CN211339682U - 镀膜设备 - Google Patents
镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211339682U CN211339682U CN201922021610.0U CN201922021610U CN211339682U CN 211339682 U CN211339682 U CN 211339682U CN 201922021610 U CN201922021610 U CN 201922021610U CN 211339682 U CN211339682 U CN 211339682U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pump
- reaction
- reaction chamber
- process pump
- reaction cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
一种镀膜设备,其包括第一反应腔组、第二反应腔组、一个第一工艺泵、一个第二工艺泵及一个抽真空泵,所述第一反应腔组包含相互独立的多个第一反应腔,所述第二反应腔组包含相互独立的多个第二反应腔,多个所述第一反应腔、所述第二反应腔分别与一个所述抽真空泵连接以实现共享所述抽真空泵,多个所述第一反应腔分别与一个所述第一工艺泵连接以实现共享所述第一工艺泵,多个所述第二反应腔分别与一个所述第二工艺泵连接以实现共享所述第二工艺泵,降低了工艺泵的数量,大幅度降低设备成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,尤其涉及一种镀膜设备。
背景技术
原子层沉积(ALD,Atomic Layer Deposition)是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法,薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积(PEALD, Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。目前市场上的管式镀膜设备,一个反应腔搭配一个真空泵,真空泵价格昂贵,导致设备的整体成本很高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供了一种降低设备成本的镀膜设备
为实现前述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种镀膜设备,其包括第一反应腔组、第二反应腔组、一个第一工艺泵、一个第二工艺泵及一个抽真空泵,所述第一反应腔组包含相互独立的多个第一反应腔,所述第二反应腔组包含相互独立的多个第二反应腔,多个所述第一反应腔、所述第二反应腔分别与一个所述抽真空泵连接以实现共享所述抽真空泵,多个所述第一反应腔分别与一个所述第一工艺泵连接以实现共享所述第一工艺泵,多个所述第二反应腔分别与一个所述第二工艺泵连接以实现共享所述第二工艺泵。
进一步地,所述第一工艺泵与所述第二工艺泵相互独立运行。
进一步地,每个所述第一反应腔与所述第二反应腔均设有出气口和进料口,所述出气口连接所述抽真空泵,所述第一反应腔的所述进料口连接所述第一工艺泵,所述第二反应腔的所述进料口连接所述第二工艺泵。
进一步地,所述第一反应腔和所述第二反应腔的所述出气口与所述抽真空泵之间分别设置有第一角阀和第二角阀以控制所述出气口的打开、闭合。
进一步地,所述第一反应腔的所述进料口与对应所述第一工艺泵之间设置有第三角阀和第一蝶阀以控制进料口的打开、闭合;所述第二反应腔的所述进料口与对应所述第二工艺泵之间设置有第四角阀和第二蝶阀以控制进料口的打开、闭合。
进一步地,所述第一工艺泵和所述第二工艺泵上均设有排出口,工艺气体从该排出口排出。
进一步地,所述抽真空泵和所述第一工艺泵、所述第二工艺泵分开设置。
本实用新型镀膜设备中的第一反应腔组的多个第一反应腔共用一个第一工艺泵,第二反应腔组的多个第二反应腔共用一个第二工艺泵,如此设计,降低了工艺泵的数量,大幅度降低设备成本;多个第一反应腔和多个第二反应腔共享一个抽真空泵,减少了抽真空泵的数量,进一步降低了设备成本。
附图说明
图1为本实用新型镀膜设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。
下文描述中所述的“连接”等词,在没有特别说明的情况下,可以是直接连接,也可以是间接连接,即允许有第三方物质介入;可以是可拆卸式的连接,也可以是不可拆卸式的连接;术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件,但这些元件不受这些术语的限制,此术语仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。
请参阅图1所示,本实用新型的实施例揭露一种镀膜设备,其包括第一反应腔组10、与所述第一反应腔组10相互独立的第二反应腔组20、与所述第一反应腔组10连接的第一工艺泵30、与所述第二反应腔组20连接的第二工艺泵40及一个与所述第一反应腔组10和所述第二反应腔组20 连接的抽真空泵50,所述抽真空泵50和第一工艺泵30、第二工艺泵40分开设置。在本实施方式中,所述镀膜设备为管式等离子体增强原子层沉积镀膜设备。
第一反应腔组10包含相互独立的多个第一反应腔11,第二反应腔组 20包含相互独立的多个第二反应腔21。本申请揭示的实施例中,第一反应腔11与第二反应腔21为圆柱体状,其制备材料为石英、陶瓷等,其直径在300mm到500mm之间,长度在2000mm到2500mm之间。第一反应腔11与第二反应腔21的制成材料和尺寸可以相同或不同。在其他实施方式中,第一反应腔11与第二反应腔21可以设置为长方体状、正方体状等形状。每个第一反应腔11与第二反应腔21均设有出气口(未图示)和进料口(未图示),出气口连接抽真空泵50,进料口连接第一工艺泵30 或第二工艺泵40。每个第一反应腔11与第二反应腔21内均放置载具(未图示),载具内放置待镀膜的物体,例如硅片等,载具制备材料如石墨、不锈钢等,载具可承载面积156mm x156mm硅片。每个第一反应腔11、第二反应腔21的出气口均分别与一个所述抽真空泵50连接,每个第一反应腔11和第二反应腔21的出气口与抽真空泵50之间均设置有一个第一角阀13、第二角阀23,第一角阀13、第二角阀23用来控制出气口的打开、闭合;第一反应腔组10的各第一反应腔11的进料口分别与一个所述第一工艺泵30连接,各第一反应腔11的进料口与该第一工艺泵30之间均设置有第三角阀14和第一蝶阀15以控制进料口的打开、闭合;第二反应腔组20的各第二反应腔21的进料口与所述第二工艺泵40连接,各第二反应腔21与该第二工艺泵40之间也设置有第四角阀24和第二蝶阀25以控制进料口打开、闭合。第一工艺泵30与第二工艺泵40相互独立运行。
本实用新型等离子体增强原子层沉积镀膜设备工作时,各第一反应腔 11、第二反应腔21在初始状态时与大气相通,第一角阀13、第二角阀23 打开后,抽真空泵50开始工作将第一反应腔11和第二反应腔21内的空气抽出,使第一反应腔11和第二反应腔21内部处于低真空状态(约 2-3Pa),为第一工艺泵30和第二工艺泵40的工作提供合适的条件;第一反应腔11和第二反应腔21交替工作时,第三角阀14、第四角阀24和第一蝶阀15、第二蝶阀25打开,对应的第一工艺泵30、第二工艺泵40开始运行以实现对第一反应腔11和第二反应腔21内的载具上的物体进行镀膜。第一工艺泵30、第二工艺泵40上均设有排出口(未图示),工艺气体(比如废气)从该排出口排出。
本实用新型镀膜设备工作时,定义一个工艺循环的总时间为T,其中第一工艺泵30、第二工艺泵40使用的时间为t1,第一反应腔组10、第二反应腔组20中第一反应腔11、第二反应腔21的数量为n,当t1<T/n时,即可实现第一反应腔组10的若干第一反应腔11共享第一工艺泵30、第二反应腔组20的第二反应腔21共享第二工艺泵40;定义抽真空的时间为t2,第一反应腔11和第二反应腔11的总数量为N,当t2<T/N时,即可实现第一反应腔11和第二反应腔11共享抽真空泵50。
在其他实施方式中,可以仅设置一个反应腔组10、20、也可以设置两个、三个…N个(N为自然数)反应腔组10、20。在不同设置中,将反应腔组10、20中的反应腔11、21的设置合适的数量,即可使多个反应腔11、 21共用一个抽真空泵50和一个工艺泵30、40。
本实用新型镀膜设备的第一反应腔组10的多个第一反应腔11和第二反应腔组20的多个第二反应腔21共享一个抽真空泵50,减少了抽真空泵 50的数量,大大降低了设备成本;第一反应腔组10的多个第一反应腔11 共用一个第一工艺泵30,第二反应腔组20的多个第二反应腔21共用一个第二工艺泵40,如此设计,降低了工艺泵30、40的数量,大幅度降低设备成本;抽真空泵50和第一工艺泵30、第二工艺泵40分开设置,可以有效的减少第一工艺泵30、第二工艺泵40产生的粉尘对抽真空泵50的影响,降低抽真空泵50卡死的概率,从而保证设备的正常运行、提高镀膜效率。
以上实施例仅用于说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案,对本说明书的理解应该以所属技术领域的技术人员为基础,例如对“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”等方向性的描述,尽管本说明书参照上述的实施例对本实用新型已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,所属技术领域的技术人员仍然可以对本实用新型进行修改或者等同替换,而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进,均应涵盖在本实用新型的权利要求范围内。
Claims (8)
1.一种镀膜设备,其特征在于:包括第一反应腔组(10)、第二反应腔组(20)、一个第一工艺泵(30)、一个第二工艺泵(40)及一个抽真空泵(50),所述第一反应腔组(10)包含相互独立的多个第一反应腔(11),所述第二反应腔组(20)包含相互独立的多个第二反应腔(21),多个所述第一反应腔(11)、所述第二反应腔(21)分别与一个所述抽真空泵(50)连接以共享所述抽真空泵(50),多个所述第一反应腔(11)分别与一个所述第一工艺泵(30)连接以共享所述第一工艺泵(30),多个所述第二反应腔(21)分别与一个所述第二工艺泵(40)连接以共享所述第二工艺泵(40)。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于:每个所述第一反应腔(11)与所述第二反应腔(21)内均放置载具,所述载具内放置待镀膜的物体。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于:所述第一工艺泵(30)与所述第二工艺泵(40)相互独立运行。
4.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于:每个所述第一反应腔(11)与所述第二反应腔(21)均设有出气口和进料口,所述出气口连接所述抽真空泵(50),所述第一反应腔(11)的所述进料口连接所述第一工艺泵(30),所述第二反应腔(21)的所述进料口连接所述第二工艺泵(40)。
5.根据权利要求4所述的镀膜设备,其特征在于:所述第一反应腔(11)和所述第二反应腔(21)的所述出气口与所述抽真空泵(50)之间分别设置有第一角阀(13)、第二角阀(23)以控制所述出气口的打开、闭合。
6.根据权利要求4所述的镀膜设备,其特征在于:所述第一反应腔(11)的所述进料口与对应所述第一工艺泵(30)之间设置有第三角阀(14)和第一蝶阀(15)以控制进料口的打开、闭合;所述第二反应腔(21)的所述进料口与对应所述第二工艺泵(40)之间设置有第四角阀(24)和第二蝶阀(25)以控制进料口的打开、闭合。
7.根据权利要求4所述的镀膜设备,其特征在于:所述第一工艺泵(30)和所述第二工艺泵(40)上均设有排出口,工艺气体从该排出口排出。
8.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于:所述抽真空泵(50)和所述第一工艺泵(30)、所述第二工艺泵(40)分开设置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922021610.0U CN211339682U (zh) | 2019-11-21 | 2019-11-21 | 镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922021610.0U CN211339682U (zh) | 2019-11-21 | 2019-11-21 | 镀膜设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211339682U true CN211339682U (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=72128418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201922021610.0U Active CN211339682U (zh) | 2019-11-21 | 2019-11-21 | 镀膜设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN211339682U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113416944A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-21 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备及其工作方法 |
-
2019
- 2019-11-21 CN CN201922021610.0U patent/CN211339682U/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113416944A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-21 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备及其工作方法 |
CN113416944B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-04-19 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备及其工作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102454243B1 (ko) | 기판 에지들에서 이면 증착을 감소시키고 두께 변화들을 완화하기 위한 시스템들 및 방법들 | |
KR101760789B1 (ko) | 다중 층 및/또는 경사층을 증착하는 방법 | |
JP2016520717A (ja) | Aldコーティングによるターゲットポンプ内部の保護 | |
TWI567228B (zh) | 成膜裝置、成膜方法及非暫時性記憶媒體 | |
CN211339682U (zh) | 镀膜设备 | |
US11401606B2 (en) | Coating nozzle, coating device and corresponding coating method | |
CN102534538A (zh) | 一种真空腔室间气氛隔离装置 | |
CN101215692B (zh) | 多反应腔原子层沉积装置和方法 | |
WO2024125354A1 (zh) | 喷淋板、喷淋方法及处理装置 | |
JP5718767B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
KR20140128322A (ko) | 알루미늄 옥사이드 층을 이용한 태양 전지의 패시베이션 방법 및 장치 | |
TW201611155A (zh) | 基板處理裝置的反應器 | |
TW201812088A (zh) | 遠端電漿增強化學氣相沈積系統之電漿產生裝置 | |
CN217173862U (zh) | 用于led芯片薄膜生长的集成设备 | |
JP3957126B2 (ja) | 成膜装置 | |
CN208649461U (zh) | 原子层沉积装置 | |
CN203794984U (zh) | 用于原子层薄膜沉积的反应装置 | |
CN109750274A (zh) | 半导体生产设备及半导体工艺方法 | |
CN113862644A (zh) | 镀膜设备 | |
CN110318040B (zh) | 一种原子层沉积系统 | |
KR101027754B1 (ko) | 원자층 증착장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법 | |
JP2011142347A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014090181A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
CN221588680U (zh) | 一种多功能的原子层沉积装置 | |
US20230323531A1 (en) | Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Patentee after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: 9-6-2 Xinshuo Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |
|
CP02 | Change in the address of a patent holder |