JP2016027616A - 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2016027616A
JP2016027616A JP2015082541A JP2015082541A JP2016027616A JP 2016027616 A JP2016027616 A JP 2016027616A JP 2015082541 A JP2015082541 A JP 2015082541A JP 2015082541 A JP2015082541 A JP 2015082541A JP 2016027616 A JP2016027616 A JP 2016027616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
voltage
liquid supply
supply pipe
potential difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015082541A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6342838B2 (ja
Inventor
林 聖人
Masahito Hayashi
聖人 林
豊久 ▲鶴▼田
豊久 ▲鶴▼田
Toyohisa Tsuruta
正幸 梶原
Masayuki Kajiwara
正幸 梶原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2015082541A priority Critical patent/JP6342838B2/ja
Priority to US14/724,922 priority patent/US10023477B2/en
Priority to TW104119267A priority patent/TWI625593B/zh
Priority to KR1020150088360A priority patent/KR102376780B1/ko
Publication of JP2016027616A publication Critical patent/JP2016027616A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6342838B2 publication Critical patent/JP6342838B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/46Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
    • C02F1/461Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
    • C02F1/463Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis by electrocoagulation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3007Imagewise removal using liquid means combined with electrical means, e.g. force fields
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/46Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
    • C02F1/461Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
    • C02F1/46104Devices therefor; Their operating or servicing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/46Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
    • C02F1/461Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2103/00Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
    • C02F2103/02Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/46Apparatus for electrochemical processes
    • C02F2201/461Electrolysis apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/46Apparatus for electrochemical processes
    • C02F2201/461Electrolysis apparatus
    • C02F2201/46105Details relating to the electrolytic devices
    • C02F2201/4612Controlling or monitoring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/46Apparatus for electrochemical processes
    • C02F2201/461Electrolysis apparatus
    • C02F2201/46105Details relating to the electrolytic devices
    • C02F2201/4616Power supply
    • C02F2201/4617DC only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Abstract

【課題】パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することが可能な処理液供給方法、処理液供給装置、及び記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理液供給方法は、基板に対して処理液を供給するためのものであって、処理液に直流電圧を印加する工程と、直流電圧が処理液に印加された状態において、処理液中の二点間の電位差を検出する工程と、検出された電位差が第一の基準値未満である場合に、直流電圧を増加させる工程と、を含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
従来、例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程において、現像液、純水、シンナー等の処理液をウエハに供給して、ウエハに処理液を塗布する処理が行われている。処理液中に浮遊する微細な異物(パーティクル)がウエハになるべく供給されないように、処理液を供給するための配管において、事前にパーティクルを捕集する方法が知られている。
特許文献1は、パーティクル捕集部を備える装置を使用した処理液供給方法を開示する。この方法は、処理液供給管に配置された電極でパーティクルを捕集する。電極は、処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する。処理液に電圧が印加されると、現像液供給管における電極に対応する位置に、電極の極性と異なる極性に帯電したパーティクルが引き寄せられる。このようにして、パーティクルが捕集される。
特開2013−30707号公報
しかしながら、このような処理液供給装置を継続して使用すると、時間の経過に伴ってパーティクルの捕集効率が低下する場合があり、この点においてパーティクルの捕集効率に改善の余地があった。
本発明は、パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することが可能な処理液供給方法、当該処理液供給方法を実施する処理液供給装置、及び当該処理液供給装置に当該処理液供給方法を実行させるためのコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。
本発明に係る処理液供給方法は、基板に対して処理液を供給するためのものであり、処理液に直流電圧を印加する工程と、直流電圧が処理液に印加された状態において、処理液中の二点間の電位差を検出する工程と、検出された電位差が第一の基準値未満である場合に、直流電圧を増加させる工程とを含む。
この処理液供給方法によれば、処理液中の二点間の電位差が第一の基準値未満である場合に、処理液に印加される直流電圧が増加する。したがって、処理液に印加される直流電圧の経時的な低下を補うように、処理液に印加される直流電圧が増加する。これにより、処理液中のパーティクルを引き寄せる力が十分な長期間にわたって一定に維持される。したがって、パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することができる。
処理液供給方法は、処理液に直流電圧を印加する工程の前に、処理液にフィルタを通過させる工程をさらに含んでもよい。この場合、予め処理液にフィルタを通過させることにより、粒径の大きなパーティクルがフィルタによって捕集される。したがって、処理液に直流電圧を印加することにより捕集されるパーティクルの数が減少する。これにより、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
直流電圧が処理液に印加された状態において、処理液中の二点間に流れる電流を検出する工程をさらに含み、検出された電位差が第一の基準値未満である状態、及び検出された電流が第二の基準値超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、直流電圧を増加させてもよい。処理液中の二点間に流れる電流は、処理液中のパーティクルの数に相関する。このため、電流が第二の基準値を超えた場合にも直流電圧を増加させることで、処理液中のパーティクルをより確実に捕集できる。
処理液供給管を通過中の処理液に直流電圧を印加してもよい。この場合、処理液の吐出口に近い箇所において直流電圧を印加することで、当該箇所までの流動中に混入したパーティクルをも捕集できるので、供給後の処理液中に残るパーティクル数をより確実に削減できる。
直流電圧を印加する箇所よりも下流側において、処理液中の二点間に流れる電流を検出してもよい。この場合、供給直前の処理液中におけるパーティクルの残存状態を検知し、これに応じて直流電圧を調整できる。このため、供給後の処理液中に残るパーティクル数をより確実に削減できる。
本発明に係る処理液供給装置は、基板に対して処理液を供給するためのものであり、基板に対して処理液を供給する処理液供給管と、処理液供給管に設けられ、処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極対と、電極対に対して直流電圧を印加する直流電源と、直流電圧が処理液に印加された状態において、前記電極対の対向方向に離間した処理液供給管中の二点間の電位差を検出する電位差検出器と、電位差検出器により検出された電位差が第一の基準値未満である場合に、直流電圧を増加させるように直流電源を制御する制御部とを備える。
この処理液供給装置によれば、処理液供給管中の二点間の電位差が第一の基準値未満である場合に、処理液に印加される直流電圧が増加する。したがって、処理液に印加される直流電圧の経時的な低下を補うように、処理液に印加される直流電圧が増加する。これにより、処理液中のパーティクルを引き寄せる力が一定に維持される。したがって、パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することができる。
処理液供給装置は、処理液供給管における電極対が設けられた部分の少なくとも上流側に整流部材をさらに備えていてもよい。この場合、整流部材により、処理液が処理液供給管の延びる方向に交差する方向に分散される。したがって、処理液から捕集されるパーティクルが処理液供給管の全体にわたって分散される。このため、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
処理液供給管における電極対の間に整流部材をさらに備えていてもよい。電極対の間に整流部材を設けることにより、電極対の間を流れる処理液の流量が整流部材によって均一化される。このため、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
処理液供給管の上流側における電極対の間隔が、処理液供給管の下流側における電極対の間隔と比較して広くてもよい。電極対の間隔が広い場合には、電極対の間隔が狭い場合と比較して、大きな電荷を有するパーティクルは捕集される一方で、小さな電荷を有するパーティクルは捕集されずに下流側へ通過する傾向がある。このため、処理液供給管の上流側における電極対の間隔を、処理液供給管の下流側における電極対の間隔と比較して広くすることにより、大きな電荷を有するパーティクルを処理液供給管の上流側で捕集し、小さな電荷を有するパーティクルを処理液供給管の下流側で捕集することができる。したがって、処理液供給管の上流側と下流側とで捕集されるパーティクルの数を均等化することができるため、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
電極対を構成する各々の電極が、処理液供給管の延びる方向に沿って分割された複数のセグメントを有し、制御部が、複数のセグメントのうち処理液供給管の中央側に位置するセグメントほど高い直流電圧を印加するように直流電圧を制御してもよい。一般に、管の中央部を通過する液体の流速は、管壁に近い側を通過する液体の流速と比較して速い。また、一定の捕集効率でパーティクルを捕集するためには、処理液の流速が速いほど、処理液に高い直流電圧を印加することが必要である。したがって、処理液供給管の中央側に位置するセグメントほど高い直流電圧を印加することにより、パーティクルの捕集効率を処理液供給管の中央側と管壁側とで均一化することができ、捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
電極対が、金属、ドーパントがドープされたSi及びGe、SiC並びにガラス化カーボンからなる群より選択される少なくとも一種からなっていてもよい。特に、ドーパントがドープされたSi又はGe、SiC、ガラス化カーボンのいずれかにより電極対を構成した場合には、処理液の金属汚染を抑制することができる。また、SiC又はガラス化カーボンにより電極対を構成した場合には、電極対の形状を複雑な形状に加工しやすくなる。
直流電圧が処理液に印加された状態において、処理液中の二点間に流れる電流を検出する電流検出器をさらに備え、制御部は、電位差検出器により検出された電位差が第一の基準値未満である状態、及び電流検出器により検出された電流が第二の基準値超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、直流電圧を増加させるように直流電源を制御してもよい。処理液中の二点間に流れる電流は、処理液中のパーティクルの数に相関する。このため、電流が第二の基準値を超えた場合にも直流電圧を増加させることで、処理液中のパーティクルをより確実に捕集できる。
電流検出器は、電極対よりも下流側において処理液中の二点間に流れる電流を検出してもよい。この場合、供給直前の処理液中におけるパーティクルの残存状態を検知し、これに応じて直流電圧を調整できる。このため、供給後の処理液中に残るパーティクル数をより確実に削減できる。
本発明に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の処理液供給方法を処理液供給装置に実行させるためのプログラムを記録している。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体(non−transitory computer recording medium)(例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置)や、伝播信号(transitory computer recording medium)(例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号)が含まれる。
本発明によれば、パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することが可能な処理液供給方法、当該処理液供給方法を実施する処理液供給装置、及び当該処理液供給装置に当該処理液供給方法を実行させるためのコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することができる。
塗布・現像システムを示す斜視図である。 図1のII−II線断面図である。 図1のIII−III線断面図である。 基板処理装置を示す断面図である。 第一実施形態に係る処理液供給装置の構成の概略を示す図である。 パーティクル捕集部の構造を模式的に示す図である。 図6のVII−VII線断面図である。 図7の一部を拡大して示す図である。 プローブの構造を示す模式図である。 パーティクルの動きを模式的に示す図である。 第一実施形態に係る処理液供給方法を示すフローチャートである。 電極の配置の例を示す模式図である。 電極配置の一例を示す平面図である。 図13のXIV−XIV線断面図及びその変形例を示す図である。 処理液供給管における処理液の流速分布を模式的に示す図である。 処理液供給管における電極の配置の一例を示す図である。 処理液供給管における電極の配置の一例を示す図である。 処理液供給装置の変形例を示す模式図である。 第二実施形態に係る処理液供給装置を示す模式図である。 第二実施形態に係る処理液供給方法を示すフローチャートである。 パーティクル数と電流との関係を示すグラフである。 処理液供給装置の変形例を示す模式図である。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
<基板処理システム>
基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウエハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハWは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていてもよい。ウエハWとして、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。
図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インターフェースブロック6とを備える。キャリアブロック4、処理ブロック5及びインターフェースブロック6は、水平方向に並んでいる。
キャリアブロック4は、キャリアステーション12と搬入・搬出部13とを有する。搬入・搬出部13は、キャリアステーション12と処理ブロック5との間に介在する。キャリアステーション12は、複数のキャリア11を支持する。キャリア11は、例えば円形の複数枚のウエハWを密封状態で収容し、ウエハWを出し入れするための開閉扉(不図示)を一側面11a側に有する(図3参照)。キャリア11は、側面11aが搬入・搬出部13側に面するように、キャリアステーション12上に着脱自在に設置される。搬入・搬出部13は、キャリアステーション12上の複数のキャリア11にそれぞれ対応する複数の開閉扉13aを有する。側面11aの開閉扉と開閉扉13aとを同時に開放することで、キャリア11内と搬入・搬出部13内とが連通する。搬入・搬出部13は受け渡しアームA1を内蔵している。受け渡しアームA1は、キャリア11からウエハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウエハWを受け取ってキャリア11内に戻す。
処理ブロック5は、下層膜形成(BCT)モジュール14と、レジスト膜形成(COT)モジュール15と、上層膜形成(TCT)モジュール16と、現像処理(DEV)モジュール17とを有する。これらのモジュールは、床面側からDEVモジュール17、BCTモジュール14、COTモジュール15、TCTモジュール16の順に並んでいる。
BCTモジュール14は、ウエハWの表面上に下層膜を形成するように構成されている。BCTモジュール14は、複数の塗布ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA2とを内蔵している。塗布ユニットは、下層膜形成用の処理液をウエハWの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。BCTモジュール14において行われる熱処理の具体例としては、下層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
COTモジュール15は、下層膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されている。COTモジュール15は、複数の塗布ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA3とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の処理液(レジスト剤)を下層膜の上に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。COTモジュール15において行われる熱処理の具体例としては、レジスト膜を硬化させるための加熱処理(PAB:Pre Applied Bake)が挙げられる。
TCTモジュール16は、レジスト膜上に上層膜を形成するように構成されている。TCTモジュール16は、複数の塗布ユニット(不図示)と、複数の熱処理ユニット(不図示)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA4とを内蔵している。塗布ユニットは、上層膜形成用の処理液をウエハWの表面に塗布するように構成されている。熱処理ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。TCTモジュール16において行われる熱処理の具体例としては、上層膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。
DEVモジュール17は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。DEVモジュール17は、複数の現像ユニット(現像装置)U1と、複数の熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA5と、これらのユニットを経ずにウエハWを搬送する直接搬送アームA6とを内蔵している(図2,3参照)。現像ユニットU1は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。熱処理ユニットU2は、例えば熱板によりウエハWを加熱し、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却して熱処理を行う。DEVモジュール17において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。
処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、床面からTCTモジュール16に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降アームA7が設けられている。昇降アームA7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウエハWを昇降させる。
処理ブロック5内におけるインターフェースブロック6側には棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は床面からDEVモジュール17の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インターフェースブロック6は、受け渡しアームA8を内蔵しており、露光装置3に接続される。受け渡しアームA8は、棚ユニットU11のウエハWを取り出して露光装置3に渡し、露光装置3からウエハWを受け取って棚ユニットU11に戻すように構成されている。
<現像ユニット>
続いて、図4を参照して、現像ユニット(現像装置)U1について更に詳しく説明する。現像ユニットU1は、回転保持部20と、駆動部30と、現像液供給装置40と、制御部100とを備える。
回転保持部20は、回転部21と、保持部23とを有する。回転部21は、上方に突出したシャフト22を有する。回転部21は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト22を回転させる。保持部23は、シャフト22の先端部に設けられている。保持部23上には、表面Wa上に露光後のレジスト膜Rが形成されたウエハWが水平に配置される。保持部23は、例えば吸着等によりウエハWを略水平に保持する。すなわち、回転保持部20は、ウエハWの姿勢が略水平の状態で、ウエハWの表面に対して垂直な軸(回転軸)周りでウエハWを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハWの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図4に示されるように、回転保持部20は、上方から見て時計回りにウエハWを回転させる。
駆動部30は、ノズルN1を駆動する。駆動部30は、ガイドレール31と、スライドブロック32と、アーム34とを有する。ガイドレール31は、回転保持部20(ウエハW)の上方において水平方向に沿って延びている。スライドブロック32は、ガイドレール31に沿って水平方向に移動可能となるように、ガイドレール31に接続されている。アーム34は、上下方向に移動可能となるように、スライドブロック32に接続されている。アーム34の下端にはノズルN1が接続されている。駆動部30は、例えば電動モータ等を動力源として、スライドブロック32及びアーム34を移動させ、これに伴ってノズルN1を移動させる。平面視において、ノズルN1は、現像液の吐出時において、ウエハWの回転軸に直交する直線上をウエハWの径方向に沿って移動する。
現像液供給装置40は、現像液をノズルN1に供給する。現像液はポジ型フォトレジスト用と、ネガ型フォトレジスト用とに区別され、レジスト膜Rの種類に応じて適宜選択すればよい。ポジ型フォトレジスト用現像液としてアルカリ水溶液が挙げられ、そのアルカリ成分としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト(TMAH)が挙げられる。ネガ型フォトレジスト用現像液として有機溶剤が挙げられる。現像液供給装置40の構成の詳細は、後述する。
ノズルN1は、保持部23に保持されたウエハWの上方に配置される。ノズルN1は、例えば接液ノズルと称されるものであり、現像液を吐出する吐出口と、吐出口から横方向に広がる下端面とを有する。下端面は、ウエハWの主面に対して略平行である。なお、ノズルN1として、接液ノズルに代えて、例えばウエハWの主面に対して交差する方向に延びるストレートノズルを使用してもよい。
なお、現像ユニットU1は、ウエハWに純水を供給するための不図示の純水供給装置や、ウエハWにガスを供給するための不図示のガス供給装置をさらに備えていてもよい。
<第一実施形態>
(処理液供給装置)
次に、処理液供給装置の第一実施形態として、現像液供給装置40の構成について説明する。図5は、現像液供給装置40の構成の概略を示す説明図である。処理液供給装置としての現像液供給装置40は、現像ユニットU1内のノズルN1に対して処理液としての現像液を供給する。なお、現像液供給装置40は、例えば図2に示した処理ブロック5の内部に配置されている。
現像液供給装置40は、現像液を貯留する、処理液供給源としての現像液貯槽41を有している。現像液貯槽41には、ノズルN1に現像液を供給するための、処理液供給管としての現像液供給管42が接続されている。すなわち、現像液供給管42は、現像液貯槽41とノズルN1を接続する。
現像液貯槽41の下流側の現像液供給管42には、現像液を一旦貯留させておくリキッドエンドタンク43が設けられている。リキッドエンドタンク43の上部には、排気管44が接続されている。排気管44は、リキッドエンドタンク43内の雰囲気を排気する。リキッドエンドタンク43は、バッファタンクとしての役割を果たす。すなわち、現像液貯槽41から供給される現像液が無くなった場合でも、現像液供給装置40は、リキッドエンドタンク43内に貯留されている現像液をノズルN1に供給することができる。
リキッドエンドタンク43の下流側の現像液供給管42には、フィルタ45が設けられている。フィルタ45は、現像液中の異物を除去する。フィルタ45は、現像液に含まれるマイクロメートルオーダーの異物を除去することができる。したがって、フィルタ45により除去される異物の大きさは、電極対61に直流電圧を印加することにより除去される異物の大きさと比べて大きい。すなわち、フィルタ45は、粗フィルタとして機能する。なお、フィルタ45が不要な場合には、フィルタ45を省略してもよい。
フィルタ45の下流側の現像液供給管42には、ポンプ46が設けられている。ポンプ46は、現像液貯槽41からノズルN1に現像液を圧送する。ポンプ46は、例えばチューブフラム式のポンプである。ポンプ46の下流側の現像液供給管42には、バルブ47が設けられている。バルブ47が設けられている。バルブ47は、例えばエアオペレーションバルブである。バルブ47は、ノズルN1からの現像液の吐出を開始または停止させる。
バルブ47の下流側の現像液供給管42には、電極対61が設けられている。電極対61は、例えば現像液供給管42の内部に設けられている。電極対61は、現像液供給管42中の現像液に直流電圧を印加する。電極対61には、直流電源としての電源ユニット62が接続されている。電源ユニット62は、制御部100による制御に応じて、電極対61への電圧の印加の開始、停止及び印加する電圧の極性の反転を行うことができる。
現像液供給管42において、電極対61に対応する位置には、プローブ63が設けられている。プローブ63は、電圧センサ64に接続されている。プローブ63及び電圧センサ64は、電極対61の対向方向に離間した現像液供給管42中の二点間の電位差を検出する電位差検出器VS1として機能する。
電極対61の下流側には、バルブ48が設けられている。バルブ48は、バルブ47と同様に、エアオペレーションバルブである。バルブ48の下流側には、ノズルN1が接続されている。
図6及び図7に、電極対61の構成の一例を示す。図6は、電極対61及び現像液供給管42の構成を模式的に示す断面図である。図7は、図6のVII−VII線断面図である。
電極対61は、正極61Aと、負極61Bとを有する。正極61A及び負極61Bは、例えば平板状である。正極61A及び負極61Bの数は、それぞれ1枚でもよいし、複数枚でもよい。図7に示されるように、本実施形態では、正極61Aの枚数は1枚であり、負極61Bの枚数は2枚である。正極61Aと負極61Bとは、互いに平行に配置されている。正極61Aは、電源ユニット62の正極62Aに接続されている(図10参照)。負極61Bは、電源ユニット62の負極62Bに接続されている。電源ユニット62によって正極61Aと負極61Bとの間に直流電圧が印加されることにより、正極61Aと負極61Bとの間を通過する現像液に直流電圧が印加される。
電極対61を構成する材料としては、例えば金属、P(リン)又はB(ホウ素)等のドーパントが高濃度にドープされたSi(シリコン)又はGe(ゲルマニウム)、SiC(炭化ケイ素)、ガラス化カーボン等が挙げられる。特に、処理液の金属汚染を抑制する必要がある場合には、電極対61を構成する材料として、高濃度ドープされたSi、高濃度ドープされたGe、SiC、ガラス化カーボン等を用いることが好ましい。また、特に、SiC及びガラス化カーボンは、形状の自由度が高いため、電極対61をSiC又はガラス化カーボンで構成した場合、電極対61の形状を複雑な形状に加工しやすくなる。
1枚の正極61Aと1枚の負極61Bとの間に、一対のプローブ63が配置されている。現像液供給管42の延在方向(すなわち図6,図7の左右方向)におけるプローブ63の位置は、特に限定されないが、好ましくは、現像液供給管42の上流側である。
また、現像液供給管42において、電極対61が設けられた部分の上流側及び下流側には、整流部材としての流量分散板56が設けられている。流量分散板56は、板状を呈する部材であり、複数の孔57を有している。孔57は、現像液供給管42の延びる方向に交差する方向に分布している。流量分散板56は、現像液供給管42により形成される流路の断面における現像液の流速分布を均一化する、整流機能を有する。なお、電極対61が設けられた部分の少なくとも上流側に流量分散板56が設けられていてもよい。
図8に、プローブ63の近傍を拡大して示す。また、図9に、プローブ63の斜視図を示す。図9の(A)は、一の方向から見たプローブ63の斜視図であり、図9の(B)は、図9の(A)とは逆の方向から見たプローブ63の斜視図である。
図9に示されるように、プローブ63は、例えば、略長方形の板状の形状を呈する。プローブ63は、本体63Aと、本体63Aの表面の一部を覆う被膜63Bとを有している。本体63Aは、導電性を有する。本体63Aを構成する材料は、例えば、電極対61を構成する材料と同様の材料である。被膜63Bは、電気絶縁性を有する。被膜63Bを構成する材料は、例えば樹脂である。なお、プローブ63の本体63Aの表面の少なくとも一部は、被膜63Bに覆われておらず、露出している。
図8に示されるように、プローブ63は、被膜63Bを有する側の面を正極61A及び負極61Bに接着させることにより、正極61A及び負極61Bに取り付けられている。したがって、プローブ63の本体63Aは、被膜63Bにより、正極61A及び負極61Bと電気的に絶縁されている。
図5に戻り、現像液供給装置40の説明を続ける。現像液供給管42における電極対61の上流側であって、バルブ47の下流側、即ち現像液供給管42におけるバルブ47と電極対61との間の位置には、現像液供給管42に洗浄液を供給する洗浄液供給管49が接続されている。洗浄液供給管49の現像液供給管42と接続された側と反対側の端部には、洗浄液供給源51が接続されている。洗浄液供給源51は、洗浄液供給管49に洗浄液を供給する。なお、本実施の形態における洗浄液は例えば純水であるが、洗浄液は、例えば現像液やシンナーなどであってもよい。処理液の種類に応じて、洗浄液は適宜選択され得る。また、洗浄液供給管49には、現像液供給管42への洗浄液の供給を制御するバルブ52が設けられている。バルブ52は、上述のバルブ47と同様に、例えばエアオペレーションバルブである。
現像液供給管42における電極対61の下流側、即ち電極対61とノズルN1との間の位置には、廃液管53が接続されている。廃液管53にはバルブ54が設けられている。バルブ54は、洗浄液供給管49から現像液供給管42に洗浄液が供給された際に、現像液供給管42において電極対61が設けられた位置を通過した洗浄液を、廃液管53を介して排出するためのバルブである。バルブ54は、上述のバルブ47、52と同様に、例えばエアオペレーションバルブである。
廃液管53の現像液供給管42に接続された側と反対側の端部には、廃液部55が設けられている。廃液部55には、廃液管53から洗浄液が排出される。
なお、現像ユニットU1に純水供給装置を設ける場合、純水供給装置は、現像液供給装置40と同様の構成を有していてもよい。
上述した電源ユニット62による電極対61への直流電圧の印加の制御、ポンプ46の駆動動作、各バルブの開閉動作は、制御部100により制御されている。制御部100は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。制御部100は、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、現像液供給装置40による現像液の供給や現像ユニットU1における現像処理を実現できる。なお、現像液供給装置40による現像液の供給や、現像ユニットU1における現像処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータ読み取り可能な記録媒体Hに記録されていたものであって、記録媒体Hから制御部100にインストールされたものであってもよい。
このように構成された現像液供給装置40において、ウエハWに現像液が供給される際には、現像液貯槽41から、現像液供給管42を経て、ノズルN1に現像液が供給される。このとき、電源ユニット62は、電極対61に直流電圧を印加する。
また、現像液供給管42の洗浄が行われる際には、洗浄液供給源51から、洗浄液供給管49、バルブ52、バルブ54、廃液管53を経て、廃液部55に洗浄液が排出される。このとき、電源ユニット62は、電極対61に対して、ウエハWに現像液が供給される際と逆の極性の直流電圧を印加してもよい。この場合、ウエハWへの現像液の供給時に電極対61に捕集されたパーティクルが、電極対61から離れ、洗浄液によって廃液部55へと流される。また、現像液供給管42の洗浄時において、電源ユニット62が電極対61に対して印加する直流電圧をゼロとしてもよい。
図10を参照して、現像液に直流電圧が印加された場合のパーティクルの動きについて説明する。電源ユニット62の正極62Aによって、正極61Aには正の電位が与えられる。電源ユニット62の負極62Bによって、負極61Bには負の電位が与えられる。これにより、正極61Aには、負に帯電したパーティクルPMが引き寄せられる。一方、負極61Bには、正に帯電したパーティクルPPが引き寄せられる。このようにして、現像液に直流電圧が印加されると、パーティクルPM,PPは、正極61A及び負極61Bに捕集される。
(処理液供給方法)
次に、図11を参照して、本実施形態の現像液供給方法について説明する。まず、電源ユニット62が、電極対61に対して電圧印加を開始する(ステップS1)。次に、電圧センサ64が、プローブ63を用いて現像液中の二点間の電位差を検出する(ステップS2)。次に、制御部100が、ステップS2において検出された電位差が理論値通りであるか否かを判定する(ステップS3)。電位差が理論値通りでない場合には、制御部100は、外部に対して異常を発報し、処理を終了する(ステップS8)。
一方、電位差が理論値通りである場合には、電源ユニット62は、電極対61に対する電圧印加を継続する。そして、電圧センサ64は、プローブ63を用いて、現像液中の二点間の電位差を検出する(ステップS4)。次に、制御部は、電位差が閾値の範囲内であるか否かを判定する(ステップS5)。電位差が閾値の範囲内とは、電位差が所定の基準値RF1(第一の基準値)以上であることを意味する。また、電位差が閾値の範囲内にない場合とは、電位差が基準値RF1未満であることを意味する。基準値RF1は、例えば設計値の80%であり、閾値の範囲は、例えば設計値の80〜100%である。電位差が閾値の範囲内にある場合には、再びステップS4に戻る。電位差が閾値の範囲内にない場合には、制御部100は、電圧センサ64により検出された電位の移動平均値に特異点があるか否かを判定する(ステップS6)。特異点とは、例えば電位の急激な時間変化を意味する。特異点がある場合には、制御部100は、外部に対して異常を発報し、処理を終了する(ステップS8)。一方、特異点がない場合には、制御部100は、電源ユニット62により電極対に印加される直流電圧を増加させる(ステップS7)。そして、再びステップS4に戻る。
なお、上述した各処理に先立って、現像液供給装置40は、処理液にフィルタ45を通過させている。しかしながら、フィルタ45が省略されている場合には、現像液供給装置40が、処理液にフィルタ45を通過させる処理も省略される。
上述した処理液供給方法及び現像液供給装置40によれば、電圧センサ64により検出される処理液中の二点間の電位差が基準値RF1未満である場合に、電源ユニット62により処理液に印加される直流電圧が増加する。したがって、処理液に印加される直流電圧の経時的な低下を補うように、処理液に印加される直流電圧が増加する。これにより、処理液中のパーティクルを引き寄せる力が十分な長期間にわたって一定に維持される。したがって、パーティクルの捕集効率を十分な長期間にわたって維持することができる。
また、現像液供給装置40では、電源ユニット62により処理液に直流電圧が印加される前に、処理液はフィルタ45を通過する。このため、予め処理液にフィルタ45を通過させることにより、粒径の大きなパーティクルがフィルタ45によって捕集される。したがって、処理液に直流電圧を印加することにより捕集されるパーティクルの数が減少する。これにより、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
また、現像液供給装置40は、処理液供給管における電極対が設けられた部分の上流側及び下流側に、流量分散板56をさらに備えている。このため、流量分散板56により、処理液が現像液供給管42の延びる方向に交差する方向に分散される。したがって、処理液から捕集されるパーティクルが現像液供給管42の全体にわたって分散される。このため、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形を適用してもよい。例えば、図12の(A)に示されるように、現像液供給管42の上流側(図12の(A)の左側)における正極61Aと負極61Bとの間の間隔は、現像液供給管42の下流側(図12の(A)の右側)における正極61Aと負極Bとの間の間隔と等しくてもよい。
また、図12の(B)及び(C)に示されるように、現像液供給管42の上流側(図12の(B),(C)の左側)における正極61Aと負極61Bとの間の間隔は、現像液供給管42の下流側(図12の(B),(C)の右側)における正極61Aと負極61Bとの間の間隔と比較して広くてもよい。
具体的には、図12の(B)に示す例では、現像液供給管42の上流側において、少数の正極61Aと負極61Bとが、広い間隔で配列されている。一方、現像液供給管42の下流側において、多数の正極61Aと負極61Bとが、狭い間隔で配列されている。
また、図12の(C)に示す例では、現像液供給管42の径は、上流側から下流側に向かって徐々に狭まっている。そして、現像液供給管42の径の変化に応じて、正極61Aと負極61Bとが、現像液供給管42の上流側から下流側に向かって徐々に間隔を狭めるように配列されている。
このように、現像液供給管42の上流側における電極対61の間隔が、現像液供給管42の下流側における電極対61の間隔と比較して広くなっていると、次のような効果が得られる。電極対61の間隔が広い場合には、電極対61の間隔が狭い場合と比較して、大きな電荷を有するパーティクルは捕集される一方で、小さな電荷を有するパーティクルは捕集されずに下流側へ通過する傾向がある。このため、現像液供給管42の上流側における電極対61の間隔を、現像液供給管42の下流側における電極対61の間隔と比較して広くすることにより、大きな電荷を有するパーティクルを現像液供給管42の上流側で捕集し、小さな電荷を有するパーティクルを現像液供給管42の下流側で捕集することができる。したがって、現像液供給管42の上流側と下流側とで捕集されるパーティクルの数を均等化することができるため、パーティクルの捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
また、電極対61に含まれる電極の各々である正極61A及び負極61Bが、現像液供給管42の延びる方向に沿った境界によって分割された複数のセグメントを有していてもよい。そのような例を図13及び図14(A)に示す。図13は、正極61Aを示す平面図であり、図14(A)は、図13のXIV−XIV線断面図である。
正極61Aは、現像液供給管42の延びる方向に沿って分割された、5個のセグメント61Aa〜61Aeを有している。負極61Bは、現像液供給管42の延びる方向に沿って分割された、5個のセグメント61Ba〜61Beを有している。隣り合うセグメント61Aa〜61Ae同士、及び隣り合うセグメント65Ba〜65Be同士の間は、現像液供給管42の延びる方向に沿った絶縁部材66によって電気的に絶縁されている。
電源ユニット62は、セグメント61Aa〜61Ae及びセグメント61Ba〜61Beのそれぞれに対し、異なる電位を印加する。一例として、現像液供給管42の中央側に位置するセグメント61Acとセグメント61Bcの間には、電源ユニット62は、100Vの電位差の直流電圧を印加する。また、セグメント61Ac,セグメント61Bcに隣接するセグメント61Abとセグメント61Bbの間、及びセグメント61Adとセグメント61Bdとの間には、電源ユニット62は、75Vの電位差の直流電圧を印加する。そして、現像液供給管42の管壁に最も近いセグメント61Aaとセグメント61Baとの間、及びセグメント61Aeとセグメント61Beとの間には、電源ユニット62は、50Vの電位差の直流電圧を印加する。
このように、電極対61に含まれる正極61A,負極61Bが、現像液供給管42の延びる方向に沿って分割された複数のセグメント61Aa〜61Ae、61Ba〜61Beを有し、制御部100が、複数のセグメント61Aa〜61Ae、61Ba〜61Beのうち処理液供給管の中央側に位置するセグメントほど高い直流電圧を印加するように直流電圧を制御すると、次の効果が得られる。一般に、図15の矢印に示されるように、管の中央部を通過する液体の流速は、管壁に近い側を通過する液体の流速と比較して速い。また、一定の捕集効率でパーティクルを捕集するためには、処理液の流速が速いほど、処理液に高い直流電圧を印加することが必要である。したがって、セグメント61Aa〜61Ae、61Ba〜61Beのうち現像液供給管42の中央側に位置するものに最も高い直流電圧を印加し、中央から離れるに従って印加する直流電圧を低くすることにより、パーティクルの捕集効率を現像液供給管42の中央側と管壁側とで均一化することができ、捕集効率の経時変化を一層抑制することができる。
なお、正極61A及び負極61Bを絶縁部材66により複数のセグメント61Aa〜61Ae、61Ba〜61Beに分割する代わりに、図14(B)に示すように、現像液供給管42の延びる方向に沿って間仕切り(整流部材)67を正極61Aと負極61Bとの間の流路に配置し、現像液が現像液供給管42内を均一に流れるようにしてもよい。間仕切り67は、例えば樹脂などの絶縁材料により構成される。
また、図16、図17に正極61A,負極61Bの配置の変形例を示す。これらは、いずれも、正極61A及び負極61Bと現像液とが接する面積である接液面積を増加させるためのものである。なお、図16及び図17において、矢印Aは、現像液の流れる方向を示す。
図16の(A)は、断面が円形状の現像液供給管42において、複数の正極61A及び負極61Bを、断面が同心円状となるように配置した例である。図16の(B)は、複数の正極61A及び負極61Bを、断面が同心の星形となるように配置した例である。図16の(C)は、複数の正極61A及び負極61Bを、現像液供給管42の延びる方向に平行な複数の平板として配置した例である。これらは、いずれも、現像液供給管42の延びる方向に現像液の流れが平行となる、すなわち現像液の流れが層流をなす例である。
一方、図17は、現像液供給管42の延びる方向に垂直な方向に配置された平板として、正極61A及び負極61Bを配置した例である。この例では、現像液は、正極61A及び負極61Bに沿って蛇行することとなる。
一対のプローブ63は、電極対61の対向方向に離間した二点間の電位差を検出できればどのように配置されていてもよい。上述したように、プローブ63は、電極対61同士の間の領域(以下、「電圧印加領域」という。)の上流側に配置されてもよい。処理液中のパーティクルは、電圧印加領域を通る過程で捕集されるので、処理液中のパーティクル数は、電圧印加領域の上流側から下流側へ向かうに従って少なくなる。このため、電圧印加領域の上流側においては、電圧印加領域の下流側に比べて、電極対61にパーティクルが蓄積し易い。従って、プローブ63を電圧印加領域の上流側に配置すると、パーティクルの蓄積に起因した電位差の低下を早期に検知できる。
プローブ63は、電圧印加領域の下流側に配置されてもよい。この場合、電位差の検出箇所を、電位差の低下が生じ難い下流側とすることで、電圧印加領域の下流側もパーティクルの除去に十分に活用できる。
現像液供給装置40は、図18に示すように、電位差検出器VS1に代えて電流検出器VS2を有してもよい。電流検出器VS2は、一対のプローブ63に代えてプローブ71を有する。プローブ71は、電極対61同士の間に配置される。電流検出器VS2の電圧センサ64は、プローブ63同士の間の電位差に代えて、電極対61のいずれか一方とプローブ71との間の電位差を検出する。このような構成によっても、電極対61の対向方向に離間した二点間の電位差を検出できる。
<第二実施形態>
(処理液供給装置)
続いて、処理液供給装置の第二実施形態について説明する。第二実施形態に係る現像液供給装置は、現像液供給装置40の電位差検出器VS1を、電流検出器CS1に置き換えたものである。この電流検出器CS1は、図19に示すように、一対のプローブ81と、電源ユニット82と、電流センサ83とを有する。
一対のプローブ81は、処理液中の二点に配置されている。一例として、一対のプローブ81は、正極61A及び負極61Bの下流側にそれぞれ隣接しており、互いに離間している。一対のプローブ81は、互いに離間していればよく、これらが並ぶ方向に制限はない。例えば一対のプローブ81は、正極61A及び負極61Bが対向する方向に並んでいてもよいし、正極61A及び負極61Bに平行な方向に並んでいてもよい。電源ユニット82は、一対のプローブ81に直流電圧を印加する。電流センサ83は、一方のプローブ81と電源ユニット82との間に介在し、電流を検出する。電流センサ83により検出される電流は、プローブ81間に流れる電流に等しい。このため、電流センサ83により、二点間の電流を検出できる。
第二実施形態の制御部100は、電流検出器CS1により検出された電流が所定の基準値RF2(第二の基準値)超である場合に、電極対61間の直流電圧を増加させるように電源ユニット62を制御する。基準値RF2は、例えば許容可能な数のパーティクルが残存した処理液に対して実測した電流値に基づいて予め設定される。
(処理液供給方法)
以下、処理液供給方法の例として、第二実施形態の現像液供給装置による現像液供給手順を説明する。図20に示すように、現像液供給装置は、まずステップS11を実行する。ステップS11では、制御部100が、現像液の吐出を開始するようにポンプ46、バルブ47,48及びバルブ54を制御する。
次に、現像液供給装置はステップS12を実行する。ステップS12では、制御部100が、電流センサ83による検出値(以下、「電流値」という。)の監視を開始する。
次に、現像液供給装置はステップS13を実行する。ステップS13では、電流値が基準値RF2以下であるかを制御部100が確認する。基準値RF2は、例えば現像液中のパーティクル数が許容限界である場合の電流値よりも低い値である。許容限界は、現像後のウェハの品質に影響を及ぼさないパーティクル数の最大値であり、実験により見出すことが可能である。
ステップS13において、電流値が基準値RF2以下であると判断した場合、現像液供給装置は後述のステップS24を実行する。ステップS13において、電流値が基準値RF2を超えたと判断した場合、現像液供給装置はステップS15を実行する。ステップS15では、電流値が所定の基準値RF3以下であるかを制御部100が確認する。基準値RF3は、基準値RF2より大きい値に設定されている。基準値RF3は、例えば現像液中のパーティクル数が許容限界である場合の電流値である。
ステップS15において、電流値が基準値RF3以下であると判断した場合、現像液供給装置はステップS16を実行する。ステップS16では、制御部100が、電極対61間の電圧を上昇させるように電源ユニット62を制御する。その後、現像液供給装置は後述のステップS24を実行する。
ステップS15において、電流値が基準値RF3を超えていると判断した場合、現像液供給装置はステップS17,S18を実行する。ステップS17では、制御部100が、ノズルN1からの現像液の吐出を停止し、現像液を廃液部55に吐出するようにバルブ48,54を制御する。ステップS18では、制御部100が、電極対61間の電圧を上昇させるように電源ユニット62を制御する。
次に、現像液供給装置は、規定時間の経過を待機した後に(ステップS19)、ステップS21を実行する。ステップS21では、電流値が基準値RF3以下であるかを制御部100が再度確認する。なお、規定時間は適宜設定可能である。
ステップS21において、電流値が未だ基準値RF3を超えていると判断した場合、現像液供給装置はステップS22を実行する。ステップS22では、ステップS21を規定回数繰り返したか否かを制御部100が確認する。ステップS22において、ステップS21を規定回数繰り返していないと判断した場合、現像液供給装置は処理をステップS18に戻す。これにより、ステップS21を規定回数繰り返すまで、電圧値の調節が繰り返される。なお、規定回数は適宜設定可能である。ステップS22において、ステップS21を規定回数繰り返したと判断した場合、現像液供給装置は処理を中止する。
ステップS21において、電流値が基準値RF3以下であると判断した場合、現像液供給装置は、ステップS23を実行する。ステップS23では、制御部100が、ノズルN1からの現像液の吐出を再開するようにバルブ48,54を制御する。
その後、現像液供給装置はステップS24を実行する。ステップS24では、規定量の吐出が完了したか否かを制御部100が確認する。ステップS24において、規定量の吐出が完了していないと判断した場合、現像液供給装置は処理をステップS13に戻す。これにより、規定量の吐出が完了するまで処理液の吐出が継続される。なお、規定量は適宜設定可能である。ステップS24において、規定量の吐出が完了したと判断した場合、現像液供給装置は現像液の吐出を完了する。
第二実施形態の現像液供給装置によれば、処理液中の二点間に流れる電流が基準値RF2を超えている場合に、処理液に印加される直流電圧が増加する。図21は、パーティクル数と電流との関係を示すグラフである。グラフの横軸は、電圧の印加時間である。点状のデータD2はパーティクル数を示す。線状のデータD1は電流の変化を示す。データD2が示すように、パーティクル数は、電圧の印加時間が長くなるのに応じて減少する。また、電圧の印加時間が長くなるのに応じてパーティクル数の減少は鈍化する。データD1が示すように、電流もパーティクル数と同様に推移する。このように、処理液中の二点間に流れる電流は、処理液中のパーティクル数に相関する。このため、電流が基準値RF2を超えた場合に直流電圧を増加させることで、処理液中のパーティクルをより確実に捕集できる。
電流検出器CS1は、電極対61よりも下流側において処理液中の二点間に流れる電流を検出してもよい。この場合、供給直前の処理液中におけるパーティクルの残存状態を検知し、これに応じて直流電圧を調整できる。このため、供給後の処理液中に残るパーティクル数をより確実に削減できる。
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば図22に示すように、電位差検出器VS1と電流検出器VS2とを組み合わせて用いてもよい。この場合、制御部100は、電位差検出器VS1により検出された電位差が基準値RF1未満である状態、及び電流検出器CS1により検出された電流が基準値RF2超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、直流電圧を増加させるように電源ユニット62を制御してもよい。これにより、処理液中のパーティクルをより確実に捕集できる。
また、現像液供給装置として例示した構成は、現像液以外の純水、シンナー、レジスト、エッチング液など他の処理液を供給するための処理液供給装置にも適用可能である。更に、処理対象の基板は半導体ウェハに限られない。半導体ウェハ以外の基板としては、例えばガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)等が挙げられる。
42…現像液供給管(処理液供給管)、45…フィルタ、56…流量分散板(整流部材)、61…電極対、62…電源ユニット(直流電源)、VS1…電位差検出器、VS2…電流検出器、67…間仕切り(整流部材)、100…制御部、W…ウエハ(基板)。
現像液供給装置40は、図18に示すように、電位差検出器VS1に代えて電位差検出器VS2を有してもよい。電位差検出器VS2は、一対のプローブ63に代えてプローブ71を有する。プローブ71は、電極対61同士の間に配置される。電位差検出器VS2の電圧センサ64は、プローブ63同士の間の電位差に代えて、電極対61のいずれか一方とプローブ71との間の電位差を検出する。このような構成によっても、電極対61の対向方向に離間した二点間の電位差を検出できる。
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば図22に示すように、電位差検出器VS1と電流検出器CS1とを組み合わせて用いてもよい。この場合、制御部100は、電位差検出器VS1により検出された電位差が基準値RF1未満である状態、及び電流検出器CS1により検出された電流が基準値RF2超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、直流電圧を増加させるように電源ユニット62を制御してもよい。これにより、処理液中のパーティクルをより確実に捕集できる。

Claims (14)

  1. 基板に対して処理液を供給する処理液供給方法であって、
    前記処理液に直流電圧を印加する工程と、
    前記直流電圧が前記処理液に印加された状態において、前記処理液中の二点間の電位差を検出する工程と、
    検出された前記電位差が第一の基準値未満である場合に、前記直流電圧を増加させる工程と、を含む、処理液供給方法。
  2. 前記処理液に直流電圧を印加する前記工程の前に、前記処理液にフィルタを通過させる工程をさらに含む、請求項1に記載の処理液供給方法。
  3. 前記直流電圧が前記処理液に印加された状態において、前記処理液中の二点間に流れる電流を検出する工程をさらに含み、
    検出された前記電位差が前記第一の基準値未満である状態、及び検出された前記電流が第二の基準値超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、前記直流電圧を増加させる、請求項1又は2に記載の処理液供給方法。
  4. 処理液供給管を通過中の前記処理液に前記直流電圧を印加する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
  5. 前記直流電圧を印加する箇所よりも下流側において、前記処理液中の二点間に流れる電流を検出する、請求項4に記載の処理液供給方法。
  6. 基板に対して処理液を供給する処理液供給装置であって、
    前記基板に対して前記処理液を供給する処理液供給管と、
    前記処理液供給管に設けられ、前記処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極対と、
    前記電極対に対して直流電圧を印加する直流電源と、
    前記直流電圧が前記処理液に印加された状態において、前記電極対の対向方向に離間した前記処理液供給管中の二点間の電位差を検出する電位差検出器と、
    前記電位差検出器により検出された電位差が第一の基準値未満である場合に、前記直流電圧を増加させるように前記直流電源を制御する制御部と、を備える、処理液供給装置。
  7. 前記処理液供給管における前記電極対が設けられた部分の少なくとも上流側に整流部材をさらに備える、請求項6に記載の処理液供給装置。
  8. 前記処理液供給管における前記電極対の間に整流部材をさらに備える、請求項6又は7に記載の処理液供給装置。
  9. 前記処理液供給管の上流側における前記電極対の間隔が、前記処理液供給管の下流側における前記電極対の間隔と比較して広い、請求項6〜8のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  10. 前記電極対を構成する各々の電極が、前記処理液供給管の延びる方向に沿った境界によって分割された複数のセグメントを有し、
    前記制御部が、前記複数のセグメントのうち前記処理液供給管の中央側に位置するセグメントほど高い直流電圧を印加するように前記直流電圧を制御する、請求項6〜9のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  11. 前記電極対が、金属、ドーパントがドープされたSi及びGe、SiC並びにガラス化カーボンからなる群より選択される少なくとも一種からなる、請求項6〜10のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  12. 前記直流電圧が前記処理液に印加された状態において、前記処理液中の二点間に流れる電流を検出する電流検出器をさらに備え、
    前記制御部は、前記電位差検出器により検出された前記電位差が前記第一の基準値未満である状態、及び前記電流検出器により検出された前記電流が第二の基準値超である状態の少なくとも一方に該当した場合に、前記直流電圧を増加させるように前記直流電源を制御する、請求項6〜11のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  13. 前記電流検出器は、前記電極対よりも下流側において前記処理液中の二点間に流れる電流を検出する、請求項12に記載の処理液供給装置。
  14. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の処理液供給方法を処理液供給装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
JP2015082541A 2014-06-25 2015-04-14 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Active JP6342838B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015082541A JP6342838B2 (ja) 2014-06-25 2015-04-14 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US14/724,922 US10023477B2 (en) 2014-06-25 2015-05-29 Treatment solution supply method, treatment solution supply apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium
TW104119267A TWI625593B (zh) 2014-06-25 2015-06-15 處理液供給方法、處理液供給裝置及電腦可讀取之記錄媒體
KR1020150088360A KR102376780B1 (ko) 2014-06-25 2015-06-22 처리액 공급 방법, 처리액 공급 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014130151 2014-06-25
JP2014130151 2014-06-25
JP2015082541A JP6342838B2 (ja) 2014-06-25 2015-04-14 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016027616A true JP2016027616A (ja) 2016-02-18
JP6342838B2 JP6342838B2 (ja) 2018-06-13

Family

ID=54929482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015082541A Active JP6342838B2 (ja) 2014-06-25 2015-04-14 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10023477B2 (ja)
JP (1) JP6342838B2 (ja)
KR (1) KR102376780B1 (ja)
TW (1) TWI625593B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017069552A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体
KR20170118606A (ko) * 2016-04-15 2017-10-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 전기 집진 장치 및 처리액 공급 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062831A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53126574A (en) * 1977-04-12 1978-11-04 Kleentek Ind Method of electrostatically purifying insulating liquid and apparatus therefor
JPS6094162A (ja) * 1983-10-28 1985-05-27 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 純水の静電浄化装置
JPS60238172A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Kazuji Yanagimoto 廃油等の静電捕捉式清浄化装置における電極板の付着物の剥離方法
US5149422A (en) * 1990-12-20 1992-09-22 Analytic Laboratories, Inc. Finite particle removal system
JPH11330027A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Toshiba Corp ウェット処理方法
JP2000279900A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化学処理装置
JP2004342841A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Sharp Corp 洗浄方法および洗浄装置
JP2008525163A (ja) * 2004-11-02 2008-07-17 ザ ウォーター カンパニー エルエルシー 脱イオンおよび電気化学的浄化用の関連構成要素および装置および電極の再生方法
JP2009072659A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Honda Motor Co Ltd 電解水生成方法及び装置
JP2013030707A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置、処理液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5425858A (en) * 1994-05-20 1995-06-20 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for capacitive deionization, electrochemical purification, and regeneration of electrodes
JP3266848B2 (ja) * 1997-03-03 2002-03-18 東京エレクトロン株式会社 塗布装置と塗布方法
JP4126307B2 (ja) * 2005-03-16 2008-07-30 株式会社コガネイ 循環水の浄化方法とその装置
KR101714535B1 (ko) 2008-12-22 2017-03-09 삼성전자주식회사 탈이온화 장치 및 그 제어방법
US20140124428A1 (en) * 2010-10-08 2014-05-08 Ipc Eagle Corporation Unihousing portable water filtration system
TW201334847A (zh) * 2012-02-24 2013-09-01 Wei-Ping Li 離子能發電淨水器及其組合
TW201350440A (zh) * 2012-06-14 2013-12-16 Wei-Ping Li 電透析污水處理裝置及其處理方法
TWM462743U (zh) * 2013-06-03 2013-10-01 Univ Hungkuang 用於改善水中濁度的電混凝設備

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53126574A (en) * 1977-04-12 1978-11-04 Kleentek Ind Method of electrostatically purifying insulating liquid and apparatus therefor
JPS6094162A (ja) * 1983-10-28 1985-05-27 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 純水の静電浄化装置
JPS60238172A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Kazuji Yanagimoto 廃油等の静電捕捉式清浄化装置における電極板の付着物の剥離方法
US5149422A (en) * 1990-12-20 1992-09-22 Analytic Laboratories, Inc. Finite particle removal system
JPH11330027A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Toshiba Corp ウェット処理方法
JP2000279900A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化学処理装置
JP2004342841A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Sharp Corp 洗浄方法および洗浄装置
JP2008525163A (ja) * 2004-11-02 2008-07-17 ザ ウォーター カンパニー エルエルシー 脱イオンおよび電気化学的浄化用の関連構成要素および装置および電極の再生方法
JP2009072659A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Honda Motor Co Ltd 電解水生成方法及び装置
JP2013030707A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置、処理液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017069552A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体
KR20170118606A (ko) * 2016-04-15 2017-10-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 전기 집진 장치 및 처리액 공급 장치
KR102332885B1 (ko) 2016-04-15 2021-12-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 전기 집진 장치 및 처리액 공급 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6342838B2 (ja) 2018-06-13
US10023477B2 (en) 2018-07-17
KR20160000859A (ko) 2016-01-05
KR102376780B1 (ko) 2022-03-21
US20150375170A1 (en) 2015-12-31
TWI625593B (zh) 2018-06-01
TW201616217A (zh) 2016-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6267141B2 (ja) 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN102569133B (zh) 液体处理装置及液体处理方法
JP6342838B2 (ja) 処理液供給方法、処理液供給装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102359530B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
JP5954125B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102168007B1 (ko) 현상 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
TWI603167B (zh) 顯影方法、顯影裝置及電腦可讀取之記錄媒體
KR102467054B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US9308542B2 (en) Treatment solution supply apparatus, treatment solution supply method, and computer storage medium
JP6204269B2 (ja) 送液システムの洗浄方法、送液システム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5503601B2 (ja) 処理液供給装置、処理液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5503602B2 (ja) 処理液供給装置、処理液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102175074B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
TW202106404A (zh) 用於去除半導體製造中的微粒的設備和方法
JP2018061957A (ja) 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6482597B2 (ja) 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102108316B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102204885B1 (ko) 기판 처리 방법
KR20190041159A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102211780B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5580779B2 (ja) 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102496662B1 (ko) 배관 막힘 판단 방법 및 기판 처리 장치
KR20190126996A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP2016039350A (ja) 熱処理装置、熱処理方法、及び記憶媒体
KR20220043634A (ko) 처리액 공급 노즐 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180515

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180517

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6342838

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250