JP2015535788A5

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Publication number: JP2015535788A5
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Filing date: 2013-08-27
Publication date: 2016-10-13

Description

とりわけ、図１〜２３に示されている個別の実施形態は、本発明に係る独立した解決法の目的を形成することができる。本発明に係る課題および解決法は、この点において、これらの図の詳細な説明から導出することができる。発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［６３］に記載する。
［１］
ハウジング（１００…１２５）の内部の少なくとも一部分を構成する電子デバイス（３）用の少なくとも１つの密封された収容空間（１２、１９、２０）を有するハウジング（１００…１２５）の生産方法であって、
少なくとも１つの開口部を有するガラス製の中空体（２）を生産／提供するステップ；
少なくとも１つの開口部を通して少なくとも１つの電子デバイス（３）を所定の場所に導入／位置づけおよび／または固定するステップ；
ハウジング（１００…１２５）を溶融させることにより収容空間（１２、１９、２０）を密封するステップ；または、
レーザー放射を用いて少なくとも１つの開口部を閉鎖し溶接するステップ；
を含む方法。
［２］
断熱材または熱防御層（１４）がデバイス（３）と溶融領域または溶接領域（８）との間に配置されていることを特徴とする項目１に記載の方法。
［３］
間仕切り壁（１８）が内部に挿入され、ハウジング（１００…１２５）に溶接されており、２つの収容空間（１９、２０）が互いに密閉した形で分離されていることを特徴とする項目１または２に記載の方法。
［４］
電子デバイス（３）および／またはエネルギー源（２１）が第１の密封された収容空間（１２、１９、２０）内に配置されていることを特徴とする、項目１〜３のいずれかに記載の方法。
［５］
以下で言及する要素（２２）、すなわち電子デバイス、分析器具、読取り値記録装置のうちの少なくとも１つが、第１の密封された収容空間（１９）に隣接する収容空間（２０）内に配置されていることを特徴とする項目１〜４のいずれかに記載の方法。
［６］
開口部（２３）が第１の密閉型収容空間（１９）と第２の密閉型収容空間（２０）の間の間仕切り壁（１８）内に配置され、この開口部が、導光体、電線路または導電性接点塊を用いて密封され得ることを特徴とする項目１〜５のいずれかに記載の方法。
［７］
カメラ（４）がキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする項目１〜６のいずれかに記載の方法。
［８］
無線モジュールおよび／またはトランスポンダがキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする項目１〜７のいずれかに記載の方法。
［９］
モーターによって移動させられる塊（２５、２６）がキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする項目１〜８のいずれかに記載の方法。
［１０］
ハウジング（１０１…１０６）内に通路開口部を有する斥力駆動機構（２７…２９）が、キャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする項目１〜９のいずれかに記載の方法。
［１１］
キャビティ（１２、１９、２０）内にトリチウムガス光源（１３）が配置されていることを特徴とする項目１〜１０のいずれかに記載の方法。
［１２］
多数の電子デバイス（３）が、少なくとも１つの開口部を通して順次長手方向に互いから一定の距離をおいて、管状ハウジング（１００、…１２５）内の所定の場所に導入、位置づけおよび／または固定され、この時点でハウジング（１００…１２５）は、電子デバイス（３）間の中間領域（８）内において、レーザー放射を用いて、ナノセカンドおよび／またはピコセカンドのエネルギーパルスの放出によってかつ／またはエネルギーを連続的に導入することによって加熱され、かつ管状ハウジング（１００…１２５）は、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内のハウジング（１００…１２５）の内部および外部において中間領域の両側に及ぼされる異なる大きさの力を用いて面壁（１０）で閉鎖されることを特徴とする項目１〜１１のいずれかに記載の方法。
［１３］
管状基体（２）の少なくとも一方の端部がハウジング（１００…１２５）の生産のために溶融／溶接されることを特徴とする項目１〜１２のいずれかに記載の方法。
［１４］
ハウジング（１００…１２５）の面壁（１０）が、レーザーを用いて、ナノセカンドおよび／またはピコセカンドのエネルギーパルスの放出によって、中央部分（１１）の端部領域を加熱することによって加熱され、面壁（１０）は、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内において、ハウジング（１００…１２５）の内部および外部に及ぼされる異なる大きさの力によって形成されることを特徴とする、項目１〜１４のいずれかに記載の方法。
［１５］
管状基体（２）は、ハウジング（１００、…１２５）の生産を目的として、それを溶融することによって切断され、溶融した材料が結果として得られた端部を閉鎖することを特徴とする、項目１〜１４のいずれかに記載の方法。
［１６］
管状ハウジング（１００…１２５）の切断プロセスおよび／または閉鎖プロセスの間に、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内においてハウジング（１００…１２５）の内部および外部に異なる大きさの力が及ぼされることを特徴とする項目１５に記載の方法。
［１７］
ハウジング（１００…１２５）の内部および外部には、管状ハウジング（１００、…１２５）の切断プロセスおよび／または閉鎖プロセスの間、切断場所（８）の領域内で異なる大きさの加圧力が及ぼされることを特徴とする項目１〜１６のいずれかに記載の方法。
［１８］
ハウジング（１００…１２５）が１つのブロックとして構成されていることを特徴とする項目１〜１７のいずれかに記載の方法。
［１９］
ハウジングが正方形または矩形の基面（４０）を有する２つの本質的にプレート状のハウジング部品（１０７…１２５）により形成されており、基面（４０）に直交する２つのハウジング部品（１０７…１２５）の高さ（ｈ）の合計がその短辺の長さ（単複）よりも小さいことを特徴とする項目１〜１８のいずれかに記載の方法。
［２０］
ハウジングの少なくとも１つのハウジング部品（１０７…１２５）の中に少なくとも１つのくぼみ（３２）を作るステップと、
ハウジング部品（１０７…１２５）を共に接合することにより少なくとも１つのキャビティ（３４）を生成するステップであって、少なくとも１つの開口部（３３）、詳細には少なくとも２つの開口部（３３）が外部からキャビティ（３４）内に開放した状態にとどまっている、ステップと、
少なくとも１つの開口部（３３）を通して少なくとも１つのキャビティ（３４）内に電子デバイス（３）を導入するステップと、
レーザー放射を用いて少なくとも１つの開口部（３３）を閉鎖し溶接するステップと、
を特徴とする項目１〜１９のいずれかに記載の方法。
［２１］
１つのハウジング部品（１０７…１２５）がプレート状のカバー層によって形成されていることを特徴とする項目１〜２０のいずれかに記載の方法。
［２２］
気体透過性でかつ液体不透過性であるミクロボア（３０）がハウジング（１００…１２５）内に配置されていることを特徴とする項目１〜２１のいずれかに記載の方法。
［２３］
電子デバイス（３）を伴うハウジング（１００…１２５）がさらなる密閉型ガラスハウジング（３１）内に導入され、このハウジング（３１）内に、気体透過性で液体不透過性であるミクロボア（３０）が配置されていることを特徴とする項目１〜２２のいずれかに記載の方法。
［２４］
金属ワイヤ（２３）および／または導光体ファイバを通過させるためのボアが、ハウジング（３）内に配置されていることを特徴とする項目１〜２３のいずれかに記載の方法。
［２５］
ハウジング（１００…１２５）の外側表面（３９）がジェルおよび／またはアロマキャリアでコーティングされていることを特徴とする項目１〜２４のいずれかに記載の方法。
［２６］
ハウジング（１００…１２５）の外側表面（３９）が粗化され、かつ／または外側表面がヒト／動物／植物の組織の成長を促進する反応性物質／構造をその上に備えていることを特徴とする、項目１〜２５のいずれかに記載の方法。
［２７］
ハウジングが２つのハウジング部品（１０１…１２５）で構成され、２つのハウジング部品（１０１…１２５）が、ナノセカンドおよび／またはピコセカンド範囲内のエネルギーの放出および／またはエネルギーの連続的導入を伴って、レーザー放射により互いに溶接されていることを特徴とする項目１〜２６のいずれかに記載の方法。
［２８］
レーザーパルスのエネルギーの放出が、制御器具を用いて制御され、ハウジング（１０１…１２５）の内部の温度が、溶接線からまたはレーザービームの作用場所（８）から２ｍｍ以上の距離にある領域内において２００°未満の値に保たれるようになっていることを特徴とする、項目１〜２７のいずれかに記載の方法。
［２９］
レーザー放射を用いた熱エネルギーの適用中、溶接線（１７、４２）に隣接する領域が冷却されることを特徴とする項目１〜２８のいずれかに記載の方法。
［３０］
自己発光体の生産方法において、
ハウジングの少なくとも１つのハウジング部品（１０８…１２５）内に少なくとも１つのくぼみ（３２）を作るステップと；
崩壊放射を用いて光を生成するために励起され得る物質から形成された蛍光性および／またはリン光性層（３６）および／またはマスク（４１）を少なくとも１つのキャビティ（３４）の画定壁（３７）の少なくとも一部分の上に生成するステップと；
ハウジング部品（１０８…１２５）を共に接合することにより少なくとも１つのキャビティ（３４）を生成するステップと；
レーザー放射を用いて、ナノセカンドおよび／またはピコセカンドのエネルギーパルスの放出によりハウジング部品（１０８…１２５）を溶接するステップであって、少なくとも１つのフィーダー開口部（３３）、詳細には少なくとも２つのフィーダー開口部（３３）が、外部からキャビティ（３４）内に開放した状態にとどまっているステップと；
光を生成するために励起され得る物質（３６）のために崩壊放射線を放出する媒質（３８）、または物質（３６）と媒質（３８）とを、少なくとも１つのフィーダー開口部（３３）を通して少なくとも１つのキャビティ（３４）内に導入するステップと；
レーザー放射および／またはガス炎を用いて熱の作用により少なくとも１つのフィーダー開口部（３３）を閉鎖し溶接するステップと；
を含む方法。
［３１］
レーザー放射がナノセカンドおよび／またはピコセカンドのパルスを用いておよび／またはエネルギーの連続的に導入によって形成されることを特徴とする項目１〜３０のいずれかに記載の方法。
［３２］
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の少なくとも一部分が拡散性を有するように生成されていることを特徴とする項目１〜３１のいずれかに記載の方法。
［３３］
ハウジング（１００…１２５）が単一の基本材料からモノブロックの形で生産されることを特徴とする、詳細には項目１〜３２のいずれかに記載の方法による、少なくとも部分的にケイ素で構成される密封されたハウジング（１００…１２５）を有する器具。
［３４］
ハウジング（１００…１２５）が多数のハウジング部品（１０１…１２５）で構成され、少なくとも単一の基本材料から生産されることを特徴とする、詳細には項目１〜３２のいずれかに記載の方法による、少なくとも部分的にケイ素で構成される密封されたハウジング（１００…１２５）を有する器具。
［３５］
ハウジング部品（１０１…１２５）が、本質的に同じ物理的および化学的特性を有する異なる材料で形成されていることを特徴とする項目３３又は３４に記載の器具。
［３６］
面壁（１０）の少なくとも１つが凹状または平面状となるように構成されていることを特徴とする項目３５に記載の器具。
［３７］
面壁（１０）の少なくとも１つが凸状となるように構成されていることを特徴とする項目３５に記載の器具。
［３８］
面壁（１０）が、中央部分（１１）から遠ざかるように面した方向に延在する円錐を伴って、または球形ドームまたは球形ドーム区分として構成されていることを特徴とする項目３５に記載の器具。
［３９］
ハウジングが円筒形の中央部分（１１）とその両面側に配置された２つの面壁（１０）から形成されていることを特徴とする項目１〜３８のいずれかに記載の器具。
［４０］
断熱器具（１４）が電子デバイス（３）と２つの面壁（１０）のうちの少なくとも１つの間に配置されていることを特徴とする項目１〜３９のいずれかに記載の器具。
［４１］
ハウジング（１００…１２５）の内部が、間仕切り壁（１８）により２つの部分空間（１９、２０）に分割されていることを特徴とする項目１〜４０のいずれかに記載の器具。
［４２］
ハウジング（１００…１２５）が、２つの部分空間（２０）のうちの少なくとも１つの中に外部から延在している少なくとも１つの開口部（２４）を有し、この開口部が空気透過性でかつ／または液体透過性であることを特徴とする項目１〜４１のいずれかに記載の器具。
［４３］
部分空間（１９、２０）が両方共密封されていることを特徴とする項目１〜４２のいずれかに記載の器具。
［４４］
部分空間（１９、２０）が気密性、詳細にはトリチウムガス気密性を有するように構成されていることを特徴とする項目１〜４３のいずれかに記載の器具。
［４５］
部分空間（１９、２０）が、２５００ｍ超の水蒸気透過率ｓ _d で、水蒸気気密性を有するように構成されていることを特徴とする項目１〜４４のいずれかに記載の器具。
［４６］
分析および／または評価ユニット（２２）が、２つの部分空間（１９、２０）のうちの少なくとも１つの中に配置されていることを特徴とする項目１〜４５のいずれかに記載の器具。
［４７］
分析および評価ユニット（２２）が、体液および／または組織試料の分析および評価向けに構成されていることを特徴とする項目１〜４６のいずれかに記載の器具。
［４８］
少なくとも１つの光源、例えばＬＥＤ、トリチウムガス光源（１３、３６）または残光特性を有する発光性材料がハウジング（１００…１２５）内に配置されていることを特徴とする項目１〜４７のいずれかに記載の器具。
［４９］
例えば画像認識チップなどの画像記録デバイス（４）がハウジング（１００…１２５）内に配置されていることを特徴とする項目１〜４８のいずれかに記載の器具。
［５０］
光源（１３、３６）、画像認識器具（４）、画像記録器具、電子デバイス、分析、記憶および評価ユニット（２２）などのハウジング（１００…１２５）内の構成要素のうちの少なくとも１つが、データの無線伝送のための送信機（５、６）と接続されていることを特徴とする項目１〜４９のいずれかに記載の器具。
［５１］
光源（１３、３６）、画像認識器具（４）、画像記録器具、電子デバイス、分析および評価ユニット（２２）などのハウジング（１００…１２５）内の構成要素のうちの少なくとも１つが、エネルギー源（２１）と接続されていることを特徴とする項目１〜５０のいずれかに記載の器具。
［５２］
エネルギー源（２１）が、エネルギー変換器と接続されており、このエネルギー変換器に対し非接触的にエネルギーを適用することが可能であることを特徴とする項目１〜５１のいずれかに記載の器具。
［５３］
面壁（１０）が、レーザーエネルギーの供給によって、詳細にはナノセカンドまたはピコセカンドのパルスおよび／またはエネルギーの連続的導入によって形成されることを特徴とする項目１〜５２のいずれかに記載の器具。
［５４］
ハウジング内、少なくともその密封された部分空間内の空気中の水蒸気の露点が０°、好ましくは−１０℃〜−３０℃となることを特徴とする項目１〜５３のいずれかに記載の器具。
［５５］
少なくとも中央領域におけるハウジング（１００…１２５）の壁厚が０．０５〜５ｍｍとなることを特徴とする項目１〜５４のいずれかに記載の器具。
［５６］
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の少なくとも一部分が、拡散性または不透明となるように構成されていることを特徴とする項目１〜５５のいずれかに記載の器具。
［５７］
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の拡散性または不透明部分が、溶融領域または溶接領域（８）に隣接して配置されていることを特徴とする項目１〜５６のいずれかに記載の器具。
［５８］
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の少なくとも一部分には、機能性コーティング、例えばフィルムが具備されていることを特徴とする項目１〜５７のいずれかに記載の器具。
［５９］
機能性コーティング、例えばフィルムが、拡散性または不透明となるように構成されていることを特徴とする項目１〜５８のいずれかに記載の器具。
［６０］
２つのハウジング部品（１０６…１２５）が、キャビティ（３４）上に分布しキャビティ（３４）の基面に直交して配向されている支持要素（４４）を伴って、互いに離隔されていることを特徴とする項目１〜５９のいずれかに記載の器具。
［６１］
支持要素（４４）が２つのハウジング部品（１０１…１２５）のうちの少なくとも１つと連結されていることを特徴とする項目１〜６０のいずれかに記載の器具。
［６２］
ハウジング（１０６…１２５）が１つのブロックまたは平担な部片として構成されていることを特徴とする項目１〜６１のいずれかに記載の器具。
［６３］
ブロックまたは平担部片が多角形または楕円または円形の基面（４６）を有する２つの本質的にプレート状のハウジング部品（１０６…１２５）によって形成されており、基面（４０）に直交する２つのハウジング部品（１０６…１２５）の高さ（ｈ）の合計が、その短辺長（単複）またはその最小直径（ｄ）または半径よりも小さいことを特徴とする項目１〜６２のいずれかに記載の器具。

Claims

ハウジング（１００…１２５）の内部の少なくとも一部分を構成する電子デバイス（３）用の少なくとも１つの密封された収容空間（１２、１９、２０）を有するハウジング（１００…１２５）の生産方法であって、
少なくとも１つの開口部を有するガラスもしくはケイ素製の中空体（２）を生産／提供するステップ；
少なくとも１つの開口部を通して少なくとも１つの電子デバイス（３）を所定の場所に導入、位置づけおよび／または固定するステップ；および
レーザー放射を用いて少なくとも１つの開口部を閉鎖し溶接するステップ；
を含む方法。
断熱材または熱防御層（１４）がデバイス（３）と溶融領域または溶接領域（８）との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
間仕切り壁（１８）が内部に挿入され、ハウジング（１００…１２５）に溶接されており、２つの収容空間（１９、２０）が互いに密閉した形で分離されていることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
電子デバイス（３）および／またはエネルギー源（２１）が第１の密封された収容空間（１２、１９、２０）内に配置されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
以下で言及する要素（２２）、すなわち電子デバイス、分析器具、読取り値記録装置のうちの少なくとも１つが、第１の密封された収容空間（１９）に隣接する収容空間（２０）内に配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
開口部（２３）が第１の密閉型収容空間（１９）と第２の密閉型収容空間（２０）の間の間仕切り壁（１８）内に配置され、この開口部が、導光体、電線路または導電性接点塊を用いて密封され得ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
カメラ（４）がキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
無線モジュールおよび／またはトランスポンダがキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
モーターによって移動させられる塊（２５、２６）がキャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１０１…１０６）内に通路開口部を有する斥力駆動機構（２７…２９）が、キャビティ（１２、１９、２０）内に導入されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
キャビティ（１２、１９、２０）内にトリチウムガス光源（１３）が配置されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
多数の電子デバイス（３）が、少なくとも１つの開口部を通して順次長手方向に互いから一定の距離をおいて、管状ハウジング（１００、…１２５）内の所定の場所に導入、位置づけおよび／または固定され、この時点でハウジング（１００…１２５）は、電子デバイス（３）間の中間領域（８）内において、レーザー放射を用いて、ナノセカンドおよび／またはピコセカンドのエネルギーパルスの放出によってかつ／またはエネルギーを連続的に導入することによって加熱され、かつ管状ハウジング（１００…１２５）は、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内のハウジング（１００…１２５）の内部および外部において中間領域の両側に及ぼされる異なる大きさの力を用いて面壁（１０）で閉鎖されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
管状基体（２）の少なくとも一方の端部がハウジング（１００…１２５）の生産のために溶融／溶接されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）の面壁（１０）が、レーザーを用いて、ナノセカンドおよび／またはピコセカンドのエネルギーパルスの放出によって、中央部分（１１）の端部領域を加熱することによって加熱され、面壁（１０）は、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内において、ハウジング（１００…１２５）の内部および外部に及ぼされる異なる大きさの力によって形成されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
管状基体（２）は、ハウジング（１００、…１２５）の生産を目的として、それを溶融することによって切断され、溶融した材料が結果として得られた端部を閉鎖することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
管状ハウジング（１００…１２５）の切断プロセスおよび／または閉鎖プロセスの間に、ハウジング（１００…１２５）の長手方向で、切断場所（８）の領域内においてハウジング（１００…１２５）の内部および外部に異なる大きさの力が及ぼされることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）の内部および外部には、管状ハウジング（１００、…１２５）の切断プロセスおよび／または閉鎖プロセスの間、切断場所（８）の領域内で異なる大きさの加圧力が及ぼされることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）が１つのブロックとして構成されていることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
ハウジングが正方形または矩形の基面（４０）を有する２つの本質的にプレート状のハウジング部品（１０７…１２５）により形成されており、基面（４０）に直交する２つのハウジング部品（１０７…１２５）の高さ（ｈ）の合計がその短辺の長さ（単複）よりも小さいことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
ハウジングの少なくとも１つのハウジング部品（１０７…１２５）の中に少なくとも１つのくぼみ（３２）を作るステップと、
ハウジング部品（１０７…１２５）を共に接合することにより少なくとも１つのキャビティ（３４）を生成するステップであって、少なくとも１つの開口部（３３）、詳細には少なくとも２つの開口部（３３）が外部からキャビティ（３４）内に開放した状態にとどまっている、ステップと、
少なくとも１つの開口部（３３）を通して少なくとも１つのキャビティ（３４）内に電子デバイス（３）を導入するステップと、
レーザー放射を用いて少なくとも１つの開口部（３３）を閉鎖し溶接するステップと、
を特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
１つのハウジング部品（１０７…１２５）がプレート状のカバー層によって形成されていることを特徴とする請求項１９または２０に記載の方法。
気体透過性でかつ液体不透過性であるミクロボア（３０）が、第１の密封された収容空間（１９）から分離された、ハウジング（１００…１２５）の第２の収容空間（２０）内に配置されていることを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
電子デバイス（３）を伴うハウジング（１００…１２５）がさらなる密閉型ガラスハウジング（３１）内に導入され、このハウジング（３１）内に、気体透過性で液体不透過性であるミクロボア（３０）が配置されていることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
金属ワイヤ（２３）および／または導光体ファイバを通過させるためのボアが、ハウジング（３）内に配置されていることを特徴とする請求項１〜２３のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）の外側表面（３９）がジェルおよび／またはアロマキャリアでコーティングされていることを特徴とする請求項１〜２４のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）の外側表面（３９）が粗化され、かつ／または外側表面がヒト／動物／植物の組織の成長を促進する反応性物質／構造をその上に備えていることを特徴とする、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の方法。
レーザーパルスのエネルギーの放出が、制御器具を用いて制御され、ハウジング（１０１…１２５）の内部の温度が、溶接線からまたはレーザービームの作用場所（８）から２ｍｍ以上の距離にある領域内において２００°未満の値に保たれるようになっていることを特徴とする、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の方法。
レーザー放射を用いた熱エネルギーの適用中、溶接線（１７、４２）に隣接する領域が冷却されることを特徴とする請求項１〜２７のいずれか一項に記載の方法。
レーザー放射がナノセカンドおよび／またはピコセカンドのパルスを用いておよび／またはエネルギーの連続的に導入によって形成されることを特徴とする請求項１〜２８のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の少なくとも一部分が拡散性を有するように生成されていることを特徴とする請求項１〜２９のいずれか一項に記載の方法。
ハウジング（１００…１２５）が単一の基本材料からモノブロックの形で生産されることを特徴とする、詳細には請求項１〜３０のいずれか一項に記載の方法による、少なくとも部分的にケイ素で構成される密封されたハウジング（１００…１２５）を有する器具。
ハウジング（１００…１２５）が多数のハウジング部品（１０１…１２５）で構成され、少なくとも単一の基本材料から生産されることを特徴とする、詳細には請求項１〜３０のいずれか一項に記載の方法による、少なくとも部分的にケイ素で構成される密封されたハウジング（１００…１２５）を有する器具。
部分空間（１９、２０）が、２５００ｍ超の水蒸気透過率ｓ_dで、水蒸気気密性を有するように構成されていることを特徴とする請求項３１または３２に記載の器具。
分析および評価ユニット（２２）が、体液および／または組織試料の分析および評価向けに構成されていることを特徴とする請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の器具。
ハウジング内の少なくともその密封された部分空間内の空気中の水蒸気の露点が０°、好ましくは−１０℃〜−３０℃となることを特徴とする請求項３１〜３４のいずれか一項に記載の器具。
少なくとも中央領域におけるハウジング（１００…１２５）の壁厚が０．０５〜５ｍｍとなることを特徴とする請求項３１〜３５のいずれか一項に記載の器具。
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の拡散性または不透明部分が、溶融領域または溶接領域（８）に隣接して配置されていることを特徴とする請求項３１〜３６のいずれか一項に記載の器具。
ハウジング（１００…１２５）またはカバー層の少なくとも一部分には、機能性コーティング、例えばフィルムが具備されていることを特徴とする請求項３１〜３７のいずれか一項に記載の器具。
機能性コーティング、例えばフィルムが、拡散性または不透明となるように構成されていることを特徴とする請求項３１〜３８のいずれか一項に記載の器具。
２つのハウジング部品（１０６…１２５）が、キャビティ（３４）上に分布しキャビティ（３４）の基面に直交して配向されている支持要素（４４）を伴って、互いに離隔されていることを特徴とする請求項３１〜３９のいずれか一項に記載の器具。