CN113416944B - 镀膜设备及其工作方法 - Google Patents
镀膜设备及其工作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113416944B CN113416944B CN202110689219.7A CN202110689219A CN113416944B CN 113416944 B CN113416944 B CN 113416944B CN 202110689219 A CN202110689219 A CN 202110689219A CN 113416944 B CN113416944 B CN 113416944B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pressure
- regulating valve
- pressure regulating
- reaction chambers
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 179
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 148
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 16
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请公开了一种镀膜设备及其工作方法，所述镀膜设备包括多个反应腔，且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接；所述工作方法包括：在利用所述多个反应腔进行镀膜过程中，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力保持为第一预定压力；响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力；其中，所述第二预定压力大于所述第一预定压力以及所述第三预定压力。本申请能够充分利用资源，提高调压阀和工艺泵的使用率，降低成本。
Description
技术领域
本申请涉及真空镀膜技术领域，特别是涉及一种镀膜设备及其工作方法。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法。一般光伏行业内的PECVD镀膜设备，一根炉管通过一个调压阀与一个工艺泵相连，利用调压阀和工艺泵调节炉管反应腔内的压力，使反应顺利进行。
然而，这种PECVD镀膜设备需要投入多个调压阀与工艺泵，价格昂贵且维护成本高。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种镀膜设备及其工作方法，能够充分利用资源，提高调压阀和工艺泵的使用率，降低成本。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种镀膜设备的工作方法，所述镀膜设备包括多个反应腔，且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接；所述工作方法包括：
在利用所述多个反应腔进行镀膜过程中，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力保持为第一预定压力；
响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力；其中，所述第二预定压力大于所述第一预定压力以及所述第三预定压力。
其中，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述调压阀的实际开度、以及与所述第一预定压力对应的所述调压阀的预设开度；
判断所述实际开度与所述预设开度的差值是否超过阈值；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
其中，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述调压阀的累计工作时间；
判断所述累计工作时间是否超过预定时间；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
其中，所述控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将所述调压阀的累计工作时间清零。
其中，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述多个反应腔的累计反应次数；
判断所述累计反应次数是否超过预定次数；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
其中，所述控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将所述多个反应腔的累计反应次数清零。
其中，所述镀膜设备的工作方法还包括：
响应于所述调压阀未波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制真空泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第四预定压力，并继续控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力进一步下降至第五预定压力；其中，所述第二预定压力大于所述第四预定压力，所述第四预定压力大于所述第五预定压力。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种镀膜设备，包括：
多个反应腔，且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接；
控制器，与所述调压阀和所述工艺泵连接，所述控制器用于控制所述调压阀和所述工艺泵以实现如上任一实施方式所述的工作方法。
其中，所述镀膜设备包括多个反应腔组，每个所述反应腔组内均包含两个所述反应腔，且每个所述反应腔组内的两个所述反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接。
其中，所述镀膜设备还包括真空泵，所述真空泵与所有所述反应腔组内的所有反应腔连接；所述调压阀为蝶阀。
本申请的有益效果是：本申请实施方式提供的镀膜设备的工作方法，其中镀膜设备包括多个反应腔，且多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接，如此可以使得多个反应腔共用同一个调压阀与同一个工艺泵，从而充分利用资源，提高调压阀和工艺泵的使用率，降低成本。
还有，本申请实施方式提供的镀膜设备的工作方法，控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得多个反应腔内的压力保持为第一预定压力，使多个反应腔内的反应顺利进行。
另外，在调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得反应腔内的压力下降至第三预定压力，在反应腔内压力从第二预定压力下降至第三预定压力的过程中，调压阀被气流冲击，调压阀内原本沉积的粉末脏污会被气流带走，从而达到清理调压阀的作用。该工作方法经济实用，不需要增加额外的硬件，利用镀膜设备本身的配置，就能够实现清理调压阀的作用。且该工作方法对产能节拍没有影响，不会额外增加工艺时间，因此不会影响产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1为本申请实施方式中所提供的一种镀膜设备的工作方法的流程示意图；
图2为步骤“响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程停止”的第一种实施方式的流程示意图；
图3为步骤“响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程停止”的第二种实施方式的流程示意图；
图4为步骤“响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程停止”的第三种实施方式的流程示意图；
图5是本申请实施方式中所提供的一种镀膜设备的结构示意图；
图6是本申请实施方式中所提供的另一种镀膜设备的结构示意图。
附图标记说明：
1.反应腔；2.控制器；3.调压阀；4.工艺泵；5.真空泵；
3a、3b、3c：蝶阀；
4a、4b、4c：工艺泵；
6a、6b、6c、6d、6e、6f：第一开关阀；
7a、7b、7c、7d、7e、7f：第二开关阀。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的另一个元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中另一个元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参阅图1，图1是本申请实施方式中所提供的一种镀膜设备的工作方法的流程示意图。如图5所示，该镀膜设备包括多个反应腔1，且多个反应腔1通过同一个调压阀3与同一个工艺泵4连接。其中多个反应腔1指两个或两个以上反应腔，每个反应腔1相互独立，互不影响。如图1所示，该镀膜设备的工作方法工作方法包括：
步骤S100：在利用多个反应腔进行镀膜过程中，控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得多个反应腔内的压力保持为第一预定压力。
步骤S200：响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得多个反应腔内的压力下降至第三预定压力。
在本步骤(步骤S200)中，第二预定压力大于第一预定压力以及第三预定压力。
本申请实施方式提供的镀膜设备的工作方法，其中镀膜设备包括多个反应腔1，且多个反应腔1通过同一个调压阀3与同一个工艺泵4连接，如此可以使得多个反应腔1共用同一个调压阀3与同一个工艺泵4，从而充分利用资源，提高调压阀3和工艺泵4的使用率，降低成本。
还有，本申请实施方式提供的镀膜设备的工作方法，控制调压阀3导通以及工艺泵4运行以使得多个反应腔1内的压力保持为第一预定压力，使多个反应腔1内的反应顺利进行。
另外，在调压阀3波动且多个反应腔1内的镀膜过程开始前或停止后，使多个反应腔1内的压力升高至第二预定压力后，控制调压阀3导通以及工艺泵4运行以使得反应腔1内的压力下降至第三预定压力，在反应腔1内压力从第二预定压力下降至第三预定压力的过程中，调压阀3被气流冲击，调压阀3内原本沉积的粉末脏污会被气流带走，从而达到清理调压阀3的作用。该工作方法经济实用，不需要增加额外的硬件，利用镀膜设备本身的配置，就能够实现清理调压阀3的作用。且该工作方法对产能节拍没有影响，不会额外增加工艺时间，因此不会影响产能。
在本实施方式中，如图2所示，响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
步骤S310：获得调压阀的实际开度、以及与第一预定压力对应的调压阀的预设开度。
步骤S320：判断实际开度与预设开度的差值是否超过阈值。
在步骤S100中，利用调压阀3和工艺泵4控制多个反应腔1内的压力保持为第一预定压力，使多个反应腔1内的反应顺利进行，但同时由于反应过程中气体携带着部分反应粒子经过调压阀3，调压阀3内会沉积氮化硅、氧化硅等粉末，造成调压阀3脏污，从而进一步导致调压阀3控压不稳，压力的波动会进一步影响反应腔1内的硅片产品的外观及良率。
在本步骤(步骤S320)中，该阈值表示允许调压阀3在阈值范围内波动。调压阀3在阈值范围内波动时，认为调压阀3内无脏污或者脏污不足以使调压阀3控压不稳，此时的调压阀3能稳定控压。该阈值可根据需求自行设定，本申请对其不作唯一的限定。
步骤S330：若是，则调压阀波动，判断多个反应腔内是否在进行镀膜过程。
在本步骤(步骤S330)中，若调压阀3的实际开度与预设开度的差值超过阈值，则认为调压阀3上的脏污使调压阀3控压不稳，需要对脏污进行处理，以使后续工艺顺利进行。当然，通过合理选取阈值，在第一次检测到调压阀3的实际开度与预设开度的差值超过阈值时，可以认为本次的调压阀3能稳定控压，而下一次工艺过程中的调压阀3不能稳定控压，因此在下一次工艺过程开始前需要对调压阀3进行清理。首先判断多个反应腔1内是否在进行镀膜过程，若是，需要等待其停止，或者强制其停止。在本次镀膜过程结束后或者下次镀膜过程开始前，对调压阀3进行清理，因为调压阀3控压不稳会导致后续的产品不良，因此需要及时停机处理该脏污。
需要说明的是，本申请中的镀膜过程不仅包括进行镀膜的过程，还包括镀膜后反应腔1内气体的排放过程。镀膜过程开始前或停止后，表示调压阀3和工艺泵4不在工作。
步骤S340：若否，则进行使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
在本步骤(步骤S340)中，多个反应腔1内不在进行镀膜过程，即在镀膜过程开始前或停止后，可以通过恢复大气压或者充入其他气体等方式，使多个反应腔1内的压力升高至第二预定压力。从而后续再利用调压阀3和工艺泵4将多个反应腔1内的压力下降至第三预定压力，则可以利用大气或其他气体对调压阀3进行冲刷，从而调压阀3内原本沉积的粉末脏污会被气流带走，达到清理调压阀3的作用。
在一种实施方式中，如图3所示，响应于调压阀波动且多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
步骤S410：获得调压阀的累计工作时间。
步骤S420：判断累计工作时间是否超过预定时间。
具体的，当调压阀3的累计工作时间超过预定时间时，认为其内部的脏污会使调压阀3控压不稳，需要进行清理。该预定时间可以自行设定，本申请对其不做唯一的限定。例如，该预定时间可以是1-2天。
步骤S430：若是，则调压阀波动，判断多个反应腔1内是否在进行镀膜过程。
步骤S440：若否，则进行使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
具体的，控制调压阀3导通以及工艺泵4运行以使得多个反应腔1内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将调压阀3的累计工作时间清零。因为反应腔1内的压力下降至第三预定压力后，调压阀3的清理工作已完成，若重新进行步骤S100时，相当于进行下一循环的脏污累积，因此需要将累计工作时间清零，使下一循环重新开始累计工作时间。
在该实施方式中，也可以在镀膜过程开始前，判断累计工作时间是否超过预定时间，从而判断调压阀3是否波动，若是，则进行使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
在一种实施方式中，如图4所示，响应于调压阀波动且多个反应腔1内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
步骤S510：获得多个反应腔的累计反应次数。
其中，多个反应腔1的累计反应次数是指每个反应腔1的反应次数之和，一次反应包括一次完整的镀膜过程。通过监测多个反应腔1的累计反应次数可以反映调压阀3的使用情况，进而预测调压阀3是否需要清理。
步骤S520：判断累计反应次数是否超过预定次数。
具体的，当多个反应腔1的累计反应次数超过预定次数时，认为调压阀3内部的脏污会使调压阀3控压不稳，需要进行清理。该预定次数可以自行设定，本申请对其不做唯一的限定。例如，该预定次数可以是100次。
步骤S530：若是，则调压阀波动，判断多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
步骤S540：若否，则进行使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
具体的，控制调压阀3导通以及工艺泵4运行以使得多个反应腔1内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将多个反应腔1的累计反应次数清零。因为反应腔1内的压力下降至第三预定压力后，调压阀3的清理工作已完成，若重新进行步骤S100时，相当于进行下一循环的脏污累积，因此需要将多个反应腔1的累计反应次数清零，使下一循环重新开始累计反应次数。
在该实施方式中，也可以在镀膜过程开始前，判断累计反应次数是否超过预定次数，从而判断调压阀3是否波动，若是，则进行使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
在本实施方式中，该工作方法还包括：响应于调压阀未波动且多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制真空泵运行以使得多个反应腔内的压力下降至第四预定压力，并继续控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得多个反应腔内的压力进一步下降至第五预定压力；其中，第二预定压力大于第四预定压力，第四预定压力大于第五预定压力。
具体的，调压阀3未波动，即调压阀3内无脏污或者脏污不足以使调压阀3控压不稳，此时的调压阀3能稳定控压，从而不需要对调压阀3进行清理，即不需要进行步骤S200中的“控制调压阀导通以及工艺泵运行以使得多个反应腔内的压力下降至第三预定压力”。此时控制真空泵5使反应腔1内的压力下降至第四预定压力，即进行抽真空，再利用调压阀3和工艺泵4使得反应腔1内的压力进一步下降至第五预定压力，即进一步抽至底压。引入真空泵5可以和工艺泵4、调压阀3相配合，进一步提高工作效率。
请参考图5，图5是本申请实施方式中所提供的一种镀膜设备的结构示意图，该镀膜设备包括多个反应腔1和控制器2。多个反应腔1通过同一个调压阀3与同一个工艺泵4连接。控制器2与调压阀3和工艺泵4连接。控制器2用于控制调压阀3和工艺泵4以实现如上任一种实施方式所述的工作方法。该镀膜设备能够解决上述镀膜设备的工作方法的实施方式所解决的技术问题，相应地达到镀膜设备的工作方法的实施方式的技术效果，具体的本申请在此不再赘述。
在本实施方式中，镀膜设备可以包括多个反应腔组，每个反应腔组内均包含两个反应腔1，且每个反应腔组内的两个反应腔1通过同一个调压阀3与同一个工艺泵4连接。因为调压阀3一次只能对一个反应腔1进行控压，当两个反应腔1共用同一个调压阀3与同一个工艺泵4时，在充分利用资源、降低成本的同时，能提高工作效率，达到高产的目的。
在一种优选的实施方式中，镀膜设备还可以包括真空泵5，真空泵5与所有反应腔组内的所有反应腔1连接。通过使两个反应腔1共用同一个调压阀3、同一个工艺泵4、同一个真空泵5，可以使调压阀3、真空泵5的使用率达到90％以上，在降低成本的同时也可以降低设备运行时的耗电成本。
在一种具体的应用场景中，如图6所示，该镀膜设备包括三个反应腔组。每个反应腔组包括两个反应腔，即反应腔A、反应腔B为一个反应腔组，反应腔C、反应腔D为一个反应腔组，反应腔E、反应腔F为一个反应腔组。调压阀3选用蝶阀(3a、3b、3c)，粉末会沉积在蝶阀阀板表面形成脏污，用本申请实施方式提供的工作方法可以有效将脏污去除。
在该实施例中，每个反应腔(A、B、C、D、E、F)分别通过第一开关阀6a、6b、6c、6d、6e、6f与真空泵5相连，反应腔A、B分别通过第二开关阀7a、7b与蝶阀3a、工艺泵4a连接；反应腔C、D分别通过第二开关阀7c、7d与蝶阀3b、工艺泵4b连接；反应腔E、F分别通过第二开关阀7e、7f与蝶阀3c、工艺泵4c连接。在同一时刻，第一开关阀6a、6b、6c、6d、6e、6f中至多有一个打开；第二开关阀7a、7b中至多有一个打开；第二开关阀7c、7d中至多有一个打开；第二开关阀7e、7f中至多有一个打开。真空泵5、蝶阀3a、3b、3c、工艺泵4a、4b、4c在镀膜过程中可以保持常开状态，通过第一开关阀6a、6b、6c、6d、6e、6f和第二开关阀7a、7b、7c、7d、7e、7f选择特定的反应腔进行相应的工作，充分利用资源，提高蝶阀3a、3b、3c、工艺泵4a、4b、4c、真空泵5的使用率，降低成本、提高效率。
需要说明的是，在本说明书的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本说明书的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”，旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。
多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地，单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述镀膜设备包括多个反应腔，且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接；所述工作方法包括：
在利用所述多个反应腔进行镀膜过程中，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力保持为第一预定压力；
响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力；其中，所述第二预定压力大于所述第一预定压力以及所述第三预定压力。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述调压阀的实际开度、以及与所述第一预定压力对应的所述调压阀的预设开度；
判断所述实际开度与所述预设开度的差值是否超过阈值；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述调压阀的累计工作时间；
判断所述累计工作时间是否超过预定时间；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将所述调压阀的累计工作时间清零。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述响应于所述调压阀波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后的步骤，包括：
获得所述多个反应腔的累计反应次数；
判断所述累计反应次数是否超过预定次数；
若是，则所述调压阀波动，判断所述多个反应腔内是否在进行镀膜过程；
若否，则进行所述使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力的步骤。
6.根据权利要求5所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，所述控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第三预定压力的步骤之后，还包括：将所述多个反应腔的累计反应次数清零。
7.根据权利要求1所述的镀膜设备的工作方法，其特征在于，还包括：
响应于所述调压阀未波动且所述多个反应腔内的镀膜过程开始前或停止后，使所述多个反应腔内的压力升高至第二预定压力后，控制真空泵运行以使得所述多个反应腔内的压力下降至第四预定压力，并继续控制所述调压阀导通以及所述工艺泵运行以使得所述多个反应腔内的压力进一步下降至第五预定压力；其中，所述第二预定压力大于所述第四预定压力，所述第四预定压力大于所述第五预定压力。
8.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
多个反应腔，且所述多个反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接；
控制器，与所述调压阀和所述工艺泵连接，所述控制器用于控制所述调压阀和所述工艺泵以实现权利要求1-7中任一项所述的工作方法。
9.根据权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备包括多个反应腔组，每个所述反应腔组内均包含两个所述反应腔，且每个所述反应腔组内的两个所述反应腔通过同一个调压阀与同一个工艺泵连接。
10.根据权利要求9所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括真空泵，所述真空泵与所有所述反应腔组内的所有反应腔连接；所述调压阀为蝶阀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110689219.7A CN113416944B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 镀膜设备及其工作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110689219.7A CN113416944B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 镀膜设备及其工作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113416944A CN113416944A (zh) | 2021-09-21 |
| CN113416944B true CN113416944B (zh) | 2022-04-19 |
Family
ID=77789817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110689219.7A Active CN113416944B (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 镀膜设备及其工作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113416944B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202808937U (zh) * | 2012-08-30 | 2013-03-20 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备 |
| CN203683659U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-07-02 | 中晟光电设备（上海）有限公司 | 用于多反应腔化学气相沉积设备的多腔双密封圈系统 |
| CN104032284A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法 |
| CN107803071A (zh) * | 2016-09-09 | 2018-03-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法 |
| CN109183003A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 压力控制方法 |
| CN110408913A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
| CN211339682U (zh) * | 2019-11-21 | 2020-08-25 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备 |
| CN212392214U (zh) * | 2020-06-12 | 2021-01-22 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种多工艺腔体共用真空泵组 |
| CN112695297A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4718141B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
-
2021
- 2021-06-22 CN CN202110689219.7A patent/CN113416944B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202808937U (zh) * | 2012-08-30 | 2013-03-20 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备 |
| CN203683659U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-07-02 | 中晟光电设备（上海）有限公司 | 用于多反应腔化学气相沉积设备的多腔双密封圈系统 |
| CN104032284A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法 |
| CN107803071A (zh) * | 2016-09-09 | 2018-03-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法 |
| CN109183003A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 压力控制方法 |
| CN110408913A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
| CN211339682U (zh) * | 2019-11-21 | 2020-08-25 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜设备 |
| CN212392214U (zh) * | 2020-06-12 | 2021-01-22 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种多工艺腔体共用真空泵组 |
| CN112695297A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113416944A (zh) | 2021-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101248361B1 (ko) | 프로세싱 시스템의 동작 제어 방법 및 배기 시스템 | |
| JP4113755B2 (ja) | 処理装置 | |
| US7681055B2 (en) | Control device and method for a substrate processing apparatus | |
| CN107863307B (zh) | 用于减少在抽吸排气系统中流出物积聚的系统和方法 | |
| US20060030966A1 (en) | Methods and apparatus for enhancing electronic device manufacturing throughput | |
| US11236743B2 (en) | Substrate processing apparatus and recording medium | |
| CN107068585A (zh) | 用于原子层沉积的动态前体投配 | |
| CN110537241A (zh) | 使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁 | |
| CN101558477A (zh) | 间歇性蚀刻冷却 | |
| CN113416944B (zh) | 镀膜设备及其工作方法 | |
| KR20150103531A (ko) | 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법 | |
| TW201030487A (en) | Improved abatement of effluent gas | |
| US20190385828A1 (en) | Temperature control systems and methods for removing metal oxide films | |
| US11643727B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20100031460A (ko) | Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
| CN208014658U (zh) | 排气装置、工艺腔及半导体加工设备 | |
| US20060185593A1 (en) | Chemical vapor deposition system and method of exhausting gas from the system | |
| US20080295867A1 (en) | Method of cleaning turbo pump and chamber/turbo pump clean process | |
| JP3854157B2 (ja) | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 | |
| US8769749B2 (en) | Cleaning device | |
| JPH11222680A (ja) | 処理室クリーニング方法と装置 | |
| JP2008117987A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置およびそのクリーンニング方法 | |
| US6833030B2 (en) | Liquid delivery system having safe unit and operating method thereof | |
| US20090188524A1 (en) | Automatic insitu post process cleaning for processing systems having turbo pumps | |
| US20220375773A1 (en) | Autoclean for load locks in substrate processing systems |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Patentee after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: 214000 No. 11 Lijiang Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |