JP2016020848A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路網における不良の検査対象部品を特定する。
【解決手段】回路網５０内における測定点間の被測定量を測定する測定処理を実行する測定部１５と、被測定量と比較データとを比較して各測定点間の検査対象部品を検査する検査部１６と、検査対象部品が良好との良否状態を示す第１良否状態、および不良の検査対象部品が１つ以上存在する場合のその検査対象部品の全組み合わせに対応して各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と各良否状態において測定されるべき被測定量をシミュレーションしたシミュレーション値とを対応付けて作成したシミュレーションデータＤｓを比較データとして記憶する記憶部１３とを備え、検査部１６は、測定された被測定量とシミュレーションデータＤｓとを比較して、被測定量に合致するシミュレーション値に対応する良否状態を特定すると共に特定した良否状態に基づいて検査対象部品を検査する。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路網の検査対象部品を検査する検査装置および検査方法に関するものである。

この種の検査装置として、下記特許文献１において出願人が開示した電子回路検査装置が知られている。この電子回路検査装置は、電子回路（回路網）の共振周波数よりも低い周波数の検査用信号および共振周波数よりも高い周波数の検査用信号を供給して電子回路を流れる交流電流と検査用信号の交流電圧との間の位相差を測定する測定部と、各検査用信号の供給時に測定された各位相差の極性の違いの有無に基づいて電子回路の良否を判別する判別部とを備えている。この場合、判別部は、例えば、各位相差の極性が互いに異なるときに電子回路が良好であると判別する。

特開２００６−２３１３８号公報（第６−７頁、第１図）

ところが、上記の電子回路検査装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この電子回路検査装置では、電子回路の全体としての良否を検査することができるものの、電子回路を構成する各電子部品について個別に検査することができない。このため、電子回路が全体として不良であった場合に、どの電子部品が不良であるかを特定することができないという課題がある。この場合、各電子部品に対して個別に検査用のプローブを接触させて検査を行う方法があるが、基板内に内蔵された内蔵部品や、基板表面に実装されている電子部品のうちの他の電子部品が障害物となって検査用のプローブを接触させることが困難な電子部品については、各電子部品の良否を個別に検査することができないため、どの電子部品が不良であるかを特定することは依然として困難である。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、回路網を構成する各検査対象部品を個別に検査できない場合においても、不良の検査対象部品が存在するときに、その不良の検査対象部品を特定し得る検査装置および検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の検査装置は、複数の検査対象部品を含んで構成される回路網における当該各検査対象部品を検査する検査装置であって、前記回路網内に規定された一対の信号入力点に信号を入力したときの当該回路網内に規定された一対の測定点において検出される電気信号に基づいて当該各測定点間の被測定量を測定する測定処理を実行する測定部と、前記被測定量と予め決められた比較データとを比較して前記各測定点間における前記検査対象部品を検査する検査部と、前記比較データを記憶する記憶部とを備え、前記記憶部は、前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良の検査対象部品のすべての組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態において測定されるべき前記被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて作成したシミュレーションデータを前記比較データとして記憶し、前記検査部は、前記測定された被測定量と前記シミュレーションデータとを比較して、当該被測定量に合致する前記シミュレーション値に対応する前記良否状態を特定する特定処理を実行し、当該特定した良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項２記載の検査装置は、請求項１記載の検査装置において、前記測定部は、測定条件を異ならせて前記測定処理を複数回実行し、前記記憶部は、前記各測定処理における各々の測定条件と同じ測定条件でそれぞれシミュレーションして作成した複数の前記シミュレーションデータを記憶し、前記検査部は、前記測定条件毎に前記特定処理を実行し、当該各特定処理によって特定した複数の良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する。

また、請求項３記載の検査装置は、請求項２記載の検査装置において、前記検査部は、前記特定した複数の良否状態のすべてが一致するときには、当該良否状態を前記検査対象部品の検査結果とし、当該各良否状態が一致しないときには、前記検査対象部品の検査を保留する。

また、請求項４記載の検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の検査装置において、前記測定部は、前記測定処理において、１つの前記回路網を分割した複数の分割回路網内の前記測定点間の被測定量を測定し、前記記憶部は、前記各分割回路網毎に作成した複数の前記シミュレーションデータを記憶し、前記検査部は、前記各分割回路網毎に前記特定処理を実行する。

また、請求項５記載の検査方法は、複数の検査対象部品を含んで構成される回路網内に規定された一対の信号入力点に信号を入力したときの当該回路網内に規定された一対の測定点において検出される電気信号に基づいて当該各測定点間の被測定量を測定する測定処理を実行して、前記被測定量と予め決められた比較データとを比較して前記各測定点間における前記検査対象部品を検査する検査方法であって、前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態および当該検査対象部品の中に不良の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良の検査対象部品のすべての組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と当該各良否状態において測定されるべき前記被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて作成した前記比較データとしてのシミュレーションデータと、前記測定した被測定量とを比較して、当該被測定量に合致する前記シミュレーション値に対応する前記良否状態を特定する特定処理を実行し、当該特定した良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する。

請求項１記載の検査装置、および請求項５記載の検査方法では、検査対象部品の良否状態のすべての組み合わせにそれぞれ対応して各検査対象部品の良否状態を示す第１良否状態および第２良否状態と各良否状態において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を対応付けたシミュレーションデータと、測定した一対の測定点間の被測定量とを比較して、測定した被測定量に合致するシミュレーション値に対応する良否状態を特定する特定処理を実行し、特定した良否状態に基づいて検査対象部品を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、回路網の全体としての良否（すべての検査対象部品が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品が不良である場合において、どの検査対象部品が不良であるかを特定することができる。したがって、この検査装置および検査方法によれば、例えば、各検査対象部品の端子に個別にプローブをプロービングさせること（検査対象部品を個別に検査すること）が困難な場合であっても、不良の検査対象部品を確実に特定することができる。

また、請求項２記載の検査装置では、測定条件を異ならせて測定処理を複数回実行し、各測定条件で作成した複数のシミュレーションデータと各測定処理において測定した被測定量とを用いて測定条件毎に特定処理を実行し、特定した複数の良否状態に基づいて検査対象部品を検査する。このため、この検査装置によれば、１つの測定条件で測定した１回の測定値について特定した１つの良否状態に基づいて検査対象部品を検査する構成と比較して、検査対象部品の良否状態をより正確に特定することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。

また、請求項３記載の検査装置では、互いに異なる測定条件で測定した各被測定量を用いて測定条件毎に実行した各特定処理において特定した複数の良否状態のすべてが一致するときにその良否状態を検査対象部品の検査結果とし、特定した複数の良否状態のすべてが一致しないときには、検査対象部品の検査を保留する。このため、この検査装置によれば、例えば、測定処理が正しく行われていなかったり、シミュレーションデータが不正確であったりすることが、各良否状態が一致しない原因であるときに、検査対象部品の検査を保留する旨を報知することで、原因に対する対応を行うことができる。

また、請求項４記載の検査装置では、測定処理において、１つの回路網を分割した複数の分割回路網内の測定点間の被測定量を測定し、各分割回路網毎に作成した複数のシミュレーションデータを用いて各分割回路網毎に特定処理を実行する。このため、この検査装置によれば、検査対象部品の良否の組み合わせ数、すなわち良否状態の種類数が全体として少なくなる結果、シミュレーションの処理効率、つまりシミュレーションデータの作成効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置によれば、良否状態の種類数が少なくなる分、特定処理の効率が十分に向上して、特定処理の処理時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

検査装置１の構成を示す構成図である。 回路網５０の構成を示す構成図である。 シミュレーションデータＤｓの構成を示す構成図である。 回路網６０の構成を示す構成図である。

以下、検査装置および検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、検査装置１の構成について説明する。図１に示す検査装置１は、検査装置の一例であって、回路網（一例として、図２に示す回路網５０）内の電子部品である検査対象部品５１を検査可能に構成されている。具体的には、検査装置１は、操作部１１、表示部１２、記憶部１３、プロービング機構１４、測定部１５および検査部１６を備えて構成されている。

操作部１１は、操作に応じて測定部１５および検査部１６に対して操作信号を出力する。表示部１２は、検査部１６によって実行される回路網５０を構成する各検査対象部品５１（図２参照）の良否の検査結果（回路網５０についての検査結果）を表示する。

記憶部１３は、検査部１６によって実行される後述する特定処理において用いられる比較データとしてのシミュレーションデータＤｓを記憶する。この場合、シミュレーションデータＤｓは、図３に示すように、回路網５０を構成する検査対象部品５１（図２参照）のすべてが良好との良否状態を示す良否状態Ａ１（第１良否状態）、および検査対象部品５１の中に不良の検査対象部品５１が１つ以上存在する場合における不良の検査対象部品５１のすべての組み合わせにそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す６３種類の良否状態Ａ２〜Ａ６４（第２良否状態）と、各良否状態Ａ１〜Ａ６４（以下、区別しないときには「良否状態Ａ」ともいう）において測定されるべき一対の測定点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）間の被測定量としてのインピーダンスをシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて作成されている。なお、この例では、発明の理解を容易とするため、オープン状態の（断線している）検査対象部品５１を不良の検査対象部品５１としてシミュレーションデータＤｓが作成されているが、検査対象部品５１の不良の態様には他の様々な態様が存在し、それらの各種の不良を考慮して作成したシミュレーションデータＤｓを用いることができる。

また、この検査装置１では、記憶部１３は、測定部１５によって互いに異なる測定条件で実行される複数回の測定処理における各測定条件と同じ測定条件でそれぞれシミュレーションして作成して求めたシミュレーション値を複数のシミュレーションデータＤｓとして記憶する。この場合、この検査装置１では、互いに異なる測定条件の一例として、測定点Ｐ１，Ｐ２（この例では、「信号入力点」としても機能する）に対して供給（入力）する測定用の信号としての交流電流の電流値を互いに異なる２つの電流値に設定して、測定部１５によって２回の測定処理が行われる。したがって、この２つの測定条件（以下、電流値が小さい測定条件を「測定条件１」ともいい、電流値が大きい測定条件を「測定条件２」ともいう）でそれぞれ作成した複数のシミュレーションデータＤｓが記憶部１３に記憶されている（図３参照）。

プロービング機構１４は、測定部１５の制御に従い、回路網５０に対して予め決められている一対の測定点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）に対してプローブ１７をプロービングさせるプロービング処理を実行する。

測定部１５は、プロービング機構１４を制御してプロービング処理を実行させる。また、測定部１５は、プローブ１７を介して回路網５０内の測定点Ｐ１，Ｐ２において入出力する信号（電気信号）に基づき、各測定点Ｐ１，Ｐ２間の被測定量としてのインピーダンスを測定する測定処理を実行する。この場合、この検査装置１では、測定部１５は、上記した測定条件を異ならせて２回の測定処理を実行する。

検査部１６は、測定部１５によって測定された被測定量と予め決められた比較データとしてのシミュレーションデータＤｓとを比較して測定点Ｐ１，Ｐ２間における検査対象部品５１の良否を検査する。具体的には、検査部１６は、測定された被測定量とシミュレーションデータＤｓとを比較して、被測定量に合致するシミュレーション値に対応する良否状態Ａを特定する特定処理を実行し、特定した良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査する。この検査装置１では、検査部１６は、測定部１５によって実行される複数の測定処理における測定条件毎に特定処理を実行し、特定した複数の良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査する。この場合、検査部１６は、特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致するときに、その良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とする。また、検査部１６は、検査対象部品５１の検査結果を表示部１２に表示させる。

次に、検査装置１を用いて回路網５０の各検査対象部品５１を検査する検査方法について、図面を参照して説明する。一例として、図２に示す回路網５０の各検査対象部品５１を検査する検査方法について説明する。この場合、回路網５０は、例えば、検査対象部品５１としての抵抗Ｒ１〜Ｒ５およびコンデンサＣ１を有し、これらの検査対象部品５１が回路基板の表面や回路基板の内部に実装されて構成されている。また、回路網５０の一対の測定点Ｐ１，Ｐ２は、基板上の表面に設けられて、プローブ１７の接触が可能となっている。なお、同図に示す回路網５０は、回路基板の表面や回路基板の内部に実装されている多くの回路網５０（電子回路）のうちの１つ（一部）を示している。

回路網５０の各検査対象部品５１に対する検査を行う際には、まず、図外の保持部に回路網５０（回路基板）を保持させ、次いで、操作部１１を操作して検査の開始を指示する。この際に、測定部１５が、プロービング機構１４を制御して、プロービング処理を実行させる。これに応じて、プロービング機構１４は、プローブ１７，１７を回路網５０内の一対の測定点Ｐ１，Ｐ２にそれぞれプロービングさせる。

続いて、測定部１５は、測定条件１による１回目の測定処理を実行する。１回目の測定処理では、測定部１５は、測定点Ｐ１，Ｐ２に対して、測定用の信号としての交流電流を第１の電流値でプローブ１７を介して供給する。次いで、測定部１５は、プローブ１７を介して入力した信号としての交流電圧を検出する。続いて、測定部１５は、供給している交流電流の第１の電流値と、検出した交流電圧（電気信号）の電圧値と、供給している交流電流および検出した交流電圧の位相差とに基づいて測定点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンス（被測定量）を測定し、測定値を検査部１６に出力する。

次いで、測定部１５は、測定条件２による２回目の測定処理を実行する。２回目の測定処理では、測定部１５は、測定点Ｐ１，Ｐ２に対して、交流電流を第１の電流値よりも大きい第２の電流値でプローブ１７を介して供給し、プローブ１７を介して入力して検出した交流電圧と、供給している交流電流の第２の電流値と、供給している交流電流および検出した交流電圧の位相差とに基づいて測定点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンス（被測定量）を測定して、測定値を検査部１６に出力する。

続いて、検査部１６が特定処理を実行する。この特定処理では、検査部１６は、記憶部１３から測定条件１に対応するシミュレーションデータＤｓ（図３参照）を読み出す。次いで、検査部１６は、測定部１５による１回目の測定処理において測定されたインピーダンスの測定値と、測定条件１に対応するシミュレーションデータＤｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値を特定（検索）する。この場合、同図に示すように、例えば、測定値が「１００ｋΩ」のシミュレーション値に合致するときには、そのシミュレーション値に対応する良否状態Ａ１を特定する。この場合、検査部１６は、測定値が、シミュレーション値を中心値として予め決められた範囲（一例として、シミュレーション値に対して９９％の下限値から１０１％の上限値までの範囲内）のときに、その測定値がそのシミュレーション値に合致すると判別する。

続いて、検査部１６は、記憶部１３から測定条件２に対応するシミュレーションデータＤｓ（図３参照）を読み出す。次いで、検査部１６は、測定部１５による２回目の測定処理において測定されたインピーダンスの測定値と、測定条件２に対応するシミュレーションデータＤｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値を特定（検索）する。この場合、同図に示すように、例えば、測定値が「１０５ｋΩ」のシミュレーション値に合致するときには、そのシミュレーション値に対応する良否状態Ａ１を特定する。

続いて、検査部１６は、特定した２つの良否状態Ａが一致するか否かを判別する。この場合、上記したように、２つの良否状態Ａが一致しているため、検査部１６は、その良否状態Ａ１、すなわち、すべての検査対象部品５１が良好であるとの良否状態Ａを検査結果とする。次いで、検査部１６は、その検査結果を表示部１２に表示させる。以上により、回路網５０の各検査対象部品５１に対する検査が終了する。

続いて、同種類の２つ目の回路網５０における各検査対象部品５１に対する検査を行う際には、上記したように、回路網５０を保持させて、検査の開始を指示する。これに応じて、測定部１５が、プロービング機構１４を制御して、プローブ１７，１７を測定点Ｐ１，Ｐ２にそれぞれプロービングさせた後に、測定条件１による１回目の測定処理、および測定条件２による２回目の測定処理を実行して、測定点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンスの測定値を検査部１６に出力する。

次いで、検査部１６が特定処理を実行する。この場合、図３に示すように、例えば、１回目の測定処理において測定された測定値が「１３０ｋΩ」のシミュレーション値に合致するときには、そのシミュレーション値に対応する良否状態Ａ８を特定する。また、２回目の測定処理において測定された測定値が「１３５ｋΩ」のシミュレーション値に合致するときには、そのシミュレーション値に対応する良否状態Ａ８を特定する。

続いて、検査部１６は、特定した２つの良否状態Ａが一致するか否かを判別し、この例では、２つの良否状態Ａが一致しているため、その良否状態Ａ８、すなわち、検査対象部品５１のうちの、抵抗Ｒ３〜Ｒ５およびコンデンサＣ１が良好で、抵抗Ｒ１，Ｒ２が不良であるとの良否状態Ａを検査結果とする。次いで、検査部１６は、その検査結果を表示部１２に表示させる。以上により、２つ目の回路網５０における各検査対象部品５１に対する良否検査が終了する。以下、同種類の他の回路網５０における各検査対象部品５１を検査するときには、上記した各処理実行させる。

上記したように、この検査装置１では、各検査対象部品５１の良否状態のすべての組み合わせに対応する複数の良否状態Ａと、各良否状態Ａにおいて測定されるべき一対の測定点Ｐ１，Ｐ２間の被測定量のシミュレーション値とを対応付けたシミュレーションデータＤｓが記憶部１３に記憶されている。このため、上記したように、一対の測定点Ｐ１，Ｐ２間について測定した被測定量とシミュレーションデータＤｓとを比較することで、回路網５０の全体としての良否（すべての検査対象部品５１が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品５１が不良である場合において、どの検査対象部品５１が不良であるかを特定することが可能となっている。したがって、この検査装置１では、検査対象部品５１が基板内に内蔵されていたり、他の検査対象部品５１が障害物となっていたりして、各検査対象部品５１の端子に個別に（検査対象部品５１毎に）プローブ１７をプロービングさせること（つまり、検査対象部品５１を個別に検査すること）が困難な場合であっても、不良の検査対象部品５１が存在するときに、その不良の検査対象部品５１を確実に特定することが可能となっている。

一方、検査部１６は、上記のように異なる測定条件で測定した２回の測定値について特定した２つの良否状態Ａが一致しないと判別したときには、検査対象部品５１の検査を保留して、その旨（２つの良否状態Ａが一致しない旨や、検査対象部品５１を検査しない旨）を表示部１２に表示（報知）させる。この場合、２つの良否状態Ａが一致しないときには、測定処理が正しく行われていなかったり、シミュレーションデータＤｓが不正確であったりする可能性がある。このため、このような結果が表示されたときには、測定処理を再実行したり、シミュレーションデータＤｓを作成し直したりする等の対応を行う。このようにして、この検査装置１では、異なる測定条件で測定した２回の測定値について特定した２つの良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査することで、検査精度を向上させることが可能となっている。

このように、この検査装置１および検査方法では、検査対象部品５１の良否状態のすべての組み合わせにそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す良否状態Ａ１〜Ａ６４（第１良否状態および第２良否状態）と各良否状態Ａにおいて測定されるべき被測定量のシミュレーション値を対応付けたシミュレーションデータＤｓと、測定した一対の測定点Ｐ１，Ｐ２間の被測定量とを比較して、測定した被測定量に合致するシミュレーション値に対応する良否状態Ａを特定する特定処理を実行し、特定した良否状態に基づいて検査対象部品５１を検査する。このため、この検査装置１および検査方法によれば、回路網５０の全体としての良否（すべての検査対象部品５１が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品５１が不良である場合において、どの検査対象部品５１が不良であるかを特定することができる。したがって、この検査装置１および検査方法によれば、例えば、各検査対象部品５１の端子に個別にプローブ１７をプロービングさせること（検査対象部品５１を個別に検査すること）が困難な場合であっても、不良の検査対象部品５１を確実に特定することができる。

また、この検査装置１および検査方法では、測定条件を異ならせて測定処理を複数回実行し、各測定条件で作成した複数のシミュレーションデータＤｓと各測定処理において測定した被測定量とを用いて測定条件毎に特定処理を実行し、特定した複数の良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査する。このため、この検査装置１および検査方法によれば、１つの測定条件で測定した１回の測定値について特定した１つの良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査する構成および方法と比較して、検査対象部品５１の良否状態Ａをより正確に特定することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。

また、この検査装置１および検査方法では、互いに異なる測定条件で測定した各被測定量を用いて測定条件毎に実行した各特定処理において特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致するときにその良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とし、特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致しないときには、検査対象部品５１の検査を保留する。このため、この検査装置１および検査方法によれば、例えば、測定処理が正しく行われていなかったり、シミュレーションデータＤｓが不正確であったりすることが、各良否状態Ａが一致しない原因であるときに、検査対象部品５１の検査を保留する旨を報知することで、原因に対する対応を行うことができる。

なお、検査装置および検査方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、次のような構成の検査装置１０１および検査装置１０１を用いる検査方法を採用することができる。なお、以下の説明において、上記した検査装置１と同じ構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。この検査装置１０１では、図４に示すように、複数（例えば、４つ）の分割回路網Ｄ１〜Ｄ４（以下、区別しないときには「分割回路網Ｄ」ともいう）に分割可能で、かつ分割回路網Ｄ毎に一対の測定点（信号入力点および測定点）Ｐ１，Ｐ２を規定可能な回路網６０（つまり、一対の測定点Ｐ１，Ｐ２を１組としたときに複数組の測定点Ｐ１，Ｐ２を回路内に規定可能な回路網６０）を検査対象とする。なお、各分割回路網Ｄは、回路的に分断されている状態（電気的に接続されていない絶縁状態）、および各分割回路網Ｄ同士が電気的に接続されている状態の双方が含まれる。

また、この検査装置１０１では、各分割回路網Ｄ内における検査対象部品５１の各良否状態Ａと各良否状態Ａにおいて測定されるべき測定点Ｐ１，Ｐ２間の被測定量（例えば、インピーダンス）をシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて分割回路網Ｄ毎（測定点Ｐ１，Ｐ２の組毎）に作成した複数（この例では、４つ）のシミュレーションデータＤｓが記憶部１３に記憶されている。

この検査装置１０１では、測定部１５が、分割回路網Ｄ毎（測定点Ｐ１，Ｐ２の組毎）に測定処理を実行する。また、この検査装置１０１では、検査部１６が、測定処理によって測定された被測定量がシミュレーションデータＤｓにおける第１良否状態（分割回路網Ｄ内の検査対象部品５１のすべてが良好であることを示す良否状態Ａ）のシミュレーション値に合致するか否かを分割回路網Ｄ毎（測定点Ｐ１，Ｐ２の組毎）に判別するだけの処理（以下、この処理を「先行処理」ともいう）を、上記した特定処理の実行に先立って実行する。この場合、各分割回路網Ｄ（測定点Ｐ１，Ｐ２の各組）におけるすべての被測定量が第１良否状態のシミュレーション値に合致したときには回路網６０におけるすべての検査対象部品５１が良好であるとの検査をする。一方、各分割回路網Ｄ（測定点Ｐ１，Ｐ２の各組）の１つ以上において、被測定量が第１良否状態のシミュレーション値に合致しないときには、合致しない分割回路網Ｄ（測定点Ｐ１，Ｐ２の組）について上記した特定処理を実行して、不良の検査対象部品５１を特定する。なお、特定処理の実行に先立って先行処理を実行することなく、最初から分割回路網Ｄ毎に特定処理を実行してもよい。

この検査装置１０１および検査装置１０１を用いる検査方法によれば、回路網６０を複数の分割回路網Ｄに分割するため、検査対象部品５１の良否の組み合わせ数、すなわち良否状態Ａの種類数が少なくなる結果、シミュレーションの処理効率、つまりシミュレーションデータＤｓの作成効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置１０１および検査方法によれば、良否状態Ａの種類数が少なくなる分、特定処理の効率が十分に向上して、特定処理の処理時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。

なお、この検査装置１０１および検査装置１０１を用いる検査方法においても、上記した検査装置１および検査装置１を用いる検査方法と同様にして、測定条件を異ならせて測定処理を複数回実行し、各測定条件でそれぞれシミュレーションして分割回路網Ｄ毎（測定点Ｐ１，Ｐ２の組毎）に複数作成したシミュレーションデータＤｓと各測定処理において測定した被測定量とを用いて測定条件毎に特定処理を実行し、特定した複数の良否状態Ａに基づいて検査対象部品５１を検査することもできる。

また、測定用の信号として、交流電流を用いる例について上記したが、測定用の信号は交流電流には限定されず、回路網５０，６０の構成（検査対象部品５１の種類）に応じて、信号を直流電流に変更することができる。

また、互いに異なる２つの測定条件で２回の測定処理を実行し、２つの測定条件でそれぞれシミュレーションして作成した２つのシミュレーションデータを用いて特定処理を測定条件毎に実行する例について上記したが、１つの測定条件で１回の測定処理を実行し、１つの測定条件でシミュレーションして作成した１つのシミュレーションデータを用いて特定処理を１回のみ実行する構成および方法を採用することもできる。また、３つ以上の測定条件で３回以上の測定処理を実行し、各測定条件でそれぞれシミュレーションして作成した３つ以上のシミュレーションデータを用いて特定処理を測定条件毎に実行する構成および方法を採用することもできる。

また、互いに異なる測定条件毎に実行した各特定処理において特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致するときにその良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とし、特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致しないときには、検査対象部品５１の検査を保留する構成および方法について上記したが、これとは異なる構成および方法を採用することもできる。例えば、互いに異なる測定条件で３回以上の各特定処理を実行した場合において、特定した各良否状態Ａの２つ以上が一致したときには、その一致した良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とすることもできる。この場合、２つ以上が一致する良否状態Ａが２組以上存在するときには、一致する数が最も多い良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とすることができる。また、特定した複数の良否状態Ａのすべてが一致しないときには、予め規定された測定処理の優先順位に従い、最も優先順位が高い測定処理において測定した被測定量を用いて特定した良否状態Ａを検査対象部品５１の検査結果とすることもできる。この場合、測定処理の優先順位の規定方法としては、例えば、先に実行した測定処理ほど優先順位を高くしたり、厳しい測定条件（上記の例では、供給する交流電流の電流値が大きい測定条件）で実行する測定処理ほど優先順位を高くしたりする規定方法などを採用することができる。

また、互いに異なる測定条件として、測定点Ｐ１，Ｐ２に供給する交流電流の電流値を互いに異なる電流値とする例について上記したが、測定条件は、これに限定されない。例えば、交流電流の周波数を互いに異なる周波数とする構成および方法を採用することができる。また、測定用の信号としての電圧を供給するときには、その電圧の値を互いに異なる電圧値とする構成および方法を採用することもできる。

また、インピーダンスを被測定量とする構成および方法について上記したが、被測定量には、インピーダンスの他に、電流、電圧、電力および位相などの各種の物理量が含まれる。また、信号入力点と測定点とを共通するポイントとした例について説明したが、一対の信号入力点と一対の測定点とを規定して、一対の信号入力点に測定用の信号を供給すると共に一対の測定点で電気信号を検出し、供給した信号と検出した電気信号とに基づいて被測定量を測定する測定装置および測定方法に本発明を適用することもできる。また、一対の信号入力点の１つと、一対の測定点の１つとを共通にして被測定量を測定する測定装置および測定方法に本発明を適用することもできる。

１ 検査装置
１３ 記憶部
１５ 測定部
１６ 検査部
５０，６０ 回路網
５１ 検査対象部品
Ｐ１，Ｐ２ 測定点
Ａ１〜Ａ６４ 良否状態
Ｄｓ シミュレーションデータ
Ｄ１〜Ｄ４ 分割回路網

Claims (5)

1. 複数の検査対象部品を含んで構成される回路網における当該各検査対象部品を検査する検査装置であって、
   前記回路網内に規定された一対の信号入力点に信号を入力したときの当該回路網内に規定された一対の測定点において検出される電気信号に基づいて当該各測定点間の被測定量を測定する測定処理を実行する測定部と、前記被測定量と予め決められた比較データとを比較して前記各測定点間における前記検査対象部品を検査する検査部と、前記比較データを記憶する記憶部とを備え、
   前記記憶部は、前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良の検査対象部品のすべての組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態において測定されるべき前記被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて作成したシミュレーションデータを前記比較データとして記憶し、
   前記検査部は、前記測定された被測定量と前記シミュレーションデータとを比較して、当該被測定量に合致する前記シミュレーション値に対応する前記良否状態を特定する特定処理を実行し、当該特定した良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する検査装置。
2. 前記測定部は、測定条件を異ならせて前記測定処理を複数回実行し、
   前記記憶部は、前記各測定処理における各々の測定条件と同じ測定条件でそれぞれシミュレーションして作成した複数の前記シミュレーションデータを記憶し、
   前記検査部は、前記測定条件毎に前記特定処理を実行し、当該各特定処理によって特定した複数の良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する請求項１記載の検査装置。
3. 前記検査部は、前記特定した複数の良否状態のすべてが一致するときには、当該良否状態を前記検査対象部品の検査結果とし、当該各良否状態が一致しないときには、前記検査対象部品の検査を保留する請求項２記載の検査装置。
4. 前記測定部は、前記測定処理において、１つの前記回路網を分割した複数の分割回路網内の前記測定点間の被測定量を測定し、
   前記記憶部は、前記各分割回路網毎に作成した複数の前記シミュレーションデータを記憶し、
   前記検査部は、前記各分割回路網毎に前記特定処理を実行する請求項１から３のいずれかに記載の検査装置。
5. 複数の検査対象部品を含んで構成される回路網内に規定された一対の信号入力点に信号を入力したときの当該回路網内に規定された一対の測定点において検出される電気信号に基づいて当該各測定点間の被測定量を測定する測定処理を実行して、前記被測定量と予め決められた比較データとを比較して前記各測定点間における前記検査対象部品を検査する検査方法であって、
   前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態および当該検査対象部品の中に不良の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良の検査対象部品のすべての組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と当該各良否状態において測定されるべき前記被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値とを対応付けて作成した前記比較データとしてのシミュレーションデータと、前記測定した被測定量とを比較して、当該被測定量に合致する前記シミュレーション値に対応する前記良否状態を特定する特定処理を実行し、当該特定した良否状態に基づいて前記検査対象部品を検査する検査方法。

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