JP2016015369A - 積層コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各誘電体層間の容量のばらつきを抑制可能な積層コンデンサを提供する。【解決手段】積層コンデンサは、素体と、第１外部電極と、第２外部電極とを具備する。上記素体は、第１内部電極と、誘電体層と、第２内部電極とが積層された積層体と、上記積層体と接続する第１及び第２保護層とを有する。上記第１外部電極は、上記素体の第１端面を覆い、上記第１内部電極に接続する。上記第２外部電極は、上記素体の第２端面を覆い、上記第２内部電極に接続する。この構成では、マンガンの含有量が多く、マグネシウムの含有量が少ない保護層によって酸素の拡散が制御可能となるため、第１及び第２内部電極間の各誘電体層間における容量のばらつきが抑制される。これにより、積層コンデンサの容量を、狙いの設計の容量にすることができる。【選択図】図２

Description

本発明は、小型化及び高性能化に対応可能な積層コンデンサ及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層コンデンサに対する小型化及び大容量化への要求がますます強くなってきている。この要求に応えるため、積層コンデンサの多層化及び薄層化が進んできている。

積層コンデンサの多層化及び薄層化が進むと、積層コンデンサの各誘電体層間における容量のばらつきが発生しやすくなる。これにより、積層コンデンサの容量が設計値からずれ、積層コンデンサの製造ばらつきが発生する。したがって、積層コンデンサの各誘電体層間における容量のばらつきを抑制可能な技術が求められる。

特許文献１には、積層コンデンサの各誘電体層ごとに容量を変化させることが可能な技術が開示されている。この技術では、積層コンデンサのすべての誘電体層における容量が均一になるように、積層コンデンサの各層ごとに内部電極及び誘電体層の厚さを変化させる。

特開２００７−１７３７２５号公報

積層コンデンサには、上記の小型化及び大容量化に加え、低コスト化が強く要求されている。

一般的な積層コンデンサの製造方法には、大面積のセラミックシートが用いられる。大面積のセラミックシートが用いられる製造方法では、複数の積層コンデンサについて、一括して内部電極の印刷を行い、一括して積層を行うことが可能となる。これにより、積層コンデンサを低コストで製造することができるようになる。

その点、特許文献１に記載の技術では、積層コンデンサの各誘電体層ごとに厚さの異なるセラミックシートを準備する必要がある。更に、積層コンデンサにおける内部電極の厚さを各誘電体層ごとに変化させるため、各セラミックシートごとに異なる条件で内部電極の印刷を行う必要がある。このように、特許文献１に係る技術では、製造プロセスが複雑化し、積層コンデンサの製造コストが増大する。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、各誘電体層間の容量のばらつきを抑制可能な積層コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層コンデンサは、素体と、第１外部電極と、第２外部電極とを具備する。
上記素体は、第１内部電極と、誘電体層と、第２内部電極とが積層された積層体と、上記積層体と接続する第１及び第２保護層とを有する。
上記第１外部電極は、上記素体の第１端面を覆い、上記第１内部電極に接続する。
上記第２外部電極は、上記素体の第２端面を覆い、上記第２内部電極に接続する。

この構成では、マンガンの含有量が多く、マグネシウムの含有量が少ない保護層によって酸素の拡散が制御可能となるため、第１及び第２内部電極間の各誘電体層間における容量のばらつきが抑制される。これにより、積層コンデンサの容量を、狙いの設計の容量にすることができる。

上記積層体の上記保護層に隣接する部分が、マンガンの含有量が上記積層体の中央部にある誘電層のセラミックスよりも多く上記第１及び第２保護層のセラミックスよりも少なく、マグネシウムの含有量が上記積層体の中央部にある誘電層のセラミックスよりも少なく上記第１及び第２保護層のセラミックスよりも多いセラミックスにより構成されていてもよい。

この構成では、積層体の保護層に隣接する部分が、積層体の中央部にあるセラミックスと、保護層を構成するセラミックスとの中間組成であるセラミックスにより構成されている。これにより、積層体と保護層との間のデラミネーションが生じにくくなる。

上記第１及び第２保護層では、上記積層体に隣接するセラミックス粒子よりも、上記素体の表面にあるセラミックス粒子の方が、平均粒径が大きくてもよい。
この構成では、積層コンデンサの外面となる保護層の表面の強度が向上する。これにより、積層コンデンサの耐衝撃性が向上する。

本発明の一形態に係る積層コンデンサの製造方法では、第１セラミックスにより構成され、第１内部電極が形成される第１セラミックシートが準備される。
上記第１セラミックスにより構成され、第２内部電極が形成される第２セラミックシートが準備される。
マンガンの含有量が上記第１セラミックスよりも多く、マグネシウムの含有量が上記第１セラミックスよりも少ない第２セラミックスにより構成される第３セラミックシートが準備される。
上記第１及び第２セラミックシートとが交互に配置され、上記第１及び第２セラミックシートを挟んで上記第３セラミックシートが配置されるように、上記第１、第２及び第３セラミックシートを積層して積層体が作製される。

各誘電体層間の容量のばらつきを抑制可能な積層コンデンサ及びその製造方法を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 上記積層コンデンサの素体の斜視図である。 上記素体の図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。 上記素体の図２のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。 上記積層コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層コンデンサの製造過程におけるセラミックシートの積層を示す斜視図である。 上記積層コンデンサの製造過程における未焼成の素体を示す斜視図である。 上記積層コンデンサの製造過程における未焼成の積層コンデンサを示す斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る積層コンデンサの断面図である。 上記積層コンデンサの断面図である。 上記積層コンデンサの積層体のＺ軸方向上面を示す平面図である。 上記積層コンデンサの積層体のＺ軸方向下面を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層コンデンサの断面図である。 上記積層コンデンサの製造過程におけるセラミックシートの積層を示す斜視図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。

＜第１の実施形態＞
［積層コンデンサ１０の構成］
図１は本発明の第１の実施形態に係る積層コンデンサ１０の斜視図である。積層コンデンサ１０は、素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５とを具備する。外部電極１４，１５は、素体１１のＸ軸方向両端部にそれぞれ設けられている。

図２は、素体１１の斜視図である。図３は素体１１の図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図であり、図４は素体１１の図２のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。素体１１は、積層体１６と、第１保護層１７と、第２保護層１８とを有する。

積層体１６は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿った辺を有する直方体状である。第１保護層１７は積層体１６のＺ軸方向上面（第１主面）に設けられ、第２保護層１８は積層体１６のＺ軸方向下面（第２主面）に設けられている。保護層１７，１８は、いずれもＸＹ平面に沿って延びる平板状であり、積層体１６のＺ軸方向上下面の全面を覆っている。

積層体１６は、Ｘ軸に垂直な第１端面Ｔ１及び第２端面Ｔ２を有する。また、積層体１６は、複数の第１内部電極１２と、複数の第２内部電極１３とを有する。内部電極１２，１３は、いずれもＸＹ平面に沿って延びるシート状であり、Ｚ軸に沿って交互に積層されている。第１内部電極１２は第１端面Ｔ１に露出し、第２内部電極１３は第２端面Ｔ２に露出している。

図１に示すように、積層体１６の第１端面Ｔ１は第１外部電極１４によって覆われ、積層体１６の第２端面Ｔ２は第２外部電極１５によって覆われている。これにより、第１端面Ｔ１に露出している第１内部電極１２が第１外部電極１４に接続され、第２端面Ｔ２に露出している第２内部電極１３が第２外部電極１５に接続されている。

上記のような構成により、積層コンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数の誘電体層に電圧が加わる。

積層体１６は、第１セラミックスによって構成されている。第１セラミックスとしては、内部電極１２，１３間の各誘電体層の容量を大きくするため、高誘電率の材料が採用される。第１セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が採用可能である。

積層体１６を構成する第１セラミックスには、マンガン（Ｍｎ）及びマグネシウム（Ｍｇ）が含まれる。第１セラミックスでは、マンガンの作用によって耐還元性が向上し、マグネシウムの作用によって誘電率のフラットな温度特性が得られる。

例えば、第１セラミックスのマンガン含有量は、チタン酸バリウム１００ｍｏｌに対して、０．１〜１．０ｍｏｌとすることができる。また、第１セラミックスのマグネシウム含有量は、チタン酸バリウム１００ｍｏｌに対して、０．１〜１．０ｍｏｌとすることができる。

本実施形態に係る積層コンデンサ１０の製造方法では、素体１１が還元雰囲気下で焼成される。還元雰囲気下での焼成では、酸素の拡散が制御されていないと、積層体１６の各誘電体層間で容量のばらつきが大きくなり、積層コンデンサ１０の容量が、狙いとする設計の容量からずれてしまう場合がある。

本実施形態に係る積層コンデンサ１０では、積層体１６のＺ軸方向上下面からの酸素の侵入を防止することにより、各誘電体層間における容量のばらつきを抑制するために、保護層１７，１８が設けられている。

保護層１７，１８は、第２セラミックスによって構成されている。保護層１７，１８を構成する第２セラミックスは、積層体１６を構成する第１セラミックスと、マンガンの含有量、及びマグネシウムの含有量のみが異なる。第２セラミックスでは、マンガンの含有量が第１セラミックスより多く、マグネシウムの含有量が第２セラミックスより少ない。

例えば、第２セラミックスのマンガン含有量は、チタン酸バリウム１００ｍｏｌに対して、０．５〜２．０ｍｏｌとすることができる。また、第２セラミックスのマグネシウム含有量は、チタン酸バリウム１００ｍｏｌに対して、０〜０．５ｍｏｌとすることができる。

マンガンの含有量が多く、マグネシウムの含有量が少ない第２セラミックスでは、第１セラミックスよりも酸素の拡散を制御可能である。

比較例として、本実施形態に係る積層コンデンサ１０の保護層１７，１８が、積層体１６と同様の第１セラミックスによって構成される積層コンデンサを作製した。この積層コンデンサについて、各誘電体層の容量を測定した。そして、各誘電体層の容量の最大値Ｃ_ＭＡＸ、最小値Ｃ_ＭＩＮ、及び平均値Ｃ_ＡＶＥを用い、ばらつき率Ｄ（＝１００×（Ｃ_ＭＡＸ−Ｃ_ＭＩＮ）／Ｃ_ＡＶＥ）［％］を算出した。その結果、比較例に係る積層コンデンサのばらつき率Ｄは７［％］であった。

本実施形態に係る積層コンデンサ１０について、上記の比較例と同様の測定を行い、ばらつき率Ｄを算出した。その結果、本実施形態に係る積層コンデンサ１０のばらつき率Ｄは３［％］であった。

以上のように、本実施形態に係る積層コンデンサ１０では、保護層１７，１８によって、焼成時における酸素の拡散を制御できる。したがって、積層コンデンサ１０の容量は、狙いとする設計の容量からずれにくい。

［積層コンデンサ１０の製造方法］
図５は、本実施形態に係る積層コンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図６〜８は積層コンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層コンデンサ１０の製造方法について、図５に沿って、図６〜８を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ１：セラミックシート準備）
図６は、図５のステップＳ１〜Ｓ３を説明するための図である。

まず、積層体１６を形成するためのセラミックシート１１０Ｕと、保護層１７，１８を形成するためのセラミックシート１１１Ｕとを準備する。セラミックシート１１０Ｕ，１１１Ｕは、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。セラミックシート１１０Ｕは第１セラミックスによって構成され、セラミックシート１１１Ｕは第２セラミックスによって構成される。

セラミックシート１１０Ｕ，１１１Ｕは、例えば、ロールコーターを用いてシート状に成形することができる。セラミックシート１１０Ｕ，１１１Ｕは各積層コンデンサ１０ごとに切り分けられておらず、以降のステップＳ２，Ｓ３は、複数の積層コンデンサ１０について一括して行うことが可能である。

（ステップＳ２：内部電極印刷）
セラミックシート１１０Ｕに、第１内部電極１２となる未焼成の第１内部電極１２Ｕを形成してセラミックシート１１２Ｕが得られる。また、セラミックシート１１０Ｕに、第２内部電極１３となる未焼成の第２内部電極１３Ｕを形成してセラミックシート１１２Ｕが得られる。内部電極１２Ｕ，１３Ｕの形成には、例えば、スクリーン印刷法を用いることができる。

（ステップＳ３：積層）
図６に示すようにセラミックシート１１１Ｕ，１１２Ｕ，１１３Ｕを積層する。セラミックシート１１２Ｕ，１１３Ｕは、Ｚ軸方向に交互に配置される。内部電極１２，１３が形成されていないセラミックシート１１１Ｕは、Ｚ軸方向の最上部及び最下部に配置される。Ｚ軸方向最上部及び最下部におけるセラミックシート１１１Ｕの枚数は、保護層１７，１８の厚さに応じて適宜決定可能である。

図６では、説明の便宜上、セラミックシート１１１Ｕ，１１２Ｕ，１１３Ｕが各積層コンデンサ１０をごとに切り分けられた状態を示している。しかし、作業効率及びハンドリング性などの観点から、セラミックシート１１１Ｕ，１１２Ｕ，１１３Ｕは、積層された後に、各積層コンデンサ１０をごとに切り分けられることが好ましい。

積層されたセラミックシート１１１Ｕ，１１２Ｕ，１１３Ｕに対してプレス処理を施すことにより、複数のセラミックシート１１１Ｕ，１１２Ｕ，１１３Ｕが一体化し、複数の未焼成の素体１１Ｕが配列された積層シートが得られる。プレス処理の方法としては、例えば、静水圧プレス法を用いることができる。積層シートは、各素体１１となる未焼成の各素体１１Ｕごとに切り分けられる。

なお、セラミックシート１１２Ｕ，１１３Ｕのうち最もＺ軸方向下方にあるセラミックシート１１２Ｕ，１１３Ｕ（図６ではセラミックシート１１３Ｕ）は、セラミックシート１１０Ｕではなく、セラミックシート１１１Ｕによって形成されている。しかし、この構成は必須ではなく、セラミックシート１１２Ｕ，１１３Ｕがいずれもセラミックシート１１０Ｕによって形成されていてもよい。

図７は、本ステップＳ３で得られる未焼成の素体１１Ｕの斜視図である。素体１１Ｕでは、セラミックシート１１２Ｕ，１１３Ｕが積層体１６Ｕとなり、セラミックシート１１１Ｕが保護層１７Ｕ，１８Ｕとなっている。積層体１６Ｕの第１端面Ｔ１Ｕには第１内部電極１２Ｕが露出し、積層体１６Ｕの第２端面Ｔ２Ｕには第２内部電極１３Ｕが露出している。

（ステップＳ４：外部電極形成）
図８に示すように、積層体１６Ｕの第１端面Ｔ１Ｕを覆うように未焼成の外部電極１４Ｕを設け、積層体１６Ｕの第２端面Ｔ２Ｕを覆うように未焼成の外部電極１５Ｕを設ける。これにより、未焼成の積層コンデンサ１０Ｕが得られる。積層コンデンサ１０Ｕでは、外部電極１４Ｕが第１端面Ｔ１Ｕに露出する第１内部電極１２Ｕに接続し、外部電極１５Ｕが第２端面Ｔ２Ｕに露出する第２内部電極１３Ｕに接続している。

（ステップＳ５：焼成）
図８に示す未焼成の積層コンデンサ１０Ｕを、還元雰囲気下で焼成することにより、図１に示す積層コンデンサ１０が得られる。本ステップＳ５では、積層体１６ＵのＺ軸方向上下面に設けられた保護層１７Ｕ，１８Ｕによって、積層体１６ＵのＺ軸方向上下面からの酸素の拡散を制御できるようになる。

このように、本実施形態に係る積層コンデンサ１０の製造方法では、各誘電体層間の容量のばらつきが少ない積層コンデンサ１０が得られる。このため、本実施形態に係る製造方法によって製造される積層コンデンサ１０の容量は、狙いの設計の容量からずれにくい。

＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態に係る積層コンデンサについて説明する。本実施形態では、第１の実施形態と共通の構成について、その説明を適宜省略する。また、本実施形態の構成のうち、第１の実施形態に対応する構成には、第１の実施形態と同様の符号を用いる。

［積層コンデンサの構成］
図９，１０は、本実施形態に係る積層コンデンサの素体２１の断面図である。図９は素体２１のＺＸ平面に平行な断面を示し、図１０は素体２１のＹＺ平面に平行な断面を示している。

本実施形態に係る積層コンデンサでは、積層コンデンサの焼成時における積層体２６と保護層１７，１８との間の剥離（デラミネーション）を防止するため、中間部２７，２８が設けられる。

第１中間部２７は積層体２６のＺ軸方向上面に設けられ、第２中間部２８は積層体２６のＺ軸方向下面に設けられている。したがって、第１中間部２７は第１保護層１７に隣接し、第２中間部２８は第２保護層１８に隣接する。

図１１は積層体１６のＺ軸方向上面を示す平面図であり、図１２は積層体１６のＺ軸方向下面を示す平面図である。第１中間部２７は、積層体２６のＺ軸方向上面の、第１内部電極１２が露出していない領域に設けられている。第２中間部２８は、積層体２６のＺ軸方向下面の、第２内部電極１３が露出していない領域に設けられている。

また、中間部２７，２８は、積層体２６の１層分のＺ軸方向の厚さを有する。つまり、第１中間部２７は、積層体２６のＺ軸方向上面から、上から２層目の第２内部電極１３までの領域に配置されている。また、第２中間部２８は、積層体２６のＺ軸方向下面から、下から２層目の第１内部電極１２までの領域に配置されている。

このように、本実施形態に係る積層コンデンサでは、積層体２６を構成する第１セラミックスと、保護層１７，１８を構成する第２セラミックスとが、直接接しておらず、中間部２７，２８を介して接続されている。

本実施形態では、中間部２７，２８は、第３セラミックスによって構成されている。中間部２７，２８を構成する第３セラミックスは、積層体１６を構成する第１セラミックス、及び保護層１７，１８を構成する第２セラミックスと、マンガン及びマグネシウムの含有量のみが異なる。より詳細には、第３セラミックスのマンガンの含有量は、第１セラミックスより多く、第２セラミックスより少ない。また、第３セラミックスのマグネシウムの含有量は、第１セラミックスより少なく、第２セラミックスより多い。

つまり、中間部２７，２８を構成する第３セラミックスは、積層体１６を構成する第１セラミックスと、保護層１７，１８を構成する第２セラミックスとの中間組成を有する。したがって、第３セラミックスは、第１セラミックスと第２セラミックスとの中間の性質を有する。例えば、積層コンデンサの焼成時における第３セラミックスの収縮率は、第１セラミックスの収縮率と、第２セラミックスの収縮率との中間となる。

したがって、積層コンデンサの焼成時における第１中間部２７の収縮率は、第１セラミックスによって構成される積層体２６の収縮率にも、第２セラミックスによって構成される第１保護層１７の収縮率にも近い。このため、第１中間部２７は、積層コンデンサの焼成時に積層体２６及び保護層１７から剥離しにくく、積層体２６と保護層１７とを良好に接続する。

また、積層コンデンサの焼成時における第２中間部２８の収縮率は、第１セラミックスによって構成される積層体２６の収縮率にも、第２セラミックスによって構成される第２保護層１８の収縮率にも近い。このため、第２中間部２８は、積層コンデンサの焼成時に積層体２６及び保護層１８から剥離しにくく、積層体２６と保護層１７とを良好に接続する。

したがって、本実施形態に係る積層コンデンサでは、中間部２７，２８の作用により、積層体２６と保護層１７，１８との間のデラミネーションが生じにくい。

なお、中間部２７，２８は、積層体１６の内部電極１２，１３間に配置されていないため、積層コンデンサの容量に影響を与えない。つまり、本実施形態に係る積層コンデンサでは、容量を変化させることなく、積層体１６と保護層１７，１８と間のデラミネーションを防止することができる。

また、中間部２７，２８を構成する第３セラミックスのマンガン及びマグネシウムの含有量は均一でなくてもよい。例えば、中間部２７，２８を構成する第３セラミックスは、保護層１７，１８に近いほどマンガンの含有量が多くなっていてもよい。また、中間部２７，２８を構成する第３セラミックスは、保護層１７，１８に近いほどマグネシウムの含有量が少なくなっていてもよい。

更に、積層体１６のＹ軸方向の両端部にある、Ｚ軸方向の全範囲にわたって内部電極１２，１３が設けられていないサイドマージン部１９（図１０参照）では、中間部２７，２８がＺ軸方向のより深い位置まで拡張されていてもよい。

［積層コンデンサの製造方法］
本実施形態に係る積層コンデンサの中間部２７，２８は、マンガン及びマグネシウムの組成を調整したセラミックシートを積層することで形成することができる。

つまり、第１の実施形態に係る積層工程（図６参照）において、中間部２７，２８に対応する部分に、未焼成の中間部２７Ｕ，２８Ｕを設け、未焼成の中間部２７Ｕ，２８Ｕを有する積層体１６Ｕ（図７参照）を作製してもよい。これにより、焼成後に、本実施形態に係る中間部２７，２８を有する積層コンデンサが得られる。

＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態に係る積層コンデンサについて説明する。本実施形態では、第１の実施形態と共通の構成について、その説明を適宜省略する。また、本実施形態の構成のうち、第１の実施形態に対応する構成には、第１の実施形態と同様の符号を用いる。

［積層コンデンサの構成］
図１３は、本実施形態に係る積層コンデンサの素体３１の断面図である。図１３は素体３１のＺＸ平面に平行な断面を示している。

本実施形態に係る素体３１は、第１の実施形態に係る素体１１とは異なり、３層構造の保護層３７，３８を有する。第１保護層３７は、積層体１６のＺ軸方向上面に第１層３７ａ、第２層３７ｂ、第３層３７ｃの順番に積層されて構成されている。また、第２保護層３８は、積層体１６のＺ軸方向下面に第１層３８ａ、第２層３８ｂ、第３層３８ｃの順番に積層されて構成されている。

第１層３７ａ，３８ａ、第２層３７ｂ，３８ｂ、及び第３層３７ｃ，３８ｃは、いずれも第１の実施形態に係る保護層１７，１８と同様の第２セラミックスによって構成されているが、第２セラミックスを構成する誘電体結晶の平均粒径が相互に異なる。具体的には、第１層３７ａ，３８ａの誘電体結晶の平均粒径が最も小さく、第３層３７ｃ，３８ｃの誘電体結晶の平均粒径が最も大きい。

本実施形態では、第１層３７ａ，３８ａ、第２層３７ｂ，３８ｂ、及び第３層３７ｃ，３８ｃの誘電体結晶の平均粒径は０．１〜０．５μmである。これに対し、第１層３７ａ，３８ａの誘電体結晶の平均粒径は０．１〜０．５μmであり、第３層３７ｃ，３８ｃの誘電体結晶の平均粒径は０．２〜１．０μmである。

積層体１６に隣接する第１層３７ａ，３８ａの誘電体結晶の平均粒径が小さいと、積層コンデンサの焼成時における第１層３７ａ，３８ａの流動性が高くなる。これにより、焼成後の積層コンデンサにおいて、積層体１６と第１層３７ａ，３８ａとの高い密着性が得られる。したがって、本実施形態に係る積層コンデンサでは、積層体１６と保護層３７，３８との間のデラミネーションを防止することができる。

また、誘電体結晶の平均粒径が大きい第３層３７ｃ，３８ｃは高い強度を有する。本実施形態に係る積層コンデンサでは、積層コンデンサの外面を構成する第３層３７ｃ，３８ｃの強度が高いため、高い耐衝撃性が得られる。

［積層コンデンサの製造方法］
図１４に示すように、本実施形態に係る積層コンデンサの保護層３７，３８は、未焼成の保護層３７Ｕ，３８Ｕから形成される。保護層３７Ｕ，３８Ｕは、平均粒径の異なる第２セラミックスの粉末によって作製された第１層シート３７ａＵ，３８ａＵ、第２層シート３７ｂＵ，３８ｂＵ、及び第３層シート３７ｃＵ，３８ｃＵにより構成される。第１層シート３７ａＵ，３８ａＵの粉末の平均粒径が最も小さく、第３層シート３７ｃＵ，３８ｃＵの粉末の平均粒径が最も大きい。

以上により作製される未焼成の素体を焼成することにより、本実施形態に係る素体３１を有する積層コンデンサが得られる。

なお、本実施形態に係る積層コンデンサの保護層３７，３８は、図１０に示すような３層構造であることは必須ではない。積層コンデンサでは、保護層３７，３８における積層体１６に接する第１面で誘電体結晶の平均粒径が小さく、保護層３７，３８における第１面とは反対の第２面で誘電体結晶の平均粒径が大きければ、上記の効果が得られる。

したがって、本実施形態に係る積層コンデンサの保護層３７，３８は、積層体１６に隣接する第１面よりも、第１面とは反対の第２面の方が、第２セラミックスを構成する誘電体結晶の平均粒径が大きくなるように構成されていればよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

１０…積層コンデンサ
１１…素体
１２…第１内部電極
１３…第２内部電極
１４…第１外部電極
１５…第２外部電極
１６…積層体
１７…第１保護層
１８…第２保護層

Claims (4)

1. 第１内部電極と、誘電体層と、第２内部電極とが積層された積層体と、前記積層体と接続する第１及び第２保護層とを有する素体と、
   前記素体の第１端面を覆い、前記第１内部電極に接続する第１外部電極と、
   前記素体の第２端面を覆い、前記第２内部電極に接続する第２外部電極と
   を具備し、
   前記第１及び第２保護層のセラミックスは、マンガンの含有量が前記誘電体層のセラミックスよりも多く、マグネシウムの含有量が前記誘電体層のセラミックスよりも少ない
   積層コンデンサ。
2. 請求項１に記載の積層コンデンサであって、
   前記積層体の前記保護層に隣接する部分が、マンガンの含有量が前記積層体の中央部にある誘電層のセラミックスよりも多く前記第１及び第２保護層のセラミックスよりも少なく、マグネシウムの含有量が前記積層体の中央部にある誘電層のセラミックスよりも少なく前記第１及び第２保護層のセラミックスよりも多いセラミックスにより構成される
   積層コンデンサ。
3. 請求項１又は２に記載の積層コンデンサであって、
   前記第１及び第２保護層では、前記積層体に隣接するセラミックス粒子よりも、前記素体の表面にあるセラミックス粒子の方が、平均粒径が大きい
   積層コンデンサ。
4. 第１セラミックスにより構成され、第１内部電極が形成される第１セラミックシートを準備し、
   前記第１セラミックスにより構成され、第２内部電極が形成される第２セラミックシートを準備し、
   マンガンの含有量が前記第１セラミックスよりも多く、マグネシウムの含有量が前記第１セラミックスよりも少ない第２セラミックスにより構成される第３セラミックシートを準備し、
   前記第１及び第２セラミックシートが交互に配置され、前記第１及び第２セラミックシートを挟んで前記第３セラミックシートが配置されるように、前記第１、第２及び第３セラミックシートを積層して積層体を作製する
   積層コンデンサの製造方法。

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