JP2015533142A - エルタペネム中間体の製造 - Google Patents
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Abstract
本発明は、化合物の製造、特に抗生物質、好ましくはカルバペネム抗生物質、より好ましくはエルタペネムを製造するための中間体として使用され得る化合物及びその塩の製造に関する。
Description
本発明は、化合物の製造、特に抗生物質、好ましくはカルバペネム抗生物質、より好ましくはエルタペネムを製造するための中間体として使用され得る化合物及びその塩の製造に関する。
エルタペネム(CAS登録番号153832−46−3;IUPAC名:(4R,5S,6S)−3−[(3S,5S)−5−[(3−カルボキシフェニル)カルバモイル]ピロリジン−3−イル]スルファニル−6−(1−ヒドロキシエチル)−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプタ−2−エン−2−カルボン酸)は、構造
エルタペネムは、グラム陽性及びグラム陰性、好気性及び嫌気性細菌を含めた感染性細菌を治療するために使用されている。
WO 9857973 A1は、モノ保護されている中間体を製造し、次いで水素化を介して脱保護した後エルタペネムを得る方法を開示している。WO 9802439 A1には、塩基の存在下非プロトン性極性溶媒中でのカルバペネム化合物の複数の保護されている中間体の製造が記載されている。WO 2008062279 A2は、エルタペネムのジ保護されている非晶質中間体を製造した後、非晶質エルタペネムを脱保護及び単離する方法を開示している。WO 03026572 A2には、エルタペネムのモノナトリウム塩の結晶形A、並びに水性エルタペネム溶液から出発する結晶化、及び有機溶媒の添加、pH値調節及び逆溶媒の添加を用いるその製造が開示されている。IN 01890CH2007は、pH値調節、沈殿剤及び逆溶媒の添加による水性エルタペネム溶液から出発する非晶質エルタペネムの製造を開示している。
しかしながら、これらの従来技術は重大な欠点を有している方法しか提供していない。例えば、WO 2008062279 A2で得られるジ保護されている中間体は不安定で、複雑な単離手順を必要とし、これにより収率が低下し、副生成物が形成される。従って、便利な方法で得られ、精製され、場合により結晶化される新しいキーとなる中間体、特にエルタペネムまたはその塩を製造するために適している新しい中間体が常に探索されている。更に、エルタペネムまたはその塩を製造するための新しい方法が常に探索されている。
従って、本発明の目的は、便利な方法で得られ、精製され、場合により結晶化され得る新しいキーとなる中間体、特にエルタペネムまたはその塩を製造するために適している新しい中間体を提供することであった。
本発明の更なる目的は、便利な方法で得られ、精製され、結晶化され得る結晶形の新しいキーとなる中間体、特にエルタペネムまたはその塩を製造するために適している新しい中間体を提供することであった。
本発明の別の目的は、前記したキーとなる中間体、特にエルタペネムまたはその塩を製造するために適している前記中間体の製造方法を提供することであった。
本発明の別の目的は、結晶形の前記したキーとなる中間体、特にエルタペネムまたはその塩を製造するために適している結晶形の前記中間体の製造方法を提供することであった。
本発明の更なる目的は、前記したキーとなる中間体、特に公知の出発物質、例えばWO 2008062279 A2で使用されている出発物質からエルタペネムまたはその塩を製造するために適している前記中間体の製造方法を提供することであった。
本発明の更なる目的は、結晶形の前記したキーとなる中間体、特に公知の出発物質、例えばWO 2008062279 A2で使用されている出発物質からエルタペネムまたはその塩を製造するために適している結晶形の前記中間体の製造方法を提供することであった。
本発明の更なる目的は、公知の出発物質、例えばWO 2008062279 A2で使用されている出発物質から出発するエルタペネムまたはその塩を製造するための改良方法を提供することであった。
本発明の別の目的は、新しいキーとなる中間体から出発するエルタペネムまたはその塩を製造するための改良方法を提供することであった。
本発明の更なる目的は、結晶形の新しいキーとなる中間体から出発するエルタペネムまたはその塩を製造するための改良方法を提供することであった。
1つの態様によれば、本発明は、式(I)
の化合物またはその溶媒和物に関する。式(I)の化合物は結晶形または非晶形であり得る。
本発明の別の態様によれば、式(Ia)
本発明のもう1つの態様によれば、本明細書中に規定されている方法により得られるかまたは得ることができる式(Ia)の結晶性化合物が提供される。
本発明の更なる態様によれば、(4R,5S,6S)−3−[(3S,5S)−5−[(3−カルボキシフェニル)カルバモイル]−ピロリジン−3−イル]スルファニル−6−(1−ヒドロキシエチル)−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプタ−2−エン−2−カルボン酸またはその塩の製造方法における本明細書中に規定されている式(I)の化合物またはその溶媒和物の使用が提供される。
本発明の別の態様によれば、式(II)及び(III)
更に別の態様では、式(II)
式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc);
を含む本明細書中に規定されている式(I)の化合物または溶媒和物の製造方法が提供される。
本発明の更なる態様によれば、式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
式(IV)の化合物またはその塩を本明細書中に規定されている式(I)の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物またはその塩、好ましくはそのモノナトリウム塩(VII)に変換させるステップd);
を含む。
本発明のもう1つの態様では、本明細書中に規定されている式(I)の化合物またはその溶媒和物の製造方法が提供され、その方法は、式(IV)
本発明の更なる態様によれば、式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物またはその塩、好ましくはそのモノナトリウム塩に変換させるステップd);
を含む。
なお別の態様では、式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
本発明のもう1つの態様によれば、式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物を結晶化させるステップc)を含む結晶形の本明細書中に規定されている式(I)の化合物の製造方法が提供される。
本発明は、本明細書中に規定されている式(I)の化合物が便利な方法で得られ、精製され得るので、エルタペネムまたはその塩を製造するために公知のキーとなる中間体に比べて改善を示す。特に、式(I)の化合物は単離することができ、その後のエルタペネムまたはその塩の製造中に存在する副生成物の量が少なくなる。式(I)の化合物の幾つか、例えば式(Ia)の化合物は結晶化され得るという作用効果を有し得る。
定義
本明細書中で使用されている用語「保護基」は当業界で公知のように理解される。特に、「保護基」は分子の官能基が後続反応において反応するのを避けるために該官能基を化学修飾することにより分子に導入した基と理解される。「保護基」は、分子の官能基を「保護基を導入するのに適した物質」と反応させることにより分子に導入される。本明細書中で使用されている「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」は当業界で公知のように理解される。特に、「保護基」を官能基から開裂し、後続反応において官能基を反応させる物質と理解される。本明細書中で使用されている「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、本明細書中に規定されている、特に実施例中に例示されているステップa)及び/またはステップb)の条件下でカルボン酸官能基の反応を避ける保護基と理解される。特に、「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」、例えば「保護基」がベンジル基の場合には水素の非存在下で非プロトン性溶媒、特にDMAc(2M)中、塩基性条件下−20℃〜35℃の温度でのカルボン酸官能基の2〜5時間の反応を95〜100%、特に98〜100%、より特に100%避ける。よって、「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、特に本明細書中に規定されている、特に実施例に例示されているステップa)及び/またはステップb)の条件下で「カルボン酸官能基を保護する」「保護基」として、特に「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」、例えば「保護基」がベンジル基の場合には水素の非存在下で非プロトン性溶媒、特にDMAc(2M)中、塩基性条件下−20℃〜35℃でのカルボン酸官能基の2〜5時間の反応を95〜100%、特に98〜100%、より特に100%避けることにより「カルボン酸官能基を保護する」基としても理解され得る。
本明細書中で使用されている用語「保護基」は当業界で公知のように理解される。特に、「保護基」は分子の官能基が後続反応において反応するのを避けるために該官能基を化学修飾することにより分子に導入した基と理解される。「保護基」は、分子の官能基を「保護基を導入するのに適した物質」と反応させることにより分子に導入される。本明細書中で使用されている「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」は当業界で公知のように理解される。特に、「保護基」を官能基から開裂し、後続反応において官能基を反応させる物質と理解される。本明細書中で使用されている「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、本明細書中に規定されている、特に実施例中に例示されているステップa)及び/またはステップb)の条件下でカルボン酸官能基の反応を避ける保護基と理解される。特に、「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」、例えば「保護基」がベンジル基の場合には水素の非存在下で非プロトン性溶媒、特にDMAc(2M)中、塩基性条件下−20℃〜35℃の温度でのカルボン酸官能基の2〜5時間の反応を95〜100%、特に98〜100%、より特に100%避ける。よって、「カルボン酸官能基を保護できる」「保護基」は、特に本明細書中に規定されている、特に実施例に例示されているステップa)及び/またはステップb)の条件下で「カルボン酸官能基を保護する」「保護基」として、特に「保護基またはPG残基を除去するのに適した物質」、例えば「保護基」がベンジル基の場合には水素の非存在下で非プロトン性溶媒、特にDMAc(2M)中、塩基性条件下−20℃〜35℃でのカルボン酸官能基の2〜5時間の反応を95〜100%、特に98〜100%、より特に100%避けることにより「カルボン酸官能基を保護する」基としても理解され得る。
本明細書中で使用されている用語「種晶」は当業界で公知のように理解される。特に、そこから大量の結晶性物質を成長させる少量の該結晶性物質として理解される。
本明細書中で使用されている用語「ハライド」または「ハロゲン」は少なくとも塩素、ヨウ素及び臭素を含むと理解される。
本明細書中で使用されている用語「脱離基」は当業界で公知のように理解される。適当な脱離基は例えばMarch’s Advanced Organic Chemistry:Reactions、Mechanisms,and Structure,第6版;Wiley & Sonsのような標準教科書にリストされている。好ましい脱離基はハライド、特にブロミド、アルキルスルホネート及びアリールアルホネートであり、好ましくはブロミドである。
本明細書中で使用されている用語「精製及び/または単離することなく」は、化合物を第1ステップにおいて得、第2ステップにおいて変換する際該化合物を第1及び第2ステップの間に精製及び/または単離しない方法またはステップを記載していると理解される。
本明細書中で使用されている用語「周囲温度」及び「室温」は約20℃〜約25℃、特に20℃〜25℃の範囲の温度を指すと当業者に理解されている。
式(I)の化合物
1つの態様によれば、本発明は、式(I)
1つの態様によれば、本発明は、式(I)
の化合物またはその溶媒和物に関する。PG残基は同一でも、異なっていてもよい。PG残基の2個のみが同一であり、例えばPG残基はカルバペネム部分に結合し、PG残基は安息香酸部分に結合し、或いはPG残基はカルバペネム部分に結合し、PG残基はピロリジン部分に結合し、或いはPG残基は安息香酸部分に結合し、PG残基はピロリジン部分に結合し得る。好ましくは、PG残基は同一である。
各PG残基はベンジル、メチレン置換ベンジル、p−置換ベンジル、o−置換ベンジルまたはm−置換ベンジル基から選択され得、置換基は好ましくはニトロ、メトキシ残基またはハライドから選択され、PG残基はより好ましくはp−ニトロベンジル、o−ニトロベンジル、m−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル、o−メトキシベンジルまたはm−メトキシベンジル;p−クロロベンジル、o−クロロベンジルから選択され、最も好ましくはp−ニトロベンジルである。
式(I)の化合物は結晶形または非晶形であり得る。本明細書中に規定されている式(I)の化合物はその溶媒和物の形態でも存在し得る。特に好ましい実施形態では、式(I)の化合物は式(Ia)
式(I)の化合物またはその溶媒和物は、(4R,5S,6S)−3−[(3S,5S)−5−[(3−カルボキシフェニル)カルバモイル]−ピロリジン−3−イル]スルファニル−6−(1−ヒドロキシエチル)−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプタ−2−エン−2−カルボン酸(式(VI))またはその塩、好ましくは式(VII)のモノナトリウム塩の製造方法において使用され得る。
式(I)の化合物またはその溶媒和物は、式(II)及び(III)
式(VI)の化合物の製造方法
更なる態様によれば、式(I)
更なる態様によれば、式(I)
式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc);
を含む。
式(VI)の化合物の製造方法
別の態様によれば、式(VI)
別の態様によれば、式(VI)
の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩に変換させるステップd);
を含む。
式(I)の化合物の製造方法
別の態様によれば、式(I)
別の態様によれば、式(I)
式(IV)の化合物から出発する式(VI)の化合物の製造方法
更に別の態様によれば、式(VI)
更に別の態様によれば、式(VI)
の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物またはその塩、好ましくはそのモノナトリウム塩(VII)に変換させるステップd);
を含む。
式(I)の化合物から出発する式(VI)の化合物の製造方法
更なる態様によれば、式(VI)の化合物またはその塩、好ましくはそのモノナトリウム塩(VII)
更なる態様によれば、式(VI)の化合物またはその塩、好ましくはそのモノナトリウム塩(VII)
の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物またはその塩に変換させるステップd)を含む。好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物は本明細書中に規定されている式(Ia)の化合物である。場合により、ステップa)の後に式(IV)の化合物を精製及び/または単離することなく、ステップa)の後に式(IV)の化合物を使用する。加えて、場合により、ステップb)の後に式(I)の化合物を精製及び/または単離することなく、ステップb)の後に式(I)の化合物を使用する。
ステップa)
典型的には、ステップa)は−40℃〜0℃、特に−30℃〜−10℃、より特に−20℃〜−15℃の温度で実施する。ステップa)を溶媒中で実施する場合、溶媒は特に非プロトン性溶媒であり、溶媒はジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルホルムアミド(DMF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、特にDMAcである。式(III)の化合物またはその塩は典型的には式(II)の化合物に対して1.0〜1.3当量、特に1.0〜1.2当量、より特に1.09当量の量で存在させる。ステップa)は典型的には塩基の存在下で実施し、塩基は典型的には第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはジイソプロピルエチルアミンである。この場合、塩基は式(II)の化合物に対して2〜6当量、特に4〜5当量、より特に4.4当量の量で存在させる。
典型的には、ステップa)は−40℃〜0℃、特に−30℃〜−10℃、より特に−20℃〜−15℃の温度で実施する。ステップa)を溶媒中で実施する場合、溶媒は特に非プロトン性溶媒であり、溶媒はジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルホルムアミド(DMF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、特にDMAcである。式(III)の化合物またはその塩は典型的には式(II)の化合物に対して1.0〜1.3当量、特に1.0〜1.2当量、より特に1.09当量の量で存在させる。ステップa)は典型的には塩基の存在下で実施し、塩基は典型的には第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはジイソプロピルエチルアミンである。この場合、塩基は式(II)の化合物に対して2〜6当量、特に4〜5当量、より特に4.4当量の量で存在させる。
好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物が式(Ia)
ステップb)
1つの実施形態によれば、ステップa)の後に式(IV)の化合物またはその塩を精製及び/または単離することなく、ステップb)では式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物に変換させる。この場合、ステップb)は典型的には10℃〜45℃、特に30℃〜40℃、より特に35℃の温度で実施する。この場合、式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換は、典型的には保護基を導入するのに適した物質を添加することにより実施する。保護基を導入するのに適した物質は式(V)
PG−L (V)
(式中、PG残基は本明細書中に規定されている通りであり、Lは脱離基である)
の化合物であり得り、化合物をステップa)で使用したのと同じ溶媒中に添加することが好ましい。Lは典型的にはハライド、特にブロミド、アルキルスルホネート及びアリールスルホネートから選択され、好ましくはブロミドである。PG残基がp−ニトロベンジルである場合、式(V)の化合物はp−ニトロベンジルブロミド及びp−ニトロベンジルクロリドから選択され、好ましくはp−ニトロベンジルブロミドである。この場合、式(V)の化合物を典型的には式(II)の化合物に対して1〜3当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる。
1つの実施形態によれば、ステップa)の後に式(IV)の化合物またはその塩を精製及び/または単離することなく、ステップb)では式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物に変換させる。この場合、ステップb)は典型的には10℃〜45℃、特に30℃〜40℃、より特に35℃の温度で実施する。この場合、式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換は、典型的には保護基を導入するのに適した物質を添加することにより実施する。保護基を導入するのに適した物質は式(V)
PG−L (V)
(式中、PG残基は本明細書中に規定されている通りであり、Lは脱離基である)
の化合物であり得り、化合物をステップa)で使用したのと同じ溶媒中に添加することが好ましい。Lは典型的にはハライド、特にブロミド、アルキルスルホネート及びアリールスルホネートから選択され、好ましくはブロミドである。PG残基がp−ニトロベンジルである場合、式(V)の化合物はp−ニトロベンジルブロミド及びp−ニトロベンジルクロリドから選択され、好ましくはp−ニトロベンジルブロミドである。この場合、式(V)の化合物を典型的には式(II)の化合物に対して1〜3当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる。
1つの特に好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物が式(Ia)
別の実施形態によれば、ステップa)の後に式(IV)の化合物またはその塩を精製及び/または単離した後に、ステップb)では式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物に変換させる。ステップb)では、式(IV)の化合物またはその塩を1当量の量で存在させる。この場合、ステップb)は典型的には10℃〜40℃、特に20℃〜30℃の温度で、より特に室温で実施する。この場合、式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換は、典型的には保護基を導入するのに適した物質を添加することにより実施する。保護基を導入するのに適した物質は式(V)
PG−L (V)
(式中、PG残基は本明細書中に規定されている通りであり、Lは脱離基である)
の化合物であり得、化合物をステップa)で使用したのと同じ溶媒中に添加することが好ましい。Lは典型的にはハライド、特にブロミド、アルキルスルホネート及びアリールスルホネートから選択され、好ましくはブロミドである。PG残基がp−ニトロベンジルである場合、式(V)の化合物はp−ニトロベンジルブロミド及びp−ニトロベンジルクロリドから選択され、好ましくはp−ニトロベンジルブロミドである。この場合、式(V)の化合物は典型的には式(IV)の化合物またはその塩に対して1.0〜3.0当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる。この場合、ステップb)は典型的には塩基の存在下で実施し、塩基は式(I)の化合物またはその溶媒和物に対して1.0〜4.0当量、特に1.5〜3当量、より特に2当量の量で存在させる。この場合、塩基は典型的には第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはトリエチルアミンである。ステップb)を溶媒、特に非プロトン性溶媒中で実施する場合、溶媒は特にジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、より特にDMAcである。
PG−L (V)
(式中、PG残基は本明細書中に規定されている通りであり、Lは脱離基である)
の化合物であり得、化合物をステップa)で使用したのと同じ溶媒中に添加することが好ましい。Lは典型的にはハライド、特にブロミド、アルキルスルホネート及びアリールスルホネートから選択され、好ましくはブロミドである。PG残基がp−ニトロベンジルである場合、式(V)の化合物はp−ニトロベンジルブロミド及びp−ニトロベンジルクロリドから選択され、好ましくはp−ニトロベンジルブロミドである。この場合、式(V)の化合物は典型的には式(IV)の化合物またはその塩に対して1.0〜3.0当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる。この場合、ステップb)は典型的には塩基の存在下で実施し、塩基は式(I)の化合物またはその溶媒和物に対して1.0〜4.0当量、特に1.5〜3当量、より特に2当量の量で存在させる。この場合、塩基は典型的には第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはトリエチルアミンである。ステップb)を溶媒、特に非プロトン性溶媒中で実施する場合、溶媒は特にジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、より特にDMAcである。
1つの特に好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物が式(Ia)
結晶形の式(I)の化合物の製造方法
更なる態様によれば、結晶形の本明細書中に規定されている式(I)の化合物、特に式(Ia)の化合物の製造方法が提供され、この方法は式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物を結晶化させるステップc)を含む。
更なる態様によれば、結晶形の本明細書中に規定されている式(I)の化合物、特に式(Ia)の化合物の製造方法が提供され、この方法は式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物を結晶化させるステップc)を含む。
1つの実施形態によれば、ステップc)は式(I)の化合物の溶液に種晶を添加するステップh)を含む。溶液は典型的には式(I)の化合物を0.05〜0.20mol/L、特に0.10〜0.14mol/L、より特に0.11mol/Lの濃度で含む。溶液のために使用する溶媒は典型的には非プロトン性溶媒であり、溶媒は特に酢酸エチル及びヘプタン、及びその組合せから選択され、より特に酢酸エチルである。この場合、典型的にはステップc)を−10℃〜35℃、特に10℃〜25℃、より特に25℃の温度で実施する。
1つの特に好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物が式(Ia)
別の実施形態によれば、ステップc)は上に規定したステップb)の後に、式(I)の化合物を精製及び/または単離することなく実施する。更なる実施形態によれば、ステップc)は上に規定したステップb)を実施した後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を精製及び/または単離することなく実施し、ステップb)は上に規定したステップa)の後に精製及び/または単離することなく実施する。これらの実施形態において、溶液のために使用する溶媒は特にステップb)で使用したのと同じ溶媒である。更に、ステップc)はステップe)を含み得、ステップe)では溶液中の式(I)の化合物またはその溶媒和物の濃度を好ましくは溶液のために使用した追加溶媒、好ましくはDMAcを添加することにより0.14〜0.3M、特に0.15〜0.2M、より特に0.16Mの範囲に調節する。更には、ステップc)は、好ましくは上に規定したステップe)の後にステップf)を含み得、ステップf)では過剰の塩基をクエンチするために酸を添加し、酸は好ましくはAcOHまたはHCl、より好ましくはAcOHである。更に、ステップc)は、好ましくは上に規定したステップf)の後にステップg)を含み、ステップg)では逆溶媒を添加し、逆溶媒は好ましくはイソプロピルアルコール、酢酸エチル、n−プロパノール、エタノール、メタノール及び水、及びその組合せから選択され、好ましくはイソプロピルアルコール及び水である。更に、ステップc)は、好ましくは上に規定したステップg)の後に、式(I)の化合物の溶液に種晶を添加するステップh)を含む。ステップc)は典型的には20℃〜40℃、特に32℃〜38℃、より特に35℃の温度で実施する。
1つの特に好ましい実施形態によれば、式(I)の化合物が式(Ia)
式(IVa)の化合物を式(Ia)の化合物に変換させるステップb):ステップb)は式(IIa)の化合物に対して1.3当量のp−ニトロベンジルブロミドを用いて35℃で実施し、式(IVa)の化合物をステップa)の後に得、ステップa)の後に式(IVa)の化合物を精製及び/または単離することなく使用する;並びに
式(Ia)の化合物を結晶化させるステップc);
ステップe):ステップe)では追加DMAcを添加することにより溶液中の式(Ia)の化合物の濃度を0.16Mに調節する;
ステップf):ステップf)ではAcOHを添加する;
ステップg):ステップg)ではイソプロピルアルコール及び水を添加する;及び
ステップh):ステップh)では種晶を35℃の温度で添加する;
を含む。
ステップd
本発明で提供される全ての態様及び実施形態によれば、式(VI)の化合物は塩の形態で、好ましくはそのナトリウム、カリウムまたはリチウム塩の形態で、より好ましくはそのモノナトリウム塩(式(VII))の形態で製造され得る。
本発明で提供される全ての態様及び実施形態によれば、式(VI)の化合物は塩の形態で、好ましくはそのナトリウム、カリウムまたはリチウム塩の形態で、より好ましくはそのモノナトリウム塩(式(VII))の形態で製造され得る。
ステップd)では、典型的にはPG残基を除去するのに適した物質を添加する。典型的には、ステップd)を触媒の存在下で実施する。前記物質は特に水素である。この場合、触媒は特に固体担持金属触媒からなる群から、好ましくは炭素担持パラジウム、炭素担持白金、炭素担持白金−バナジウム及び水酸化パラジウムから選択され、より好ましくは触媒は炭素担持パラジウムである。この場合、典型的には、ステップd)は塩基の存在下で実施し、塩基は特に塩基性無機塩基から、特に炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは酢酸カルシウム、特に炭酸水素ナトリウム及び炭酸ナトリウム;及びその組合せから選択され、好ましくは炭酸水素ナトリウムである。
ステップd)の1つの実施形態によれば、式(I)の化合物を特に本明細書中に規定されている結晶形で使用する。この場合、ステップd)は塩基の存在下で実施し、塩基は式(I)の化合物に対して3.5〜7当量、特に4.5〜6.5当量、より特に5.5当量の量で存在させる。この場合、典型的には、ステップd)を15℃〜40℃、特に20℃〜30℃の温度で、より特に室温で実施する。ステップd)を溶媒中で実施する場合、溶媒は特に水、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコール、n−プロパノール、エタノール、メタノール、NMP、NEP、DMFまたはDMAc、及びその組合せから選択され、より好ましくは溶媒が水、イソプロピルアルコール及びDMAcの混合物である。
式(VI)
ステップd)の更なる実施形態によれば、使用する式(I)の化合物は非晶形である。この場合、ステップd)を結晶性物質について記載したように実施するか、または以下のように実施する。すなわち、ステップd)を典型的には塩基の存在下で実施し、塩基は式(I)の化合物またはその溶媒和物に対して3.5〜4.5当量、特に3.7〜4.2当量、より特に4.0当量の量で存在させる。特に、この場合、ステップd)を0℃〜20℃、特に5℃〜15℃、より特に10℃の温度で実施する。ステップd)を溶媒中で実施する場合、溶媒は好ましくは水、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコールまたはDMAc、及びその組合せから選択され、より好ましくは水及びイソプロピルアルコールの混合物である。
式(VI)
本発明は以下の実施例を参照することにより十分に理解されるであろう。しかしながら、実施例は本発明の範囲を限定すると解釈されるべきでない。本明細書中に挙げられている全ての文献及び特許文献の開示は明白に参照により組み入れられる。
1.(IVa)から(Ia)
(IVa)(1g,1.27mmol)をDMF(5mL)中に含む溶液を0℃まで冷却し、p−ニトロベンジルブロミド(0.41g,1.90mmol)、次いでトリエチルアミン(0.263mL)を添加し、混合物を0℃で5時間撹拌した。反応物を室温まで加温し、p−ニトロベンジルブロミド(0.14g,0.64mmol)を添加した。室温で20.5時間後、追加量のトリエチルアミン(0.10mL,0.72mmol)を添加し、7時間撹拌し続けた。混合物を酢酸エチル及び水で希釈し、層を分離し、水性層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水で洗浄し、濃縮して、1gの残渣が得られた。
(IVa)(1g,1.27mmol)をDMF(5mL)中に含む溶液を0℃まで冷却し、p−ニトロベンジルブロミド(0.41g,1.90mmol)、次いでトリエチルアミン(0.263mL)を添加し、混合物を0℃で5時間撹拌した。反応物を室温まで加温し、p−ニトロベンジルブロミド(0.14g,0.64mmol)を添加した。室温で20.5時間後、追加量のトリエチルアミン(0.10mL,0.72mmol)を添加し、7時間撹拌し続けた。混合物を酢酸エチル及び水で希釈し、層を分離し、水性層を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機層を水で洗浄し、濃縮して、1gの残渣が得られた。
2.(Ia)の水素化
水素化容器中の水(3mL)及びイソプロピルアルコール(1mL)中のPd/C(1.1g,10%Pd,50%湿潤)にNaHCO3(370mg,4.4mmol)を添加し、10℃まで冷却した。(Ia)(1g,1.1mmol)を酢酸エチル(15mL)中に含む溶液にイソプロピルアルコール(2.5mL)及び水性5% NaHCO3溶液(1.25mL)を添加した。オートクレーブ中の触媒溶液に基質溶液を添加し、強く撹拌しながらH2圧(4バール)を3時間施した。触媒を濾別し、イソプロピルアルコール及び水で洗浄した。水性層を酢酸エチルで洗浄し、12mLに濃縮した。メタノール及びn−プロパノールを添加し、酢酸でpHを6.5に調節して、(VII)が得られた。
水素化容器中の水(3mL)及びイソプロピルアルコール(1mL)中のPd/C(1.1g,10%Pd,50%湿潤)にNaHCO3(370mg,4.4mmol)を添加し、10℃まで冷却した。(Ia)(1g,1.1mmol)を酢酸エチル(15mL)中に含む溶液にイソプロピルアルコール(2.5mL)及び水性5% NaHCO3溶液(1.25mL)を添加した。オートクレーブ中の触媒溶液に基質溶液を添加し、強く撹拌しながらH2圧(4バール)を3時間施した。触媒を濾別し、イソプロピルアルコール及び水で洗浄した。水性層を酢酸エチルで洗浄し、12mLに濃縮した。メタノール及びn−プロパノールを添加し、酢酸でpHを6.5に調節して、(VII)が得られた。
3.化合物(Ia)の結晶化
(Ia)(15.8g,17mmol)を室温で酢酸エチル(150mL)中に溶解し、種晶を添加した。17時間後、濃い懸濁液が形成され、ヘプタン(50mL)を添加した。混合物を2時間で0℃まで冷却し、結晶を濾別し、ヘプタンで洗浄し、真空下で乾燥して、13.42gの結晶性物質が得られた。
(Ia)(15.8g,17mmol)を室温で酢酸エチル(150mL)中に溶解し、種晶を添加した。17時間後、濃い懸濁液が形成され、ヘプタン(50mL)を添加した。混合物を2時間で0℃まで冷却し、結晶を濾別し、ヘプタンで洗浄し、真空下で乾燥して、13.42gの結晶性物質が得られた。
4.結晶性(Ia)の水素化
NaHCO3(5.5当量)を水(170g)中に溶解し、Pd/C(15g;10% Pd)及びイソプロピルアルコール(100g)、次いで(Ia)(15g)をDMAc(73g)中に含む溶液を添加した。強く撹拌しながら、H2圧(4バール)を25℃で3時間施した。触媒を濾別し、イソプロピルアルコール及び水で洗浄した。水性層を酢酸エチルで抽出し、氷酢酸を用いてpHをpH=5.5に調節して、(VII)が得られた。次いで、MeOH及びイソプロピルアルコールを添加した後、種晶を添加し、懸濁液を−20℃まで冷却することにより(VII)を結晶化させた。
NaHCO3(5.5当量)を水(170g)中に溶解し、Pd/C(15g;10% Pd)及びイソプロピルアルコール(100g)、次いで(Ia)(15g)をDMAc(73g)中に含む溶液を添加した。強く撹拌しながら、H2圧(4バール)を25℃で3時間施した。触媒を濾別し、イソプロピルアルコール及び水で洗浄した。水性層を酢酸エチルで抽出し、氷酢酸を用いてpHをpH=5.5に調節して、(VII)が得られた。次いで、MeOH及びイソプロピルアルコールを添加した後、種晶を添加し、懸濁液を−20℃まで冷却することにより(VII)を結晶化させた。
5.(IIa)及び(IIIa)、及びp−ニトロベンジルブロミドからの現場での結晶性(Ia)
(IIIa)(1.09当量)及び(IIa)(1当量)をDMAc(0.4M)中に含む溶液を−20℃まで冷却し、DIPEA(4.4当量)を添加した。2時間後、p−ニトロベンジルブロミド(1.3当量)をDMAc(2M)中に含む溶液を添加した。反応物を35℃に加温し、3時間撹拌した。0.16Mに達するまでDMAcを添加した。AcOH(2.5当量)を添加することにより過剰の塩基をクエンチした。イソプロピルアルコール及び水を添加した後、種晶を添加した。混合物を35℃で更に20時間撹拌した。懸濁液を室温まで冷却し、濾過し、イソプロピルアルコールで洗浄した。結晶性生成物を真空中で乾燥した。
(IIIa)(1.09当量)及び(IIa)(1当量)をDMAc(0.4M)中に含む溶液を−20℃まで冷却し、DIPEA(4.4当量)を添加した。2時間後、p−ニトロベンジルブロミド(1.3当量)をDMAc(2M)中に含む溶液を添加した。反応物を35℃に加温し、3時間撹拌した。0.16Mに達するまでDMAcを添加した。AcOH(2.5当量)を添加することにより過剰の塩基をクエンチした。イソプロピルアルコール及び水を添加した後、種晶を添加した。混合物を35℃で更に20時間撹拌した。懸濁液を室温まで冷却し、濾過し、イソプロピルアルコールで洗浄した。結晶性生成物を真空中で乾燥した。
1H−NMR(500MHz,d6−DMSO):δ=10.32(s,1H),8.30(bs,0.4H),8.24(d,J=8.51Hz,2H),8.26(bs,0.6H),8.19(bd,J=8.51Hz,3H),7.91(bt,J=6.94Hz,1H),7.87(d,J=8.51Hz,1H),7.72(bd,J=8.51Hz,3H),7.69(d,J=8.51Hz,2H),7.66(d,J=8.51Hz,1H),7.47(d,J=7.88Hz,1H),7.46(d,J=8.51Hz,1H),5.50(s,2H),5.41(d,J=14.19Hz,1H),5.30(d,J=13.87Hz,0.6H),5.29(d,J=14.02Hz,1H),5.24(s,0.8H),5.08(d,J=5.04Hz,1H),5.04(d,J=13.87Hz,0.6H),4.50(t,J=7.72Hz,0.6H),4.43(t,J=7.72Hz,0.4H),4.27(dt,J=9.65,0.70Hz,1H),4.22(dd,J=9.95,7.39Hz,0.4H),4.15(dd,J=10.40,7.25Hz,0.6H),3.99(m,2H),3.61(m,1H),3.39(t,J=9.30Hz,0.4H),3.34(t,J=9.30Hz,0.6H),3.30(dd,J=6.30,2.52Hz,1H),2.81(m,1H),1.93(m,1H),1.19(d,J=7.25Hz,3H),1.16(d,J=6.30Hz,3H)。
X線粉末回折グラム(XRPD)は、透過型配置のθ/θ結合ゴニオメーター、集束ミラーを有するCu−Kα1,2線(波長0.15419nm)及びソリッドステートPIXcel検出器を備えているPANalytical X’Pert PRO回折計を用いて得た。回折グラムは周囲条件下、2°〜40°2θの角度範囲で40s/ステップ(255チャネル)で0.013°2θのステップサイズを適用して45kVの管電圧及び40mAの管電流で記録した(図1及び表1を参照されたい)。
明細書の以下の記載は別々の項目としてリストされている本発明の実施形態を指す:
1. 式(I)
1. 式(I)
の化合物またはその溶媒和物。
2. PG残基はすべて同一であるか、またはPG残基の少なくとも2個は同一である、項目1の化合物。
3. 3個のPG残基は異なる、項目1の化合物。
4. 各PG残基はベンジル、メチレン置換ベンジル、p−置換ベンジル、o−置換ベンジルまたはm−置換ベンジル基から選択され、置換基は好ましくはニトロ、メトキシ残基またはハライドから選択され;PG残基はより好ましくはp−ニトロベンジル、o−ニトロベンジル、m−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル、o−メトキシベンジルまたはm−メトキシベンジル;p−クロロベンジル、o−クロロベンジルから選択され、最も好ましくはp−ニトロベンジルである、項目1〜3のいずれかの化合物。
5. 式(I)の化合物は結晶形または非晶形である、項目1〜4のいずれかの化合物。
6. 式(I)の化合物は(Ia)
8. 請求項12、14及び19〜61のいずれかに規定されている方法により得られるかまたは得ることができる、式(Ia)の結晶性化合物。
9. 式(Ia)の化合物は結晶形であり、Cu−Kα線を用いたときに約3.4°、6.5°、14.4°、17.7°、21.1°、22.1°の2θ角にピークを有するX線粉末回折パターンにより特徴づけられる、項目7または8の化合物。
10. (4R,5S,6S)−3−[(3S,5S)−5−[(3−カルボキシフェニル)カルバモイル]−ピロリジン−3−イル]スルファニル−6−(1−ヒドロキシエチル)−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプタ−2−エン−2−カルボン酸またはその塩の製造方法における、項目1〜9のいずれかの化合物の使用。
11. 式(II)及び(III)
12. 式(I)
式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物またはその溶媒和物に変換させる;ステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc);
を含む前記方法。
13. 式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物に変換させるステップd);
を含む前記方法。
14. 式(I)
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc);
を含む前記方法。
15. 式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物に変換させるステップd);
を含む前記方法。
16. 式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物に変換させるステップd)を含む前記方法。
17. ステップa)の後に式(IV)の化合物を精製及び/または単離することなく、ステップa)の後に式(IV)の化合物を使用する、項目12または13の方法。
18. 式(I)の化合物は項目6〜9のいずれかに規定されている式(Ia)の化合物である、項目12〜17のいずれかの方法。
19. ステップa)を−40℃〜0℃、特に−30℃〜−10℃、より特に−20℃〜−15℃の温度で実施する、項目12、13、17及び18のいずれかの方法。
20. ステップa)を溶媒、特に非プロトン性溶媒中で実施する、項目12、13及び17〜19のいずれかの方法。
21. ステップa)を溶媒中で実施し、溶媒はジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルホルムアミド(DMF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、特にDMAcである、項目12、13及び17〜20のいずれかの方法。
22. ステップa)では式(III)の化合物またはその塩は式(II)の化合物に対して1.0〜1.2当量、特に1.08〜1.1当量、より特に1.09当量の量で存在させる、項目12、13及び17〜21のいずれかの方法。
23. ステップa)を塩基の存在下で実施する、項目12、13及び17〜22のいずれかの方法。
24. 塩基を式(II)の化合物に対して3.5〜5.5当量、特に4.3〜4.5当量、より特に4.4当量の量で存在させる、項目12、13及び17〜23のいずれかの方法。
25. 塩基は第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはジイソプロピルエチルアミンである、項目23または24の方法。
26. 式(I)の化合物は式(Ia)
27. ステップa)の後に式(IV)の化合物またはその塩を精製及び/または単離することなく、ステップb)では式(IV)の化合物またはその塩を式(I)の化合物に変換させる、項目12、13及び17〜26のいずれかの方法。
28. ステップb)を25℃〜45℃、特に30℃〜40℃、より特に35℃の温度で実施する、項目27の方法。
29. 式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換を、保護基を導入するのに適した物質を添加することにより実施する、項目27または28の方法。
30. 式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換は式(V)
PG−L (V)
(式中、PG残基は項目1〜4のいずれかに規定されている通りであり、Lは脱離基である)
の化合物を添加することにより実施し;Lが脱離基の場合、好ましくは化合物をステップa)のために使用したのと同じ溶媒中に添加する、項目27〜29のいずれかの方法。
31. Lはハライド、特にブロミド、及びアルキルスルホネート及びアリールスルホネートから選択され、好ましくはブロミドである、項目30の方法。
32. PG残基はp−ニトロベンジルであり、式(V)の化合物はp−ニトロベンジルブロミド及びp−ニトロベンジルクロリドから選択され、好ましくはp−ニトロベンジルブロミドである、項目30または31の方法。
33. 式(V)の化合物を式(II)の化合物に対して1〜3当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる、項目30〜32のいずれかの方法。
34. 式(I)の化合物は式(Ia)
35. ステップb)では式(IV)の化合物またはその塩を1当量の量で存在させる、項目12〜15及び18〜26のいずれかの方法。
36. ステップb)を15℃〜40℃、特に20℃〜30℃の温度で、より特に室温で実施する、項目12〜15、18〜26及び35のいずれかの方法。
37. 式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物への変換は保護基を導入するのに適した物質を添加することにより実施する、項目12〜15、18〜26、35及び36のいずれかの方法。
38. 式(IV)の化合物またはその塩の式(I)の化合物またはその溶媒和物への変換は式(V)
PG−L (V)
(式中、PG残基は項目1〜4のいずれかに規定されている通りであり、Lは項目31に規定されている脱離基である)
の化合物を添加することにより実施する、項目12〜15、18〜26及び35〜37のいずれかの方法。
39. 式(V)の化合物を式(IV)の化合物またはその塩に対して1.0〜2.0当量、特に1.2〜1.4当量、より特に1.3当量の量で存在させる、項目38の方法。
40. ステップb)を塩基の存在下で実施する、項目12〜15、18〜26及び35〜39のいずれかの方法。
41. 塩基を式(I)の化合物またはその溶媒和物に対して1.0〜4.0当量、特に1.5〜3当量、より特に2当量の量で存在させる、項目40の方法。
42. 塩基は第2級及び第3級アミン、特にイソプロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びトリエチルアミン;環状第3級アミン、特にcis−2,6−ジメチルピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N−メチルピペリジン及びN−メチルモルホリン;及びその組合せから選択され、好ましくはトリエチルアミン及びジイソプロピルアミンである、項目40または41の方法。
43. ステップb)を溶媒、特に非プロトン性溶媒中で実施する、項目12〜15、18〜26及び35〜42のいずれかの方法。
44. ステップb)を溶媒中で実施し、溶媒はジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、テトラヒドロフラン(THF)、2−メチルテトラヒドロフラン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びその組合せから選択され、特にDMAcである、項目12〜15、18〜26及び38〜46のいずれかの方法。
45. 式(I)の化合物は式(Ia)
46. 式(I)の化合物の溶液から式(I)の化合物を結晶化させるステップc)を含む、項目1〜9のいずれかに規定されている式(I)の化合物またはその溶媒和物、特に好ましくは項目6〜9に規定されている結晶形の式(Ia)の化合物またはその溶媒和物の製造方法。
47. ステップc)は式(I)の化合物またはその溶媒和物の溶液に種晶を添加するステップh)を含む、項目12〜46のいずれかの方法。
48. 溶液は式(I)の化合物を0.05〜0.20mol/L、特に0.10〜0.14mol/L、より特に0.11mol/Lの濃度で含んでいる、項目47の方法。
49. 溶液のために使用される溶媒は非プロトン性溶媒である、項目47または48の方法。
50. 溶液のために使用される溶媒は酢酸エチル、ヘプタン及びその組合せから選択され、特に酢酸エチルである、項目47〜49のいずれかの方法。
51. ステップc)を−10℃〜35℃、特に10℃〜25℃、より特に25℃の温度で実施する、項目47〜50のいずれかの方法。
52. 式(I)の化合物は式(Ia)
方法は式(Ia)の化合物の溶液に種晶を添加するステップh)を含み、ステップc)を式(Ia)の化合物を0.11mol/Lの濃度で含む酢酸エチル中で25℃で実施する、項目46の方法。
53. 式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)を含み、好ましくは項目27〜34のいずれかに規定されているステップb)を実施した後に、ステップc)を式(I)の化合物またはその溶媒和物を精製及び/または単離することなく実施する、項目12〜34、46及び47のいずれかの方法。
54. 式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)を含み、好ましくは項目27〜34のいずれかに規定されているステップb)を実施した後にステップc)を式(I)の化合物またはその溶媒和物を精製及び/または単離することなく実施し、好ましくは項目18〜26のいずれかに規定されているステップa)を実施した後にステップb)を精製及び/または単離することなく実施する項目、12、13、17〜34、46及び47のいずれかの方法。
55. 溶液のために使用する溶媒はステップb)で使用した溶媒である、項目53または54の方法。
56. ステップc)はステップe)を含み、ステップe)では溶液中の式(I)の化合物またはその溶媒和物の濃度を好ましくは溶液のために使用した追加溶媒、好ましくはDMAcを添加することにより0.14〜0.18M、特に0.15〜0.17Mの範囲、より特に0.16Mに調節する、項目53〜55のいずれかの方法。
57. ステップc)は好ましくは項目56に規定されているステップe)の後にステップf)を含み、ステップf)では過剰の塩基をクエンチするために酸を添加し、酸は好ましくはAcOH、HClであり、より好ましくはAcOHである項目、53〜56のいずれかの方法。
58. ステップc)は好ましくは項目57に規定されているステップf)の後にステップg)を含み、ステップg)では逆溶媒を添加し、逆溶媒は好ましくはイソプロピルアルコール、n−プロパノール、エタノール、メタノール及び水、及びその組合せから選択され、好ましくはイソプロピルアルコール及び水である、項目50〜54のいずれかの方法。
59. ステップc)は好ましくは項目58に規定されているステップg)の後に、式(I)の化合物またはその溶媒和物の溶液に種晶を添加するステップh)を含む、項目53〜58のいずれかの方法。
60. ステップc)を10℃〜40℃、特に32℃〜38℃、より特に35℃の温度で実施する、項目53〜59のいずれかの方法。
61. 式(I)の化合物は式(Ia)
式(IVa)の化合物を式(Ia)の化合物に変換させるステップb):ステップb)は式(IIa)の化合物に対して1.3当量のp−ニトロベンジルブロミドを用いて35℃で実施し、ステップa)の後に式(IVa)の化合物を得、ステップa)の後に式(IVa)の化合物を精製及び/または単離することなく使用する;並びに
式(Ia)の化合物を結晶化させるステップc);
ステップe):ステップe)では追加のDMAcを添加することにより溶液中の式(Ia)の化合物の濃度を0.16Mに調節する;
ステップf):ステップf)ではAcOHを添加する;
ステップg):ステップg)ではイソプロピルアルコール及び水を添加する;及び
ステップh):ステップh)では種晶を35℃の温度で添加する;
を含む、項目46の方法。
62. 式(VI)の化合物は塩の形態で、好ましくはそのナトリウム、カリウムまたはリチウム塩の形態で、より好ましくはそのモノナトリウム塩(VII)の形態で生ずる、項目13、15または16の方法。
63. ステップd)ではPG残基を除去するのに適した物質を添加する、項目13、15、16または62の方法。
64. ステップd)を触媒の存在下で実施する、項目13、15、16、62または63の方法。
65. PG残基が項目1〜4のいずれかに規定されている通りの場合、PG残基を除去するのに適した物質は水素である、項目13、15、16及び62〜64のいずれかの方法。
66. PG残基が項目1〜4のいずれかに規定されている通りの場合、触媒は固体担持金属触媒、好ましくは炭素担持パラジウム、炭素担持白金、炭素担持白金−バナジウム及び水酸化パラジウムからなる群から選択され、より好ましくは炭素担持パラジウムである、項目13、15、16及び62〜65のいずれかの方法
67. ステップd)を塩基の存在下で実施する、項目13、15、16及び62〜66のいずれかの方法。
68. 塩基は塩基性無機塩から、特に炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは酢酸カルシウム、特に炭酸水素ナトリウム及び炭酸ナトリウム、及びその組合せから選択され、好ましくは炭酸水素ナトリウムである、項目67の方法。
68. 式(I)の化合物は項目7〜9に規定されている結晶形である、項目62〜68のいずれかの方法。
69. ステップd)を塩基の存在下で実施し、塩基を式(I)の化合物に対して3.5〜7当量、特に4.5〜6.5当量、より特に5.5当量の量で存在させる、項目68の方法。
70. ステップd)を15℃〜40℃、特に20℃〜30℃の温度で、より特に室温で実施する、項目68または69の方法。
71. ステップd)を溶媒中で実施し、溶媒は好ましくは水、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコール、n−プロパノール、エタノール、メタノール、NMP、NEP、DMFまたはDMAc、及びその組合せから選択され、より好ましくは水、イソプロピルアルコール及びDMAcの混合物である、項目68〜70のいずれかの方法。
72. 式(VI)
73. ステップd)を塩基の存在下で実施し、塩基は式(I)の化合物またはその溶媒和物に対して3.5〜4.5当量、特に3.7〜4.2当量、より特に4.0当量の量で存在させる、項目13、15、16及び62〜68のいずれかの方法。
74. ステップd)を0℃〜20℃、特に5℃〜15℃、より特に10℃の温度で実施する、項目73の方法。
75. ステップd)を溶媒中で実施し、溶媒は好ましくは水、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコールまたはDMAc、及びその組合せから選択され、より好ましくは水及びイソプロピルアルコールの混合物である、項目73または74の方法。
76. 式(VI)
Claims (15)
- 前記PG残基のすべてが、同一であるか、または前記PG残基の少なくとも2個が同一である、請求項1に記載の化合物。
- 各PG残基は、ベンジル、メチレン置換ベンジル、p−置換ベンジル、o−置換ベンジルまたはm−置換ベンジル基から選択され、前記置換基が好ましくはニトロ、メトキシ残基またはハライドから選択され、前記PG残基がより好ましくはp−ニトロベンジル、o−ニトロベンジル、m−ニトロベンジル、p−メトキシベンジル、o−メトキシベンジルまたはm−メトキシベンジル;p−クロロベンジル、o−クロロベンジルから選択され、最も好ましくはp−ニトロベンジルである、請求項1または2に記載の化合物。
- 前記式(I)の化合物またはその溶媒和物は、結晶形または非晶形である、請求項1〜3に記載の化合物。
- 式(Ia)の結晶性化合物。
- 請求項10または12に記載の方法により得られるかまたは得ることができる式(Ia)の結晶性化合物。
- (4R,5S,6S)−3−[(3S,5S)−5−[(3−カルボキシフェニル)カルバモイル]−ピロリジン−3−イル]スルファニル−6−(1−ヒドロキシエチル)−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプタ−2−エン−2−カルボン酸またはその塩の製造方法における、請求項1〜7のいずれかに記載の化合物の使用。
- 式(VI)の化合物またはその塩、好ましくは式(VII)のそのモノナトリウム塩
式(II)
前記式(IV)の化合物またはその塩を式(I)
の化合物またはその溶媒和物に変換させるステップb);及び
場合により前記式(I)の化合物の溶液から前記式(I)の化合物またはその溶媒和物を結晶化させるステップc)の後に、前記式(I)の化合物またはその溶媒和物を式(VI)の化合物に変換させるステップd);
を含む前記方法。 - 前記式(I)の化合物の溶液から前記式(I)の化合物を結晶化させるステップc)を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の式(I)の化合物の製造方法。
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