JP2016026368A - 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な（００１）配向を有し、かつ、規則度が高いＬ１０型のＦｅＰｔ合金、もしくはＣｏＰｔ合金からなる磁性層を有する熱アシスト記録媒体が実現し、これを用いたエラーレートの低い磁気記憶装置を提供する。【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むからなる下地層であることを特徴とする磁気記録媒体を用いる。【選択図】図１

Description

本発明は熱アシスト磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記憶装置に関する。

媒体に近接場光等を照射して表面を局所的に加熱し、媒体の保磁力を低下させて書き込みを行う熱アシスト記録は、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２クラスの面記録密度を実現できる次世代記録方式として注目されている。熱アシスト記録媒体としては、磁性層に、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金や、同じくＬ１_０型結晶構造を有するＣｏＰｔ合金を用いた媒体が用いられる。上記Ｌ１_０型結晶構造を有する規則合金は、１０^６ Ｊ／ｍ^３台の高い結晶磁気異方性Ｋｕを有するため、熱安定性を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ程度以下まで微細化できる。これにより、熱安定性を維持したまま、媒体ノイズを大幅に低減できる。

高い垂直磁気異方性を有する熱アシスト記録媒体を得るには、磁性層に用いられるＬ１_０型規則合金は良好な（００１）配向をとっている必要がある。これを実現するには、下地層に適切な材料を用いる必要がある。例えば、特許文献１にはＭｇＯ下地層を用いることによって、Ｌ１_０型結晶構造を有するＦｅＰｔ磁性層が（００１）配向を示すことが示されている。ＭｇＯはＮａＣｌ構造をとり、格子定数は０．４２１ｎｍと、Ｌ１_０構造のＦｅＰｔ合金のａ軸長と近い。このため、（１００）配向したＭｇＯ下地層上にＦｅＰｔ磁性層を形成することにより、該磁性層に（００１）配向をとらせることができる。

また、非特許文献１には、ＴｉＮ下地層を用いることにより、ＦｅＰｔ磁性層が（００１）配向を示すことが記載されている。ＴｉＮもＭｇＯ同様、ＮａＣｌ構造をとり、格子定数もＭｇＯと近い。このため、ＭｇＯの場合と同様、ＦｅＰｔ磁性層に（００１）配向をとらせることができる。更に非特許文献２には、ＲｕＡｌ下地層上に１ｎｍ程度の薄いＰｔを介してＦｅＰｔ磁性層を形成することにより、該磁性層が（００１）配向を示すことが記載されている。

また、特許文献２には、Ｌ１_０構造をとるＦｅＰｔ合金磁性層の下にＮｉＯ層を設けることが記載されている。特許文献３にも、Ｌ１_０型ＦｅＰｔ磁性層の下地層としてＮｉＯ層を使用できることが開示されている。

特開平１１−３５３６４８号公報 特開２００３−８５７３８号公報 特開２００６−２５２５９４号公報

Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｂ ２５ （６）， １８９２−１８９５ （２００７） Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ９７， １０Ｈ３０１ （２００５）

磁性層を構成するＬ１_０型ＦｅＰｔ合金の規則度を高め、かつ良好な（００１）配向をとらせることが、高い保磁力と、高い媒体ＳＮＲを有する熱アシスト記録媒体を得る上で重要な課題である。上記課題は、ＭｇＯ下地層、もしくはＴｉＮ下地層を用いることによってある程度は改善できるが、依然として不十分である。

ここで、特許文献２で開示されているＮｉＯ下地層上に形成されたＦｅＰｔ合金は、３次元ランダムな磁気異方性を示すことが記載されている。これは、ＮｉＯ下地層の（１００）配向が十分でないことを示している。また、特許文献３に記載されているＮｉＯ下地層についても、配向制御に関する記述はみられない。ＦｅＰｔ合金のＬ１_０規則度、（００１）配向性を更に高めるには、下地層の（１００）配向度を高めることが重要である。

上記課題は、基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むことを特徴とする磁気記録媒体を用いることによって解決できる。すなわち本願発明は下記の発明に関する。

（１）基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記配向制御層が、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ、もしくはＲｕＡｌからなる下地層であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。

（３）前記配向制御層が、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうちの少なくとも１種類を含有したＢＣＣ構造の合金からなる下地層であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記配向制御層が、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＴｉＣ、もしくはＭｇＯ下地層であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。

（５）前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ、もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。

（６）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が（１）乃至（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。

本発明により、良好な（００１）配向を有し、かつ、規則度が高いＬ１_０型のＦｅＰｔ合金、もしくはＣｏＰｔ合金からなる磁性層が得られる。これにより、良好なＳＮＲを示す熱アシスト記録媒体が実現され、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。

本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図 本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図 本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図 本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を表す図 本発明の磁気ヘッドを表す図 本発明の磁気記憶装置の傾視図

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

本願発明の磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体であって、複数の下地層は、ＮｉＯ下地層と、ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むことを特徴とする。図１に本発明の磁気記録媒体の実施形態の一例を示す。本実施形態では、ガラス基板１０１上に、第一の下地層１０２、第二の下地層１０３、ＮｉＯ下地層１０４、磁性層１０５、ＤＬＣ保護膜１０６が順次形成されている。本発明の磁気記録媒体の製造過程においては、後述するように４５０℃以上の基板加熱が必要となるため、基板には軟化温度が５００℃以上、望ましくは６００℃以上の耐熱ガラス基板を用いるのが好ましい。

第一の下地層には、例えば、Ｎｉ−５０ａｔ％Ｔｉ合金、Ｎｉ−５０ａｔ％Ｔａ合金、Ｃｏ−５０ａｔ％Ｔｉ合金、Ｃｏ−５０ａｔ％Ｔａ合金、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金等の非晶質合金を使用できる。ここで、非晶質構造とは、Ｘ線回折測定において明瞭な回折ピークが観察されないこと、もしくは透過電子顕微鏡観察像において明瞭な格子縞が確認できないことと定義する。第一の下地層形成後に基板加熱を行うが、その際、基板温度が十分に高くなるよう、第一の下地層の膜厚は１０ｎｍ以上が望ましい。１０ｎｍを下回ると、基板加熱後、基板温度が急激に低下するため、第二の下地層を高温で形成できなくなるため、好ましくない。

第二の下地層には、Ｂ２構造を有するＮｉ−５０ａｔ％Ａｌ合金、もしくはＲｕ−５０ａｔ％Ａｌ合金を使用できる。第二の下地層は、基板温度を２００℃以上に加熱した後に形成するのが望ましい。これにより、該第二の下地層に（１００）面を基板面と平行にした配向（以後、（１００）配向と記す）をとらせることができる。

第二の下地層には、ＣｒもしくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうちの少なくとも１種類を含有したＢＣＣ構造を有する合金を用いることができる。第一の下地層形成後、２００℃以上の基板加熱を行ったのちに上記第二の下地層を形成することによって、該第二の下地層に（１００）配向をとらせることができる。

（１００）配向した上記第二の下地層上にＮｉＯ下地層を形成することによって、該ＮｉＯ層に（１００）配向をとらせることができる。これは、ＮａＣｌ構造を有するＮｉＯ下地層が、第二の下地層上にエピタキシャル成長するためである。ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための下地層を、以後、配向制御層と記すが、本実施形態では第２の下地層が配向制御層に相当する。

ＮｉＯ下地層はＮｉをＡｒと酸素の混合ガス雰囲気中でＤＣ放電によって形成してもよいし、ＮｉＯ複合ターゲットをＲＦ放電によって形成してもよい。

（１００）配向したＮｉＯ下地層形成後、Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ合金からなる磁性層を形成することにより、該ＦｅＰｔ合金にＬ１_０構造をとらせると同時に、（００１）配向をとらせることができる。但し、ＦｅＰｔ合金層形成前に４５０℃以上の基板加熱を行う必要がある。ＦｅＰｔ合金のＬ１_０規則度を高めるには、該ＦｅＰｔ合金をできる限り高い基板温度で形成することが望ましいが、ガラス基板の耐熱性を考慮すると、６５０℃以下が望ましい。また、ＦｅＰｔにＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等を添加すると、規則化温度を低減できるので、基板温度を低く設定できる。但し、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等の添加量は、１０ａｔ％以下が望ましい。１０ａｔ％以上添加すると、磁気異方性定数が低下し、保磁力が低下するため好ましくない。

磁性層中のＦｅＰｔ合金からなる磁性結晶粒を磁気的に分断するため、磁性層にＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の酸化物や、Ｃを添加しても良い。磁性粒子間の交換結合を十分に低減するには、上記添加物の添加量は２０体積％以上であることが望ましい。

尚、磁性層には、上記Ｌ１_０型ＦｅＰｔ合金の代わりに、Ｌ１_０型ＣｏＰｔ合金を用いてもよい。この場合も、Ｌ１_０型ＦｅＰｔ合金と同様、高いＬ１_０規則構造をとらせると同時に、良好な（００１）配向をとらせることができる。

保護膜には、ＤＬＣ保護膜を用いるのが望ましい。ＤＬＣ保護膜は、ＣＶＤ法、イオンビーム法によって形成できる。膜厚は１ｎｍ以上、６ｎｍ以下が望ましい。１ｎｍを下回ると磁気ヘッドの浮上特性が劣化するため好ましくない。また、６ｎｍを上回ると磁気スペーシングが大きくなり、ＳＮＲが悪化するのでこのましくない。

熱アシスト記録では、記録時に加熱された磁性層の冷却速度が遅いと、磁化遷移幅が広がりＳＮＲが劣化するため、磁性層は速やかに冷却される必要がある。このため、熱伝導率の高い材料からなるヒートシンク層を形成するのが望ましい。ヒートシンク層としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、もしくはこれらの元素を主成分とする合金を用いることができる。

図２に本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示す。第２の実施形態では、ヒートシンク層２０２が形成されている。熱アシスト記録では、記録時に加熱された磁性層の冷却速度が遅いと、磁化遷移幅が広がりＳＮＲが劣化するため、磁性層は速やかに冷却される必要がある。このため、熱伝導率の高い材料からなるヒートシンク層を形成するのが望ましい。ヒートシンク層としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、もしくはこれらの元素を主成分とする合金を用いることができる。ヒートシンク層に用いられる上記合金は、一般的にガラスとの密着性が悪いので、基板とヒートシンク層の間にガラスとの密着性が良好な材料を接着層２０１として形成してもよい。ガラスとの密着性が良好であれば、接着層の材料に制限はない。

図３に本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を示す。本実施形態では、ヒートシンク層２０２の上に軟磁性下地層３０１が形成されている。軟磁性下地層３０１を形成することにより、磁気ヘッドによる記録を容易にできる。軟磁性下地層には、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＴａＺｒ等の非晶質合金、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ等の微結晶合金、ＮｉＦｅ等の多結晶合金を用いることが出来る。軟磁性下地層は、上記合金からなる単層膜でもよいし、適切な膜厚のＲｕ層を挟んで反強磁性結合した積層膜でもよい。本実施形態では、軟磁性下地層は、ヒートシンク層の上側（磁性層側）に形成されているが、下側（基板側）であってもよい。

図４に本発明の磁気記録媒体の第４の実施形態を示す。第二の下地層１０３とＮｉＯ下地層１０４の間に第三の下地層４０１が形成されている。第三の下地層には、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＴｉＣ、ＭｇＯを用いることができる。（１００）配向したＢ２構造、もしくはＢＣＣ構造を有する第二の下地層上に、上記第三の下地層を形成した場合、該第３の下地層は全てエピタキシャル成長により（１００）配向を示す。よって、第三の下地層上に形成されたＮｉＯ下地層も（１００）配向を示す。第三の下地層を設けることによって、ＮｉＯ下地層の（１００）配向性が更に改善されるため、磁性層中のＦｅＰｔ合金の（００１）配向性も改善される。よって、より保磁力の高い磁気記録媒体が得られる。尚、本実施形態では、上記第３の下地層が配向制御層に相当する。

第３の下地層をＮｉＯ下地層の上に形成してもよい。この場合も、第３の下地層は（１００）配向を示すため、該第３の下地層上に、５５０℃以上の基板加熱の後、ＦｅＰｔ合金を主成分とする磁性層を形成することにより、該ＦｅＰｔ合金にＬ１_０構造をとらせると同時に、（００１）配向をとらせることができる。

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の
実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
２．５インチガラス基板上に、第１の下地層として５０ｎｍのＣｏ−５０ａｔ％Ｔｉを形成し、２００℃の基板加熱を行った後、第２の下地層として１２ｎｍのＲｕ−５０ａｔ％Ａｌ（実施例１．１）、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ（実施例１．２）、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｍｎ（実施例１．３）、Ｃｒ−５ａｔ％Ｒｕ（実施例１．４）、Ｃｒ−７ａｔ％Ｔｉ（実施例１．５）、Ｃｒ−３０ａｔ％Ｍｏ（実施例１．６）、Ｃｒ−３０ａｔ％Ｗ（実施例１．７）を形成し、更にその上に５ｎｍのＮｉＯ下地層を形成した。その後、５２０℃の基板加熱を行ったのち、１２ｎｍの（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ−５ａｔ％Ａｇ）−８ｍｏｌ％ＳｉＯ_２−４ｍｏｌ％Ｃｒ_２Ｏ_３の磁性層を形成し、３ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成した。また、比較例として、第２の下地層を形成せず、ＮｉＯ下地層を第１の下地層上に直接形成した媒体を形成した（比較例１）。

本実施例媒体１．１〜１．７のＸ線回折測定を行ったところ、全ての媒体において磁性層からは、Ｌ１_０−ＦｅＰｔＡｇ（００１）ピークと、Ｌ１_０−ＦｅＰｔＡｇ（００２）ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔＡｇ（２００）ピークの混合ピークのみが観察された。これより、磁性層中のＦｅＰｔ合金は、良好な（００１）配向をとっていることがわかる。また、ＲｕＡｌ下地層とＮｉＡｌ下地層を用いた媒体の下地層からは、強いＢ２（１００）ピークと、微弱なＢ２（２００）ピークのみが観察された。また、ＣｒＭｎ、ＣｒＲｕ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ下地層を用いた媒体の下地層からは、ＢＣＣ（２００）ピークのみが観察された。これより、本実施例で用いた第２の下地層はいずれも良好な（１００）配向をとっていることがわる。一方、第１の下地層に用いたＣｏＴｉ合金からは、明瞭な回折ピークが観察されなかった。よって、ＣｏＴｉ下地層は非晶質構造であると考えられる。尚、ＮｉＯ下地層からは明瞭な回折ピークが観察されなかったが、これは膜厚が薄いためであり、磁性層中のＦｅＰｔ合金が良好な（００１）配向を示していることから、ＮｉＯ下地層も良好な（１００）配向をとっていると考えられる。

表１に上記Ｌ１_０−ＦｅＰｔＡｇ（００２）ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔＡｇ（２００）ピークの混合ピーク強度（Ｉ_００２＋Ｉ_２００）に対する、Ｌ１_０−ＦｅＰｔＡｇ（００１）ピーク強度比 Ｉ_００１ ／（Ｉ_００２＋Ｉ_２００）を示す。ピーク強度比はいずれも１．８以上の高い値を示した。一方、比較例媒体では、上記回折ピークに加えて、磁性層からのＦＣＣ−ＦｅＰｔＡｇ（１１１）ピークが観察された。また、ピーク強度比は１．３２と実施例媒体に比べて大幅に低かった。このことは、比較例媒体では、磁性層中のＦｅＰｔＡｇ合金のＬ１_０規則度が低く、（００１）配向性も悪いことを示している。以上より、ＮｉＯ下地層の下に配向制御層として、ＲｕＡｌ、ＮｉＡｌ、ＣｒＭｎ、ＣｒＲｕ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ下地層を形成することにより、ＮｉＯ下地層の（１００）配向が改善され、これによって磁性層中のＦｅＰｔ合金に規則度の高いＬ１_０構造をとらせると同時に、良好な（００１）配向をとらせることができることがわかった。

（実施例２）
２．５インチガラス基板上に、５ｎｍのＮｉ−４０ａｔ％Ｔａ接着層、５０ｎｍのＣｕ−１ａｔ％Ｚｒヒートシンク層、第１の下地層として１０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉを形成し、２００℃の基板加熱を行った後、第２の下地層として１０ｎｍのＲｕ−５０ａｔ％Ａｌ、第３の下地層として２ｎｍのＴｉＮ下地層（実施例２．１）、ＴｉＣ下地層（実施例２．２）、もしくはＭｇＯ下地層（実施例２．３）を形成し、更にその上に、５ｎｍのＮｉＯ下地層を形成した。その後、５４０℃の基板加熱を行ったのち、９ｎｍの（Ｆｅ−４７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｃｕ）−４０ａｔ％Ｃ磁性層を形成し、３ｎｍのＤＬＣ保護膜を形成した。また、比較例として、実施例２．１〜２．３のＮｉＯ下地層を形成せず、第３の下地層上に直接磁性層を形成した媒体を作製した（比較例２．１〜２．３）。

本実施例媒体２．１〜２．３、及び比較例媒体２．１〜２．３にパーフルオルポリエーテル系の潤滑剤を塗布し、図５に示した熱アシスト記録用磁気ヘッドにより記録再生特性を評価した。磁気ヘッドは、主磁極５０１、補助磁極５０２、磁界を発生させるためのコイル５０３、レーザーダイオードＬＤ５０４、ＬＤから発生したレーザー光５０５を近接場発生素子５０６まで伝達するための導波路５０７から構成される記録ヘッド５０８、及びシールド５０９で挟まれた再生素子５１０から構成される再生ヘッド５１１からなる。近接場光素子から発生した近接場光により媒体５１２を加熱し、媒体のダイナミック保磁力をヘッド磁界以下まで低下させて記録できる。

線記録密度１５００ｋＦＣＩでオールワンパターンを記録して、評価したＳＮＲとトラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅を表２に示す。本実施例媒体はいずれも１６ｄＢ以上の高いＳＮＲと、８０ｎｍ以下の狭いトラック幅を示した。一方、比較例媒体のＳＮＲはいずれも１３ｄＢ以下と低く、トラック幅も全て１１０ｎｍ以上であった。以上より、ＮｉＯ下地層を、形成することに媒体ＳＮＲが高く、トラック幅の狭い熱アシスト用磁気記録媒体が得られることがわかった。

（実施例３）
実施例１で示した実施例１．１〜１．７の媒体、及び比較例１の媒体を、図６に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体５１２と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部６０２と、磁気ヘッド６０３と、ヘッドを移動させるための駆動部６０４と、記録再生信号処理系６０５から構成される。尚、磁気ヘッドには、実施例２で示した熱アシスト記録用磁気ヘッドを用いた。

線記録密度１５００ｋＦＣＩ、トラック密度４２０ｋＦＣＩ（面記録密度６３０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２）の条件で記録し、エラーレートを評価したところ、実施例媒体１．１〜１．３を組み込んだ磁気記憶装置は、１×１０^−７以下の低いエラーレートを示した。一方、比較例媒体１を組み込んだ磁気記憶装置のエラーレートは、１×１０^−４台であった。以上より、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を用いた磁気記録媒体を組み込むことにより、エラーレートが低い磁気記憶装置が得られることがわかった。

１０１…ガラス基板
１０２…第１の下地層
１０３…第２の下地層（配向制御層）
１０４…ＮｉＯ下地層
１０５…磁性層
１０６…ＤＬＣ保護膜
２０１…接着層
２０２…ヒートシンク層
３０１…軟磁性下地層
４０１…第３の下地層（配向制御層）
５０１…主磁極
５０２…補助磁極
５０３…コイル
５０４…半導体レーザーダイオード
５０５…レーザー光
５０６…近接場光発生部
５０７…導波路
５０８…記録ヘッド
５０９…シールド
５１０…再生素子
５１１…再生ヘッド
５１２…磁気記録媒体
６０２…媒体駆動部
６０３…磁気ヘッド
６０４…ヘッド駆動部
６０５…記録再生信号処理系

Claims (3)

1. 基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含み、前記配向制御層が、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうちの少なくとも１種類を含有したＢＣＣ構造の合金からなる下地層と、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＴｉＣ、もしくはＭｇＯ下地層とを含み、前記ＢＣＣ構造の合金からなる下地層、前記ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＴｉＣ、もしくはＭｇＯ下地層、前記ＮｉＯ下地層を前記基板側からこの順で含むことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記磁性層が、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ、もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項１または２に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。
   

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