエッチングすることができ、かつ容量絶縁膜及び下部電極の形成まで含めて加工の容易な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体上にコンタクトプラグ104を形成する工程と、絶縁膜106を形成する工程と、第1犠牲層間膜を形成する工程と、第1犠牲層間膜に、第1方向に延伸するライン状の第1開口部を絶縁膜106が露出するまで形成する工程と、第2犠牲層間膜114で埋設する工程と、第1犠牲層間膜、第2犠牲層間膜114に、第1方向とは異なる第2方向に延伸するライン状の第2開口部を絶縁膜106が露出するまで形成する工程と、第2犠牲層間膜114で埋設する工程と、第1犠牲層間膜を絶縁膜106が露出するまでエッチングで除去する工程と、第2犠牲層間膜114をマスクに、コンタクトプラグ104が露出する深さまで、絶縁膜106をエッチングで除去する工程と、を含む。
【選択図】図14
【解決手段】半導体基体上にコンタクトプラグ104を形成する工程と、絶縁膜106を形成する工程と、第1犠牲層間膜を形成する工程と、第1犠牲層間膜に、第1方向に延伸するライン状の第1開口部を絶縁膜106が露出するまで形成する工程と、第2犠牲層間膜114で埋設する工程と、第1犠牲層間膜、第2犠牲層間膜114に、第1方向とは異なる第2方向に延伸するライン状の第2開口部を絶縁膜106が露出するまで形成する工程と、第2犠牲層間膜114で埋設する工程と、第1犠牲層間膜を絶縁膜106が露出するまでエッチングで除去する工程と、第2犠牲層間膜114をマスクに、コンタクトプラグ104が露出する深さまで、絶縁膜106をエッチングで除去する工程と、を含む。
【選択図】図14
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
一般的にDRAM(Dynamic Random Access Memory)のキャパシタは、厚い層間SiO2膜(シリコン酸化膜)をコンタクトプラグ上に形成し、微細かつ深い孔を形成することでコンタクトプラグの表面を露出させ、そこに下部電極、第1容量絶縁膜、および第1上部電極を形成している。しかしながら近年、キャパシタの微細化が進み、リソグラフィー工程、およびドライエッチング工程において微細でありアスペクト比の高いコンタクトホールのパターンを安定的に形成することが難しくなっている。
関連する技術として、SiO2膜上に孔ではなく、2つの溝を形成することによって、キャパシタを形成する技術が検討されている。ドライエッチングの場合、溝を形成するほうがエッチャントとしてのイオンが高エネルギー状態を維持しながら溝の底部まで浸入し反応するため、深くまで精度よく加工することができる。
特許文献1には、層間SiO2膜にx方向、およびy方向に延伸する溝を形成することでSiO2ピラーを形成する技術が開示されている。特許文献1では、SiO2ピラーに下部電極、容量絶縁膜、および上部電極を形成することでDRAM用のキャパシタを形成している。
また特許文献2には、層間SiO2膜よりも低いイオンエネルギーでエッチングすることのできる層間Si膜(シリコン膜)に変更した技術が開示されている。
しかしながら特許文献1が開示するキャパシタの形成方法は、SiO2は、SiとO2の結合エネルギーが強いため、SiO2膜に深い溝を形成するためには、高いイオンエネルギーが必要である。
また特許文献2が開示するキャパシタの形成方法は、SiO2よりも低いイオンエネルギーでエッチングが可能なSiを層間膜に使用している。この場合、層間Si膜にリン等の不純物をドープして導電膜を形成し、この導電膜を上部電極に接続するプレート電極の一部として使用する方法が一般的である。この方法を実施するためには微細に形成した孔の底部の容量絶縁膜と、下部電極とを確実にエッチング除去することが必要である。しかしながら、これは技術的に困難であり現実的ではない問題がある。
したがって、層間Si膜を使用した時のように深孔加工性が高く容易に深くエッチングすることができ、かつ層間SiO2膜を使用した時のように容量絶縁膜及び下部電極の形成まで含めて加工の容易なキャパシタの形成方法の登場が望まれる。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第1犠牲層間膜を形成する工程と、前記第1犠牲層間膜に、第1方向に延伸するライン状の第1開口部を前記絶縁膜が露出する深さまで形成する工程と、前記第1開口部を第2犠牲層間膜で埋設する工程と、前記第1犠牲層間膜、および前記第2犠牲層間膜に、前記第1方向とは異なる第2方向に延伸するライン状の第2開口部を前記絶縁膜が露出する深さまで形成する工程と、前記第2開口部に前記第2犠牲層間膜を埋設する工程と、前記第1犠牲層間膜を前記絶縁膜が露出する深さまでエッチングで除去する工程と、前記第2犠牲層間膜をマスクに、前記コンタクトプラグが露出する深さまで、前記絶縁膜をエッチングで除去する工程と、を含む。
層間Si膜を使用した時のように深孔加工性が高く容易に深くエッチングすることができ、かつ層間SiO2膜を使用した時のように容量絶縁膜及び下部電極の形成まで含めて加工の容易な半導体装置の製造方法を提供できる。
以下、本発明を実施する形態について、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。なお、一般的な半導体装置の形成フローについては、本発明の本質ではないため説明は省略する。
図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法の、容量コンタクトプラグ形成後の状態を示す上面図である。図1において、“○”は、容量コンタクトプラグを形成した位置を示している。以下、図2〜図17を参照して、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図2は、容量コンタクトプラグ104が形成された状態を示す断面図である。以下、図2を参照しながら、容量コンタクトプラグ104を形成する方法について説明する。なお、図2において、左側の図が図1におけるA−A’線の断面図に対応し、右側の図が図1におけるa−a’線の断面図に対応する。これは、以降の図においても同様である。
本発明において、トランジスタを半導体基板表面に形成されたアクティブ領域上に形成し、トランジスタを層間絶縁膜102で覆った構造を半導体基体と呼ぶことにする。層間絶縁膜102は、例えばSiO2から形成することができる。層間絶縁膜102には、トランジスタのソース部、またはドレイン部と接続する容量コンタクトプラグ104を形成する。容量コンタクトプラグ104は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等によって形成することができる。容量コンタクトプラグ104の材料としては、例えばタングステン(T)を用いることができる。
容量コンタクトプラグ104を形成した後は、ストッパSiN106を形成する。図3は、ストッパSiN106を形成した状態を示す断面図である。以下、図3を参照しながらストッパSiN106を形成する方法について説明する。
ストッパSiN106は、層間絶縁膜102、および容量コンタクトプラグ104上に、CVD法等によって形成することができる。形成するストッパSiN106の厚みは、例えば50nmである。ストッパSiN106は、例えばシリコン窒化膜であり、後の工程でドライエッチング、およびウェットエッチングによって溝を形成する際に、容量コンタクトプラグ104を保護するエッチングストッパとしての機能を有する。
ストッパSiN106を形成した後は、ストッパSiN106上に層間Si膜108を形成し、さらに層間Si膜108上にマスクSiO2膜110を形成する。図4は、層間Si膜108と、マスクSiO2膜110と、を形成した状態を示す断面図である。以下、図4を適宜参照し、層間Si膜108、およびマスクSiO2膜110を形成する技術について説明する。
まずストッパSiN106上に、層間Si膜108を形成する。層間Si膜108は、ストッパSiN106上に、一般的なプラズマCVD装置を用いたCVD法等によって形成することができる。形成する層間Si膜108の厚みは、例えば1600nmである。層間Si膜108の材料としては、例えばシリコン、およびアモルファスシリコン等を用いることができる。
次に層間Si膜108上にマスクSiO2膜110を形成する。マスクSiO2膜110は、層間Si膜108を加工する時に用いるマスク層である。マスクSiO2層110は、層間Si膜108と同様に、一般的なプラズマCVD装置を用いたCVD法等によって形成することができる。
マスクSiO2層110を形成した後は、マスクSiO2膜110に第1開口部112を形成し、続いて、層間Si膜108に第1開口部112を形成する。第1開口部112は、層間Si膜108と、マスクSiO2膜110を除去することによって形成することができる。まずマスクSiO2膜110を除去する技術について説明する。
図5(a)は、層間Si膜108に第1開口部112を形成した後の上面図であり、図1に示した図の任意の位置を切り出している。図5(b)は、左側の図が図1におけるA−A’線の断面図に対応し、右側の図が図1におけるa−a’線の断面図に対応する。これは、以降の図においても同様である。
図5(a)において、第1開口部112は、点線で囲んだ領域に形成されている。第1開口部112は、マスクSiO2膜110上の第1方向にライン状の開口部(溝)を掘ることで形成することができる。第1開口部112は、例えばリソグラフィー技術と、ドライエッチング技術とを用いて形成することができる。図5(a)、および図5(b)を参照すると、マスクSiO2膜110に複数の第1開口部112が形成され、層間Si膜108が露出したことが示されている。
次に第1開口部112が形成されたマスクSiO2膜110をマスクにして層間Si膜108を除去する。図6(a)は、層間Si膜108に第1開口部112を形成した状態を示す上面図であり、図6(b)は、その状態を示す断面図である。
図6(a)においても、点線で囲んだ領域が第1開口部112である。層間Si膜108に形成する第1開口部112は、例えばマスクSiO2膜110をマスクとして、プラズマを利用したドライエッチング技術等によって形成することができる。ドライエッチングは、ストッパSiN106が露出する深さまで行う。したがってドライエッチングは、マスクSiO2膜110の材料であるSiO2と、ストッパSiN106の材料であるSiNに対して高いエッチング選択比が要求される。そこでドライエッチングは、例えばCl2/HBr/SF6/O2ガス系を用いたプラズマエッチングを行う。プラズマエッチングを行う際の圧力条件は、例えば40mTorrである。なお、プラズマエッチングは、一般的なプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチングを行う際にウェハを載せるステージの温度は、例えば60℃であることが好ましい。この工程において、層間膜にはSiを使用している。Siは、層間膜にSiO2を使用している場合と比べて低いイオンエネルギーでエッチングすることができるため、Siを層間膜に用いることによって容易に深孔エッチングを行うことができる。
第1開口部112を形成した後は、第1開口部112を層間SiO2膜114で埋設する。図7は、第1開口部112に層間SiO2膜114を形成した状態を示す断面図である。以下、図7を参照しながら、第1開口部112を層間SiO2膜114で埋設する技術について説明する。
まず第1開口部112を埋設するために、ストッパSiN106上に層間SiO2膜114を形成する。層間SiO2膜114は、マスクSiO2膜110と同様に、シリコン酸化膜である。本発明は、2段階に分けて層間SiO2膜114を形成する。
まず層間SiO2膜114を、ストッパSiN106上に、ALD(Atomic Layer Deposition)法等によって形成する。形成する層間SiO2膜114の厚みは、例えば50nmである。次に、層間SiO2膜114上に、プラズマCVD法等を用いて層間SiO2膜114をさらに形成する。プラズマCVD法等を用いて形成する層間SiO2膜114の厚みは、例えば400nmである。
第1開口部112を層間SiO2膜114で埋設した後は、層間SiO2膜114を平坦化する。図8は、層間SiO2膜を平坦化した状態を示す断面図である。以下、図8を参照しながら、形成した層間SiO2膜114を平坦化する技術について説明する。
層間SiO2膜114は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法、またはプラズマエッチング法等を用いて平坦化することができる。平坦化した後に、残る層間SiO2膜114の厚みは、例えば200nmである。
層間SiO2膜114を平坦化した後は、層間Si膜108、および層間SiO2膜114に第2開口部116を形成する。第2開口部116は、層間Si膜108と、層間SiO2膜114を除去することによって形成することができる。まず層間SiO2膜114を除去する技術について説明する。
図9(a)は、層間SiO2膜114上、および層間Si膜108上に第2開口部116を形成した状態を示す上面図である。図9(b)は、その状態を示す断面図である。以下、図9(a)、および図9(b)を参照しながら、層間SiO2膜114に第2開口部116を形成する技術について説明する。
図9(a)において、第2開口部116は、点線で囲んだ領域に形成されている。点線で囲んだ領域内の層間SiO2膜114は、第1開口部112を埋設した層間SiO2膜114である。図9(a)、および図9(b)を参照すると、層間SiO2膜114上に形成された第2開口部116、および層間Si膜108上に形成された第2開口部116の、上面図と、断面図との対応関係が理解できる。第2開口部116は、層間SiO2膜114上の第1方向とは異なる方向である第2方向にライン状の開口部(溝)を掘ることで形成することができる。第2方向は、第1開口部112を形成した第1方向と直交する方向であることが好ましい。第2開口部116は、例えばリソグラフィー技術と、ドライエッチング技術とを用いて形成することができる。ドライエッチングは、層間Si膜108に対して高い選択性を保って層間SiO2膜114を選択的にエッチング除去する必要がある。そこで、例えば市販のプラズマエッチング装置を用いて、CF4/CHF3/Ar/O2混合ガスを制御して圧力を40mTorrに保ち、プラズマエッチングを行う。
図10(a)は、層間Si膜108に第2開口部116を形成した状態を示す上面図である。図10(b)は、層間Si膜108に第2開口部116を形成した状態を示す断面図である。以下、図10(a)、および図10(b)を参照しながら、層間Si膜108に第2開口部116を形成する技術について説明する。
図10(a)においても、点線で囲んだ領域が第2開口部116である。図10(a)、および図10(b)には、層間Si膜108に形成された第2開口部116の、上面図と、断面図との対応関係が示されている。層間Si膜108に形成する第2開口部116は、例えば層間SiO2膜114をマスクとして、ドライエッチング技術等を用いて形成することができる。第2開口部116は、ストッパSiN106が露出する深さまで形成する。ドライエッチングの条件は、第1開口部112を形成した時と同様である。
第2開口部116を形成した後は、第2開口部116を層間SiO2膜114で埋設する。図11は、第2開口部116に層間SiO2膜114を形成した状態を示す断面図である。以下、図11を適宜参照し、第2開口部116cを層間SiO2膜114で埋設する技術について説明する。
まず第2開口部116を埋設するために、まずストッパSiN106上に、ALD法等によって層間SiO2膜114を形成する。形成する層間SiO2膜114厚みは、例えば50nmである。次に、形成した層間SiO2膜114上に、プラズマCVD等を用いて層間SiO2膜114をさらに形成する。層間SiO2膜114上に形成する層間SiO2膜114の厚みは、例えば200nmである。
第2開口部116を層間SiO2膜114で埋設した後は、層間SiO2膜114を平坦化する。図12は、層間SiO2膜114を平坦化した状態を示す断面図である。以下、図12を適宜参照しながら形成した層間SiO2膜114を平坦化する技術について説明する。
層間SiO2膜114は、CMP法、またはプラズマエッチング等を用いて平坦化することができる。層間SiO2膜114は、層間Si膜108の表面が露出するように平坦化する。
層間SiO2膜114を平坦化した後は、露出した層間Si膜108を除去する。図13(a)は、層間Si膜108を除去した状態を示す上面図である。図13(b)は、層間Si膜108を除去した状態を示す断面図である。以下、図13(a)、および図13(b)を参照しながら、層間Si膜108に除去する技術について説明する。
層間Si膜108は、例えば0.5%のアンモニア水溶液(NH3+H2O)を用いたウェットエッチングで除去することができる。ウェットエッチングのエッチングレートは、例えば20nm/minである。またウェットエッチングの処理時間は、オーバーエッチングも含めて、例えば120分である。ウェットエッチングは、ストッパSiN106が完全に露出するまで行う。アンモニア水溶液は、層間SiO2膜114と、ストッパSiN106とは、ほとんど反応しないため、層間Si膜108のみを除去することができる。なお、アンモニア水溶液に限定されず、層間SiO2膜114と、ストッパSiN106とが除去されなければ、他の水溶液を用いて層間Si膜108を除去してもよい。
ストッパSiN106が露出した後は、ストッパSiN106を除去する。図14は、ストッパSiN106を除去した状態を示す断面図である。以下、図14を参照しながら、ストッパSiN106を除去する技術について説明する。
ストッパSiN106は、層間SiO2膜114をマスクにし、ドライエッチング法等の方法で選択的に除去することができる。ドライエッチングは、容量コンタクトプラグ104が露出する深さまで行う。
容量コンタクトプラグ104が露出した後は、下部電極118を形成する。図15は、下部電極を形成した状態を示す断面図である。以下、図15を適宜参照しながら下部電極118を形成する技術について説明する。
下部電極118は、容量コンタクトプラグ104、および層間SiO2膜114上に、ALD法等を用いることで形成することができる。形成する下部電極118の厚みは、8nmである。下部電極118の材料としては、例えば窒化チタン(TiN)を用いることができる。
下部電極118を形成した後は、形成した下部電極118の一部を除去する。図16は、下部電極118の一部を除去した状態を示す断面図である。以下図16を適宜参照しながら下部電極118の一部を除去する技術について説明する。
下部電極118は、層間SiO2膜114の最上部のみを除去する。下部電極118は、Cl2/O2ガス系を用いたプラズマエッチングによる異方性エッチングで除去することができる。この時、容量コンタクトプラグ104上に形成された下部電極118がエッチングされないように、イオンの引き込みエネルギーを調整することで層間SiO2膜114の最上部に形成された下部電極118のみを除去することができる。または容量コンタクトプラグ104上に形成された下部電極118がエッチングされないように、ホール内にレジストを埋設してから異方性エッチングを行うことで層間SiO2膜114の最上部に形成された下部電極118のみを除去してもよい。この場合、ホール内埋設したレジストは、異方性エッチング後に除去する。
下部電極118の一部を除去した後は、下部電極118上に容量絶縁膜120を形成し、容量絶縁膜120上に上部電極122を形成する。図17は、容量絶縁膜120を形成し、上部電極122を形成した状態を示す断面図である。以下、図17を適宜参照しながら容量絶縁膜120、および上部電極122を形成する技術について説明する。
まず容量絶縁膜120を形成する技術について説明する。容量絶縁膜120は、下部電極118上にALD法等を用いて形成することができる。形成する容量絶縁膜120の厚みは、例えば6nmである。容量絶縁膜120の材料としては、例えばZrO2(酸化ジルコニウム)を用いることができる。
次に上部電極122を形成する技術について説明する。上部電極122は、容量絶縁膜120上にALD法等を用いて形成することができる。形成する上部電極122の厚みは、例えば6nmである。上部電極122の材料としては、例えばTiN(窒化チタン)を用いることができる。
上部電極122を形成した段階で、本発明に係るDRAMのキャパシタが完成する。この後のDRAMを完成するまでのフローは、一般的な形成方法を用いることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
102・・・層間絶縁膜
104・・・容量コンタクトプラグ
106・・・ストッパSiN
108・・・層間Si膜
110・・・マスクSiO2膜
112・・・第1開口部
114・・・層間SiO2膜
116・・・第2開口部
118・・・下部電極
120・・・容量絶縁膜
122・・・上部電極
104・・・容量コンタクトプラグ
106・・・ストッパSiN
108・・・層間Si膜
110・・・マスクSiO2膜
112・・・第1開口部
114・・・層間SiO2膜
116・・・第2開口部
118・・・下部電極
120・・・容量絶縁膜
122・・・上部電極
Claims (11)
- 半導体基体上にコンタクトプラグを形成する工程と、
前記コンタクトプラグ上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第1犠牲層間膜を形成する工程と、
前記第1犠牲層間膜に、第1方向に延伸するライン状の第1開口部を前記絶縁膜が露出する深さまで形成する工程と、
前記第1開口部を第2犠牲層間膜で埋設する工程と、
前記第1犠牲層間膜、および前記第2犠牲層間膜に、前記第1方向とは異なる第2方向に延伸するライン状の第2開口部を前記絶縁膜が露出する深さまで形成する工程と、
前記第2開口部に前記第2犠牲層間膜を埋設する工程と、
前記第1犠牲層間膜を前記絶縁膜が露出する深さまでエッチングで除去する工程と、
前記第2犠牲層間膜をマスクに、前記コンタクトプラグが露出する深さまで、前記絶縁膜をエッチングで除去する工程と、
を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1犠牲層間膜は、前記第2犠牲層間膜よりも低いイオンエネルギーでエッチングすることができる、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1開口部を形成する工程の前に、前記第1犠牲層間膜上にマスク層を形成する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク層は、前記第2犠牲層間膜と同一の材質で構成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1犠牲層間膜は、前記マスク層をマスクとしてエッチングで除去する、
ことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1開口部を前記第2犠牲層間膜で埋設する工程には、前記第1開口部を埋設した前記第2犠牲層間膜を平坦化する工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2開口部に前記第2犠牲層間膜を埋設する工程には、前記第2開口部を埋設した前記第2犠牲層間膜を平坦化する工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2犠牲層間膜は、CMP法、およびプラズマエッチング法のいずれかで平坦化する、
ことを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2開口部は、前記第1開口部と直交している、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1犠牲層間膜はシリコン膜であり、前記第2犠牲層間膜はシリコン酸化膜である、
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1犠牲層間膜を前記絶縁膜が露出するまでエッチングする工程では、アンモニア水溶液を用いたウェットエッチングで前記第1犠牲間膜を除去する、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017153578A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | ニチユ三菱フォークリフト株式会社 | 荷役車両、荷役車両システム、荷役車両の制御方法、荷役車両システムの制御方法及びプログラム |
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