JP2016027040A - 環状アジン化合物、その製造方法、及びその用途 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の環状アジン化合物に比べ、有機電界発光素子の性能が高い新規環状アジン化合物の提供。【解決手段】式（１）で表される環状アジン化合物。［Ａｒ１は、アルキル基、Ｆ、フェニル基、ピリジル基で置換されていてもよいＣ６〜１０の芳香族炭素水素基；Ａｒ２は、アルキル基、Ｆで置換されていてもよいＣ１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基；Ａｒ３は、アルキル基、Ｆで置換されていてもよいＣ６〜１７の芳香族炭化水素基、アルキル基、Ｆで置換されていてもよいＣ４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基；Ｘは、アルキル基、Ｆで置換されていてもよいフェニレン基等；Ｙは、ＣＨ、Ｎ；ｐは、１〜３の整数；ｑは、０〜３の整数）【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子の構成成分として有用な環状アジン化合物、その製造方法、及びその用途に関するものである。更に詳しくは、分子内に縮合環基で置換されたフェニレン基を有する事を特徴とする環状アジン化合物、その製造方法、及びその用途に関するものである。

有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又はりん光）を利用する素子であり、小型のディスプレイだけでなく大型テレビや照明等へ応用されている。なお、正孔輸送層は正孔輸送層と正孔注入層に、発光層は、電子ブロック層と発光層と正孔ブロック層に、電子輸送層は電子輸送層と電子注入層に分割して構成される場合もある。また、有機電界発光素子のキャリア輸送層（電子輸送層又は正孔輸送層）として、金属、有機金属化合物又はその他有機化合物をドープした共蒸着膜を用いる場合もある。

従来の有機電界発光素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低く、素子寿命も著しく低く、幅広い分野での実用化には至っていなかった。最近の有機電界発光素子は前記欠点が徐々に改良されているものの、発光効率特性、駆動電圧特性、長寿命特性の更なる改善を目的として、優れた材料が求められている。その中でも、素子寿命の改善が幅広い分野での普及に急務となっており、そのための材料開発が求められている。

有機電界発光素子用の長寿命性に優れる電子輸送材料として、特許文献１で開示されたトリアジン化合物が挙げられる。しかしながら、有機電界発光素子の寿命、電圧及び発光効率の点で更なる改良が求められていた。

特開２０１１−０６３５８４号公報

本発明は、従来公知の環状アジン化合物に比べて、有機電界発光素子の性能向上を達成する特定の環状アジン化合物を提供することをその目的とする。

本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記一般式（１）で表される環状アジン化合物（アジン環骨格とＡｒ^２で表される縮環芳香族炭化水素基の間にビフェニレン基、ターフェニレン基、又はクアテルフェニレン基を備えることを特徴とする）を電子輸送材料として用いた有機電界発光素子が、従来公知の材料を用いたときに比べて、長寿命化、低電圧化又は高発光効率化を示すことを見いだし、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、下記一般式（１）で表される環状アジン化合物（以下、アジン化合物（１）とも称する）、アジン化合物（１）の製造方法及びその用途に関するものである。

（一般式（１）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１７の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよいフェニレン基、アザフェニレン基、又はジアザフェニレン基を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。）

本発明の環状アジン化合物は、従来公知の環状アジン化合物に比べて、寿命、電圧又は発光効率が優れる有機電界発光素子を提供する事ができる。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明のアジン化合物（１）は、下記一般式（１）で表される。

（一般式（１）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１８の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよいフェニレン基、アザフェニレン基、又はジアザフェニレン基を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。）
なお、一般式（１）の各置換基については、有機ＥＬ素子の素子寿命の点で、下記の場合が好ましい。
（一般式（１）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１７の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよいフェニレン基、アザフェニレン基、又はジアザフェニレン基を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。）
以下、一般式（１）で表される化合物について説明する。

一般式（１）中、２つのＡｒ^１は同一の置換基を表す。

Ａｒ^１における炭素数１〜４のアルキル基、フッ素、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ｍ−ビフェニル基、ｐ−ビフェニル基、ｏ−ビフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−フェニル−１−ナフチル基、３−フェニル−１−ナフチル基、４−フェニル−１−ナフチル基、５−フェニル−１−ナフチル基、６−フェニル−１−ナフチル基、７−フェニル−１−ナフチル基、７−フェニル−１−ナフチル基、８−フェニル−１−ナフチル基、１−フェニル−２−ナフチル基、３−フェニル−２−ナフチル基、４−フェニル−２−ナフチル基、５−フェニル−２−ナフチル基、６−フェニル−２−ナフチル基、７−フェニル−２−ナフチル基、７−フェニル−２−ナフチル基、８−フェニル−２−ナフチル基、２−（２−ピリジル）フェニル基、２−（３−ピリジル）フェニル基、２−（４−ピリジル）フェニル基、３−（２−ピリジル）フェニル基、３−（３−ピリジル）フェニル基、３−（４−ピリジル）フェニル基、４−（２−ピリジル）フェニル基、４−（３−ピリジル）フェニル基、４−（４−ピリジル）フェニル基、２−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、３−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、４−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、５−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、６−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、８−（２−ピリジル）−１−ナフチル基、１−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、３−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、４−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、５−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、６−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、８−（２−ピリジル）−２−ナフチル基、２−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、３−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、４−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、５−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、６−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、８−（３−ピリジル）−１−ナフチル基、１−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、３−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、４−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、５−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、６−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、８−（３−ピリジル）−２−ナフチル基、２−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、３−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、４−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、５−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、６−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、７−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、８−（４−ピリジル）−１−ナフチル基、１−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、３−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、４−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、５−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、６−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、７−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、８−（４−ピリジル）−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、メシチル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２，４−ジプロピルフェニル基、３，５−ジプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２，４−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、３−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、２，４−ジブチルフェニル基、３，５−ジブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、３−メチルビフェニル−４−イル基、２’−メチルビフェニル−４−イル基、４’−メチルビフェニル−４−イル基、２，２’−ジメチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−４−イル基、６−メチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−３−イル基、２’−メチルビフェニル−３−イル基、４’−メチルビフェニル−３−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−３−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−２−イル基、６−メチルビフェニル−２−イル基、２’−メチルビフェニル−２−イル基、４’−メチルビフェニル−２−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−２−イル基、３−エチルビフェニル−４−イル基、４’−エチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−４−イル基、６−エチルビフェニル−３−イル基、４’−エチルビフェニル−３−イル基、５−エチルビフェニル−２−イル基、４’−エチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−２−イル基、３−プロピルビフェニル−４−イル基、４’−プロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−４−イル基、６−プロピルビフェニル−３−イル基、４’−プロピルビフェニル−３−イル基、５−プロピルビフェニル−２−イル基、４’−プロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−２−イル基、３−イソプロピルビフェニル−４−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−４−イル基、６−イソプロピルビフェニル−３−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−３−イル基、５−イソプロピルビフェニル−２−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−２−イル基、３−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−４−イル基、６−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ブチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−２−イル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、又は２’，４’，６’−トリｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基等が挙げられる。

これらのうち、有機電界発光素子の寿命が長い点で、フェニル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ビフェニル、ｍ−ビフェニル基、１−ナフチル基、又は２−ナフチル基が好ましい。

さらに、合成が容易な点で、フェニル基、ｐ−ビフェニル基、又はｍ−ビフェニル基がより好ましい。

Ａｒ^２における炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１８の縮環芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基又はフルオランテニル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）を例示することができ、より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントレニル基、２−フェナントレニル基、３−フェナントレニル基、４−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、４−ピレニル基、１−トリフェニレニル基、又は３−フルオランテニル基等が挙げられる。

なお、Ａｒ^２については、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基であることが好ましく、特に限定するものではないが、例えば、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、又はフルオランテニル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）を例示することができ、より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントレニル基、２−フェナントレニル基、３−フェナントレニル基、４−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、４−ピレニル基、又は３−フルオランテニル基等が挙げられる。

これらのうち、有機電界発光素子の寿命、又は効率が良い点で、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、又はフェナントレニル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）が好ましく、より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、又は９−フェナントレニル基が好ましく、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、又は９−フェナントレニル基がより好ましい。

さらに、合成が容易な点で、９−フェナントレニル基がより好ましい。

Ａｒ^３における炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１８の縮環芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基、又はフルオランテニル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）を例示することでき、より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントレニル基、２−フェナントレニル基、３−フェナントレニル基、４−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、４−ピレニル基、１−トリフェニレニル基、又は３−フルオランテニル基等が挙げられる。

なお、Ａｒ^３については、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基であることが好ましく、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、又はフルオランテニル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）を例示することでき、より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントレニル基、２−フェナントレニル基、３−フェナントレニル基、４−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、４−ピレニル基、又は３−フルオランテニル基等が挙げられる。

これらのうち、有機電界発光素子の寿命、又は効率が良い点で、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、９−フェナントレニル基、１−トリフェニレニル基、又は３−フルオランテニル基が好ましく、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、９−フェナントレニル基、又は３−フルオランテニル基がより好ましい。

さらに、合成が容易な点で、９−フェナントレニル基がより好ましい。

Ａｒ^３で表される炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の複素芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、又はイソキノリル基（これらの基は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい）を例示することでき、より具体的には、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、又は８−イソキノリル基等が挙げられる。

このように、Ａｒ^３については、有機電界発光素子の寿命、又は効率が良い点で、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、フルオランテニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、又はイソキノリル基であることが好ましく、これらの例示基としては、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、９−フェナントレニル基、フルオランテニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−キノリル基、３−イソキノリル基、又は４−イソキノリル基等が挙げられる。

さらに、Ａｒ^３については、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、又はピラジル基であることが好ましく、これらの例示基としては、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、又は４−ピリジル基等が挙げられる。

さらに、合成が容易な点で、フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、９−フェナントリル基、２−ピリジル基、又は３−ピリジル基がより好ましい。

Ｘで表される炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよいフェニレン基としては、特に限定するものではないが、例えば、１，２−フェニレン基、１，３―フェニレン基、又は１，４−フェニレン基等が挙げられる。このうち、有機電界発光素子の寿命、又は効率が良い点で、１，３−フェニレン基、又は１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｘで表される炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよいアザフェニレン基としては、特に限定するものではないが、例えば、２，３−ピリジレン基、２，４−ピリジレン基、２，５−ピリジレン基、２，６−ピリジレン基、３，４−ピリジレン基、又は３，５−ピリジレン基等が挙げられる。

Ｘで表される炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよいジアザフェニレン基としては、特に限定するものではないが、例えば、２，４−ピリミジレン基、２，５−ピリミジレン基、４，５−ピリミジレン基、４，６−ピリミジレン基、２，３−ピラジレン基、２，５−ピラジレン基、又は２，６−ピラジレン基等が挙げられる。

Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表し、有機電界発光素子の寿命が良い点で、窒素原子が好ましい。

ｐは、１、２、又は３であり、ｑは、０、１、２、又は３である。

有機電界発光素子の寿命が良い点で、ｐは１、又は２、ｑは、０、１、又は２が好ましい。さらに、合成が容易な点で、ｐは１、ｑは０、又は１がより好ましい。

本発明のアジン化合物（１）としては、特に限定するものではないが、例えば、以下のＡ−１〜Ａ−５４２等が挙げられる。

次に、本発明のアジン化合物（１）の製造方法について説明する。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ｘ、Ｙ、ｐ、及びｑは、一般式（１）と同じ定義である。Ｚは、脱離基を表し、Ｍは、ボロン酸化合物、又は金属含有基を表す。）
反応式（１）〜（４）中、Ｚは、脱離基を表し、特に限定するものではないが、例えば、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメタンスルホニル基（トリフラート基）、又はヨウ素原子が挙げられる。このうち、反応収率がよい点で、臭素原子、又は塩素原子が好ましく、選択性が良い点で、塩素原子がより好ましい。

反応式（１）〜（４）中、Ｍは、ボロン酸化合物、又は金属含有基を表し、特に限定するものではないが、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｌＣｌ_２、ＡｌＢｒ_２、Ａｌ（Ｍｅ）_２、Ａｌ（Ｅｔ）_２、Ａｌ（^ｉＢｕ）_２、Ｓｎ（Ｍｅ）_３、Ｓｎ（Ｂｕ）_３、ＳｎＦ_３、ＺｎＣｌ、ＺｎＢｒ、ＢＦ_３Ｋ、Ｂ（ＯＲ^５）_２、Ｂ（ＯＲ^６）_３、又はＳｉ（Ｒ^７）_３等を挙げることができる。

Ｂ（ＯＲ^５）_２としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｂ（ＯＨ）_２、Ｂ（ＯＭｅ）_２、Ｂ（Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｂ（ＯＢｕ）_２、又はＢ（ＯＰｈ）_２等を挙げることができる。又、２つのＲ^５が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ^５）_２の例としては、以下に示す置換基を挙げることができる。

これらの置換基のうち、反応の選択性がよい点で（ＩＩ）、又は（ＶＩＩ）で示されるものが好ましく、反応収率が良い点で、（ＩＩ）がより好ましい。

Ｂ（ＯＲ^６）_３としては、以下に示す置換基を挙げることができる。

Ｓｉ（Ｒ^７）_３としては、特に限定するものではないが、例えば、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３、ＳｉＭｅＰｈ_２、ＳｉＣｌ_３、ＳｉＦ_３、Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、Ｓｉ（ＯＥｔ）_３、Ｓｉ（ＯＭｅ）_２ＯＨ等を挙げることができる。

反応式（１）〜（４）に示すように、アジン化合物（１）は、パラジウム触媒及び塩基の存在下で、それぞれの反応式に記載したようにカップリング反応を行うことで合成することが出来る。

反応式（１）〜（４）の反応に用いることのできるパラジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、又は硝酸パラジウム等の塩を挙げることができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウム、又はジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等を挙げることができる。中でも、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、又はトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウム等の第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易である点で、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、又はトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウムがさらに好ましい。なお、上記の第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩、又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。

第三級ホスフィンとしては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等を例示することができる。このうち、入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。

パラジウム塩、又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加する場合、第三級ホスフィンの添加量は、パラジウム塩、又は錯化合物の１モル（パラジウム原子換算）に対して０．１〜１０倍モルであることが好ましく、収率がよい点で０．３〜５倍モルであることがさらに好ましい。

反応式（１）〜（４）において、用いることのできる塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、又はフッ化セシウム等を例示することができる。このうち、収率がよい点で、炭酸カリウム、リン酸カリウム、又は水酸化ナトリウムが好ましい。

反応式（１）〜（４）の反応は、溶媒中で実施することが好ましい。溶媒としては、特に制限はないが、例えば、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、エタノール、ブタノール、又はキシレン等を例示することができ、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。このうち、収率がよい点で、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、又はトルエン−ブタノール混合溶媒が好ましい。

反応式（１）〜（４）の反応は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で５０℃から１００℃で行うことがさらに望ましい。

アジン化合物（１）は、反応式（１）〜（４）の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、又は昇華等で精製してもよい。

以下、反応式（１）について説明する。

化合物（２）は、例えば、山中宏著、「新編 ヘテロ環化合物 基礎編」，講談社，２００４年、山中宏著、「新編 ヘテロ環化合物 応用編」，講談社，２００４年、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９５１年，１６巻，４６１−４６５、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２００１年，６巻，４７７−４８０、又は科学技術研究所報告、８１巻、４４１、１９８６年に開示されている方法等を用いて製造することができる。

化合物（２）は、以下に示す反応式（１’）で製造することもできる。

（式中のＡｒ^１、Ａｒ^２，ｐ、Ｍ、又はＺは、前述したＡｒ^１、Ａｒ^２，ｐ、Ｍ、又はＺと同義である。Ｚ’は、Ｚと同義である。ＺとＺ’は、同一でもよいが、選択性が良い点で、異なる方が好ましい。）
反応式（１’）の反応に使用できるパラジウム触媒、ホスフィン配位子、塩基、又は溶媒は、前述した反応式（１）〜（４）と同様のものが挙げられる。

反応式（１’）で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（１０）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（パラジウム原子換算）であることが好ましい。

反応式（１’）で用いる化合物（１０）、又は化合物（３）とのモル比に特に制限はないが、化合物（１０）の１モルに対して、化合物（１０）が０．２〜５倍モルであることが好ましい。

塩基の使用量としては、特に制限はないが、化合物（１０）の１モルに対して、０．５〜１０倍モルが好ましく、収率がよい点で１〜５倍モルがさらに好ましい。

反応式（１’）で得られた化合物（２）は、単離した後に精製を行っても、単離をせずに次工程に進んでもよい。化合物（２）は、反応式（１’）の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、又は昇華等で精製してもよい。

化合物（２）として、特に限定するものではないが、例えば、以下に示す２−１〜２−７５等を挙げることができる。

（式中、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、又はフッ素原子を表し、Ｚは、前述したＺと同義である。）
化合物（３）は、例えば、特開２００８−２８０３３０号公報［００６１］〜［００７６］又は特開２００１−３３５５１６号公報［００４７］〜［００８２］に開示されている方法を用いて製造することができる。

化合物（３）として、特に限定するものではないが、例えば、以下に示す３−１〜３−５６等を挙げることができる。

（式中、Ｍは前記と同じ定義を表わす。）
反応式（１）で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（２）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（パラジウム原子換算）であることが好ましい。

反応式（１）で用いる化合物（２）、又は化合物（３）とのモル比に特に制限はないが、化合物（２）の１モルに対して、化合物（２）が０．２〜５倍モルであることが好ましい。

塩基の使用量としては、特に制限はないが、化合物（２）の１モルに対して、０．５〜１０倍モルが好ましく、収率がよい点で１〜５倍モルがさらに好ましい。

以下、反応式（２）について説明する。

化合物（４）は、例えば、山中宏著、「新編 ヘテロ環化合物 基礎編」，講談社，２００４年、山中宏著、「新編 ヘテロ環化合物 応用編」，講談社，２００４年、又はＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９５巻，２４５７−２４８３，１９９５年に開示されている方法等を用いて製造することができる。

化合物（４）は、前述した化合物（２）を原料として使用してもよい。

化合物（４）として、特に限定するものではないが、例えば、前述した化合物（２）のＺをＭに置き換えた骨格を例示することができる。

化合物（５）は、例えば、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００１，６６，４３３３−４３３９、又はＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９５巻，２４５７−２４８３，１９９５年に開示されている方法を用いて製造することができる。

化合物（５）として、特に限定するものではないが、例えば、前述した化合物（３）のＭをＺに置き換えた骨格を例示することができる。

反応式（２）で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（４）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（パラジウム原子換算）であることが好ましい。

反応式（２）で用いる化合物（４）、又は化合物（５）とのモル比に特に制限はないが、化合物（４）の１モルに対して、化合物（５）が０．２〜５倍モルであることが好ましい。

塩基の使用量としては、特に制限はないが、化合物（４）の１モルに対して、０．５〜１０倍モルが好ましく、収率がよい点で１〜５倍モルがさらに好ましい。

以下、反応式（３）について説明する。

化合物（６）は、上述した化合物（２）と同様の方法で製造することができる。

化合物（６）は、以下に示す反応式（３’）で製造することもできる。

（式中のＡｒ^１、Ａｒ^３，ｐ、Ｍ、又はＺは、前述したＡｒ^１、Ａｒ^３，ｐ、Ｍ、又はＺと同義である。Ｚ’は、Ｚと同義である。ＺとＺ’は、同一でもよいが、選択性が良い点で、異なる方が好ましい。）
反応式（３’）で得られた化合物（６）は、単離した後に精製を行っても、単離をせずに次工程に進んでもよい。化合物（６）は、反応式（３’）の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、又は昇華等で精製してもよい。

化合物（６）として、特に限定するものではないが、前述した２−１〜２−７５等を挙げることができる。また、化合物（６）として、特に限定するものではないが、例えば、以下に示す６−１〜６−２０等を挙げることができる。

化合物（７）は、上述した化合物（３）と同様の方法で製造することができる。

化合物（７）として、特に限定するものではないが、前述した３−３４〜３−３６、３−３８〜３−４０、３−４２〜３−４４、３−４６〜３−４８、３−５０〜３−５２、又は３−５４〜３−５６等を挙げることができる。

反応式（３）で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（６）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（パラジウム原子換算）であることが好ましい。

反応式（３）で用いる化合物（６）、又は化合物（７）とのモル比に特に制限はないが、化合物（６）の１モルに対して、化合物（７）が０．２〜５倍モルであることが好ましい。

塩基の使用量としては、特に制限はないが、化合物（６）の１モルに対して、０．５〜１０倍モルが好ましく、収率がよい点で１〜５倍モルがさらに好ましい。

以下、反応式（４）について説明する。

化合物（８）は、上述した化合物（４）と同様の方法で製造することができる。

化合物（８）として、特に限定するものではないが、例えば、前述した化合物（６）のＺをＭに置き換えた骨格を例示することができる。

化合物（９）は、上述した化合物（５）と同様の方法で製造することができる。

化合物（９）として、特に限定するものではないが、例えば、前述した化合物（７）のＭをＺに置き換えた骨格を例示することができる。

反応式（４）で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（８）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（パラジウム原子換算）であることが好ましい。

反応式（４）で用いる化合物（８）、又は化合物（９）とのモル比に特に制限はないが、化合物（８）の１モルに対して、化合物（９）が０．２〜５倍モルであることが好ましい。

塩基の使用量としては、特に制限はないが、化合物（８）の１モルに対して、０．５〜１０倍モルが好ましく、収率がよい点で１〜５倍モルがさらに好ましい。

本発明の環状アジン化合物（１）は、有機電界発光素子用材料として好適に用いられるものである。

さらに、本発明の環状アジン化合物（１）は、有機電界発光素子用の電子輸送材料又は電子注入材料として好適に用いられるものである。

以下、本発明の有機電界発光素子について説明する。

有機電界発光素子における発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する層のことを指す。具体的には、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する蛍光性化合物を含有する層のことを指す。通常、有機電界発光素子は一対の電極の間に発光層を挟持した構造をとる。

本発明の有機電界発光素子は、必要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層及び陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で挟持された構造をとる。具体的には以下に示される構造が挙げられる。
（ｉ）陽極／発光層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
本発明の有機電界発光素子における発光層には、従来公知の発光材料を用いることができる。発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により薄膜を形成する方法がある。

又、この発光層は、樹脂などの結着材と共に発光材料を溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜形成することにより得ることができる。

このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。

次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、発光層と組み合わせて有機電界発光素子を構成するその他の層について説明する。

正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。

また、陰極から注入され、電子注入層及び／又は電子輸送層より発光層に輸送された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、正孔注入層もしくは正孔輸送層に漏れることなく発光層内の界面に累積され、発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。

上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などがあげられる。

又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

本発明の有機電界発光素子において、電子輸送層は上記一般式（１）で表されるトリアジン化合物を含むものである。

当該電子輸送層は、上記一般式（１）で表されるトリアジン化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。電子輸送層の膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。また、この電子輸送層は、一般式（１）で表されるトリアジン化合物を含み、かつ従来公知の電子輸送材料を含んでいてもよく、一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、或いは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

又、本発明においては、発光材料は発光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔輸送層、又は電子輸送層に１種含有させてもよく、それにより更に有機電界発光素子の発光効率を高めることができる。

本発明の有機電界発光素子に好ましく用いられる基板は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限定はなく、又、透明のものであれば特に制限はない。本発明の有機電界発光素子に好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムを挙げることができる。

光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子を作製する好適な例を説明する。例として、前記の陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機電界発光素子の作製法について説明する。

まず適当な基板上に、所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層からなる薄膜を形成させる。

なお、陽極と発光層又は正孔注入層の間、及び、陰極と発光層又は電子注入層との間にはバッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。

更に上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば正孔ブロック層、電子ブロック層などのような機能層を有していてもよい。

次に、本発明の有機電界発光素子の電極について説明する。有機電界発光素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。

上記陽極は蒸着やスパッタリングなどの方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いは蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。

一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。

前記の様に、適当な基板上に所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層からなる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陰極を設け、所望の有機電界発光素子が得られる。

本発明の有機電界発光素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又、異なる発光色を有する本発明の有機電界発光素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。

実施例で作製する有機電界発光素子の断面模式図である。

１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．電荷発生層
４．正孔輸送層
５．発光層
６．電子輸送層
７．電子注入層
８．陰極層

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定して解釈されるものではない。

^１Ｈ−ＮＭＲ測定は、Ｇｅｍｉｎｉ２００（バリアン社製）を用いて行った。

有機電界発光素子の発光特性は、室温下、作製した素子に直流電流を印加し、ＬＵＭＩＮＡＮＣＥＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）（ＴＯＰＣＯＮ社製）の輝度計を用いて評価した。

合成参考例―１

アルゴン気流下、２−（３−ブロモ−５−クロロフェニル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（３０．０ｇ，７１ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸（２１．２ｇ，１１０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（４．１０ｇ，３．６ｍｍｏｌ）を、トルエン（７１０ｍＬ）に懸濁し、１．０Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（２１０ｍＬ）を滴下し、８５℃で時間撹拌した。放冷後、メタノールと水を加え、析出した固体を濾別し、水、メタノール、ヘキサンで固体を洗浄した。さらに再結晶（トルエン）で精製することで目的の２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量２１．０ｇ，収率６０％）を得た。

合成参考例−２

アルゴン気流下、９−ブロモフェナントレン（１０．０ｇ，３９ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸（６．０８ｇ，３９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．８９９ｇ，０．７８ｍｍｏｌ）をトルエン（３９０ｍＬ）に懸濁し、２．０Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（５８ｍＬ）を滴下し、８５℃で２４時間撹拌した。放冷後、反応液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホルム＝１：０〜１：１）で精製することで目的の９−（４−クロロフェニル）フェナントレンの白色固体（収量８．７１ｇ，収率７８％）を得た。

合成参考例−３

アルゴン気流下、９−（４−クロロフェニル）フェナントレン（２．７１ｇ，９．４ｍｍｏｌ）、４，４，４’，４’，５，５，５’，５’−オクタメチル−２，２’−ビ−１，３，２−ジオキサボロラン（３．５７ｇ，１４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（６３．２ｍｇ，０．２８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．７６ｇ，２８ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（４７ｍＬ）に懸濁し、１００℃で１４時間撹拌した。放冷後、反応液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホルム＝４：１〜１：１）で精製することで目的の９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］フェナントレンの白色固体（収量８．７１ｇ，収率７８％）を得た。

合成参考例−４

合成参考例−２において、９−ブロモフェナントレンの代わりに１−ブロモ−３−クロロベンゼンを、４−クロロフェニルボロン酸の代わりに９−アントラセンボロン酸を用いた以外は、合成参考例−２と同じ方法で反応を行い、目的の９−（３−クロロフェニル）アントラセンを得た。

合成参考例−５

合成参考例−２において、４−クロロフェニルボロン酸の代わりに３−クロロフェニルボロン酸を、９−ブロモフェナントレンの代わりに１−ブロモピレンを用いた以外は、合成参考例−２と同じ方法で反応を行い、目的の１−（３−クロロフェニル）ピレンを得た。

合成参考例−６

合成参考例−２において、４−クロロフェニルボロン酸の代わりに２−クロロフェニルボロン酸を、９−ブロモフェナントレンの代わりに２−ブロモナフタレンを用いた以外は、合成参考例−２と同じ方法で反応を行い、目的の２−（２−クロロフェニル）ナフタレンを得た。

合成参考例−７

合成参考例−３において、９−（４−クロロフェニル）フェナントレンの代わりに（３−クロロ−３’，５’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−５−イル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成参考例−３と同じ方法で反応を行い、目的の［３’，５’−ジメチル−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンを得た。

合成実施例−１

アルゴン気流下、合成例−１で得られた２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（１．００ｇ，２．０ｍｍｏｌ）、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］フェナントレン（１．１５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（３６．９ｍｇ，０．０４０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（７６．７ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）を、１，４−ジオキサン（４０ｍＬ）に懸濁し、２．０Ｍ−リン酸三カリウム水溶液（２０ｍＬ）を滴下し、９５℃で１６時間撹拌した。放冷後、メタノールと水を加え、析出した固体を濾別し、水、メタノール、ヘキサンで固体を洗浄した。さらに再結晶（トルエン）で精製することで目的の４，６−ジフェニル−２−［４’’−（９−フェナントレニル）−４−（２−ピリジル）−１，１’；３’，１’’−テルフェニル−５’−イル］−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−１０）の白色固体（収量１．１２ｇ，収率７８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．３１（ｔ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，１Ｈ），７．５９−７．６７（ｍ，８Ｈ），７．６９−７．７４（ｍ，２Ｈ），７．７６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．８０（ｓ，１Ｈ），７．８４−７．８８（ｍ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），８．０６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），８．２０−８．２５（ｍ，３Ｈ），８．７６−８．８６（ｍ，７Ｈ），９．０９（ｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ），９．１２（ｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ）
素子評価に用いた化合物の構造式及びその略称を以下に示す。

合成実施例−２

合成実施例−１において、２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの代わりに２−［３−クロロ−５−（３−ピリジル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成実施例−１と同じ方法で反応を行い、目的の４，６−ジフェニル−２−［４’−（９−フェナントレニル）−３−（３−ピリジル）ビフェニル−５−イル］−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−３）の白色固体を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．５２−７．８６（ｍ，１４Ｈ），７．９６−８．０４（ｍ，３Ｈ），８．０９（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），８．１９（ｂｒｓ，２Ｈ），８．７６（ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，１Ｈ），８．８０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．８７（ｍ，５Ｈ），９．０７（ｓ，１Ｈ），９．１６（ｓ，１Ｈ），９．２０（ｓ，１Ｈ）
合成実施例−３

合成実施例−１において、２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの代わりに２−［５−クロロ−４’−（３−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成実施例−１と同じ方法で反応を行い、目的の４，６−ジフェニル−２−［４’’−（９−フェナントレニル）−４−（３−ピリジル）−１，１’；３’，１’’−テルフェニル−５’−イル］−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−７）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．４６（ｄｄ，Ｊ＝４．８，７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．５７−８．１７（ｍ，２４Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，１Ｈ），８．７７−８．９１（ｍ，５Ｈ），９．０１（ｓ，１Ｈ），９．０９（ｓ，１Ｈ），９．１３（ｓ，１Ｈ）
合成実施例−４

合成実施例−１において、２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの代わりに９−（３−クロロフェニル）アントラセンを、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］フェナントレンの代わりに４，６−ジフェニル−２−［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成実施例−１と同じ方法で反応を行い、目的化合物（化合物Ａ−４８８）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．３９−７．７４（ｍ，１３Ｈ），７．７８−７．９５（ｍ，６Ｈ），８．０１−８．０９（ｍ，２Ｈ），８．１３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５７（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），８．７９−８．８９（ｍ，５Ｈ），９．０３（ｓ，１Ｈ），９．１２（ｓ，１Ｈ）
合成実験例−５

合成実施例−１において、２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの代わりに１−（３−クロロフェニル）ピレンを、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］フェナントレンの代わりに４，６−ジフェニル−２−［３−（９−フェナントレニル）−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成実施例−１と同じ方法で反応を行い、目的の４，６−ジフェニル−２−（９’−ピレニル−１，１’；３’，１’’−テルフェニル−５’−イル）−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−５０４）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．４５−８．４０（ｍ，２４Ｈ），８．７１−８．９０（ｍ，５Ｈ），９．０３（ｓ，１Ｈ），９．１２（ｓ，１Ｈ）
合成実施例−６

合成実施例−１において、２−［５−クロロ−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの代わりに２−（２−クロロフェニル）ナフタレンを、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）フェニル］フェナントレンの代わりに［３’，５’−ジメチル−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボラン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンを用いた以外は、合成実施例−１と同じ方法で反応を行い、目的化合物（化合物Ａ−４８６）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：２．６３（ｓ，６Ｈ），７．４５−８．４０（ｍ，２０Ｈ），８．６５−８．７３（ｍ，５Ｈ），９．０１（ｓ，１Ｈ），９．０７（ｓ，１Ｈ）

素子実施例−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積４ｍｍ^２有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。その後、図１の１で示すＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、電荷発生層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、及び電子注入層７を順次成膜し、その後陰極層８を成膜した。正孔注入層２としては、昇華精製したＨＩＬを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電荷発生層３としては、昇華精製したＨＡＴを５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層４としては、ＨＴＬを２５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層５としては、ＥＭＬ−１とＥＭＬ−２を９７：３（重量比）の割合で３５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層６としては、本発明の合成実施例−１で合成した４，６−ジフェニル−２−［４’’−（９−フェナントレニル）−４−（２−ピリジル）−１，１’；３’，１”−テルフェニル−５’−イル］−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−１０）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子注入層７としては、昇華精製したＬｉｑを１．０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層８を成膜する。陰極層８は、銀マグネシウムと銀をそれぞれ８０ｎｍと２０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

素子参考例−１
素子実施例−１において、化合物Ａ−１０の代わりに２−［５−（９−フェナントリル）−４’−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（ＥＴＬ−１）を用いた以外は、素子実施例−１と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の電圧（Ｖ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定した。また、初期輝度を１２００ｃｄ／ｍ^２で駆動したときの連続点灯時の輝度減衰時間を測定した。輝度（ｃｄ／ｍ^２）が５０％減じた時の時間を素子寿命として、以下表１に示す。

表１より、参考例に比べて、本発明のアジン化合物（１）を用いた有機電界発光素子は、素子寿命において優れることが見出された。また、本発明のアジン化合物（１）は、参考例にくらべて有機電界発光素子の駆動電圧及び電流効率においても上回る特性を示す事が見出された。

素子実施例−２
素子実施例−１において、ＨＩＬを６５ｎｍ、ＨＴＬを１０ｎｍ、ＥＭＬ−１とＥＭＬ−２を９５：５（重量比）の割合で２０ｎｍ、化合物Ａ−１０の代わりに本発明の合成実施例−２で合成した４，６−ジフェニル−２−［４’−（９−フェナントレニル）−３−（３−ピリジル）ビフェニル−５−イル］−１，３，５−トリアジン（化合物Ａ−３）を用いた以外は、素子実施例−１と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

素子参考例−２
素子実施例−２において、化合物Ａ−３の代わりにＥＴＬ−２を用いた以外は、素子実施例−２と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

素子参考例−３
素子実施例−２において、化合物Ａ−３の代わりにＥＴＬ−３を用いた以外は、素子実施例−２と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ^２で駆動したときの連続点灯時の輝度減衰時間を測定した。輝度（ｃｄ／ｍ^２）が９５％減じた時の時間を素子寿命として、以下表２に示す。

本発明は、有機電界発光素子の電子輸送層として用いることで素子の低電圧駆動、高効率化及び長寿命化を可能にする新規構造を有する環状アジン化合物を提供するものである。

Claims (10)

1. 一般式（１）で表される環状アジン化合物。
   

   

   （一般式（１）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１７の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよいフェニレン基、アザフェニレン基、又はジアザフェニレン基を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。）
2. Ａｒ^１が、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−ビフェニル基、ｍ−ビフェニル基、１−ナフチル基、又は２−ナフチル基である請求項１に記載の環状アジン化合物。
3. Ａｒ^２が、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、又はフルオランテニル基である請求項１又は請求項２に記載の環状アジン化合物。
4. Ａｒ^２が、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、又はフェナントレニル基である請求項１又は請求項２に記載の環状アジン化合物。
5. Ａｒ^３が、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、フルオランテニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、又はイソキノリル基である請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
6. Ｘが、フェニレン基である請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
7. Ｙが窒素原子である請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
8. 一般式（１）で表される環状アジン化合物が、以下の化合物のいずれかである請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の環状アジン化合物。
   

   
9. 一般式（２）
   

   

   （一般式（２）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ｚは、ハロゲン原子を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。）
   で表される化合物と、一般式（３）
   

   

   （一般式（３）中、Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１７の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９の６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよいフェニレン基、アザフェニレン基、又はジアザフェニレン基を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。Ｍは、脱離基を表す。）
   で表される化合物とを、塩基及びパラジウム触媒の存在下、又は塩基、パラジウム触媒、及びアルカリ金属塩の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、請求項１に記載の一般式（１）
   

   

   （一般式（１）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ｘ、Ｙ、ｐ、及びｑは、前記と同じ。）
   で表される環状アジン化合物の製造方法。
10. 一般式（４）
    

    

    （一般式（２）中、Ａｒ^１は、お互い同じであって、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素、フェニル基、又はピリジル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香族炭素水素基を表す。Ａｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１０〜１７の縮環芳香族炭化水素基を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。Ｍは、脱離基を表す。）
    で表される化合物と、一般式（５）
    

    

    （一般式（３）中、Ａｒ^３は、炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素で置換されていてもよい炭素数６〜１７の芳香族炭化水素基、又は炭素数１〜４のアルキル基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数４〜９からなる６環のみで構成される複素芳香族基を表す。Ｚは、ハロゲン原子を表す。Ｙは、ＣＨ、又は窒素原子を表す。ｑは、０〜３の整数を表す。）
    で表される化合物とを、塩基及びパラジウム触媒の存在下、又は塩基、パラジウム触媒、及びアルカリ金属塩の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、請求項１に記載の一般式（１）
    

    

    （一般式（１）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ｘ、Ｙ、ｐ、及びｑは、前記と同じ。）
    で表される環状アジン化合物の製造方法。

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