JP2016026903A - 研磨物品及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書の実施形態に従って、0.5〜1ミクロンの中央粒径を有する25重量%のダイヤモンド粒子を、表1に提供される組成を有する75重量%のフリット材料と混合することにより、試料を作る。混合物を適切に混合し、165メッシュスクリーンを通してふるいにかける。ポリエチレングリコール(PEG)の97%溶液の16重量%の結合剤。混合物を再度混ぜ合わせ、20メッシュを通してふるいにかける。混合物を約16時間乾燥させ、次いで室温にて1トン/平方インチで10秒間冷間プレスすることにより、未焼成体を形成する。次いで、未焼成体を550℃で1時間、その後690℃で約4時間の加熱を含む焼成サイクルにより焼成し、変換プロセスを完了して結合研磨ブランクを形成する。次いで、水ジェット切断作業により、結合研磨体を結合研磨ブランクから取り出す。
試料CS3は、Saint−Gobain Abrasives社からSupernanoとして市販されている半導体ウェハの裏面研削作業に利用される比較砥石である。CS3体は、0.72ミクロン(d50)及び0.15ミクロン(SD)の中央粒径を有する19体積%のダイヤモンド、78体積%の結合材料、2体積%のCeO2、1体積%のSiC、及び約68〜72体積%の気孔率を含む。
[1] 結合材料と超砥粒材料とを含む研磨粒子を含有する未焼成体を形成する工程、及び
前記超砥粒材料の少なくとも一部を気相物質に変換して、実質的に結晶炭化ケイ素を含まない結合研磨体を形成する工程、
を含む結合研磨物品を形成する方法。
[2] 前記[1]に記載の方法であって、前記未焼成体を形成する工程の前に、さらに前記結合材料と前記研磨粒子との混合物を形成する工程を含む、方法。
[3] 前記[1]又は[2]に記載の方法であって、前記結合材料は無機材料を含み、前記結合材料はガラス相材料を含み、前記結合材料は酸化物材料を含み、前記結合材料はシリカ系材料を含み、前記結合材料は少なくとも約50モル%のシリカ(SiO2)、少なくとも約52モル%のシリカ、及び約70モル%以下のシリカ、約65モル%以下のシリカを含む、方法。
[4] 前記[1]〜[3]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、約4モル%以下の含有量のアルミナ(Al2O3)、約3モル%以下の含有量のアルミナ、及び少なくとも約0.5モル%の含有量のアルミナ、及び少なくとも約1モル%の含有量のアルミナを含む、方法。
[5] 前記[1]〜[4]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、少なくとも約16モル%、少なくとも約17モル%、少なくとも約20モル%、及び約30モル%以下、約26モル%以下の含有量の酸化ホウ素(B2O3)を含む、方法。
[6] 前記[1]〜[5]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、約9モル%以下、約8モル%以下、約7モル%以下、約3モル%以下、及び少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%の酸化カルシウム(CaO)を含む、方法。
[7] 前記[1]〜[6]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、少なくとも0.2モル%、少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%、及び約6モル%以下、約4モル%以下の酸化バリウム(BaO)を含む、方法。
[8] 前記[1]〜[7]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、少なくとも約2モル%、少なくとも約2.5モル%、及び約8モル%以下、約6モル%以下の酸化カリウム(K2O)を含む、方法。
[9] 前記[1]〜[8]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、少なくとも0.5モル%、少なくとも約0.8モル%、少なくとも約1モル%、及び約9モル%以下、約7モル%以下の酸化リチウム(Li2O)を含む、方法。
[10] 前記[1]〜[9]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、約14%以下、約12モル%以下、約10モル%以下、約8モル%以下、約6モル%以下、及び少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%、少なくとも約3モル%の酸化ナトリウム(Na2O)を含む、方法。
[11] 前記[1]〜[10]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、少なくとも約0.5モル%、少なくとも約0.8モル%、少なくとも約1モル%、及び約5モル%以下、約4モル%以下の酸化亜鉛(ZnO)を含む、方法。
[12] 前記[1]〜[11]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、約9ppm/℃以下、約8.5ppm/℃以下、約8ppm/℃以下、約7.8ppm/℃以下、少なくとも約2ppm/℃、少なくとも約3ppm/℃の線熱膨張係数(CTE)(300℃)を含む、方法。
[13] 前記[1]〜[12]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料及び前記研磨粒子は約5.5ppm/℃以下のΔCTEを有し、該ΔCTEは前記結合材料のCTEと前記研磨粒子のCTEとの間の差として定義され、前記ΔCTEは約5ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約4.5ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約4ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約3.8ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは少なくとも約0.2ppm/℃である、方法。
[14] 前記[1]〜[13]のいずれかに記載の方法であって、前記結合材料は、約560℃以下、約550℃以下、約540℃以下、少なくとも約200℃、少なくとも約250℃の軟化点温度を含む、方法。
[15] 前記[1]〜[14]のいずれかに記載の方法であって、前記超砥粒材料はダイヤモンドを含み、前記超砥粒材料はダイヤモンドであり、前記超砥粒材料は実質的にダイヤモンドから成り、前記超砥粒材料は炭化ケイ素を含まず、前記超砥粒材料はダイヤモンド及び炭化ケイ素のアモルファス形態のみを含む、方法。
[16] 前記[1]〜[15]のいずれかに記載の方法であって、前記研磨粒子は第1の種類の超砥粒材料及び第2の種類の超砥粒材料を含み、前記第1の種類は第1の中央粒径を有し、かつ前記第2の種類は前記第1の中央粒径とは異なる第2の中央粒径を有し、該第2の中央粒径は前記第1の中央粒径未満であり、前記第2の中央粒径は前記第1の中央粒径の約1.1分の1以下、約1.3分の1以下、約1.5分の1以下、約2分の1以下、約2.5分の1以下であり、かつ約10分の1以上である、方法。
[17] 前記[1]〜[16]のいずれかに記載の方法であって、前記第1の種類の超砥粒材料は、少なくとも約1ミクロン、少なくとも約1.5ミクロン、少なくとも約2ミクロン、少なくとも約2.5ミクロン、及び約20ミクロン以下、約18ミクロン以下、約8ミクロン以下の中央粒径を含む、方法。
[18] 前記[1]〜[17]のいずれかに記載の方法であって、前記第2の種類の超砥粒材料は、約1ミクロン以下、例えば約0.9ミクロン以下、及び少なくとも約0.01ミクロン、少なくとも約0.05ミクロンの中央粒径を含む、方法。
[19] 前記[1]〜[18]のいずれかに記載の方法であって、前記変換は前記第2の種類の超砥粒材料の一部を変換する工程を含む、方法。
[20] 前記[1]〜[19]のいずれかに記載の方法であって、前記変換は熱処理を含み、前記変換は酸化雰囲気中で前記未焼成体を焼成する工程を含み、前記酸化雰囲気は酸素が豊富な雰囲気を含み得、前記酸素が豊富な雰囲気は少なくとも30体積%の酸素であり得る、方法。
[21] 前記[1]〜[20]のいずれかに記載の方法であって、前記焼成は、少なくとも約200℃、少なくとも約300℃、少なくとも約400℃、少なくとも約500℃、及び約1000℃以下、約900℃以下、約850℃以下、約800℃以下の焼成温度で行われ得る、方法。
[22] 前記[1]〜[21]のいずれかに記載の方法であって、前記焼成は、前記結合材料の前記軟化点温度よりも高い温度で行われ得、前記焼成温度は、約230℃以下、約220℃以下、約200℃以下、約195℃以下、約190℃以下、少なくとも約10℃、少なくとも約20℃、少なくとも約50℃、少なくとも約100℃、少なくとも約120℃、少なくとも約130℃、軟化点温度と比べて異なる、方法。
[23] 前記[1]〜[22]のいずれかに記載の方法であって、前記焼成は約10時間以下、例えば約8時間以下、約6時間以下、及び少なくとも約10分、少なくとも約30分、少なくとも約50分の持続時間で行われ得る、方法。
[24] 前記[1]〜[23]のいずれかに記載の方法であって、前記研磨粒子は前記第1の種類の超砥粒材料及び前記第2の種類の超砥粒材料を含み、前記変換は前記第2の種類の超砥粒材料の一部を酸化して酸化物を含む前記気相物質を形成する工程を含み、前記変換は前記第1の種類の超砥粒材料より前に優先的に前記第2の種類の超砥粒材料を酸化する工程を含み、前記気相物質は炭素を含み、前記気相物質は二酸化炭素及び一酸化炭素のうちの1つを含む、方法。
[25] 前記[1]〜[24]のいずれかに記載の方法であって、前記未焼成体を形成する工程は、前記混合物を圧縮して前記未焼成体を形成する工程を含み、前記圧縮は冷間プレス作業を含み、前記圧縮は冷間静水圧プレスを含み、該冷間静水圧プレスは少なくとも約0.25トン/平方インチ(3.44MPa)、及び約10トン/平方インチ(137.90MPa)以下の圧力で行われる、方法。
[26] 前記[1]〜[25]のいずれかに記載の方法であって、前記変換は前記未焼成体から前記結合研磨体までで前記研磨粒子の体積割合を減少させる工程を含み、前記変換は前記結合研磨体中に気孔を形成する工程を含み、前記気孔は前記変換中に酸化される前記超砥粒材料の一部から生じる前記気相物質から形成され、前記気相物質は前記結合研磨体中で気孔を形成し、前記変換は、前記結合材料の少なくとも一部が液体状態である間に、前記超砥粒材料の少なくとも一部を前記気相物質に酸化する工程を含み、前記変換は、前記結合材料の少なくとも一部が液体状態にある間に、前記結合材料中で前記気相物質を捕獲する工程を含む、方法。
[27] 前記[1]〜[26]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は前記結合材料中に含まれる前記研磨粒子を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約5体積%、少なくとも約10体積%、少なくとも約14体積%、少なくとも約16体積%、及び約35体積%以下、約30体積以下、約26体積%以下、約23体積%以下の前記研磨粒子を含む、方法。
[28] 前記[1]〜[27]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は、結合研磨体の全体積に対して、少なくとも約50体積%、少なくとも約54体積%、少なくとも約56体積%、少なくとも約58体積%の気孔率、及び前記結合研磨体の全体積に対して、約85体積%以下の気孔率、約82体積%以下、約80体積%以下の気孔率を含む、方法。
[29] 前記[1]〜[28]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約50体積%、少なくとも約55体積%、少なくとも約60体積%、少なくとも約63体積%、少なくとも約66体積%、少なくとも約70体積%、及び約90体積%以下、約86体積%以下、約82体積%以下、約78体積%以下、約74体積%以下の前記結合材料を含む、方法。
[30] 前記[1]〜[29]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は充填剤を含み、該充填剤は、ナトリウム(Na)、セリウム(Ce)及びこれらの組み合わせから成る群より選択される元素を含有する化合物を含む、方法。
[31] 前記[1]〜[30]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体はセリウム(Ce)を含み、前記結合研磨体は酸化セリウム(CeO2)を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約0.4体積%、少なくとも約0.8体積%、少なくとも約1体積%、及び約6体積%以下、約4体積%以下の前記酸化セリウムを含む、方法。
[32] 前記[1]〜[31]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体はナトリウム(Na)を含み、前記結合研磨体はケイ酸ナトリウム(Na2SiO3)を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約1体積%、少なくとも約2体積%、少なくとも約3体積%、少なくとも約4体積%、及び約12体積%以下、約10体積%以下、約9体積%以下の前記ケイ酸ナトリウムを含む、方法。
[33] 前記[1]〜[32]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は半導体ウェハの研削用に構成された結合研磨ディスクを含む、方法。
[34] 前記[1]〜[33]のいずれかに記載の方法であって、前記結合研磨体は、約1重量%以下、約0.5重量%以下、約0.1重量%以下の遊離利金属元素を含み、前記結合研磨体は、実質的に遊離金属元素を含まない、方法。
[35] 結合研磨体を含む研磨物品であって、
前記結合研磨体は、
ビトリファイド材料を含む結合材料、
前記結合材料中に含まれる第1の種類の超砥粒材料を含む研磨粒子、
前記結合研磨体の全体積の少なくとも約50体積%の気孔率、
を含有し、
前記結合材料及び前記第1の種類の超砥粒材料は約5.5ppm/℃以下のΔCTEを有し、該ΔCTEは前記結合材料のCTEと前記研磨粒子のCTEとの間の差として定義される、研磨物品。
[36] 前記[35]に記載の研磨物品であって、前記ΔCTEは約5ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約4.5ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約4ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは約3.8ppm/℃以下であり、前記ΔCTEは少なくとも約0.2ppm/℃である、研磨物品。
[37] 前記[35]又は[36]に記載の研磨物品であって、前記結合材料は酸化物材料を含み、前記結合材料はシリカ系材料を含み、前記結合材料は少なくとも約50モル%のシリカ(SiO2)、少なくとも約52モル%のシリカ、及び約70モル%以下のシリカ、約65モル%以下のシリカを含む、研磨物品。
[38] 前記[35]〜[37]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、約4モル%以下の含有量のアルミナ(Al2O3)、約3モル%以下の含有量のアルミナ、及び少なくとも約0.5モル%の含有量のアルミナ、及び少なくとも約1モル%の含有量のアルミナを含む、研磨物品。
[39] 前記[35]〜[38]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも約16モル%、少なくとも約17モル%、少なくとも約20モル%、及び約30モル%以下、約26モル%以下の含有量の酸化ホウ素(B2O3)を含む、研磨物品。
[40] 前記[35]〜[39]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、約9モル%以下、約8モル%以下、約7モル%以下、約3モル%以下、及び少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%の酸化カルシウム(CaO)を含む、研磨物品。
[41] 前記[35]〜[40]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも0.2モル%、少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%、及び約6モル%以下、約4モル%以下の酸化バリウム(BaO)を含む、研磨物品。
[42] 前記[35]〜[41]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも約2モル%、少なくとも約2.5モル%、及び約8モル%以下、約6モル%以下の酸化カリウム(K2O)を含む、研磨物品。
[43] 前記[35]〜[42]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも約0.5モル%、少なくとも約0.8モル%、少なくとも約1モル%、及び約9モル%以下、約7モル%以下の酸化リチウム(Li2O)を含む、研磨物品。
[44] 前記[35]〜[43]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、約14モル%以下、約12モル%以下、約10モル%以下、約8モル%以下、約6モル%以下、及び少なくとも約0.5モル%、少なくとも約1モル%、少なくとも約3モル%の酸化ナトリウム(Na2O)を含む、研磨物品。
[45] 前記[35]〜[44]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも約0.5モル%、少なくとも約0.8モル%、少なくとも約1モル%、及び約5モル%以下、約4モル%以下の酸化亜鉛(ZnO)を含む、研磨物品。
[46] 前記[35]〜[45]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、約9ppm/℃以下、約8.5ppm/℃以下、約8ppm/℃以下、約7.8ppm/℃以下、少なくとも約2ppm/℃、少なくとも約3ppm/℃の線熱膨張係数CTE(300℃)を含む、研磨物品。
[47] 前記[35]〜[46]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合材料は、約560℃以下、約550℃以下、約540℃以下、少なくとも約200℃、少なくとも約250℃の軟化点温度を含む、研磨物品。
[48] 前記[35]〜[47]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記超砥粒材料はダイヤモンドを含み、前記超砥粒材料はダイヤモンドであり、前記超砥粒材料は実質的にダイヤモンドから成り、前記超砥粒材料は炭化ケイ素を含まず、前記超砥粒材料はダイヤモンド及び炭化ケイ素のアモルファス形態のみを含む、研磨物品。
[49] 前記[35]〜[48]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記研磨粒子はさらに第2の種類の超砥粒材料を含み、前記第1の種類は第1の中央粒径を有し、及び前記第2の種類は前記第1の中央粒径とは異なる第2の中央粒径を有し、該第2の中央粒径は前記第1の中央粒径未満であり、前記第2の中央粒径は前記第1の中央粒径の少なくとも約1.1分の1、約1.3分の1以下、約1.5分の1以下、約2分の1以下、約2.5分の1以下であり、かつ約10分の1以上である、研磨物品。
[50] 前記[35]〜[49]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記第1の種類の超砥粒材料は、少なくとも約1ミクロン、少なくとも約1.5ミクロン、少なくとも約2ミクロン、少なくとも約2.5ミクロン、及び約20ミクロン以下、約18ミクロン以下、約8ミクロン以下の中央粒径を含む、研磨物品。
[51] 前記[35]〜[50]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記第2の種類の超砥粒材料は、約1ミクロン以下、例えば約0.9ミクロン以下、及び少なくとも約0.01ミクロン、少なくとも約0.05ミクロンの中央粒径を含む、研磨物品。
[52] 前記[35]〜[51]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記気孔率は気孔を含み、該気孔の一部は炭素を含む気相物質を含み、該気相物質は二酸化炭素及び一酸化炭素のうちの1つを含む、研磨物品。
[53] 前記[35]〜[52]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は前記結合材料中に含まれる前記研磨粒子を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約5体積%、少なくとも約10体積%、少なくとも約14体積%、少なくとも約16体積%、及び約35体積%以下、約30体積以下、約26体積%以下、約23体積%以下の前記研磨粒子を含む、研磨物品。
[54] 前記[35]〜[53]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体の全体積に対して、少なくとも約50体積%、少なくとも約54体積%、少なくとも約56体積%、少なくとも約58体積%の気孔率、及び前記結合研磨体の全体積に対して、約85体積%以下の気孔率、約82体積%以下、約80体積%以下の気孔率を含む、研磨物品。
[55] 前記[35]〜[54]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約50体積%、少なくとも約55体積%、少なくとも約60体積%、少なくとも約63体積%、少なくとも約66体積%、少なくとも約70体積%、及び約90体積%以下、約86体積以下、約82体積%以下、約78体積%以下、約74体積%以下の前記結合材料を含む、研磨物品。
[56] 前記[35]〜[55]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は充填剤を含み、該充填剤は、ナトリウム(Na)、セリウム(Ce)及びこれらの組み合わせから成る群より選択される元素を含有する化合物を含む、研磨物品。
[57] 前記[35]〜[56]のいずれかに記載研磨物品であって、前記結合研磨体はセリウム(Ce)を含み、前記結合研磨体は酸化セリウム(CeO2)を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約0.4体積%、少なくとも約0.8体積%、少なくとも約1体積%、及び約6体積%以下、約4体積%以下の前記酸化セリウムを含む、研磨物品。
[58] 前記[35]〜[57]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体はナトリウム(Na)を含み、前記結合研磨体はケイ酸ナトリウム(Na2SiO3)を含み、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも約1体積%、少なくとも約2体積%、少なくとも約3体積%、少なくとも約4体積%、及び約12体積%以下、約10体積%以下、約9体積%以下の前記ケイ酸ナトリウムを含む、研磨物品。
[59] 前記[35]〜[58]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は半導体ウェハの研削用に構成された結合研磨ディスクを含む、研磨物品。
[60] 前記[35]〜[59]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、約1重量%以下、約0.5重量%以下、約0.1重量%以下の遊離金属元素を含み、前記結合研磨体は、実質的に遊離金属元素を含まない、研磨物品。
[61] 前記[35]〜[60]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、実質的に炭化ケイ素を含まない、研磨物品。
[62] 前記[35]〜[61]のいずれかに記載の研磨物品であって、前記研磨粒子は、実質的にダイヤモンドから成る、研磨物品。
Claims (15)
- 結合研磨体を含む研磨物品であって、
前記結合研磨体は、
ビトリファイド材料を含む結合材料、
第1の中央粒径を有する第1の種類の超砥粒材料、及び
前記第1の中央粒径未満の第2の中央粒径を有する第2の種類の超砥粒材料、を含む研磨粒子、
前記結合研磨体の全体積の少なくとも50体積%の気孔率、
を含有し、
前記結合材料は、第一の量の前記第1の種類の超砥粒材料と、第二の量の前記第2の種類の超砥粒材料とを含み、前記第一の量は、前記第二の量よりも大きい、研磨物品。 - 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合材料は、14モル%以下の酸化ナトリウム(Na2O)を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記超砥粒材料は、ダイヤモンドを含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記第2の中央粒径は、前記第1の中央粒径の1.1分の1以下、及び前記第1の中央粒径の10分の1以上である、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記第1の種類の超砥粒材料は、少なくとも1ミクロン、及び20ミクロン以下の中央粒径を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記第2の種類の超砥粒材料は、少なくとも0.01ミクロン、及び0.9ミクロン以下の中央粒径を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体の全体積に対して、少なくとも58体積%の気孔率、及び85体積%以下の気孔率を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記第一の量(重量%)は、前記第二の量(重量%)よりも、少なくとも1.5倍多い、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体の全体積に対して、少なくとも70体積%、及び85体積%以下の気孔率を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも50体積%、及び90体積%以下の前記結合材料を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、結合研磨体中の固形成分の全体積に対して、少なくとも5体積%、及び約35体積%以下の研磨粒子を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、炭化ケイ素を含まない、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、黒鉛を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合材料は、少なくとも200℃、及び560℃以下の軟化点温度を含む、研磨物品。
- 請求項1に記載の研磨物品であって、前記結合研磨体は、半導体ウェハの研削用に構成された結合研磨ディスクを含む、研磨物品。
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