JP2019209169A - 静電容量型トランスデューサ、及び被検体情報取得装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 送受信特性が優れた静電容量型トランスデューサ、それを用いた被検体情報取得装置などを提供することである。【解決手段】 静電容量型トランスデューサは、第１の電極１０２と、第１の電極１０２に対して間隔１０５を隔てて設けられた第２の電極１０３を含む振動膜１０１と、を備えたセル１０を１以上有する。セル１０上に、シリコーンゴム層４０２を介して、静電シールド５００が備えられている。【選択図】 図１

Description

本発明は、超音波などの音響波の送受信（本明細書で送受信と言う場合、送信と受信のうちの少なくとも一方を意味する）を行う静電容量型電気機械変換装置ないしトランスデューサ、それを用いた被検体情報取得装置に関する。以下、音響波は音波、超音波、光音響波などを含む用語として用いるが、超音波で代表することもある。

超音波の送受信を行うトランスデューサとして、静電容量型のＣＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が提案されている（非特許文献１参照）。ＣＭＵＴは、半導体プロセスを応用したＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）プロセスを用いて作製されるものである。図１３にＣＭＵＴ（送受信素子）の一例の断面の模式図を示す。ここで、振動膜１０１と、間隔（キャビティ）１０５を挟んで対向した第１の電極１０２及び第２の電極１０３とを、１組としてセルと呼ぶ。振動膜１０１は、チップ１００上に形成された支持部１０４により支持されている。第２の電極１０３には、直流電圧発生手段２０２が接続されている。第２の電極１０３は、第２の配線３０２を介して、直流電圧発生手段２０２により所定の直流電圧Ｖａが印加されている。もう一方の第１の電極１０２は、第１の配線３０１を介して、送受信回路２０１に接続され、ＧＮＤ（グランド）電位付近の固定電位となっている。これにより、第１の電極１０２と第２の電極１０３との間にＶｂｉａｓ＝Ｖａ−０Ｖの電位差を発生させている。Ｖａの値を調整することで、Ｖｂｉａｓの値が、ＣＭＵＴのセルが持つ機械特性により決まる所望の電位差（数十Ｖから数百Ｖ程度）と一致するようになっている。

送受信回路２０１により、第１の電極１０２に交流の駆動電圧を印加することで、第１及び第２の電極間に交流の静電引力が発生し、振動膜１０１を或る周波数で振動させて超音波を送信できる。また、振動膜１０１が超音波を受けて振動することにより、第１の電極１０２に静電誘導により微小電流が発生し、送受信回路２０１により、その電流値を測定することで、受信信号を取り出せる。ＣＭＵＴの電極間に電位差があることで、電極間に静電引力を発生させて、電極間の距離を狭くしている。電極間の電界強度が強くなると、同じ駆動電圧を印加した時の送信音圧（送信効率）を大きくでき、同じ超音波を受信した時の出力信号（受信感度）を大きくできる。

Ａ．Ｓ． Ｅｒｇｕｎ， Ｙ． Ｈｕａｎｇ， Ｘ． Ｚｈｕａｎｇ， Ｏ． Ｏｒａｌｋａｎ， Ｇ．Ｇ． Ｙａｒａｈｏｇｌｕ，ａｎｄ Ｂ．Ｔ． Ｋｈｕｒｉ−Ｙａｋｕｂ， "Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ： ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，" Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ， Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ ａｎｄ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｃｏｎｔｒｏｌ， ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ， ｖｏｌ． ５２， ｎｏ． １２， ｐｐ． ２２４２− ２２５８， Ｄｅｃ． ２００５．

静電容量型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）を生体などの被検体（帯電した被検体など）に接触させて使用する際に、送受信特性を改善する必要があることがある。本発明は、送受信特性が優れた静電容量型トランスデューサ、それを用いた被検体情報取得装置などを提供することを目的とする。

本発明の静電容量型トランスデューサは、第１の電極と、前記第１の電極に対して間隔を隔てて設けられた第２の電極を含む振動膜と、を備えたセルを有し、前記セル上に、シリコーンゴム層を介して、静電シールドを備えていることを特徴とする。

本発明によれば、静電シールドを設けることで送受信特性が優れた静電容量型トランスデューサなどを提供することができる。

第１の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第１の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する上面図。 第２の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第３の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第３の実施形態の他の例を説明する図。 第３の実施形態の更なる他の例を説明する図。 第４の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第５の実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第５の実施形態の静電シールドを説明する上面図。 第５の実施形態の静電シールドの配置を説明する上面図。 第５の実施形態の静電シールドの他の配置を説明する上面図。 第５の実施形態の他の例を説明する上面図。 第６の実施形態の静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第６の実施形態の静電シールドの例を説明する上面図。 第６の実施形態の静電シールドの他の例を説明する上面図。 第７の実施形態の静電容量型トランスデューサを説明する断面図。 第８の実施形態に係る被検体情報取得装置を説明する図。 第９の実施形態に係る被検体情報取得装置を説明する図。 従来の静電容量型超音波トランスデューサを説明する断面図。

本発明では、上記課題に対処するために、被検体に対するトランスデューサ表面と、チップないし基板上に配置した静電容量型のセルとの間に、或る所定の電位に固定された金属層などの静電シールドが配置される。静電シールドとしては、金属層が典型例である。静電シールドは導電性があればよいので、必ずしも金属に限定される必要はないが、実際の使用時には、超音波の透過特性に好ましくない影響を与えないように薄い方が望ましいため、金属を用いることが好ましい。以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

以下、本発明の実施形態について説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる静電容量型トランスデューサの断面の模式図である。図１（ａ）において、１００はチップないし基板、１０１は振動膜、１０２は第１の電極、１０３は第２の電極、１０４は支持部、１０５は空隙ないし間隔（キャビティ）、１０６はチップ１００上の絶縁膜である。また、１０７は、第１の電極１０２に繋がる配線、１０８は、第２の電極１０３に繋がる配線、１０９は、配線１０７に繋がる外部接続用電極、１１０は、配線１０８に繋がる外部接続用電極である。さらに、１２０はフレキシブル配線、１２１は外部接続用電極、１２２は導電層、１２３は絶縁フィルム、１２４は他の絶縁フィルム、１３１はワイヤー、１４０は支持部材、４０１は音響レンズ、４０２はシリコーンゴム層、５００は静電シールドである。音響レンズ４０１は、シリコーンゴム層４０２を介して、静電シールド５００に接着されている。本実施形態では、静電シールドは、少なくともセルに対向する位置には配置されている。また、静電シールドは、開口部を有さず一様に伸展した静電シールド層を含み、単一の静電シールド層から構成されている。

支持部材１４０上に、チップ１００とフレキシブル配線１２０が配置されている。チップ１００上には、本実施形態では、静電容量型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴなど）が配置されており、フレキシブル配線１２０を介して、外部の直流電圧発生手段２０２や送受信回路２０１（図１（ｂ）参照）と接続されている。振動膜１０１は、支持部１０４によりチップ１００上に支持されており、超音波を受けて振動する構成となっている。振動膜１０１上には第１の電極１０２が配置されており、第１の電極１０２に対向するチップ１００上の位置には第２の電極１０３が配置されている。振動膜１０１と空隙１０５を挟んで対向した第１の電極１０２と第２の電極１０３を１組として、セルが構成される。

図１（ｂ）に示すように、第１の電極１０２は、第１の配線３０１を介してチップ１００外部に引き出され、送受信回路２０１に接続され、第２の電極１０３は、第２の配線３０２を介してチップ１００外部に引き出され、直流電圧発生手段２０２に接続される。直流電圧発生手段２０２により、第１の電極１０２と第２の電極１０３間には、数十ボルトから数百ボルトの電位差が発生している。振動膜１０１と第１の電極１０２が振動することにより、第１の電極１０２と第２の電極１０３間の距離が変化して、電極間の静電容量が変化する。電極間には電位差があるため、容量変化に対応して、微小な電流が発生する。微小電流は、第１の電極１０２に接続された送受信回路２０１で電流から電圧に変換されて出力される。送信は、第１の電極１０２に交流の駆動電圧を印加することで、第１及び第２の電極間に交流の静電引力が発生し、振動膜１０１を振動させて行われる。

チップ１００上には、複数のセルが配置されており、本実施形態では、チップ１００上の第２の電極１０３は互いに電気的に接続されて、チップ１００上では同じ電位となっている。一方、チップ１００上の第１の電極１０２は、複数のグループ毎に電気的に接続されており、グループ毎に異なる送受信回路２０１に電気的に接続されている。このグループのことを、送受信を行う際の素子（エレメント２０）と呼ぶ（例えば図２のエレメント２０を参照）。典型的には、トランスデューサは、セルを夫々１以上含む素子を複数備える。セルの大きさ（径）は、数百マイクロメータから数ミリメータで、素子（エレメント２０）の数は、百から数千ほどである。チップ上のＣＭＵＴは、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて容易に形成することができる。チップ１００は、シリコンやガラスなどを用いることができる。また、本実施形態では、第１の電極１０２を送受信回路２０１に接続しており、第１の電極１０２が互いに接続している素子（エレメント２０）毎に、第１の電極１０２を電気的に分離する必要がある。しかし、最も上側の電極層のパターンを変更するだけで第１の電極やその配線を形成できるため、より簡易な方法で製造することができる。

図２に、本実施形態の静電容量型トランスデューサが有する電極の形状を説明する模式図を示す。被検体８００（図１１、図１２を参照）側から見た上面図である図２は、チップ１００表面に形成された第１の電極１０２と、第２の電極１０３と、セル１０の外形、素子２０の外形を記載している。チップ１００上の第２の電極１０３は、直流電圧発生手段２０２に接続されており、一面に配置されている。

送受信回路２０１に接続された第１の電極１０２に寄生するコンデンサが大きいと、受信時のノイズが増大してしまうため、第１の電極１０２の面積は小さいほうが望ましい。一方、振動膜１０１が振動する際には、セル（振動膜１０１）の中央部分が最も変形するため、第１の電極１０２を中央部のみに配置するだけでも、送信効率や受信感度の低下を最小限に抑えることができる。そのため、第１の電極１０２は、セル１０の外形に対して、セルの中央部に殆どの面積が配置されており、セルの周辺部は、第１の電極間の接続のために最小限必要な幅になっている。

支持部材１４０上にチップ１００と並べて配置されているフレキシブル配線１２０は、薄い導電層１２２を、２つの絶縁層１２３、１２４で挟んだ構成となっている。チップ１００側の端部では、導電層１２２は接続用電極１２１として露出している。図１（ａ）に示すように、チップ１００上の接続用電極１０９、１１０と、フレキシブル配線１２０上の接続用電極１２１とは、ワイヤー１３１により電気的に接続されている。フレキシブル配線１２０は、絶縁層はポリイミドで、導電層は銅や金などの金属で構成され、全体の厚さは数十マイクロメータから百マイクロメータである。

本実施形態では、支持部材１４０上に配置したチップ１００とフレキシブル配線１２０の上には、シリコーンゴム層４０２を介して、音響レンズ４０１が配置されており、シリコーンゴム層４０２の内部に、１枚の静電シールド５００が配置されている。シリコーンゴム層は、主に、音響レンズ４０１とチップ１００の接着目的で使用している。一般的な接着剤であると、シリコーンゴム層が接する他の部分と音響インピーダンスが異なるので、界面で反射などが起こったり、硬い接着剤により振動膜の振動特性が影響を受けてしまうことになる。そのため、シリコーンゴム層で接着を行うことが、必須ないし好適である。付随的には、シリコーンゴム層は、トランスデューサの表面の保護や絶縁の確保などの役割も担うこともある。

本実施形態の静電シールド５００は、薄膜の金属層で構成されており、送受信回路２０１が持つ基準電位Ｖｒｅｆと同じ電位に固定されており、且つ超音波を劣化させることなく透過できる特性を有している。静電シールド５００は、材料としてアルミ、銅、ニッケル、金などを用いることができ、静電シールド５００の厚さは、使用する超音波の波長に対して十分小さければ用いることができる。材料と厚さは、超音波の透過性と、十分低い電気的抵抗が得られるように設定すればよく、特に厚さ数マイクロメータ以下のものを用いることが望ましい。他方、シリコーンゴム層４０２は、前述した様に、トランスデューサの持つ振動膜１０１の送受信特性に影響を与えず、且つ音響レンズ４０１とチップ１００を接続することができるものが好ましい。また、被検体としての生体や音響レンズ４０１が有する音響インピーダンスと整合性が取れた材料を選択でき、音響レンズ４０１とシリコーンゴム層４０２の界面での超音波の反射を最小限に抑制することができるものが望ましい。

トランスデューサを被検体の情報取得装置と接続して用いる際には、音響レンズ４０１表面の近傍に、生体などの被検体が配置された状態で使用されることがある。音響レンズ４０１と被検体との間には、通常、気泡などが入って超音波の透過特性が劣化しないように、ゲル（超音波ゲル）が充填される。被検体の表面は、帯電しており、表面状態によっては非常に大きく帯電していることがあり、トランスデューサの送受信特性に大きく影響を与えてしまう。この様に静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ等）を生体などの被検体に接触させて使用する際に、被検体表面に存在する電荷によりトランスデューサの送受信特性が影響を受け、送受信特性が劣化するという課題があることを、本発明者は新たに見出した。静電シールドを備えていない従来の構成では、表面に電荷を有した被検体がトランスデューサ近傍に近づいた際に、被検体と第１の電極１０２との間に静電的な結合が発生してしまい、第１の電極１０２に電荷が誘導され、受信時にノイズとなってしまうことがある。同時に、第１の電極１０２と第２の電極１０３間での電気力線が変化してしまい、第１の電極１０２と第２の電極１０３に掛かっている電界の強度が変化してしまうことがある。それにより、 送信時の出力音圧についての送信効率や、受信時の音圧についての受信感度が変化してしまう。被検体からのこうした影響は、被検体と第１の電極１０２間の距離が短いと、より起こりやすくなる。

それに対して、本実施形態を含む本発明では、静電シールド５００を備えている。従って、表面に電荷を有した被検体がトランスデューサ近傍に近づいても、被検体８００により誘導される電荷は静電シールド５００に発生し、チップ１００上の第１の電極１０２上には電荷は殆ど発生しない。また、本実施形態の第１の電極１０２は、電位が固定された第２の電極１０３と静電シールド５００で囲まれているので、その外側の被検体８００により第１の電極１０２と第２の電極１０３間の電気力線の形状が変化することが殆どない。そのため、本実施形態を含む本発明では、被検体により、送信時の出力音圧についての送信効率の変化や、受信時の音圧についての受信感度の変化は殆ど起きない。以上により、本実施形態によれば、送受信特性が、トランスデューサ表面の被検体が有する電荷の影響を受けにくいので、送受信特性が優れた静電容量型トランスデューサを提供することができる。

また、本実施形態では、第２の電極１０３に、直流の高電圧が印加されており、送受信回路２０１の基準電位付近に通常は固定された第１の電極１０２に覆われている。そのため、直流の高電圧が印加される電極が、より被検体から離れた位置に配置されるので、被検体との絶縁性をより高めることができ、より安全性が高いトランスデューサを提供することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態は、静電容量型トランスデューサの電極構成が異なる。それ以外は、第１の実施形態と同じである。図３は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する模式的な断面図である。本実施形態では、図３で示したように、第１の電極１０２に直流電圧発生手段２０２が、チップ１００上の第２の電極１０３に送受信回路２０１がそれぞれ接続されていることが特徴である。

ここで、静電シールド５００がない場合の第１の電極１０２と第２の電極１０３間での電気力線を考える。第１の実施形態で説明したように、第１の電極１０２は、電極がパターンを有しており、第２の電極１０３に比べて表面積が小さくなっている（図２参照）。そのため、第１の電極１０２と第２の電極１０３間の電気力線は、第２の電極１０３に向かって広がる形状となっている。従って、第１の電極１０２上に、電荷を帯びた被検体があると、電気力線の形状が影響を受け、変形することになり易い。このように電気力線の形状が変化すると、送信時の出力音圧についての送信効率や、受信時の音圧についての受信感度が、変化してしまう。よって、被検体の表面状態により、ＣＭＵＴなどの静電容量型トランスデューサの送受信特性が変化してしまい、トランスデューサとしての性能の劣化に繋がる。この被検体からの影響は、送受信回路２０１に接続された第２の電極１０３と被検体との間の距離が狭いと、より起こりやすくなる。

しかし、本実施形態では、被検体との間に、静電シールド５００を備えているので、第１の電極１０２と第２の電極１０３間の電気力線は、被検体の表面状態の影響を受けにくく、送受信特性の変化も抑制される。さらに、送受信回路２０１に接続された第２の電極１０３が被検体から比較的離れているので、被検体からの影響を受けにくくなっている。

（第３の実施形態）
第３の実施形態は、トランスデューサの表面に配置された部材が上記実施形態と異なる。それ以外は、第１または第２の実施形態と同じである。図４は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する模式的な断面図である。

本実施形態は、音響レンズ４０１がない構成である。音響レンズ４０１がない構成のトランスデューサは、電子フォーカスを行う送受信トランスデューサや、光音響効果により発生した超音波（光音響波）を受信する光音響用トランスデューサとして、好適に用いることができる。

本構成では、通常数百マイクロメータから数ミリメータ程度の厚さがある音響レンズ４０１がなく、数十マイクロメータから百マイクロメータ程度の厚さのシリコーンゴム層４０２を介して、トランスデューサ表面で被検体８００に接触することになる。そのため、音響レンズ４０１がある場合に比べて、被検体８００とトランスデューサの電極間の距離が大幅に狭くなり、被検体８００の表面からの影響を大幅に大きく受けやすくなる。しかし、本実施形態でも、被検体８００とトランスデューサの電極との間に、静電シールド５００を備えているため、被検体８００とトランスデューサの電極間の距離が大幅に狭い構成においても、送受信特性の劣化が起こりにくい。従って、本実施形態の如く音響レンズ４０１がない構成のトランスデューサについても、送受信特性が被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを提供することができる。

本実施形態の別の形態を、図５と図６を用いて説明する。図５に、チップ１００上の電極を外部の直流電圧発生手段２０２及び送受信回路２０１へと接続するフレキシブル配線１２０とチップ１００との接続形態が上記形態とは異なる静電容量型トランスデューサを示す。図５では、チップ１００上の外部接続用電極１０９、１１０に対向して、フレキシブル配線１２０を配置して、電気的接続を行っていることが異なる。すなわち、ここでは、チップにおけるセルを備えた面に対向して、該面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられている。チップ１００上の電極１０９、１１０と、フレキシブル配線１２０の接続用電極１２１とは、異方性導電樹脂（ＡＣＦ）などを用いることで容易に接続できる。図５に示した接続方法を取ることにより、図４で示すようにワイヤー１３１を用いる構成に比べて、チップ１００表面の突部の高さを低くすることができる。そのため、チップ１００上のシリコーンゴム層４０２を薄くすることができる。シリコーンゴム層４０２では、超音波の減衰が発生するため、厚さはできるだけ薄いほうが優れた送受信特性を得ることができる。一方、シリコーンゴム層４０２の厚さが薄くなると、送受信特性が被検体の表面状態の影響を受けやすくなるが、静電シールド５００を備える本実施形態の構成を用いることで、被検体からの影響を受けにくくすることができるので、優れた送受信特性を維持できる。

以上のように、図５に示した別の形態によれば、音響レンズ４０１がない構成のトランスデューサについても、優れた送受信特性を持ち、被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを実現することができる。

図６に、チップ１００上の電極を外部の直流電圧発生手段２０２及び送受信回路２０１と接続するフレキシブル配線１２０とチップ１００との接続形態が更に異なる静電容量型トランスデューサを示す。図６の構成は、フレキシブル配線１２０と電気的に接続するチップ上の外部接続用電極１０９、１１０を、セルを形成したチップ１００の面とは逆の面（裏面）に配置していることが、図５の構成とは異なる。すなわち、ここでは、チップにおけるセルを備えた面と逆側の面に対向して、該逆側の面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられている。図６の構成では、チップ２００の裏面でフレキシブル配線１２０と電気的に接続するために、チップ１００が貫通配線１１１を備えている。図６に示した接続方法を取ることにより、チップ１００表面の突部をなくすことができる。そのため、チップ１００上のシリコーンゴム層４０２を、最も優れた送受信特性を得ることができる厚さまで薄くすることが可能になる。図６に示した別の形態によれば、音響レンズ４０１がない構成のトランスデューサについても、特に優れた送受信特性を持ち、被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを提供することができる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態は、静電シールドを配置している領域が上記実施形態とは異なる。それ以外は、第１から第３の実施形態の何れかと同じである。図７は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する模式的な断面図である。

本実施形態では、静電シールド５０１が、チップ１００上の第１の電極１０２と第２の電極１０３が配置された領域と対向する領域に配置されていることが特徴である。本実施形態では、静電シールド５０１を、セルが配置された領域に対向した領域に限定して配置することで、全面に配置した構成に比べて、構成を簡素化することができる。また、チップ１００上にセルを配置して、静電シールド５０１を配置した後、フレキシブル配線１２０と電気的に接続する順で形成することができるので、製造方法の制約が少なく、より容易な製造方法でトランスデューサを作製することができる。

（第５の実施形態）
第５の実施形態は、静電シールド５０２の形状が上記実施形態と異なる。それ以外は、第１から第４の実施形の何れかと同じである。図８は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する図である。図８−１は断面の模式図であり、図８−２は静電シールドを上面からみた模式図である。

本実施形態の静電シールド５０２は、図８−２に示すように、複数の開口部５０３を周期的に２次元配置していることが特徴である。すなわち、静電シールドは、セルの上方から見て複数の開口部を有する。被検体８００の表面積に対して開口部５０３の大きさは十分小さいため、静電シールド５０２が複数の開口部５０３を有していてもシールド効果は殆ど低下しない。開口部５０３の大きさや配置周期は、被検体からチップ１００上の電極を介して送受信特性に影響を与えない範囲であれば、任意の値に設定して用いることができる。図８−１の構成では、複数の開口部５０３と複数のセルとのそれぞれの対向関係は不規則になっているが、こうした配置には限らない。

静電シールド５０２と、チップ１００上の電極１０２（または１０３）間には、小さいが寄生コンデンサが発生する。この寄生コンデンサの大きさは、静電シールド５０２とチップ１００上の電極１０２（または１０３）の距離が狭くなると、より大きくなる。そして、送受信回路２０１に接続された電極での寄生コンデンサは、受信感度の低下や、受信時の出力ノイズの増加を発生させてしまう。こうした事態に対して、開口部５０３を備えた本実施形態の静電シールド５０２では、静電シールド５０２の表面積を、開口部５０３の総領域面積の増加に対応して小さくできる。そのため、静電シールドの効果はそのままで、静電シールド５０２とチップ１００上の電極１０２（または１０３）の間に発生する寄生コンデンサの大きさを抑制することができる。特に、発生する受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への影響が問題になる場合には、本実施形態の静電シールドを用いることで、受信特性への影響を少なくすることができる。

以上のように、本実施形態によれば、受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への好ましくない影響が少なく、且つ被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを実現することができる。

図８−３を用いて、本実施形態の別の形態を説明する。図８−３は、チップ１００の上面（セルを配置した側の面）から見た模式図である。図８−３では、振動膜１０１上の第１の電極１０２と、チップ１００上の第２の電極１０３と、セル１０の外形の関係のみを記載している。図８−３の構成では、静電シールド５０２の有する開口部５０３が、セル１０の中心部に対応した位置に配置されていることが特徴である。すなわち、静電シールドの複数の開口部は、セルに対向する位置に、規則的に配置されている。図８−３の構成では、第１の電極１０２が送受信回路２０１に接続されている第１の実施形態と同じ構成となっている。第１の電極１０２の面積は、セルの中心部付近で最も大きいので、静電シールド５０２が有する開口部５０３をセルの中心部に対向する位置に配置することで、第１の電極１０２と静電シールド５０２間の寄生コンデンサの大きさをより小さくできる。

図８−３に示した形態では、受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への好ましくない影響がより少なく、且つ被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを実現することができる。

図８−４を用いて、本実施形態の他の別の形態を説明する。図８−４は、チップ１００上面（セルを配置した側の面）から見た模式図である。図８−４でも、第１の電極１０２と、第２の電極１０３と、セル１０の外形の関係のみを記載している。図８−４の構成は、静電シールド５０２の有する開口部５０３が、セルの中心部に対応した位置から出来るだけずらされていることが特徴である。すなわち、静電シールドの複数の開口部は、セルからずれた領域に対向する位置に配置されている。図８−４では、第２の電極１０３が、送受信回路２０１に接続されている第２の実施形態（図３参照）と同じ構成となっている。セルの中心部付近の第２の電極１０３は、パターンを有した第１の電極１０２により覆われている。一方、セルの中心部から離れた領域の第２の電極１０３は、殆ど第１の電極１０２では覆われていない。そのため、静電シールド５０２の開口部５０３がセルの中心部に対向する位置から出来るだけずらされていることで、送受信回路２０１に接続された第２の電極１０３と静電シールド５０２間の寄生コンデンサの大きさをより小さくできる。他方、開口部５０３の位置により静電シールド５０２の効果はほぼ変わらない構成となっているので、被検体の表面状態の影響を殆ど受けない。

また、図８−５で示すように、第２の電極１０３も、静電シールド５０２が有する開口部５０３と対向する領域には電極部を持たないようなパターン構成とすることもできる。こうすると、寄生コンデンサの発生を更に抑制できる。そのため、より優れた受信特性を有する静電容量型トランスデューサとすることができる。図８−４や図８−５に示した静電容量型トランスデューサでは、受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への好ましくない影響がより少なく、且つ被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを実現することができる。

（第６の実施形態）
第６の実施形態は、静電シールド５０２の形態が上記実施形態と異なる。それ以外は、第１から第５の実施形態の何れかと同じである。図９は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する図である。本実施形態では、静電シールド５００が複数の静電シールド層により構成されていることが特徴である。複数の層は同電位に固定されている。

本実施形態では、模式的断面図である図９−１で示すように、２つの静電シールド層５０４、５０４を用いており、それぞれが配置される高さが異なる。上面図である図９−２に、第１の静電シールド層５０４と、第２の静電シールド層５０５を説明する図を示す。第１の静電シールド層５０４は、紙面に対して縦縞になるように電極層が配置されている。一方、第２の静電シールド層５０５は、紙面に対して少しずれた縦縞になるように電極層が配置されている。第１の静電シールド層５０４と第２の静電シールド層５０５を上方向から見て重ねると一面隙間が無くなる。

本実施形態では、静電シールドを複数の層に分けることで、静電シールドを１層で構成する場合に比べて、チップ１００上の電極１０２（または１０３）と静電シールド間の実効距離を広げることができる。そのため、電極１０２（または１０３）と静電シールド間に発生する寄生コンデンサの大きさをより小さくできる。

本実施形態によると、受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への好ましくない影響がより少なく、且つ被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを提供することができる。

図９−３を用いて、本実施形態の別の形態を説明する。第１の静電シールド層５０４は、縦縞になるように電極層を有しており、図９−２と同じである。第２の静電シールド層５０５は、横縞になるように電極層を有している。図９−２の形態と異なる点は、第１の静電シールド層５０４と第２の静電シールド層５０５を重ねると、周期的に開口部が形成されることである。こうした開口部の配置は、縦縞及び横縞のパターンと、シールド層の重ね合わせ方とを適宜に設計することにより、種々なものにできる。

図９−３の構成を用いることで、チップ１００上の電極１０２（または１０３）と静電シールド間の実効距離を広げ、且つ開口部があることにより寄生コンデンサの大きさを大幅に低減することができる。本形態によると、受信感度の低下や出力ノイズの増加などの受信特性への好ましくない影響が更に少なく、且つ被検体の表面状態の影響を受けにくい静電容量型トランスデューサを提供することができる。

尚、上記した本実施形態では、静電シールドが２つの層により構成されていたが、本実施形態はこうした構成に限らず、３枚以上のシールド層を用いた構成にすることもできる。更には、これらの層を、パターンを持たない層（つまり、開口する部分を持たない形態の静電シールド層）にすることもできる。こうした形態の静電シールドのメリットとしては、厚いシールド層を形成する際に起こり得る応力などの問題を回避できること、薄くて少し抵抗の高いシールド層を複数枚配置して、全体として静電シールドの抵抗値を抑えられることがある。

（第７の実施形態）
第７の実施形態は、静電シールドを支持している層を有していることが上記実施形態と異なる。それ以外は、第１から第６の実施形態の何れかと同じである。図１０は、本実施形態に係る静電容量型トランスデューサを説明する模式的な断面図である。

本実施形態では、静電シールドを備えた絶縁フィルムを用いていることが特徴である。すなわち、静電シールド層は、絶縁フィルム上に配置されている。絶縁フィルム４０３は、薄膜の絶縁フィルムにより構成することができ、材質はＰＥＴ、ＰＩ、ＰＥ、ＴＰＸなど薄膜に形成できるものであれば用いることができる。絶縁フィルム４０３の厚さは、使用する超音波の波長に対して十分薄いものであれば用いることができ、数マイクロメータから十数マイクロメータであることがより望ましい。

図１０（ａ）は、第１の実施形態（図１参照）に本実施形態を適用した構成の模式図である。また、図１０（ｂ）は、第３の実施形態（図４参照）に本実施形態を適用した構成の模式図である。本実施形態は、これらの構成に限らず、その他すべての実施形態の構成に同様に適用することができる。

本実施形態では、平坦性の高い絶縁フィルム４０３上に静電シールド層を形成して使用するので、静電シールド層の厚さをより薄くしても、均一で良好な膜を得ることができるため、静電シールドが有する抵抗値を十分に抑制できる。従って、静電シールド層の厚さを薄くできるので、静電シールドによる超音波の透過特性を極めて小さくすることができる。

また、第５または第６の実施形態に用いた場合には、静電シールド層がパターンを有しているので、絶縁フィルム上に静電シールド層を形成することで、より形状が所望のものに近い静電シールドを得ることができる。また、静電シールドを所定の領域に限定して配置した第４の実施形態に用いた場合には、絶縁フィルム４０３とチップ１００との位置合わせを容易に行うことができるので、より製造方法を簡易なものにできる。また、第６の実施形態に用いた場合は、絶縁フィルム４０３とチップ１００との位置合わせを容易且つ正確に行い得るので、静電シールドの開口部とチップ１００上のセルとの位置合わせを、容易且つ高精度に行うことができる。よって、寄生コンデンサの低減をより効果的に行い得る。さらに、第６の実施形態に用いた場合は、複数の静電シールド層のパターンの位置合わせを高精度に行えるので、寄生コンデンサの低減をより効果的に行うことができる。

（第８の実施形態）
第１から第７の実施形態の何れかの静電容量型トランスデューサは、光音響効果を利用した光音響波（超音波）の受信に用いることができ、それを備えた被検体情報取得装置に適用できる。

図１１を用いて、本実施形態の被検体情報取得装置の動作を具体的に説明する。まず、発光指示信号７０１に基づいて、光源１０３から光７０２（パルス光）を発生させることにより、測定対象物８００に光７０２を照射する。測定対象物８００では光７０２の照射により光音響波（超音波）７０３が発生し、この超音波７０３を超音波プローブが有する複数の静電容量型トランスデューサ８０２で受信する。受信信号の大きさや形状、時間の情報が光音響波の受信信号７０４として、処理部である画像情報生成装置８０３に送られる。一方、光源１０３で発生させた光７０２の大きさや形状、時間の情報（発光情報）が、光音響信号の画像情報生成装置８０３に記憶される。光音響信号の画像情報生成装置８０３では、光音響波の受信信号７０４と発光情報を基に測定対象物８００の画像信号を生成して、光音響信号による再現画像情報７０５として出力する。画像表示器８０４では、光音響信号による再現画像情報７０５を基に、測定対象物８００を画像として表示する。この様に、本実施形態では、静電容量型トランスデューサは、光源から発振した光が被検体に照射されることにより発生する光音響波を受信し、処理部（ここでは、被検体画像情報生成装置）は、光音響波受信信号を用いて被検体の情報を取得する。

本実施形態に係る静電容量型トランスデューサの受信特性は、被検体が有する電荷の影響を受けにくいため、光音響波から正確な情報を取得できるため、高画質な画像を生成することができる。

（第９の実施形態）
本実施形態は、第１から第７の実施形態の何れかの静電容量型トランスデューサを、第８の実施形態とは異なる形態の被検体情報取得装置に用いたものである。図１２に、本実施形態に係わる被検体情報取得装置の模式図を示す。図１２において、７０６は超音波の送受信信号、７０７は送信した超音波、７０８は反射した超音波、７０９は超音波の送受信による再現画像情報である。図１２において、図１１で示した数字と同じ数字は上述した通りである。本実施形態の処理部である画像形成装置は、光音響波の受信に加えて、パルスエコー（超音波の送受信）を行い、画像を形成する。光音響波の受信については、第８の実施形態と同じであるため、ここではパルスエコー（超音波の送受信）について説明する。

超音波の送信号７０６を基にして、複数の静電容量型トランスデューサ８０２から、測定対象物８００に向かって超音波７０７が出力（送信）される。測定対象物８００の内部において、内在する物質の固有音響インピーダンスの差により、超音波が反射する。反射した超音波７０８は、複数の静電容量型トランスデューサ８０２で受信され、受信信号の大きさや形状、時間の情報が超音波受信信号７０６として画像情報生成装置８０３に送られる。一方、送信超音波の大きさや形状、時間の情報は超音波送信情報として、画像情報生成装置８０３で記憶される。画像情報生成装置８０３では、超音波受信信号７０６と超音波送信情報を基に測定対象８００の画像信号を生成して、超音波送受信の再現画像情報７０９として出力する。

画像表示器８０４では、光音響信号による再現画像情報７０５と、超音波送受信による再現画像情報７０８の２つの情報を基に、測定対象物８００を画像として表示する。本実施形態における静電容量型トランスデューサの超音波の送受信特性は、被検体が有する電荷の影響を受けにくいため、光音響波に加えて、超音波の送受信という異なる測定方法の受信情報も正確に取得して画像を形成することができる。そのため、より情報量の多い画像を正確に取得、表示することができる。

本実施形態では、前記トランスデューサは、少なくとも被検体からの超音波の受信を行い、前記処理部は、前記トランスデューサからの超音波受信信号を用いて被検体の情報を取得する。ここでは、前記静電容量型トランスデューサは、被検体に向けて超音波の送信も行っているが、超音波の送信は他のトランスデューサが行うようにしてもよい。また、前記トランスデューサは、光源から発振した光が被検体に照射されることで発生する光音響波の受信も行い、前記処理部は、光音響波受信信号も用いて被検体の情報を取得しているが、光音響波の受信を行わないで超音波受信のみを行う形態にもできる。

１０・・セル、２０・・エレメント、１００・・チップ、１０１・・振動膜、１０２・・第１の電極、１０３・・第２の電極、１０５・・空隙（間隔）、４０２・・シリコーンゴム層、５００・・静電シールド

Claims (24)

1. 第１の電極と、前記第１の電極に対して間隔を隔てて設けられた第２の電極を含む振動膜と、を備えたセルを有し、
   前記セルの上に、シリコーンゴム層を介して、静電シールドを備えていることを特徴とする静電容量型トランスデューサ。
2. 前記第１の電極に、送受信回路が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型トランスデューサ。
3. 前記第２の電極に、送受信回路が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型トランスデューサ。
4. 前記第１の電極はチップ上に形成され、前記セルを夫々１以上含む素子を複数備えることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
5. 前記第１の電極から外部の直流電圧発生手段または送受信回路に電気的に接続するための配線として、前記チップにおける前記セルを備えた面に対向して、該面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型トランスデューサ。
6. 前記第２の電極から外部の直流電圧発生手段または送受信回路に電気的に接続するための配線として、前記チップにおける前記セルを備えた面に対向して、該面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載の静電容量型トランスデューサ。
7. 前記第１の電極から外部の直流電圧発生手段または送受信回路に電気的に接続するための配線として、前記チップにおける前記セルを備えた面と逆側の面に対向して、該逆側の面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の静電容量型トランスデューサ。
8. 前記第２の電極から外部の直流電圧発生手段または送受信回路に電気的に接続するための配線として、前記チップにおける前記セルを備えた面と逆側の面に対向して、該逆側の面上の外部接続用電極に電気的に接続したフレキシブル配線が設けられていることを特徴とする請求項４または７に記載の静電容量型トランスデューサ。
9. 前記静電シールドの上に、音響レンズを備えていることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
10. 前記音響レンズは、シリコーンゴム層を介して、前記静電シールドに接着されていることを特徴とする請求項９に記載の静電容量型トランスデューサ。
11. 前記静電シールドは、少なくとも前記セルに対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
12. 前記静電シールドは、開口部を有さず一様に伸展した静電シールド層を含むことを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
13. 前記静電シールドは、前記セルの上方から見て複数の開口部を有することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
14. 前記静電シールドの複数の開口部は、前記セルに対向する位置に、規則的に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の静電容量型トランスデューサ。
15. 前記静電シールドの複数の開口部は、前記セルからずれた領域に対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の静電容量型トランスデューサ。
16. 前記静電シールドは、単一の静電シールド層から構成されていることを特徴とする請求項１から１５の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
17. 前記静電シールドは、複数の静電シールド層から構成されていることを特徴とする請求項１から１５の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
18. 前記静電シールド層は金属層から構成されていることを特徴とする請求項１６または１７に記載の静電容量型トランスデューサ。
19. 前記静電シールド層は、絶縁フィルム上に配置されていることを特徴とする請求項１６から１８の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサ。
20. 請求項１から１９の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサと、処理部と、を備え、
    前記静電容量型トランスデューサは、少なくとも被検体からの超音波の受信を行い、前記処理部は、前記静電容量型トランスデューサからの超音波受信信号を用いて被検体の情報を取得することを特徴とする被検体情報取得装置。
21. 前記静電容量型トランスデューサは、被検体に向けて超音波の送信も行うことを特徴とする請求項２０に記載の被検体情報取得装置。
22. 光源を有し、
    前記静電容量型トランスデューサは、前記光源から発振した光が被検体に照射されることにより発生する光音響波の受信も行い、前記処理部は、光音響波受信信号も用いて被検体の情報を取得することを特徴とする請求項２０または２１に記載の被検体情報取得装置。
23. 請求項１から１９の何れか１項に記載の静電容量型トランスデューサと、光源と、処理部と、を備え、
    前記静電容量型トランスデューサは、前記光源から発振した光が被検体に照射されることにより発生する光音響波を受信し、前記処理部は、光音響波受信信号を用いて被検体の情報を取得することを特徴とする被検体情報取得装置。
24. 前記処理部は被検体画像情報生成装置であることを特徴とする請求項２０から２３の何れか１項に記載の被検体情報取得装置。

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