JP2016009722A - 光電変換膜、固体撮像素子、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
前記固体撮像素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像素子からの出力信号を演算処理する演算処理回路と、を備える電子機器が提供される。
1.本開示の技術的背景
2.本開示の一実施形態
2.1.本開示の一実施形態に係る光電変換膜
2.2.本開示の一実施形態に係る光電変換素子
2.3.本開示の一実施形態に係る実施例
3.本開示に係る一実施形態に係る光電変換膜の適用例
3.1.固体撮像素子の構成
3.2.電子機器の構成
4.まとめ
図1および2を参照して、本開示の技術的背景について説明する。図1(A)は、本開示の一実施形態に係る縦分光型の固体撮像素子の概略図であり、図1(B)は、比較例に係る平面型の固体撮像素子の概略図である。
[2.1.本開示の一実施形態に係る光電変換膜]
本開示の一実施形態に係る光電変換膜は、下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む光電変換膜である。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基である。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基である。
次に、図3を参照して、本開示の一実施形態に係る光電変換素子について説明する。図3は、本開示の一実施形態に係る光電変換素子の一例を示す概略図である。
以下では、実施例および比較例を参照しながら、本開示の一実施形態に係るサブフタロシアニン誘導体、光電変換膜、および光電変換素子について具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、あくまでも一例であって、本開示の一実施形態に係る光電変換膜および光電変換素子が下記の例に限定されるものではない。
まず、本開示の一実施形態に係るサブフタロシアニン誘導体の分光特性をシミュレーション解析にて評価した。具体的には、以下で構造式を示すサブフタロシアニン誘導体に対してシミュレーション解析を行い、極大吸収波長λmaxを計算した。なお、比較のために、比較例に係るサブフタロシアニン誘導体(SubPc−Cl、SubPc−F)についてもシミュレーション解析を行い、極大吸収波長λmaxを計算した。
次に、本開示の一実施形態に係るサブフタロシアニン誘導体の合成方法について説明する。本開示の一実施形態に係るサブフタロシアニン誘導体は、下記の反応式1で表される一般化された合成方法により合成することができる。なお、以下に述べる合成方法はあくまでも一例であって、本開示の一実施形態に係るサブフタロシアニン誘導体の合成方法が下記の例に限定されるものではない。
以下の方法により、下記に構造式を示すSubNPc−Clを合成した。
また、SubNPc−Clと同様の合成方法により、下記に構造式を示す6Cl−SubNPc−Clを合成した。
また、例えば、下記反応式2で表される合成方法により、R1〜R3の環構造が互いに異なるサブフタロシアニン誘導体(2Cl−SubNPc−Cl、および4Cl−SubNPc−Cl)を合成することができる。
次に、上記で合成したSubNPc−Cl、6Cl−SubNPc−Clの分光特性を溶液法により評価した。また、比較のために、同様の方法でSubPc−Clについても分光特性を評価した。
また、上記で合成した6Cl−SubNPc−Clを用いて、本開示の一実施形態に係る光電変換素子を作製し、光電変換素子として機能することを確認した。
まず、石英基板上にスパッタリング法によって酸化インジウムスズ(ITO)を100nm成膜し、成膜したITO薄膜をフォトリソグラフィ法によってパターニングした後、エッチングを行うことで透明な下部電極を形成した。次に、形成した透明電極をUV/オゾン処理にて洗浄し、シャドウマスクを用いて6Cl−SubNPc−Cl、およびキナクリドンを成膜比率が1:1となるように真空蒸着して光電変換層を形成した。
以下では、図6〜8を参照して本開示の一実施形態に係る光電変換膜を含む光電変換素子の適用例について説明する。
まず、図6および7を参照して、本開示の一実施形態に係る光電変換素子が適用される固体撮像素子の構成について説明する。図6は、本開示の一実施形態に係る光電変換素子が適用される固体撮像素子の構造を示す概略図である。
続いて、図8を参照して、本開示の一実施形態に係る光電変換素子が適用される電子機器の構成について説明する。図8は、本開示の一実施形態に係る光電変換素子が適用される電子機器の構成を説明するブロック図である。
以上説明したように、本開示の一実施形態に係る光電変換膜は、一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含むことにより、長波長側の吸収を低下させ、緑色光領域の光を選択的に吸収することができる。
(1)
下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む、光電変換膜。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
(2)
前記R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、置換基を有する環構造である、前記(1)に記載の光電変換膜。
(3)
前記R1〜R3が有する置換基は、ハロゲンである、前記(2)に記載の光電変換膜。
(4)
前記R1〜R3は、π共役系構造を有する環構造である、前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の光電変換膜。
(5)
前記R1〜R3は、環構成原子数が3以上8以下の環構造である、前記(1)〜(4)のいずれか一項に記載の光電変換膜。
(6)
前記R1〜R3は、環構成原子数が6の環構造である、前記(5)に記載の光電変換膜。
(7)
前記R1〜R3の環構造中に含まれるヘテロ原子は、窒素原子である、前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の光電変換膜。
(8)
前記Xは、ハロゲンである、前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の光電変換膜。
(9)
下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む光電変換膜を備える固体撮像素子。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
(10)
前記光電変換膜は、450nm以上600nm以下の波長の緑色光を吸収し、吸収した緑色光を光電変換する、前記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記光電変換膜が形成された第1チップと、
前記光電変換膜によって光電変換された信号を処理する信号処理回路が形成され、前記第1チップと積層される第2チップと、
を備え、積層型固体撮像素子として構成された、前記(9)または(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む光電変換膜を備える固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像素子からの出力信号を演算処理する演算処理回路と、を備える電子機器。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
102 基板
104 下部電極
106 pバッファ層
108 光電変換層
110 nバッファ層
112 上部電極
Claims (12)
- 下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む、光電変換膜。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。 - 前記R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、置換基を有する環構造である、請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記R1〜R3が有する置換基は、ハロゲンである、請求項2に記載の光電変換膜。
- 前記R1〜R3は、π共役系構造を有する環構造である、請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記R1〜R3は、環構成原子数が3以上8以下の環構造である、請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記R1〜R3は、環構成原子数が6の環構造である、請求項5に記載の光電変換膜。
- 前記R1〜R3の環構造中に含まれるヘテロ原子は、窒素原子である、請求項1に記載の光電変換膜。
- 前記Xは、ハロゲンである、請求項1に記載の光電変換膜。
- 下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む光電変換膜を備える固体撮像素子。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。 - 前記光電変換膜は、450nm以上600nm以下の波長の緑色光を吸収し、吸収した緑色光を光電変換する、請求項9に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換膜が形成された第1チップと、
前記光電変換膜によって光電変換された信号を処理する信号処理回路が形成され、前記第1チップと積層される第2チップと、
を備え、積層型固体撮像素子として構成された、請求項9に記載の固体撮像素子。 - 下記一般式(1)で表されるサブフタロシアニン誘導体を含む光電変換膜を備える固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像素子からの出力信号を演算処理する演算処理回路と、を備える電子機器。
Xは、ハロゲン、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルアミン基、置換もしくは無置換のアリールアミン基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、および置換もしくは無置換のアリールチオ基からなる群より選択されるいずれかの置換基であり、
R1〜R3は、互いに独立して、置換または無置換の環構造であり、
R1〜R3のうち少なくとも1つ以上は、前記環構造中に少なくとも1つ以上のヘテロ原子を含む。
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