JP2016015723A - トランスデューサ、及び測定装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの模式図である。図1において、101は振動膜のメンブレン、102は第1の電極、103は第2の電極、104は支持部、105は間隙(キャビティ)、106は絶縁膜である。また、107及び108は配線、109は接続用電極、200は基板、201は電気機械トランスデューサ(以下CMUTで代表することもある)、202は基板表面上の絶縁層、203はフレキシブルプリント配線基板である。以下において、基板200と絶縁層202を含む構造をチップと称する。また、本明細書では、チップのCMUT201を設けた面を上面、CMUT201を形成していない面を下面とも呼ぶことにする。
第2の実施形態は、基板200の側面の構成が異なる。それ以外は、第1の実施形態と同じである。本実施形態では、基板200の側面に、絶縁層200を配置していることが特徴である。図2は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの断面の模式図である。
第3の実施形態は、基板200を支持する部材を有している点が異なる。それ以外は、第1の実施形態と同じである。本実施形態では、基板200の下面に支持部材を有しており、支持部材と基板200の側面に、絶縁層を配置していることが特徴である。図3は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの断面の模式図である。図3において、204は支持部材、205は接着層、206は絶縁層である。CMUT201が形成された基板200は、支持部材204に接着層205を介して配置されている。フレキ203が配置される側の、支持部材204の側面の位置は、基板200の側面の位置とほぼ一致しており、支持部材の側面と基板200の側面で、ほぼ連続した平面になっている。本実施形態では、この連続した平面上に、絶縁層206を、接着や粘着により配置されている。
第4の実施形態は、基板200の側面の形状が異なる。それ以外は、第2の実施形態と同じである。本実施形態では、基板200のCMUTを形成した側の角が窪みを有しており、窪みの表面が絶縁層で覆われていることが特徴である。図4は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの断面の模式図である。図4において、210は窪み、211は窪み210内の絶縁層である。
第5の実施形態では、第4の実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造方法を説明する。図5−1〜図5−3は、製造方法を説明する断面図の模式図である。図5−1〜図5−3は、半導体ウェハーの一部の断面を表している。
第6の実施形態は、基板200の構成が異なる。それ以外は、第2の実施形態と同じである。本実施形態では、基板200にSOI(Silicon on Insulator)基板を用いており、SOI基板の活性層の側面が絶縁層で覆われていることが特徴である。図6は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの断面の模式図である。図6において、221は活性層、222はBOX(Buried Oxide)層、223はハンドル層である。
第7の実施形態では、第6の実施形態に係る静電容量型トランスデューサの製造方法を説明する。図7−1と図7−2は、製造方法を説明する断面図の模式図である。図7−1と図7−2は、半導体ウェハーの一部の断面を表している。
次に、図8と図9を用いて第8の実施形態を説明する。第8の実施形態は、第1から第7の実施形態の何れかに記載の静電容量型トランスデューサを用いた超音波測定装置に関する。
本発明の静電容量型トランスデューサは、超音波などの弾性波ないし音響波の送受信だけでなく、外力の検出にも用いることができる。第9の実施形態は、第1から第7の実施形態の何れかに記載の静電容量型トランスデューサを用いたセンサ(測定装置)に関する。図10を用いて第9の実施形態を説明する。
第10の実施形態では、チップ200とフレキシブルプリント配線基板203が有する導電箔122間に、別の絶縁材料が配置されている点が異なる。それ以外は、第1から第9の何れかの実施形態と同じである。第1の実施形態を元にした図11を用いて説明するが、それ以外の形態にも同様に用いることが出来る。
Claims (18)
- 基板と、
第1の電極を含む振動膜と、前記第1の電極と間隙を隔てて前記基板に設けられた第2の電極と、を含むセルと、
前記基板の前記セルが配置された面の上に設けられ、前記第1及び第2の電極のうち一方に電気的に接続された接続用電極と、
絶縁フィルムと、前記接続用電極と電気的に接続され前記絶縁フィルムの上に設けられた導体部と、を備えるフレキシブルプリント配線基板と、
を有し、
前記導体部は、前記基板の前記セルが配置された表面側において一部が露出し、
前記基板の表面側の前記フレキシブルプリント配線基板と対向する領域では、前記基板の上に絶縁層が設けられていることを特徴とするトランスデューサ。 - 前記フレキシブルプリント配線基板は、前記基板の表面から前記基板の側面に至る端部に沿って屈曲されて配置されていることを特徴とする請求項1に記載のトランスデューサ。
- 前記導体部は、前記フレキシブルプリント配線基板の屈曲部において前記基板の前記端部に対向する側が露出していることを特徴とする請求項2に記載のトランスデューサ。
- 前記絶縁層は、前記フレキシブルプリント配線基板と対向する前記基板の側面にも設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載のトランスデューサ。
- 前記基板を支持する支持部材を備え、
前記絶縁層は、前記フレキシブルプリント配線基板と対向する領域の前記基板の側面と、前記フレキシブルプリント配線基板と対向する領域の前記支持部材の側面にも設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載のトランスデューサ。 - 前記基板の端部は窪みを有しており、前記窪みの表面に絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項2に記載のトランスデューサ。
- 前記基板は、ハンドル層と活性層とによりBOX層を挟んだ構成を有し、
前記絶縁層は、前記活性層の表面と側面を覆い、
前記セルは、前記活性層の上に前記絶縁層を介して配置されていることを特徴とする請求項2に記載のトランスデューサ。 - 前記活性層の電位と前記第2の電極の電位とを共通にしていることを特徴とする請求項7に記載のトランスデューサ。
- 前記活性層が前記第2の電極の機能を担っていることを特徴とする請求項7に記載のトランスデューサ。
- 前記第2の電極は、前記絶縁層を介して前記基板の上に設けられていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載のトランスデューサ。
- 前記フレキシブルプリント配線基板の前記導体部は、前記側面の少なくとも一部と対向する領域において、露出していることを特徴とする請求項2から10の何れか1項に記載のトランスデューサ。
- 前記フレキシブルプリント配線基板の前記導体部は、前記窪みの表面の少なくとも一部と対向する領域において、露出していることを特徴とする請求項6に記載のトランスデューサ。
- 前記セルと前記フレキシブルプリント配線基板との間に、異方性導電性樹脂、シリコーンゴム、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ブチルゴムの少なくともいずれか一つが設けられていることを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載のトランスデューサ。
- 基板と、
前記基板の上に設けられ、電極を有する素子と、
前記基板の前記素子が配置された面の上に設けられ、前記電極に電気的に接続された接続用電極と、
絶縁フィルムと、前記接続用電極と電気的に接続され前記絶縁フィルムの上に設けられた導体部と、を備えるフレキシブルプリント配線基板と、
を有し、
前記導体部は、前記基板の前記素子が配置された表面側において一部が露出し、
前記基板の表面側の前記フレキシブルプリント配線基板と対向する領域では、前記基板の上に絶縁層が設けられていることを特徴とするトランスデューサ。 - 基板の上に設けられ、電極を有する素子を備えるトランスデューサの製造方法であって、前記基板をなす半導体ウェハーに溝を形成した後、前記溝を含む半導体ウェハーの表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に前記素子を設け、前記溝の所で前記基板をダイシングにより切断することを特徴とする製造方法。
- フレキシブルプリント配線基板の露出した導体部と、前記絶縁層の上の前記電極に電気的に接続された接続用電極と、を電気接続部を介して電気的に接続し、前記フレキシブルプリント配線基板を前記半導体ウェハーの表面に対して垂直になるように折り曲げて配することを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
- 外力を受ける請求項1から14の何れか1項に記載のトランスデューサを有し、
前記トランスデューサからの信号を用いて、前記トランスデューサの表面に印加された外力の大きさを測定することを特徴とする測定装置。 - 測定対象からの弾性波を受信する請求項1から14の何れか1項に記載のトランスデューサと、
少なくとも前記トランスデューサからの受信信号を用いて測定対象の画像情報を生成する画像情報生成装置と、
を有することを特徴とする測定装置。
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