JP2016012701A - クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
基板を処理する処理室内へクリーニングガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする工程と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する工程と、
を交互に繰り返すクリーニング方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
基板としてのウエハ200に対して窒化ガスとしてNH3ガスを供給することで、ウエハ200の表面を前処理する表面処理ステップを行った後、
ウエハ200に対して原料ガスとしてHCDSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対して炭素含有ガスとしてC3H6ガスを供給するステップ2と、
ウエハ200に対して酸化ガスとしてO2ガスを供給するステップ3と、
ウエハ200に対して窒化ガスとしてNH3ガスを供給するステップ4と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ200上に、Si、O、CおよびNを含む膜としてシリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)を形成する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
続いて、後述する表面改質ステップを行い、その後、次の4つのステップ、すなわち、ステップ1〜4を順次実行する。
(NH3ガス供給)
このステップでは、ガス供給管232b内へNH3ガスを流すようにし、バルブ243bを開く。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、成膜温度に加熱されたノズル249bより処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対して熱で活性化されたNH3ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ243fを開き、ガス供給管232f内へN2ガスを流す。ガス供給管232f内を流れたN2ガスは、NH3ガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
表面改質が完了した後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは表面改質に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243e,243fは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(HCDSガス供給)
表面改質ステップが終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、HCDSガスを供給する。
第1の層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはClを含むSi含有層の形成に寄与した後のHCDSガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(C3H6ガス供給)
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたC3H6ガスを供給する。
第2の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、C3H6ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはC含有層の形成に寄与した後のC3H6ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(O2ガス供給)
ステップ2が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたO2ガスを供給する。
第3の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第3の層の形成に寄与した後のO2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(NH3ガス供給)
ステップ3が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたNH3ガスを供給する。
第4の層が形成された後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第4の層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
上述したステップ1〜4を非同時に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiOCN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiOCN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくして、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
バルブ243e,243fを開き、ガス供給管243e,243fのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、マニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
上述の成膜処理を行うと、反応管203の内壁、ノズル249a,249bの表面、ボート217の表面等に、SiOCN膜等の薄膜を含む堆積物が累積する。すなわち、この薄膜を含む堆積物が、成膜温度に加熱された処理室201内の部材の表面等に付着して累積する。また、成膜温度に加熱されたノズル249a,249bの内部にも、堆積物が付着して累積する。これらの堆積物の量(厚さ)が、堆積物に剥離や落下が生じる前の所定の量(厚さ)に達する前に、クリーニング処理が行われる。
第1のクリーニング温度に加熱された処理室201内へ、第1のクリーニング温度に加熱されたノズル249aよりクリーニングガスとしてフッ素系ガスを供給するとともに第1のクリーニング温度に加熱されたノズル249bよりクリーニングガスとして反応促進ガスを供給することで、処理室201内の部材の表面に堆積したSiOCN膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する第1のクリーニング処理と、
処理室201内の温度を第1のクリーニング温度よりも高い第2のクリーニング温度に変更する昇温処理と、
第2のクリーニング温度に加熱された処理室201内へ、第2のクリーニング温度に加熱されたノズル249aよりフッ素系ガスを供給することで、堆積物除去後に処理室201内の部材の表面に残留した物質を熱化学反応により取り除くと共に、ノズル249a内に付着した堆積物を熱化学反応により除去する第2のクリーニング処理と、
第2のクリーニング温度に加熱された処理室201内へ、第2のクリーニング温度に加熱されたノズル249bよりフッ素系ガスを供給することで、堆積物除去後に処理室201内の部材の表面に残留した物質を熱化学反応により取り除くと共に、ノズル249b内に付着した堆積物を熱化学反応により除去する第3のクリーニング処理と、
を実施することで行われる。
処理室201内へクリーニングガスを供給し、排気管231を介して処理室201内のクリーニングガスを排気することで、処理室201内をクリーニングする第1工程としてのステップA1〜A3と、
排気管231内へのクリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで排気管231を冷却する第2工程としてのステップB1〜B3と、
を交互に繰り返す。
空のボート217、すなわち、ウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が第1のクリーニング圧力となるように、真空ポンプ246によって真空排気される。また、処理室201内が第1のクリーニング温度となるように、ヒータ207によって加熱される。処理室201内を第1のクリーニング温度に加熱することで、反応管203の内壁、ノズル249a,249bの表面や内部(内壁)、ボート217の表面等は、第1のクリーニング温度に加熱される。処理室201内の温度が第1のクリーニング温度に到達したら、後述する第1のクリーニング処理が完了するまでの間は、その温度が維持されるように制御する。続いて、回転機構267によるボート217の回転を開始する。ボート217の回転は、後述する第3のクリーニング処理が完了するまでの間は、継続して行われる。但し、ボート217は回転させなくてもよい。
その後、次の2つのステップ、すなわち、ステップA1,B1を順次実行する。
このステップでは、次の2つのサブステップ、すなわち、サブステップa1,a2を順次行う。
ところで、先に述べたSiOCN膜の成膜処理を行うと、処理室201内や排気管231内を流通するHCDSガスに含まれるClと、処理室201内や排気管231内を流通するNH3ガス等に含まれるNやHと、が反応し、排気管231の内壁等の低温部に塩化アンモニウム(NH4Cl)等を含む反応副生成物が付着することとなる。特に、原料ガスとして、HCDSガスのような1分子中に含まれるClの数が多いガスを用いる場合、MCSガスやDCSガスのような1分子中に含まれるClの数が少ないガスを用いる場合と比較して、NH4Cl等の反応副生成物が生成されやすくなり、反応副生成物の付着量が増加しやすくなる。また、排気管231が、例えば蛇腹状のベローズ管のように内壁に凹凸構造を有する管として構成されている場合にも、反応副生成物の付着量が増加しやすくなる。
その後、ステップA1とステップB1とを交互に所定回数繰り返し、第1のクリーニング処理を進行させる。ステップA1,B1を交互に繰り返すことで、排気管231の温度を臨界温度未満の温度に維持したまま、上述の堆積物の除去処理を適正に進行させることが可能となる。
第1のクリーニング処理が終了したら、処理室201内が第2のクリーニング圧力となるように、真空ポンプ246によって真空排気される。また、処理室201内が第2のクリーニング温度となるように、ヒータ207によって加熱される。処理室201内を第2のクリーニング温度に加熱することで、反応管203の内壁、ノズル249a,249bの表面や内部(内壁)、ボート217の表面等は、第2のクリーニング温度に加熱される。処理室201内の圧力、温度が、第2のクリーニング圧力、第2のクリーニング温度に到達したら、後述する第2,第3のクリーニング処理が完了するまでの間は、その圧力、温度が維持されるように制御する。
昇温処理が終了したら、次の2つのステップ、すなわち、ステップA2,B2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内の温度、圧力が、第2のクリーニング温度、第2のクリーニング圧力に維持された状態で、処理室201内へ、第2のクリーニング温度に加熱されたノズル249aよりF2ガスを連続的に供給する。このとき、バルブ243cを開き、ガス供給管232cからF2ガスを流すようにする。また、このとき、バルブ243eを開き、ガス供給管232eからN2ガスを流し、ガス供給管232a内でF2ガスを希釈するようにしてもよい。
上述のステップA2を行うと、排気管231の内部にクリーニングガス(F2ガス)が流通することとなる。排気管231の内部に反応副生成物が付着した状態でステップA2を行うと、ステップA1と同様に、排気管231の内部を流通するクリーニングガスと、排気管231内に付着している反応副生成物と、が反応し、排気管231の温度が上昇することとなる。
その後、ステップA2とステップB2とを交互に所定回数繰り返し、第2のクリーニング処理を進行させる。ステップA2,B2を交互に繰り返すことで、排気管231の温度を臨界温度未満の温度に維持したまま、上述のトリートメント処理や堆積物の除去処理を適正に進行させることが可能となる。
第2のクリーニング処理が終了したら、次の2つのステップ、すなわち、ステップA3,B3を順次実行する。
このステップでは、処理室201内の温度、圧力が、第2のクリーニング温度、第2のクリーニング圧力に維持された状態で、処理室201内へ、第2のクリーニング温度に加熱されたノズル249bよりF2ガスを連続的に供給する。ガス供給管232dからF2ガスを流すようにし、バルブ243dを開く。また、このとき、バルブ243fを開き、ガス供給管232fからN2ガスを流し、ガス供給管232b内でF2ガスを希釈するようにしてもよい。
上述のステップA3を行うと、排気管231の内部にクリーニングガス(F2ガス)が流通することとなる。排気管231の内部に反応副生成物が付着した状態でステップA3を行うと、ステップA1,A2と同様に、排気管231の内部を流通するクリーニングガスと、排気管231内に付着している反応副生成物と、が反応し、排気管231の温度が上昇することとなる。
その後、ステップA3とステップB3とを交互に所定回数繰り返し、第3のクリーニング処理を進行させる。ステップA3,B3を交互に繰り返すことで、排気管231の温度を臨界温度未満の温度に維持したまま、上述のトリートメント処理や堆積物の除去処理を適正に進行させることが可能となる。
第3のクリーニング処理が終了したら、バルブ243dを閉じ、処理室201内へのF2ガスの供給を停止する。そして、バルブ243e,243fを開き、ガス供給管232e,232fのそれぞれから処理室201内へN2ガスを流し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされる。このとき、図6に示すように、バルブ243e,243fの開閉動作を繰り返すことで、処理室201内のパージを間欠的に行うようにしてもよい(サイクルパージ)。その後、処理室201内の雰囲気がN2ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、空のボート217が、マニホールド209の下端から反応管203の外部へ搬出される(ボートアンロード)。これら一連の工程が終了すると、上述の成膜処理が再開されることとなる。
本実施形態におけるクリーニング処理は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
ステップA1を行う際に、処理室201内へのF2ガス、HFガスの供給を間欠的に行うのではなく、ステップA2,A3と同様に、連続的に行うようにしてもよい。すなわち、ステップA1では、バルブ243c,243dを開いたまま維持するようにしてもよい。この場合においても、クリーニングガスと反応副生成物との反応熱により排気管231の温度が上昇するが、ステップB1を上述のタイミングで行うことで、図6に示すクリーニングシーケンスと同様に、排気管231の温度を臨界温度未満の温度に維持したまま、上述の堆積物の除去処理を適正に進行させることが可能となる。
ステップA1を行う際に、処理室201内へのF2ガス、HFガスの供給を連続的に行いつつ、さらに、処理室201内へN2ガスを間欠的に供給することで、処理室201内の圧力を変動させるようにしてもよい。すなわち、ステップA1では、バルブ243c,243dを開いたままとし、さらにこのとき、バルブ243e,243fのうち少なくともいずれかのバルブの開閉動作を繰り返すようにしてもよい。この場合にも、図6に示すクリーニングシーケンスと同様に、処理室201内からの堆積物の除去効率を高めることが可能となる。
ステップA1を行う際に、処理室201内へF2ガスとHFガスとを供給して封じ込めるステップと、処理室201内を排気するステップと、を繰り返すようにしてもよい。例えば、ステップA1では、バルブ243c,243dを開いたまま維持するようにし、さらにこのとき、APCバルブ244の開閉動作を繰り返すようにしてもよい。また例えば、ステップA1では、APCバルブ244を閉じた状態でバルブ243c,243dを開いたまま維持する動作と、バルブ243c,243dを閉じた状態でAPCバルブ244を開いたまま維持する動作と、を繰り返すようにしてもよい。
例えば、ノズル249b内に堆積物が付着しない場合、或いは、ノズル249b内に付着する堆積物の量が少ない場合は、第2のクリーニング処理を行った後、第3のクリーニング処理を行わなくてもよい。また、ノズル249b内に付着する堆積物の量が少ない場合に第3のクリーニング処理を行う場合でも、第2のクリーニング処理よりも短い時間だけクリーニング処理を行うようにしてもよい。例えばステップA3の実施時間をステップA2の実施時間よりも短くするようにしてもよいし、第3のクリーニング処理全体の実施時間を第2のクリーニング処理全体の実施時間よりも短くするようにしてもよい。また、ステップA3,B3の繰り返し回数をステップA2,B2の繰り返し回数よりも少なくするようにしてもよい。これらの場合、クリーニング処理のトータルでの所要時間を短縮させ、生産性を向上させることが可能となる。また、ノズル249b内、すなわち、ノズル249bの内壁へのエッチングダメージを回避することも可能となる。また、排気管231の温度上昇を防ぎ、排気管231の腐食をより確実に回避することも可能となる。
以下、第1〜第3のクリーニング処理の処理条件について、それぞれ説明する。
ステップA1のうち、サブステップa1における処理条件としては、
第1のクリーニング温度:400℃未満、好ましくは200℃〜350℃、
第1のクリーニング圧力:1330Pa(10Torr)〜101300Pa(大気圧)、好ましくは13300Pa(100Torr)以上53320Pa(400Torr)、
F2ガス供給流量:0.5〜20slm、
HFガス供給流量:0.5〜20slm、
N2ガス供給流量:0.1〜20slm、
HFガス/F2ガス流量比:0.25〜4、
実施時間:1分〜3分、
が例示される。
第1のクリーニング温度:400℃未満、好ましくは200℃〜350℃、
第1のクリーニング圧力:10Pa〜50Pa、
F2ガス供給流量:0slm、
HFガス供給流量:0slm、
N2ガス供給流量:1slm〜20slm、
実施時間:1分〜3分、
が例示される。
第1のクリーニング温度:400℃未満、好ましくは200℃〜350℃、
第1のクリーニング圧力:10Pa〜50Pa、
F2ガス供給流量:0slm、
HFガス供給流量:0slm、
N2ガス供給流量:1slm〜20slm、
実施時間:10分〜60分、
が例示される。
ステップA2,A3における処理条件としては、
第2のクリーニング温度:400℃以上、好ましくは400℃〜500℃、
第2のクリーニング圧力:1330Pa(10Torr)〜26600Pa(200Torr)、好ましくは13300Pa(100Torr)以上19950Pa(150Torr)、
F2ガス供給流量:0.2〜5slm、
HFガス供給流量:0slm、
N2ガス供給流量:1〜20slm、
実施時間:5分〜10分、
が例示される。
第2のクリーニング温度:400℃以上、好ましくは400℃〜500℃、
第1のクリーニング圧力:10Pa〜50Pa、
F2ガス供給流量:0slm、
HFガス供給流量:0slm、
N2ガス供給流量:1slm〜20slm、
実施時間:10分〜60分、
が例示される。
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を得ることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室内へクリーニングガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする工程と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する工程と、
を交互に繰り返すクリーニング方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内をクリーニングする工程を、前記排気管の温度が第1の温度となるまで行い、前記排気管を冷却する工程を、前記排気管の温度が前記第1の温度よりも低い第2の温度となるまで行う。
付記2に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の温度は、前記排気管に腐食が生じる温度未満の温度である。
付記2または3に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の温度は、前記第1の温度の1/2以下の温度である。
付記1乃至4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記排気管を冷却する工程では、前記排気管内へ不活性ガスを流通させる。
付記1乃至5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記排気管を冷却する工程の実施時間を、前記処理室内をクリーニングする工程の実施時間よりも長くする。
付記1乃至6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内をクリーニングする工程では、前記処理室内へ前記クリーニングガスを供給する工程と、前記処理室内への前記クリーニングガスの供給を停止した状態で前記排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを繰り返す。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記排気管を冷却する工程の実施時間を、前記サイクルを1回行うのに要する時間よりも長くする。
付記1乃至8のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内をクリーニングする工程では、前記処理室内に設けられたノズルを介して前記クリーニングガスを供給する。
付記1乃至9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記排気管を冷却する工程では、前記排気管を自然冷却させるか、前記排気管内へ不活性ガスを供給することで前記排気管を強制冷却させる。
付記1乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記処理室内の基板に対して処理ガスを供給し、前記排気管を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気することで、前記基板を処理した後の前記処理室を準備する工程を更に有する。
付記11に記載の方法であって、好ましくは、
前記処理ガスは、ハロゲン元素を含むガス(ハロゲン系ガス)と、窒素および水素を含むガス(窒化水素系ガス)と、を含む。好ましくは、前記ハロゲン元素を含むガスは、1分子中に前記ハロゲン元素を3つ以上有する。
付記1乃至12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記クリーニングガスは、フッ素系ガスを含む。
本発明の他の態様によれば、
処理室内の基板に対して処理ガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気することで、前記基板を処理する工程と、
前記処理室内をクリーニングする工程と、を有し、
前記処理室内をクリーニングする工程では、
前記処理室内へクリーニングガスを供給し、前記排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする第1工程と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する第2工程と、
を交互に繰り返す半導体装置の製造方法、および、基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内へガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気管を介して排気する排気系と、
前記処理室内へクリーニングガスを供給し、前記排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする処理と、前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する処理と、を交互に繰り返すように、前記供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理する処理室内へクリーニングガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする手順と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する手順と、
を交互に繰り返す手順をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
201 処理室
207 ヒータ
232a〜232f ガス供給管
249a,249b ノズル
121 コントローラ
Claims (5)
- 基板を処理する処理室内へクリーニングガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする工程と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する工程と、
を交互に繰り返すクリーニング方法。 - 前記処理室内をクリーニングする工程を、前記排気管の温度が第1の温度となるまで行い、前記排気管を冷却する工程を、前記排気管の温度が前記第1の温度よりも低い第2の温度となるまで行う請求項1に記載のクリーニング方法。
- 処理室内の基板に対して処理ガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記処理ガスを排気することで、前記基板を処理する工程と、
前記処理室内をクリーニングする工程と、を有し、
前記処理室内をクリーニングする工程では、
前記処理室内へクリーニングガスを供給し、前記排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする第1工程と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する第2工程と、
を交互に繰り返す半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内へガスを供給する供給系と、
前記処理室内を排気管を介して排気する排気系と、
前記処理室内へクリーニングガスを供給し、前記排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする処理と、前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する処理と、を交互に繰り返すように、前記供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理室内へクリーニングガスを供給し、排気管を介して前記処理室内の前記クリーニングガスを排気することで、前記処理室内をクリーニングする手順と、
前記排気管内への前記クリーニングガスの流通を実質的に停止した状態を維持することで前記排気管を冷却する手順と、
を交互に繰り返す手順をコンピュータに実行させるプログラム。
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