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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105830237B (zh) * 2013-12-18 2019-09-06 日本碍子株式会社 发光元件用复合基板及其制造方法
CN107208312B (zh) 2015-01-29 2019-10-01 日本碍子株式会社 自立基板、功能元件及其制造方法
WO2017057271A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日本碍子株式会社 エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
JP6681406B2 (ja) * 2015-09-30 2020-04-15 日本碍子株式会社 エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
WO2017086026A1 (ja) 2015-11-16 2017-05-26 日本碍子株式会社 配向焼結体の製法
JP6688109B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-28 日本碍子株式会社 面発光素子、外部共振器型垂直面発光レーザー、および面発光素子の製造方法
JP6648253B2 (ja) 2016-02-25 2020-02-14 日本碍子株式会社 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子
WO2017169622A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 日本碍子株式会社 自立基板および積層体
JP6639317B2 (ja) * 2016-04-21 2020-02-05 日本碍子株式会社 13族元素窒化物結晶の製造方法および種結晶基板
JP6846913B2 (ja) * 2016-11-11 2021-03-24 日本碍子株式会社 広波長域発光素子および広波長域発光素子の作製方法
TWI621249B (zh) 2017-03-27 2018-04-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體及顯示面板
TWI632673B (zh) * 2017-07-11 2018-08-11 錼創科技股份有限公司 微型發光元件與顯示裝置
CN111052414B (zh) 2017-08-24 2023-07-21 日本碍子株式会社 13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件
US11309455B2 (en) 2017-08-24 2022-04-19 Ngk Insulators, Ltd. Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element
DE112017007796B4 (de) 2017-08-24 2023-09-14 Ngk Insulators, Ltd. Schichten eines Kristalls aus einem Nitrid eines Elements der Gruppe 13, selbsttragende Substrate, funktionelle Vorrichtungen und Verbundsubstrate
WO2019039246A1 (ja) 2017-08-24 2019-02-28 日本碍子株式会社 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子
JP7185123B2 (ja) * 2017-12-26 2022-12-07 日亜化学工業株式会社 光学部材及び発光装置
JP7147644B2 (ja) * 2019-03-18 2022-10-05 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体の製造方法
CN114651092B (zh) * 2019-11-21 2024-08-23 日本碍子株式会社 13族元素氮化物结晶层、自立基板及功能元件
CN111607825A (zh) * 2020-06-02 2020-09-01 无锡吴越半导体有限公司 衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法
CN116364819B (zh) * 2023-05-31 2023-12-15 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410863B2 (ja) * 1995-07-12 2003-05-26 株式会社東芝 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置
JP3864870B2 (ja) * 2001-09-19 2007-01-10 住友電気工業株式会社 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
US7221037B2 (en) * 2003-01-20 2007-05-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device
JP2004359495A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Ngk Insulators Ltd エピタキシャル膜用アルミナ基板
JP4341702B2 (ja) * 2007-06-21 2009-10-07 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物系半導体発光素子
JP4981602B2 (ja) * 2007-09-25 2012-07-25 パナソニック株式会社 窒化ガリウム基板の製造方法
JP2009091175A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd GaNエピタキシャル基板、半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法
US9012253B2 (en) * 2009-12-16 2015-04-21 Micron Technology, Inc. Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods

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