JP2016027663A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. 半導体基板内に設けられた第1の導電型の第1の半導体領域で蓄積された電荷を、前記半導体基板内に設けられた第1の導電型の第2の半導体領域に転送する第1の転送用トランジスタと、
    前記第2の半導体領域で保持された電荷を、前記半導体基板内に設けられた第1導電型の第3の半導体領域に転送する第2の転送用トランジスタと、
    前記第3の半導体領域の電位に基づく信号を出力する増幅用トランジスタと、
    前記第1の転送用トランジスタと前記第2の転送用トランジスタの上に配された第1の絶縁膜と、
    平面視において、前記第1の半導体領域側にある前記第1の転送用トランジスタのゲート電極の端部と、前記第2の半導体領域側にある前記第1の転送用トランジスタのゲート電極の端部と、に重複するように設けられた遮光膜と、を有し、
    前記遮光膜は、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記ゲート電極の上面よりも上に位置する第1の底面と、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記第1の半導体領域の上に配され、前記第1の底面よりも前記半導体基板の表面の近くに位置する第2の底面と、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記第2の半導体領域の上に配され、前記第1の底面よりも前記半導体基板の表面の近くに位置する第3の底面と、
    を有することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記第1の絶縁膜とは異なる材料からなる第2の絶縁膜を有し、
    前記第2の絶縁膜は、前記遮光膜の前記第2の底面と前記半導体基板の表面との間、および、前記遮光膜の前記第3の底面と前記半導体基板の表面の間に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記第2の絶縁膜は、前記遮光膜の前記第2の底面または前記第3の底面と接触していることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第2の絶縁膜は、前記遮光膜の前記第2の底面および前記第3の底面と接触していることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置
  5. 前記第2の絶縁膜は、前記遮光膜の前記第1の底面と前記半導体基板の表面との間と、前記遮光膜の前記第2の底面と前記半導体基板の表面との間と、前記遮光膜の前記第3の底面と前記半導体基板の表面との間とに、連続的に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第1の絶縁膜の上面と前記遮光膜の上面が略同一面であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第1の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第2の絶縁膜は窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜よりも高い屈折率を有することを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記遮光膜はタングステンを有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 半導体基板内に設けられた第1の導電型の第1の半導体領域で蓄積された電荷を、前記半導体基板内に設けられた第1の導電型の第2の半導体領域に転送する第1の転送用トランジスタと、
    前記第2の半導体領域で保持された電荷を、前記半導体基板内に設けられた第1導電型の第3の半導体領域に転送する第2の転送用トランジスタと、
    前記第3の半導体領域の電位に基づく信号を出力する増幅用トランジスタと、
    前記第1の転送用トランジスタと前記第2の転送用トランジスタの上に配された第1の絶縁膜と、
    平面視において、前記第1の半導体領域側にある前記第1の転送用トランジスタのゲート電極の端部と、前記第2の半導体領域側にある前記第1の転送用トランジスタのゲート電極の端部と、に重複するように設けられた金属膜と、を有し、
    前記金属膜は、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記ゲート電極の上面よりも上に位置する第1の底面と、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記第1の半導体領域の上に配され、前記第1の底面よりも前記半導体基板の表面の近くに位置する第2の底面と、
    前記第1の絶縁膜の上面よりも低く、前記第2の半導体領域の上に配され、前記第1の底面よりも前記半導体基板の表面の近くに位置する第3の底面と、を有することを特徴とする固体撮像装置。
  11. 前記金属膜はタングステンを有することを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
  12. 前記第1絶縁膜とは材料の異なる第2の絶縁膜を有し、
    前記第2の絶縁膜は、前記金属膜の前記第2の底面と前記半導体基板の表面との間、および、前記金属膜の前記第3の底面と前記半導体基板の表面との間に配されていることを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置。
  13. 前記第1絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜は窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項12に記載の固体撮像装置。
  14. 請求項1から13のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置からの信号を処理する処理部と、を有する撮像システム
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