JP6801328B2 - 実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
特許文献1では、電子部品は、基板上にICチップ等の電子素子と、電子素子に接続する金属配線としての導電膜が形成されている。この導電膜の一部は、基板の周縁部に形成された樹脂突起の表面に設けられており、これら導電膜の一部と、樹脂突起とを含んでバンプ電極が構成されている。また、回路基板は、液晶パネルが形成される基板であって、液晶が配置された領域の外側に電極端子が形成されている。これら電子部品側のバンプ電極と、回路基板側の電極端子とを直に接触させた状態で、電子部品が回路基板に接合されている。
本適用例では、導通部と第二基板とが接合する領域の面積の方が、導通部と配線部とが接続する領域の面積よりも大きい。つまり、導通部では、第二基板から第一基板に向かうにしたがって、第一方向と交差する面における断面積が小さくなる。このような構成では、第一基板から機能素子が設けられた第二基板に向かうにしたがって、第一方向と交差する面における導通部と機能素子との距離を大きくすることができる。したがって、導通部と機能素子とが干渉することをさらに抑制できる。また、第一方向から見た平面視における導通部と機能素子とをより近接させて配置することができる。
本適用例では、導通部及び配線部の少なくとも一方が、樹脂部と、当該樹脂部を覆う導電部とを有する。このような構成では、導通部と配線部とを当接させた際に、樹脂部を弾性変形させることができ、ひいては配線部及び導通部の一方を他方に沿って変形させることができる。したがって、導通部と配線部との間の密着性を向上させることができ、接続信頼性を向上させることができる。
本適用例では、導通部及び配線部の接続領域において、樹脂部の厚さが、導電部の厚さよりも大きい。このように導電部よりも樹脂部を厚くすることにより、導通部を変形し易くできる。これにより、配線部と導通部とを当接させた際の応力を緩和させることができ、第一基板及び第二基板に歪が生じることを抑制できる。また、導電部の厚さを小さくすることにより、樹脂部が変形し易くなるため、例えば配線部の厚さに誤差が生じたとしても、樹脂部の変形により配線部と導通部とを密着させることができ、接続信頼性を向上させることができる。
本適用例では、樹脂部は、弾性変形していない状態で、第二面から突となる略半球状に形成されている。また、樹脂部の第二基板側の端面の最大径(つまり直径)をLとして、第二基板から機能素子までの距離dは、d>L/2の関係を満たす。つまり、距離dは、弾性変形前の樹脂部の半径よりも大きい。
このような構成では、導通部は、弾性変形するため、先端と第二基板との距離の最大値は略L/2(つまり、樹脂部の半径)である。したがって、第二基板から機能素子までの距離dをL/2よりも大きくすることにより、導通部と機能素子との干渉をさらに抑制できる。
また、このような導通部は、例えば、樹脂部を加熱溶融させた後に、固化させることにより形成された樹脂部を導電部で被覆することにより形成することができる。
本適用例では、上記平面視において、配線部及び導通部は、互いに交差している。これにより、配線接続の際に、第一方向に交差する面内にて第一基板及び第二基板間の位置ずれを許容でき、接続不良の発生を抑制できる。つまり、本適用例では、上記平面視において配線部及び導通部が交差していない場合(平行な場合や略点接続の場合等)と比べて、位置ずれに対する許容量を大きくできる。このため、第一基板及び第二基板の位置合わせを容易に行うことができ、ひいては配線接続を容易に行うことができる。また、接続信頼性を向上させることができる。
本適用例では、導通部及び配線部の少なくとも一方が、樹脂部と、当該樹脂部を覆う導電部とを有する。このような構成では、導通部と配線部とを当接させた際に、樹脂部を弾性変形させることができ、ひいては配線部及び導通部の一方を他方に沿って変形させることができる。したがって、導通部と配線部との間の密着性を向上させることができ、接続信頼性を向上させることができる。
本適用例では、導通部のうち、一方は第二方向を長手方向とし、他方は第三方向を長手方向とする。そして、第二方向において、導電部の寸法は、他方の寸法よりも大きい。これにより、第二方向において、配線接続の際に、第二方向において、第一基板及び第二基板間の位置ずれを許容しつつ、上述の弾性力による接続信頼性を維持できる。
本適用例では、導通部は、樹脂部が導電部により覆われることで構成されている。また、第二の導通部は、樹脂部よりも大きい第二の樹脂部が、第二の導電部に覆われることで構成されている。そして、第二の導通部は、第一方向における寸法が配線部よりも小さい引出配線に当接し、接続されている。ここで、第二の導通部は、第一基板から第二基板に向かう第一方向における厚さが導通部よりも大きいため、接続時の第一方向における変形量が同じである場合、第二の導通部と引出配線との接触面積を、導通部と配線部との接触面積よりも大きくすることができる。ひいては接触抵抗を低減させ、電流量を増大させることができる。このように、配線部よりも小さい寸法を有する引出配線を設けることにより、導通部よりも大きい第二の導通部を用いて配線接続を行い、接触抵抗の低減を図ることができる。
本適用例では、配線部は、第一面の面方向における幅に対する、第一面の法線方向における高さの比(つまりアスペクト比)は、0.1以上5以下である。これにより、導通部からの力が作用した際に配線部が変形することを抑制することができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
本適用例では、機能素子が振動子を含み構成されている。このような構成でも、上述のように導通部と機能素子との干渉を抑制することができる。つまり、導通部によって振動子の振動が妨げられることを抑制でき、振動子を適切に駆動させることができる。
本適用例では、第一基板に設けられる振動子の振動範囲よりも第二基板側で、配線部と導通部とが接続されている。このような構成では、振動子の駆動範囲外に導通部を配置することができる。これにより、導通部によって振動子の振動が妨げられることをさらに抑制でき、振動子を適切に駆動させることができる。
本適用例では、機能素子が可撓膜と振動子とを含み構成される超音波トランスデューサーである。このような構成では、上述のように、導通部によって振動子の振動が妨げられることを抑制でき、超音波トランスデューサーを適切に駆動させることができる。
本適用例では、接合部は、機能素子が形成された機能領域において、第一基板と第二基板とを接合している。これにより、例えば、機能領域内に複数の導通部と配線部とが設けられ、つまり複数の接続位置が存在する場合でも、機能領域内での第一基板及び第二基板間の距離の均一性を向上させることができ、各接続位置での接続信頼性を向上させることができる。
本適用例では、第一基板の第一面には、振動子と、当該振動子に導通される配線部導通部と、が設けられている。また、第二基板の第二面には、配線部に接続する導通部が設けられている。そして、振動子と第二基板との最短距離は、配線部と導通部とが接続される位置と第二基板との最大距離より長くなるように構成されている。このような構成では、上記適用例と同様に、導通部と振動子とが干渉することを抑制でき、第一基板及び第二基板間での配線接続を容易に行うことができ、ひいては、超音波デバイスを容易に製造することができる。
本適用例では、第一基板の第一面には、振動子と、当該振動子に導通される配線部導通部と、が設けられている。また、第二基板の第二面には、配線部に接続する導通部が設けられている。そして、振動子と第二基板との最短距離は、配線部と導通部とが接続される位置と第二基板との最大距離より長くなるように構成されている。このような構成では、上記適用例と同様に、導通部と振動子とが干渉することを抑制でき、第一基板及び第二基板間での配線接続を容易に行うことができ、ひいては、超音波探触子を容易に製造することができる。
本適用例では、第一基板の第一面には、振動子と、当該振動子に導通される配線部導通部と、が設けられている。また、第二基板の第二面には、配線部に接続する導通部が設けられている。そして、振動子と第二基板との最短距離は、配線部と導通部とが接続される位置と第二基板との最大距離より長くなるように構成されている。このような構成では、上記適用例と同様に、導通部と振動子とが干渉することを抑制でき、第一基板及び第二基板間での配線接続を容易に行うことができ、ひいては、超音波装置を容易に製造することができる。
前記機能素子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位置と前記第二基板との最大距離より長いことを特徴とする。
本適用例では、第一基板の第一面には、機能素子と、当該機能素子に導通される配線部導通部と、が設けられている。また、第二基板の第二面には、配線部に接続する導通部が設けられている。そして、機能素子と第二基板との最短距離は、配線部と導通部とが接続される位置と第二基板との最大距離より長くなるように構成されている。このような構成では、上記適用例と同様に、導通部と機能素子とが干渉することを抑制でき、第一基板及び第二基板間での配線接続を容易に行うことができ、ひいては、超音波装置を容易に製造することができる。
以下、超音波装置の第一実施形態に係る超音波測定装置について、図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の超音波測定装置1の概略構成を示す斜視図である。図2は、超音波測定装置1の概略構成を示すブロック図である。
本実施形態の超音波測定装置1は、図1に示すように、超音波プローブ2と、超音波プローブ2にケーブル3を介して電気的に接続された制御装置10と、を備えている。
この超音波測定装置1は、超音波プローブ2を生体(例えば人体)の表面に当接させ、超音波プローブ2から生体内に超音波を送出する。また、生体内の器官にて反射された超音波を超音波プローブ2にて受信し、その受信信号に基づいて、例えば生体内の内部断層画像を取得したり、生体内の器官の状態(例えば血流等)を測定したりする。
超音波プローブ2は、超音波探触子に相当し、筐体21と、筐体21内部に収納する超音波デバイス22と、超音波デバイス22を制御するためのドライバー回路等が設けられた回路基板23(図2参照)と、を備えている。なお、超音波デバイス22と、回路基板23とにより超音波センサー24が構成され、当該超音波センサー24は、超音波モジュールを構成する。
筐体21は、図1に示すように、例えば平面視矩形状の箱状に形成され、厚み方向に直交する一面(センサー面21A)には、センサー窓21Bが設けられており、超音波デバイス22の一部が露出している。また、筐体21の一部(図1に示す例では側面)には、ケーブル3の通過孔21Cが設けられ、ケーブル3は、通過孔21Cから筐体21の内部の回路基板23に接続されている。また、ケーブル3と通過孔21Cとの隙間は、例えば樹脂材等が充填されることで、防水性が確保されている。
なお、本実施形態では、ケーブル3を用いて、超音波プローブ2と制御装置10とが接続される構成例を示すが、これに限定されず、例えば超音波プローブ2と制御装置10とが無線通信により接続されていてもよく、超音波プローブ2内に制御装置10の各種構成が設けられていてもよい。
図3は、超音波デバイス22における素子基板41を、保護膜44側から見た平面図である。図4は、図3におけるA−A線で切断した超音波デバイス22の断面図である。図5は、超音波デバイス22における、後述する第一導通部421の周辺の概略構成を示す断面図である。図6は、保護膜44側から見た超音波トランスデューサー45を模式的に示す平面図である。
超音波デバイス22は、図4に示すように、素子基板41と、封止板42と、音響整合層43と、保護膜44と、を含み構成されている。これらのうち素子基板41及び封止板42は、図4に示すように、封止板42側に設けられた第一導通部421及び第二導通部424を介して電気的に接続されている。
この素子基板41には、図3に示すように、超音波を送受信する超音波トランスデューサー45の複数が、X方向及びX方向に交差(本実施形態では直交)するY方向に沿ってマトリクス状に配置されている。これら複数の超音波トランスデューサー45により超音波アレイALが構成されている。
素子基板41は、第一基板に相当し、基板本体部411と、基板本体部411に積層された振動膜412と、を備えている。また、振動膜412の封止板42側には、圧電素子413と、下部電極連結線414と、配線部415と、上部電極引出線416と、接合部417とが設けられている。これらのうち、振動膜412の振動領域である可撓膜412Aと圧電素子413とにより、超音波を送受信する超音波トランスデューサー45が構成されている。また、素子基板41を基板厚み方向から見た平面視において、素子基板41の中央領域は、複数の超音波トランスデューサー45によって構成される超音波アレイALが設けられるアレイ領域Ar1である。このアレイ領域Ar1は機能領域に相当する。このアレイ領域Ar1には、複数の超音波トランスデューサー45がマトリクス状に配置されている。
ここで、以降の説明にあたり、素子基板41の封止板42に対向する面を第一面に相当する背面41A、背面41Aとは反対側の面を作動面41Bと称する。なお、作動面41Bの法線方向は、Z方向に略一致し、素子基板41から封止板42に向かう方向(第一方向)は、Z方向に略平行である。
下部電極413Aや上部電極413Cは、1又は2以上の導電性材料による層を含み構成されている。このような導電性材料としては、例えば、Au,Al,Cu,Ir,Pt,IrOx,Ti,TiW,TiOx等の電極材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、下部電極413Aは、振動膜412上にTiW層(50nm)と、Cu層(100nm)とが順に積層されて構成されている。
また、圧電膜413Bは、例えば、ペロブスカイト構造を有する遷移金属酸化物、より具体的には、Pb、Ti及びZrを含むチタン酸ジルコン酸鉛を用いて形成される。
このように構成された下部電極連結線414上に配線部415が設けられている。
なお、被覆部415Bは、Ni層(50nm)と、Au層(100nm)とが積層された構成に限定されず、各種導電性材料を用いて形成されてもよい。
また、配線部415は、配線部415のXY断面における最小寸法(本実施形態ではY方向の寸法である幅寸法)に対する、Z方向の寸法(高さ寸法)の比、つまりアスペクト比は、0.1以上5以下であることが好ましく、0.1以上1以下であることがより好ましい。これにより、配線部415が、第一導通部421から押圧力によって変形したり、傾いたりすることを抑制でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
なお、Z方向から見た平面視における配線部415の平面形状は、矩形状に限定されず、円形、楕円形、各種多角形状等であってもよい。
上部電極引出線416は、引出配線に相当し、導電性材料で形成され、例えば、上部電極413Cと一体的に形成され、Y方向に沿って配置された複数の引出部416Aと、この引出部416Aと上部電極413Cとを連結する連結部416Bと、配線領域Ar2に配置された接続部416Cと、を備える。
引出部416Aは、図3に示すように、例えば、X方向に沿って数えた際の奇数番目と偶数番目の超音波トランスデューサー群45Aの間に配置され、これら超音波トランスデューサー群45Aの各上部電極413Cが連結部416Bによって連結されている。
接合部417は、素子基板41と封止板42とを接合可能な材料、例えば各種接着剤や感光性樹脂材料(フォトレジスト)等の樹脂材料を用いて形成される。本実施形態では、接合部417は、感光性樹脂材料を用いて形成されている。これにより、接合部417を所望の位置に、所望の形状で形成することができる。
また、第二接合部417Bは、上部電極引出線416の引出部416Aの間に配置されている、つまりY方向に各配線部415を挟む位置に配置されている。このような構成では、各配線部415から第二接合部417Bまでの距離が等しくなるように、第二接合部417Bを配置することができる。したがって、第二接合部417Bからの応力が、各配線部415の接続位置に略均等に作用させることができる。
さらに、第二接合部417Bは、各配線部415をY方向に沿って挟むように配置されていなくてもよく、例えば、各配線部415の+Y側に配置されていてもよい。少なくともアレイ領域Ar1に第二接合部417Bを形成することにより、第一接合部417Aのみを設ける場合と比べて、配線部415と第一導通部421との間の接続信頼性を向上させることができる。
図4乃至図6に示す封止板42は、第二基板に相当し、素子基板41の強度を補強するために設けられ、例えば半導体基板等により構成され、接合部417により素子基板41に接合されている。封止板42の材質や厚みは、超音波トランスデューサー45の周波数特性に影響を及ぼすため、送受信する超音波の中心周波数に基づいて設定することが好ましい。
この封止板42は、導通部に相当する第一導通部421と、第一貫通電極422と、下部電極配線423と、第二の導通部に相当する第二導通部424と、第二貫通電極425と、上部電極配線426と、が設けられている。
図4乃至図6に示す第一導通部421は、導通部に相当し、封止板42の素子基板41側の面(第二面に相当し、以下、内面42Aとも称す)に設けられ、素子基板41に設けられた配線部415に圧接されて密着し、配線部415と電気的に接続される。この第一導通部421は、第一樹脂部421Aと、第一樹脂部421Aを覆うとともに第一貫通電極422に電気的に接続する第一導電膜421Bと、を備える。
なお、実際には、第一導通部421は、弾性変形しているため、+Z側の先端が封止板42からの距離がL1/2よりも短い。したがって、駆動停止時の圧電素子413の端部413Dと封止板42との間の距離d2が下記式(2)を満たすことによっても、超音波トランスデューサー45と第一導通部421との干渉を抑制できる。
d1>L1/2 ・・・(1)
d2>L1/2 ・・・(2)
第一貫通電極422は、図4乃至図6に示すように、第一樹脂部421AをY方向に沿って挟む位置に一対設けられており、例えばSi貫通電極(TSV;Through-Silicon Via)や、貫通孔に導電性材料が充填された構成を採用することができる。また、封止板42の−Z側の面(以下、外面42Bとも称す)には、各第一貫通電極422に対して個別に下部電極配線423が形成されている。下部電極配線423は、第一貫通電極422に接続し、外面42Bに沿って形成された配線(図示略)を介して回路基板23に接続されている。
なお、第一貫通電極422は少なくとも一つ形成されていればよく、三つ以上であってもよい。また、第一貫通電極422の形成位置も上述の位置に限らず、例えば、Z方向から見た平面視において、第一樹脂部421Aの+X側や−X側に形成されていてもよい。
図4及び図6に示す第二導通部424は、第二の導通部に相当し、封止板42の内面42Aに設けられ、素子基板41に設けられた上部電極引出線416の接続部416Cに圧接されて密着し、接続部416Cと電気的に接続される。この第二導通部424は、第二樹脂部424Aと、第二導電膜424Bと、を備え、第一導通部421よりもサイズが大きいものの、第一導通部421と略同様に構成されている。なお、弾性変形していない場合における第二導通部424のZ方向の寸法(高さ寸法)は、第一導通部421の寸法(高さ)と、配線部415の寸法(高さ)との和と略同じである。
ここで、第二樹脂部424Aは、第一樹脂部421Aと同様に、形成時に略半球状(樹脂材料の種類や熱溶融の温度の条件により、第二樹脂部424Aを略台形とすることもできる。)であり、内面42A側の端面(第二樹脂部424Aが封止板42と接触する面)は略円形状である。この端面の直径(すなわち最大寸法又は最大径)L2(図4参照)が、第一樹脂部421Aの直径L1(図5参照)よりも大きくなるように形成されている。なお、第二樹脂部424Aは、接続部416Cと重なる位置に少なくとも一つ形成されていればよい。
第二貫通電極425は、図4及び図6に示すように、各第二樹脂部424Aの近傍に配置されている。また、封止板42の外面42Bには、各第二貫通電極425に対して個別に上部電極配線426が形成されている。上部電極配線426は、第二貫通電極425に接続し、外面42Bに沿って形成された配線(図示略)を介して回路基板23に接続されている。
音響整合層43は、素子基板41の作動面41B側に配置される。本実施形態では、音響整合層43は、作動面41B側に形成された開口部411A内に充填されている。
保護膜44は、素子基板41及び音響整合層43上に設けられ、これら素子基板41及び音響整合層43を保護する。この保護膜44は、図1に示すように、筐体21のセンサー窓21Bから外部に露出し、超音波測定時に生体表面に当接される。
これらの音響整合層43や保護膜44は、超音波トランスデューサー45から送信された超音波を測定対象である生体に効率良く伝搬させ、また、生体内で反射した超音波を効率良く超音波トランスデューサー45に伝搬させる。このため、音響整合層43及び保護膜44の音響インピーダンスは、生体の音響インピーダンスに近い値に設定されている。
回路基板23は、超音波デバイス22が接合され、超音波トランスデューサー45を制御するためのドライバー回路等が設けられる。この回路基板23は、図2に示すように、選択回路231、送信回路232、及び受信回路233を備えている。
なお、本実施形態では、超音波トランスデューサー45の共通電極である上部電極413Cに接続する配線は、回路基板23において、例えばグラウンド回路等に接続されている。これにより上部電極413Cが、所定の共通電位(例えば0電位)に設定される。
送信回路232は、制御装置10の制御により送信接続に切り替えられた際に、選択回路231を介して超音波センサー24に超音波を発信させる旨の送信信号を出力する。
受信回路233は、制御装置10の制御により受信接続に切り替えられた際に、選択回路231を介して超音波センサー24から入力された受信信号を制御装置10に出力する。受信回路233は、例えば低雑音増幅回路、電圧制御アッテネーター、プログラマブルゲインアンプ、ローパスフィルター、A/Dコンバーター等を含んで構成されており、受信信号のデジタル信号への変換、ノイズ成分の除去、所望信号レベルへの増幅等の各信号処理を実施した後、処理後の受信信号を制御装置10に出力する。
制御装置10は、制御部に相当し、図2に示すように、例えば、操作部11と、表示部12と、記憶部13と、演算部14と、を備えて構成されている。この制御装置10は、例えば、タブレット端末やスマートフォン、パーソナルコンピューター等の端末装置を用いてもよく、超音波プローブ2を操作するための専用端末装置であってもよい。
操作部11は、ユーザーが超音波測定装置1を操作するためのUI(user interface)であり、例えば表示部12上に設けられたタッチパネルや、操作ボタン、キーボード、マウス等により構成することができる。
表示部12は、例えば液晶ディスプレイ等により構成され、画像を表示させる。
記憶部13は、超音波測定装置1を制御するための各種プログラムや各種データを記憶する。
演算部14は、例えばCPU(Central Processing Unit)等の演算回路や、メモリー等の記憶回路により構成されている。そして、演算部14は、記憶部13に記憶された各種プログラムを読み込み実行することで、送信回路232に対して送信信号の生成及び出力処理の制御を行い、受信回路233に対して受信信号の周波数設定やゲイン設定などの制御を行う。
以下、上述のような超音波デバイス22の製造方法について説明する。
図7は、超音波デバイス22の製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図8乃至図12は、超音波デバイス22の製造工程を模式的に示す図である。
超音波デバイス22を製造するためには、図7に示すように、素子基板形成工程S1、封止板形成工程S2、接合工程S3及び加工工程S4を実施する。
なお、図8乃至図12は、図4に示す超音波トランスデューサー群45Aの近傍における断面を模式的に示す。
素子基板形成工程S1では、先ず、図8の上段に示すように、例えばSiにより構成された基板本体部411に振動膜412、圧電素子413、下部電極連結線414、及び上部電極引出線416(図示略)を形成する(ステップS11:素子部形成工程)。ステップS11では、基板本体部411を熱酸化処理して形成したSiO2膜上にZrを成膜し、さらに熱酸化処理してZrO2層を形成して振動膜412を形成する。この振動膜412上に、下部電極413A、圧電膜413B、及び上部電極413Cを形成して、圧電素子413を形成する。なお、下部電極413Aを形成する際に下部電極連結線414を形成し、上部電極413Cを形成する際に上部電極引出線416を形成する。具体的には、先ず、振動膜412上に例えばスパッタリング等により成膜した電極材料をパターニングして下部電極413A及び下部電極連結線414を形成する。その後、下部電極413A上に圧電膜413Bを形成する。圧電膜413Bの形成後、下部電極413A及び下部電極連結線414と同様にして、上部電極413C及び上部電極引出線416を形成する。
次に、図7に示すように封止板形成工程S2を実施する。ステップS2では、先ず、図11の一段目に示すように第一貫通電極422及び第二貫通電極425(図示略)を備える封止板42を形成する(ステップS21:基板形成工程(図7参照))。
次に、図11の二段目以降に示すように封止板42の内面42A側に第一導通部421及び第二導通部424(図示略)を形成する(ステップS22:導通部形成工程(図7参照))。ステップS22では、先ず、封止板42の内面42Aに第一樹脂部421Aを形成するための樹脂層53を形成する。その後、第一樹脂部421Aの形成位置以外に形成された樹脂層53をエッチングにより除去する。その後、樹脂層53を加熱して溶融させ、再び固化させることにより、略半球状の第一樹脂部421Aを形成する。本実施形態では、第一樹脂部421Aは、例えば幅寸法(すなわち内面42A側の面の直径L1)が24μmであり、高さ寸法(高さ)が12μmとなるように形成されている。第一樹脂部421Aの形状は、溶融前の樹脂層53の体積や、内面42Aの濡れ性等によって調整することができる。そして、第一導電膜421Bとして、例えば、TiW層(50nm)と、Au層(100nm)とを順に積層形成する。なお、ステップS22では、第二導通部424も第一導通部421と同時に形成されている。第二導通部424は、第一導通部421よりも幅及び高さが大きくなるよう形成されている。例えば、第二樹脂部424Aは、幅寸法(幅)が44μmであり、高さ寸法(高さ)が22μmとなるように形成されている。
次に、図7に示すように、上述のように形成された素子基板41と封止板42とを接合する接合工程を実施する(ステップS3)。ステップS3では、図12に示すように、素子基板41上に封止板42を配置する。この際、素子基板41と封止板42との相対位置を調整する。つまり、第一導通部421が対応する配線部415に重なり、第二導通部424が接続部416Cに重なるように位置調整を行う。なお、図12の上段に示すように、第二導通部424の高さ寸法(Z方向の寸法)は、第一導通部421及び配線部415の高さ寸法(高さ)の和と略一致する。
位置調整を行った後、素子基板41及び封止板42が近づく方向に、素子基板41及び封止板42の少なくとも一方を押圧する。これにより、第一導通部421が弾性変形して配線部415に密着し、第二導通部424も同様に接続部416Cに密着する。この状態で素子基板41及び封止板42を加熱する(例えば200℃で1時間)。これにより、接合部417を溶融させた後、再び固化させることにより、素子基板41及び封止板42が接合される。
次に、図7に示すように、素子基板41及び封止板42を加工する加工工程を実施する(ステップS4)。ステップS4では、図12に示すように、素子基板41の基板本体部411の厚みを調整した後、開口部411Aを形成する。また、封止板42の外面42Bに下部電極配線423及び上部電極配線426を含む配線を形成する。なお、封止板42の外面42B側の配線は、予め形成されていてもよい。その後、図4に示すように開口部411Aに音響整合層43を充填した後、保護膜44を形成する。このようにして超音波デバイス22が製造される。
本実施形態では、配線部415の端部415Cは、圧電素子413の端部413Dよりも封止板42側に位置する。つまり、第一導通部421と配線部415との接続位置は圧電素子413の端部413Dよりも封止板42側に位置する。また、本実施形態では、上記接続位置は、超音波トランスデューサー45の振動範囲の−Z側端部Rzよりも封止板42側に位置する。このような構成では、第一導通部421の位置ずれが生じたとしても、第一導通部421の位置が、圧電素子413よりも封止板42側に位置するため、超音波トランスデューサー45と、第一導通部421との干渉を抑制できる。
また、位置ずれによる超音波トランスデューサー45と、第一導通部421との干渉を抑制でき、配線部415が形成されない場合と比べて位置決め精度が低くても、素子基板41と封止板42との間での配線接続を適切に行うことができる。
なお、配線部415のアスペクト比は、0.1以上5以下であることが好ましく、本実施形態では略1である。ここで、アスペクト比を5以下とすることにより、第一導通部421からの押圧力によって、配線部415が傾いたり屈曲したりすることを抑制でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。また、アスペクト比を0.1以上とすることにより、第一導通部421からの押圧力によって配線部415が+Z側に変形して、第一導通部421が超音波トランスデューサー45に近づくことを抑制できる。
また、第一導電膜421Bは、第一樹脂部421Aよりも薄いため、第一樹脂部421Aの弾性変形を妨げない。これにより、第一導通部421と端部415Cとの密着性をより向上させることができる。さらに、圧接時に、素子基板41に作用する応力を緩和させることができ、素子基板41の歪みや破損を抑制することができる。
このような湾曲部421Cを有する第一導通部421は、樹脂層53を加熱溶融させた後に、固化させることにより第一樹脂部421Aを形成し、当該第一樹脂部421Aを第一導電膜421Bで被覆することにより容易に形成することができる。
また、配線領域Ar2では、アレイ領域Ar1と比べて、接続部416Cの幅寸法(例えばX方向及びY方向の寸法)を大きくすることが容易である。このため、アレイ領域Ar1の外部の配線領域Ar2と重なる位置に第二導通部424を設けることにより、第二導通部424のサイズを大きくすることも容易である。
L2/2≧L3+L1/2 ・・・(3)
L2/2<L3+L1/2 ・・・(4)
以下、第二実施形態について説明する。
第一実施形態では、第一導通部421は、配線部415との導通部分が略半球状であり、Z方向の平面視において互いに配線部415と重なるように設けられていた。これに対して、第二実施形態では、配線部及び第一導通部は、Z方向の平面視において互いに交差するように設けられている点において、第一実施形態と主に相違する。
なお、以降の説明にあたり、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
図13は、第二実施形態の超音波デバイスの要部の概略構成を示す断面図である。また、図14は、図13の第二実施形態の超音波デバイスの要部の概略構成を示す断面図である。また、図15は、第二実施形態の超音波デバイスの配線部及び第一導通部を模式的に示す斜視図である。なお、図13は、図14のB−B線で切断した超音波デバイス22の断面図である。
図13及び図14に示すように、第二実施形態の超音波デバイス60では、素子基板41には、配線部61が設けられる。また、封止板42には、第一導通部62が設けられる。これら配線部61と第一導通部62とが当接して電気的に接続される。これにより、超音波トランスデューサー45の圧電素子413の下部電極413Aは、配線部61、第一導通部62、第一貫通電極422、及び下部電極配線423等を介して、回路基板23に電気的に接続される。
なお、第二実施形態では、図14に示すように、一つの第一導通部62に対して一つの第一貫通電極422が設けられる構成を例示するが、第一貫通電極422の数や配置位置は第二実施形態の構成に制限されない。
配線部61は、本体部611と、被覆部612と、を備え、導電性を有する。この配線部61は、X方向を長手方向とすること以外は、第一実施形態の配線部415と略同様に構成される。
これらのうち被覆部612は、導電性を有する金属材料を用いて形成され、第一実施形態の被覆部415Bと略同様に構成され、本体部611の表面を覆うように形成される。
第一導通部62は、Y方向が長手方向となり、Z方向の平面視にて配線部61と交差するように、封止板42の内面42Aに設けられる(図15参照)。第一導通部62は、第一樹脂部621と、第一樹脂部621の少なくとも一部を覆い、かつ、第一貫通電極422に電気的に接続される第一導電膜622と、を備える。この第一導通部62は、素子基板41に設けられた配線部61に圧接されて密着し、配線部61と電気的に接続される。
配線部61及び第一導通部62は、Z方向の平面視にて互いに交差している。これにより、超音波デバイス60では、配線接続の際に、素子基板41及び封止板42の間の位置ずれを許容でき、接続不良の発生を抑制できる。つまり、上記平面視において配線部61及び第一導通部62が交差していない場合(例えば、配線部61及び第一導通部62が平行な場合や、配線部61及び第一導通部62の接続面が略矩形や円形の場合等)、素子基板41及び封止板42の間の位置ずれにより、接続部分の面積が小さくなって接触抵抗が増大する場合がある。また、位置ずれにより、適切に電気的接続を行うことができない場合がある。これに対して、配線部61及び第一導通部62は、互いに交差するように配置されているため、位置合わせ時におけるX方向及びY方向の位置ずれに対する許容量を大きくできる(図15参照)。このため、素子基板41及び封止板42の位置合わせを容易に行うことができ、ひいては配線接続を容易に行うことができる。また、接続信頼性を向上させることができる。
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
例えば、上記第一実施形態では、一例として、素子基板41に設けられた配線部415と、封止板42に設けられた第一導通部421と、によって素子基板41と封止板42との間の配線接続を行う構成を例示した。しかしながら、本発明は上記各実施形態の構成に限定されず、例えば、後述するような各変形例の構成を採用することができる。なお、後述する各変形例として、第一実施形態に対する変形例を例示するが、第二実施形態についても同様の変形を適用することができる。
図16は、超音波デバイス22の第一変形例の概略構成を示す断面図である。
図16に示すように、第一変形例では、素子基板41には、上記第一実施形態の第一導通部421と同様に構成される配線部47が設けられる。また、封止板42には、上記第一実施形態の配線部415と同様に構成される第一導通部48が設けられる。これら配線部47と第一導通部48とが当接し電気的に接続されている。
また、配線部47が弾性変形することにより、第一導通部48との密着性を向上させることができるうえ、接続時に素子基板41及び封止板42に作用する応力を緩和することができる。
図17は、超音波デバイス22の第二変形例の概略構成を示す断面図である。
図17に示すように、第二変形例では、素子基板41には、上記第一変形例の配線部47が設けられ、この配線部47と、封止板42に設けられた第一導通部421とが当接し電気的に接続されている。
このような構成でも、上記第一実施形態と同様に、配線部47と超音波トランスデューサー45との干渉を抑制でき、配線接続を容易とすることができる。また、配線部47及び第一導通部421が弾性変形することにより、配線部47と第一導通部48との密着性を向上させることができるうえ、接続時に素子基板41及び封止板42に作用する応力を緩和することができる。
また、配線部47と第一導通部421との両方が弾性変形するため、配線部47と第一導通部48との密着性を一層向上させることができる。
図18は、超音波デバイス22の第三変形例の概略構成を示す断面図である。
図18に示すように、第三変形例では、封止板42には、上記第一変形例の第一導通部48が設けられ、この第一導通部48と、素子基板41に設けられた配線部415とが当接し電気的に接続されている。
このような構成では、上記第一実施形態と同様に、第一導通部48と超音波トランスデューサー45との干渉を抑制でき、配線接続を容易とすることができる。
また、配線部415と第一導通部48との高さ寸法(高さ)によって素子基板41と封止板42との距離を調整することができる。さらに、配線部415と第一導通部48との表面を上述のように拡散接合で接合することにより、アレイ領域Ar1内の複数位置で素子基板41と封止板42とを接合でき、素子基板41及び封止板42間の距離の面内均一性を向上させることができる。
図19は、超音波デバイス22の第四変形例の概略構成を示す断面図である。
図19に示すように、第四変形例では、素子基板41には、配線部として上記第一実施形態の本体部415Aが設けられ、この本体部415Aと、封止板42に設けられた第一導通部421とが当接し電気的に接続されている。
このような構成では、上記第一実施形態と同様に、第一導通部421と超音波トランスデューサー45との干渉を抑制でき、配線接続を容易とすることができる。また、被覆部415Bを形成しないため、製造工程を簡略化することができる。
なお、本体部415Aと第一導通部421との間の拡散接合による接合が実施できない場合でも、各第二接合部417Bが接合位置を挟むように配置されているため、配線接続の信頼性を向上させることができる。
図20乃至図21は、超音波デバイス22の第五変形例の概略構成を示す断面図である。
図20に示すように、第五変形例では、素子基板41は、上記第一実施形態の配線部415の代りに配線部49を備え、この配線部49と封止板42に設けられた第一導通部421とが当接し電気的に接続されている。このような構成でも、上記第一実施形態と同様に、第一導通部421と超音波トランスデューサー45との干渉を抑制でき、配線接続を容易とすることができる。
また、第一導通部421に代えて第一変形例の第一導通部48を設ける構成としてもよい。このような第二突出部419とすることで、基板本体部411と封止板42との接合高さを容易に決定することができる。
図22乃至図26は超音波デバイス22の他の変形例の概略構成を示す断面図である。
上記各実施形態及び各変形例では、アレイ領域Ar1の各配線部を一方向に挟むように第二接合部417Bが配置されるように構成されていたが、これに限定されない。
図22は上記第一実施形態に対する一変形例を示し、図23乃至図26は、それぞれ第一乃至第四変形例に対する一変形例を示す。これら図22乃至図26に示すように、例えば、アレイ領域Ar1に第二接合部417Bを設けない構成としてもよい。この場合、第一接合部417Aによって素子基板41及び封止板42が接合されている。このような構成であっても、素子基板41と封止板42とが十分な剛性を有することにより配線部及び第一導通部の接続信頼性を確保することができる。なお、配線部及び第一導通部の間の拡散接合が可能な場合では、接続信頼性を向上させるとともに、第二接合部417Bを設けないことによる構成の簡略化を図ることができる。
Claims (16)
- 機能素子が設けられる第一面を有する第一基板と、
前記第一面の前記機能素子とは異なる位置に設けられ、前記機能素子に導通される配線部と、
前記第一面に対向する第二面を有する第二基板と、
前記第二面に設けられ、前記配線部に接続し、前記機能素子に導通される導通部と、を備え、
前記機能素子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位置と前記第二基板との最大距離より長く、
前記配線部及び前記導通部の少なくとも一方は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有する
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1に記載の実装構造体において、
前記導通部と前記第二基板とが接合する領域の面積は、前記配線部と前記導通部とが接続する領域の面積より大きい
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項2に記載の実装構造体において、
前記第一基板から前記第二基板に向かう第一方向において、前記導通部及び前記配線部の接続領域と重なる位置の前記樹脂部の厚さは、前記導電部の厚さよりも大きい
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項2又は請求項3に記載の実装構造体において、
前記樹脂部は、前記導通部が弾性変形していない場合、前記第二面から突となる略半球状であり、
前記樹脂部の前記第二基板側の端面の最大径をLとして、前記第二基板から前記機能素子までの距離dは、d>L/2の関係を満たす
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項2に記載の実装構造体において、
前記配線部及び前記導通部は、前記第一基板から前記第二基板に向かう第一方向の平面視において、互いに交差する
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1に記載の実装構造体において、
前記配線部及び前記導通部のうちの前記一方は、前記第一面に平行な第二方向を長手方向とし、
前記配線部及び前記導通部のうちの他方は、前記第一面に平行かつ前記第二方向に交差する第三方向を長手方向とし、
前記第二方向において、前記導電部の寸法は、前記他方の寸法よりも大きい
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の実装構造体において、
前記導通部は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有し、
前記第一基板には、前記機能素子に接続し、前記第一基板から前記第二基板に向かう第一方向における厚さが前記配線部よりも小さい引出配線が設けられ、
さらに、前記樹脂部よりも前記第一基板から前記第二基板に向かう第一方向における厚さが大きい第二の樹脂部と、前記第二の樹脂部を覆う第二の導電部と、を有し、前記引出配線に接続される第二の導通部を備える
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の実装構造体において、
前記配線部は、金属材料で形成され、前記第一面の面方向における幅に対する前記第一面の法線方向における高さの比が、0.1以上5以下である
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の実装構造体において、
前記機能素子は、前記第一基板から前記第二基板に向かう第一方向に沿って振動する振動子を有する
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項9に記載の実装構造体において、
前記配線部と前記導通部とは、前記振動子の前記第一方向における振動範囲よりも前記第二基板側で接続されている
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項9又は請求項10に記載の実装構造体において、
前記機能素子は、前記第一基板に形成された可撓膜と、前記可撓膜に設けられた前記振動子と、を有する超音波トランスデューサーである
ことを特徴とする実装構造体。 - 請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の実装構造体において、
前記第一基板と前記第二基板とを接合する接合部を備え、
前記第一基板は、複数の前記機能素子が形成された機能領域を有し、
前記接合部は、前記機能領域内で前記第一基板及び前記第二基板を接合する
ことを特徴とする実装構造体。 - 振動子が設けられる第一面を有する第一基板と、
前記第一面の前記振動子とは異なる位置に設けられ、前記振動子に導通される配線部と、
前記第一面に対向する第二面を有する第二基板と、
前記第二面に設けられ、前記配線部に接続し、前記振動子に導通される導通部と、を備え、
前記振動子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位置と前記第二基板との最大距離より長く、
前記配線部及び前記導通部の少なくとも一方は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有する
ことを特徴とする超音波デバイス。 - 振動子が設けられる第一面を有する第一基板と、
前記第一面の前記振動子とは異なる位置に設けられ、前記振動子に導通される配線部と、
前記第一面に対向する第二面を有する第二基板と、
前記第二面に設けられ、前記配線部に接続し、前記振動子に導通される導通部と、
前記第一基板、前記配線部、前記第二基板、及び前記導通部を収納する筐体と、を備え、
前記振動子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位置と前記第二基板との最大距離より長く、
前記配線部及び前記導通部の少なくとも一方は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有する
ことを特徴とする超音波探触子。 - 振動子が設けられる第一面を有する第一基板と、
前記第一面の前記振動子とは異なる位置に設けられ、前記振動子に導通される配線部と、
前記第一面に対向する第二面を有する第二基板と、
前記第二面に設けられ、前記配線部に接続し、前記振動子に導通される導通部と、
前記振動子を制御する制御部と、を備え、
前記振動子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位
置と前記第二基板との最大距離より長く、
前記配線部及び前記導通部の少なくとも一方は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有する
ことを特徴とする超音波装置。 - 機能素子が設けられる第一面を有する第一基板と、
前記第一面の前記機能素子とは異なる位置に設けられ、前記機能素子に導通される配線部と、
前記第一面に対向する第二面を有する第二基板と、
前記第二面に設けられ、前記配線部に接続し、前記機能素子に導通される導通部と、
前記機能素子を制御する制御部と、を備え、
前記機能素子と前記第二基板との最短距離は、前記配線部と前記導通部とが接続される位置と前記第二基板との最大距離より長く、
前記配線部及び前記導通部の少なくとも一方は、樹脂部と、前記樹脂部を覆う導電部と、を有する
ことを特徴とする電子機器。
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