CN112921304A - 一种多炉管的原子层沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本发明属于真空设备领域，提供了一种多炉管的原子层沉积设备，包括至少两个炉管，每个炉管的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路，总管路的另一端连接有一个真空抽吸装置。本发明提供的多炉管的原子层沉积设备，各炉管共用一套真空系统，保证薄膜沉积均匀性的同时提高了设备的总产能，降低了相同产能配置所需的设备成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种原子层沉积设备，尤其涉及一种多炉管的原子层沉积设备。
背景技术
晶硅电池以及一些电子器件的制备过程中需要在硅片等衬底上沉积各种薄膜材料，以晶硅电池为例，为了增加晶硅表面的钝化以减少光生载流子的复合，需要在晶硅表面沉积一层氧化铝，现有方式多是通过PECVD(等离子增强化学沉积设备)或者ALD(原子层沉积设备)制备，即硅片衬底分别在石墨舟或铝舟载具上放置在高温炉管内，通过跟对应的气源进行化学反应将氧化铝沉积在硅片表面。
目前的真空沉积设备普遍存在的一个问题是，为了提升单炉管产能需要将炉管做的非常长(舟可以更长使放置的硅片更多)，以原子层沉积设备为例，沉积的过程为炉口一侧通入气源，炉尾通过真空泵进行抽滤，保证腔体处于稳定的工艺压力下，同时将气源在真空压力作用下从头分散至尾，但是由于沉积过程硅片会对气源产生消耗，气源从炉门通入经过炉头炉中硅片的反应消耗后，炉尾的气源量就会比较稀少，因此炉尾的薄膜沉积均匀性就会比较差。想要兼顾薄膜沉积均匀性和高产能目前没有较好的方法，只能通过增加整套设备的数量，这样设备成本就比较高。
发明内容
本发明的目的是克服现有的缺陷，提供一种多炉管的原子层沉积设备，解决目前为了兼顾薄膜沉积均匀性和高产能而增加设备数量导致设备成本高的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种多炉管的原子层沉积设备，包括至少两个炉管，每个所述炉管的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路，所述总管路的另一端连接有一个真空抽吸装置。
进一步地，每个所述炉管为双层结构，由内到外分别为工艺内腔和外壳。
进一步地，所述真空抽吸装置为真空泵。
进一步地，所述总管路上设置有过滤器。
进一步地，每个所述炉管的长度相同，所述总管路上设置有总角阀。
进一步地，每个所述连接管上设置有一个独立角阀。
进一步地，所述总管路上涉及连接的位置均采用抱箍进行连接。
本发明一种多炉管的原子层沉积设备，各炉管共用一套真空系统，保证薄膜沉积均匀性的同时提高了设备的总产能，降低了相同产能配置所需的设备成本。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例1的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
如图1所示，一种多炉管的原子层沉积设备，包括两个炉管1，每个炉管1的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路2，总管路2的另一端连接有一个真空泵3。
工作原理：
每个炉管的长度比常规炉管的长度要短，两个炉管的总长度比常规炉管的长度要长，这种组合可以使工艺腔体内部的硅片总量增加，而工艺气体的行程又有所减少，使得常规真空泵能够满足工作需求，从而既保证薄膜沉积的均匀性，又增加了设备产能，还降低了设备成本(真空及抽滤的成本占比较大)。
每个炉管1为双层结构，由内到外分别为工艺内腔和外壳，外壳能够对工艺内腔起到支撑和保温的作用。
总管路2上设置有过滤器4，对工艺腔体内反应产生的杂质进行过滤，防止真空泵受损。
每个炉管1的长度相同，即工艺腔体的尺寸一致，从而保证每个工艺腔体内各项工艺参数的一致性，便于进行统一控制，总管路2上设置有总角阀5，通过控制总角阀的开度能够实现对每个工艺腔体内压力的控制，从而控制每个工艺腔体内的反应速度和时间。
总管路2上涉及连接的位置均采用抱箍进行连接，拆装方便，便于对设备进行维修。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于：每个连接管上设置有一个独立角阀，当只有一个炉管工作时，可以将未工作炉管的独立角阀关闭，或者当两个炉管长度不同时，可以对两个炉管的工艺腔体内压力进行分别控制。
本发明一种多炉管的原子层沉积设备，各炉管共用一套真空系统，保证薄膜沉积均匀性的同时提高了设备的总产能，降低了相同产能配置所需的设备成本。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：包括至少两个炉管，每个所述炉管的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路，所述总管路的另一端连接有一个真空抽吸装置。
2.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：每个所述炉管为双层结构，由内到外分别为工艺内腔和外壳。
3.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：所述真空抽吸装置为真空泵。
4.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：所述总管路上设置有过滤器。
5.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：每个所述炉管的长度相同，所述总管路上设置有总角阀。
6.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：每个所述连接管上设置有一个独立角阀。
7.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：所述总管路上涉及连接的位置均采用抱箍进行连接。
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Citations (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049278A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Canon Inc | 真空処理方法及び真空処理装置 |
| JP2004131760A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Canon Inc | 真空処理装置 |
| CN2903095Y (zh) * | 2006-04-07 | 2007-05-23 | 烟台冶金新材料研究所 | 制造飞机炭刹车盘的炭管式多料柱大型气相沉积炉 |
| CN101845621A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-09-29 | 刘忆军 | 大面积平板式等离子体增强化学气相沉积系统 |
| US20110312162A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-22 | Griffith University | chemical vapour deposition system and process |
| US20130068161A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery and distribution for uniform process in linear-type large-area plasma reactor |
| WO2015196066A2 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | The Regents Of The University Of California | Method for the fabrication and transfer of graphene |
| US20150376781A1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Cleaning method, manufacturing method of semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| WO2017051790A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | シャープ株式会社 | 蒸着源および蒸着装置並びに蒸着膜製造方法 |
| CN206089057U (zh) * | 2016-08-02 | 2017-04-12 | 上海伊莱茨真空技术有限公司 | 一种用于多台多晶硅炉的中央真空系统 |
| CN109023305A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管间资源共用的管式pecvd设备 |
| CN209537622U (zh) * | 2018-12-21 | 2019-10-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式pecvd的真空反应炉管 |
| CN110453199A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-11-15 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置 |
| US20200075297A1 (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | Toshiba Memory Corporation | Exhaust pipe device and cleaning device |
| CN210261955U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-04-07 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种高温气相沉积炉体结构 |
| CN111041458A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种连续式pecvd设备 |
| CN111270219A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-06-12 | 无锡市正罡自动化设备有限公司 | Ald加热炉 |
| CN211367813U (zh) * | 2019-11-14 | 2020-08-28 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 |
| CN211689233U (zh) * | 2020-03-17 | 2020-10-16 | 杭州朗旭新材料科技有限公司 | 一种金属管件内壁镀膜系统 |
| CN212533120U (zh) * | 2019-10-25 | 2021-02-12 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 一种叠层薄膜的生产装置 |
| CN212610887U (zh) * | 2020-04-27 | 2021-02-26 | 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 | 双层石英工艺室结构 |
-
2021
- 2021-04-01 CN CN202110356604.XA patent/CN112921304A/zh active Pending
Patent Citations (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049278A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Canon Inc | 真空処理方法及び真空処理装置 |
| JP2004131760A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Canon Inc | 真空処理装置 |
| CN2903095Y (zh) * | 2006-04-07 | 2007-05-23 | 烟台冶金新材料研究所 | 制造飞机炭刹车盘的炭管式多料柱大型气相沉积炉 |
| US20110312162A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-22 | Griffith University | chemical vapour deposition system and process |
| CN101845621A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-09-29 | 刘忆军 | 大面积平板式等离子体增强化学气相沉积系统 |
| US20130068161A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery and distribution for uniform process in linear-type large-area plasma reactor |
| WO2015196066A2 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | The Regents Of The University Of California | Method for the fabrication and transfer of graphene |
| US20150376781A1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Cleaning method, manufacturing method of semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| WO2017051790A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | シャープ株式会社 | 蒸着源および蒸着装置並びに蒸着膜製造方法 |
| CN206089057U (zh) * | 2016-08-02 | 2017-04-12 | 上海伊莱茨真空技术有限公司 | 一种用于多台多晶硅炉的中央真空系统 |
| CN109023305A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-18 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管间资源共用的管式pecvd设备 |
| US20200075297A1 (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | Toshiba Memory Corporation | Exhaust pipe device and cleaning device |
| CN209537622U (zh) * | 2018-12-21 | 2019-10-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式pecvd的真空反应炉管 |
| CN210261955U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-04-07 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种高温气相沉积炉体结构 |
| CN110453199A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-11-15 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置 |
| CN212533120U (zh) * | 2019-10-25 | 2021-02-12 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 一种叠层薄膜的生产装置 |
| CN211367813U (zh) * | 2019-11-14 | 2020-08-28 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置 |
| CN111041458A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种连续式pecvd设备 |
| CN211689233U (zh) * | 2020-03-17 | 2020-10-16 | 杭州朗旭新材料科技有限公司 | 一种金属管件内壁镀膜系统 |
| CN111270219A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-06-12 | 无锡市正罡自动化设备有限公司 | Ald加热炉 |
| CN212610887U (zh) * | 2020-04-27 | 2021-02-26 | 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 | 双层石英工艺室结构 |
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