JP2015532420A - 半導体構造をテストする方法 - Google Patents

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Abstract

集積回路(IC)は、ICのルーティング層(116,202)において複数の信号ラインセグメント(206,208)を含むルーティング回路系と、ルーティング回路系に結合された複数のマイクロバンプコンタクト(118,204,222)とを含む。ICは、複数の信号ラインセグメントのそれぞれのサブセットに結合された複数のテスト回路(102−104,220,302)を含む。各テスト回路は、それぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、第1の組のデイジーチェーン(230,320)と第2の組のデイジーチェーン(232,322)とを形成するように構成される。各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストし、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとを短絡についてテストするように構成される。各テスト回路は、検出された開路の場所を判定し、検出された短絡の場所を判定するように構成される。

Description

技術分野
本開示は概して、集積回路(IC)のテストに関する。
背景
多くの用途において、ダイをプリント回路基板(PCB)といった別の回路または基板に直接接続することは困難であり得る。たとえば、集積回路(IC)がPCBに搭載されることになっている場合、PCBの配線が粗すぎて集積回路の微細コンタクトを接続できないことがある。そのような用途では、ダイおよびPCBはインターポーザによって相互接続され得る。インターポーザは、ダイが接合され得る第1の組の微細コンタクト(たとえばマイクロバンプ)を一方側に、別のチップ、基板、PCBなどへの接合のための第2の組の粗いコンタクト(たとえばC4ハンダボール)を他方側に有するシリコン体である。インターポーザの配線およびビアは、インターポーザの一方側にある微細ピッチダイコンタクトを、インターポーザの反対側のより粗いコンタクトアレイに接続し得る。
2つのIC(たとえばICおよびインターポーザ)を接合する、微細なまたは粗いコンタクトの組は、バンプのアレイ(たとえばマイクロバンプまたはC4ハンダボール)を1つのICの裏側に、一致するパッドのアレイを第2のICの表側に含む。参照しやすさのため、マイクロバンプおよびパッド対は、本願明細書においてマイクロバンプコンタクトと総称され得る。
新しい製作プロセスにおいて欠陥が生じ得る。製造プロセスを向上させるには、製造したICをテストして、マイクロバンプコンタクトにおける開路および短絡といった望ましくない欠陥を検出する。検出された場合、これらの欠陥を分析して、生じる欠陥を排除するよう製造プロセスが修正され得るように、欠陥の場所および種類を判定する。しかしながら、マイクロバンプコンタクトのテストは困難な場合がある。多数のマイクロバンプコンタクトにより、各マイクロバンプコンタクトを走査して不具合の場所を判定するためには数時間かかり得る。欠陥の場所の判定は、製作プロセスの向上にとって不可欠であり得る。
概要
集積回路(IC)は、ICの1つ以上のルーティング層内に複数の信号ラインセグメントを含むルーティング回路系と、ルーティング回路系に結合された複数のマイクロバンプコンタクトとを含む。ICは複数のテスト回路を含み、各々がマイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットを介して複数の信号ラインセグメントのサブセットに結合される。各テスト回路は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、信号ラインセグメントのサブセットの第1の組のデイジーチェーンと、信号ラインセグメントのサブセットの第2の組のデイジーチェーンとを形成するように構成される。各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストし、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストするように構成される。各テスト回路は、開路の検出に応答して、開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定するように構成される。各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡の検出に応答して、第1の組のデイジーチェーンが第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所を判定するようにも構成される。
ICは、インターポーザと複数のテスト回路とを含むスタックドICを備え得る。インターポーザは、ICの1つ以上のルーティング層に複数の信号ラインセグメントを含み、複数のテスト回路はインターポーザ上に搭載され、マイクロバンプコンタクトを介してインターポーザに結合される。インターポーザは、アレイに配列された複数のハンダボールと、ハンダボールにそれぞれ接続された複数の貫通シリコンビアとを含み得る。ルーティング回路系は、複数のマイクロバンプコンタクトおよび複数の貫通シリコンビアに接続され得、ルーティング回路系は、インターポーザの第1のルーティング層内の第1の組の信号ラインと、インターポーザの第2のルーティング層内の第2の組の信号ラインとを含み得る。
以下のうち1つ以上は真であり得る:信号ラインセグメントの各々は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれの対を接続し得る;各テスト回路は、開路が位置するデイジーチェーンの一部分の判定において、不導通があるデイジーチェーン内の複数のマイクロバンプコンタクトの隣接する対を判定するようにさらに構成され得る;各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンが第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所の判定において、互いに接続される一対のマイクロバンプコンタクトを判定するようにさらに構成され得る。
その上または代替的に、複数のテスト回路の各々は、第1、第2、第3、および第4のスイッチング回路を含み得る。第1のスイッチング回路は、第1の組のデイジーチェーンの第1のデイジーチェーンを示す第1の制御信号に応答して、第1のデイジーチェーンの第1の端部を第1の端子に接続するように構成され得る。第2のスイッチング回路は、第1のデイジーチェーンを示す第2の制御信号に応答して、第1のデイジーチェーンの第2の端部を第2の端子に接続するように構成され得る。第3のスイッチング回路は、第2の組のデイジーチェーンの第2のデイジーチェーンを示す第3の制御信号に応答して、第2のデイジーチェーンの第1の端部を第3の端子に接続するように構成され得る。第4のスイッチング回路は、第2のデイジーチェーンを示す第4の制御信号に応答して、第2のデイジーチェーンの第2の端部を第4の端子に接続するように構成され得る。複数のテスト回路の各々は、第1、第2、第3、および第4の端子に接続された検知回路と、第1、第2、第3、および第4のスイッチング回路に結合され、第1、第2、第3、および第4の制御信号を調整するように構成された制御回路とをさらに含み得る。
その上または代替的に、複数のテスト回路の各々は、第1の組のデイジーチェーンの各デイジーチェーンについて、第1の組のデイジーチェーンの第1の端部および第2の端部を第1の端子に接続することと、第2の組の1つ以上のデイジーチェーンの第1の端部および第2の端部を第2の端子に接続することと、第1の端子と第2の端子との間を導通についてテストすることとによって、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストするように構成され得る。第2の組のデイジーチェーンの1つ以上のデイジーチェーンは、第2の組におけるデイジーチェーンのすべてを含み得る。テスト回路は、第1の端子と第2の端子との間の導通の検出に応答して、第2の組のデイジーチェーンのサブセットを選択することと、デイジーチェーンのサブセット内のデイジーチェーンのみを第2の端子に接続することと、かつ第1の端子と第2の端子との間の導通についてのテストを繰り返すこととによって、第1の組のデイジーチェーン上に導通を提供する電気経路を特定するようにさらに構成され得る。サブセットの選択は、バイナリサーチに従って行なわれ得る。
その上または代替的に、テスト回路は、デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスすることと、デイジーチェーンを導通についてテストすることとによって、開路が位置するデイジーチェーンのうち第1のデイジーチェーンの一部分の判定を行なうように構成され得る。その上または代替的に、テスト回路は、第1のデイジーチェーンをデイジーチェーンのうち第2のデイジーチェーンに接続することによって、第1のデイジーチェーンの異なるセグメントのバイパスを行なうように構成され得る。デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスし、デイジーチェーンを導通についてテストすることは、デイジーチェーンのセグメントを連続してバイパスし得る。デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスし、デイジーチェーンを導通についてテストすることは、バイナリサーチアルゴリズムに従って異なるセグメントを選択し得る。
インターポーザのマイクロバンプコンタクトをテストするための方法も記載される。マイクロバンプコンタクトのそれぞれのアレイを有する複数のテスト回路は、インターポーザのマイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット上に搭載される。複数のテスト回路の各々は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、それぞれの第1の組のデイジーチェーンとそれぞれの第2の組のデイジーチェーンとを形成する。デイジーチェーンは、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡についてテストされる。第1および第2の組のデイジーチェーンは、開路についてもテストされる。デイジーチェーン内の開路を検出することに応答して、開路が位置するデイジーチェーンの一部分が判定される。第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡の検出に応答して、第1の組のデイジーチェーンが第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所が判定される。
開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定することは、不導通があるデイジーチェーン内の複数のマイクロバンプコンタクトの隣接する対を判定することを含み得る。第1の組のデイジーチェーンが第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所を判定することは、互いに接続される一対のマイクロバンプコンタクトを判定することを含み得る。
別のICは、アレイに配列された複数のハンダボールと、ハンダボールにそれぞれ接続された複数の貫通シリコンビアとを有するインターポーザを含む。インターポーザはまた、複数のマイクロバンプコンタクトと、複数のマイクロバンプコンタクトおよび複数の貫通シリコンビアに接続されたルーティング回路系とを含む。ルーティング回路系は、インターポーザの第1のルーティング層内の第1の組の信号ラインと、インターポーザの第2のルーティング層内の第2の組の信号ラインとを含む。ICは複数のテスト回路を含む。各テスト回路は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットを介して複数の信号ラインセグメントのサブセットに結合される。各テスト回路は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、信号ラインセグメントのサブセットの第1の組のデイジーチェーンと、信号ラインセグメントのサブセットの第2の組のデイジーチェーンとを形成するように構成される。各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストし、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストするように構成される。各テスト回路は、開路の検出に応答して、開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定するように構成される。各テスト回路は、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡の検出に応答して、第1の組のデイジーチェーンが第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所を判定するようにも構成される。
詳細な説明および添付の請求項を考慮すると、他の実施例が認識されることになる。
図面の簡単な説明
以下の詳細な説明を検討し、かつ図面を参照すると、開示される例の様々な局面および利点が明らかとなる。
インターポーザおよびインターポーザのマイクロバンプコンタクトを欠陥についてテストするように構成された複数のテスト回路の断面を示す図である。 テストのためにインターポーザのルーティングセグメントおよびマイクロバンプコンタクトをデイジーチェーンに接続することを例示する図である。 テスト回路の上面図レイアウトを示す図である。 スタックドICのマイクロバンプコンタクトを欠陥についてテストするためのプロセス例のフローチャートを示す図である。 様々な回路経路を欠陥についてテストするために使用され得る回路図を示す図である。 マイクロバンプコンタクトをテストして任意の短絡の場所を判定するように構成された図3のテスト回路を示す図である。 マイクロバンプコンタクトをテストして任意の開路の場所を判定するように構成された図3のテスト回路を示す図である。 図7に示されるテスト回路の構成を使用して開路故障の場所を判定するためのプロセス例のフローチャートを示す図である。 開路の場所の判定を例示する図である。 開路の場所の判定を例示する図である。 開路の場所の判定を例示する図である。
詳細な説明
スタックドICを接続するために使用されるマイクロバンプコンタクトをテストするための方法および構造が説明される。複数のテスト回路が、ICのコンタクトアレイのマイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットに接続される。本願明細書に記載されるこれらおよび他の接続は、直接接続であってもよいし、1つ以上の介在する回路要素によって生じてもよい。ICは、1つ以上のルーティング層において1組の信号ラインセグメントを含む。信号ラインセグメントは、マイクロバンプコンタクトのそれぞれの対を接続する。各テスト回路は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットに接続され、各テスト回路は、信号ラインセグメントとマイクロバンプコンタクトとを直列に接続して、デイジーチェーンのそれぞれの第1の組およびそれぞれの第2の組を形成するように構成される。各テスト回路はさらに、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストし、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストするように構成される。デイジーチェーンにおける開路の検出に応答して、テスト回路は、開路が位置するデイジーチェーンの部分を判定する。短絡の検出に応答して、テスト回路は短絡の場所を判定するように構成される。本願明細書で使用される限りにおいて、テスト回路を欠陥モニタリング担体(DMV)と称する場合もあり、このような用語は本願明細書では交換可能に使用される。
テスト回路は、多数のスタックドIC用途においてマイクロバンプコンタクトをテストするのに適用され得る。インターポーザ上のマイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットをテストするために、複数のテスト回路が接続される。例示および説明を簡単にするため、本願明細書で開示される例は、主としてインターポーザのマイクロバンプコンタクトのテストを参照して説明される。図1は、インターポーザおよびインターポーザのマイクロバンプコンタクトを欠陥についてテストするように構成された複数のテスト回路の断面を示す。インターポーザ106は基板本体110を含み、多数の貫通シリコンビア(TSV)112が本体に形成されている。複数のC4ハンダボールコンタクト114を有するコンタクトアレイがインターポーザ本体110の裏側に形成される。ハンダボールコンタクト114は、TSVのそれぞれ1つに結合される。1つ以上の配線層116がインターポーザ本体110の表側に形成される。配線層は、インターポーザの表側に形成される第2のコンタクトアレイ(図示せず)のそれぞれのコンタクトパッドにTSVを結合する複数の回路経路を実現する。第2のコンタクトアレイは、テスト回路(たとえば102,103および104)のマイクロバンプコンタクト118と整列され、結合される。
より詳細に以下に記載されるように、ルーティング層116は多数の信号ラインセグメントを含み、各セグメントは、マイクロバンプコンタクト118のそれぞれの対を接続する。テスト回路(102,103および104)は、信号ラインセグメントとマイクロバンプコンタクトとを直列に接続してデイジーチェーンのそれぞれの組を形成するように構成される。テスト回路(102,103および104)は、デイジーチェーンの導通についてテストすることによって開路を検出し、かつデイジーチェーンの異なるもの同士の間の導通についてテストすることによって短絡を検出するように構成される。
説明を簡単にするため、複数のテスト回路の機能についてIC(たとえばインターポーザ)上に搭載されたテスト回路の単一の1つに関連して図2〜図9に主に記載する。
図2は、インターポーザおよびテスト回路の斜視図を示し、テストのためにインターポーザの信号ラインセグメントおよびマイクロバンプがデイジーチェーンに接続される。インターポーザ200は、図1に示されるインターポーザを参照して説明されるようにシリコン基板201上に形成された1つ以上のルーティング層202を含む。C4ハンダバンプ(たとえば240)がシリコン基板201の裏側に形成され、シリコン基板201に形成されたTSV(図示せず)に接続される。
複数のマイクロバンプコンタクトパッド(たとえば204)がインターポーザ200の表面上に形成され、ルーティング層202に接続される。ルーティング層202は、マイクロバンプコンタクトを直列に接続して1つ以上のデイジーチェーンを形成するために使用され得る多数の信号ラインセグメント(たとえば206および208)を含む。
テスト回路220は、ルーティング層の頂部でマイクロバンプコンタクトパッド(たとえば204)と整列および接続されて、信号ラインセグメント(たとえば206および208)とマイクロバンプコンタクトパッド(たとえば204)とを1組のデイジーチェーンに接続し得る複数のマイクロバンプ(たとえば222)および信号ラインセグメント(たとえば226および228)を含む。例示を簡単にするため、テスト回路220の裏側面のみが例示される。図示のマイクロバンプ(たとえば222)および信号ラインセグメント(たとえば226および228)は、裏側面上の垂直な突起であり、テスト回路内のマイクロバンプおよび信号ラインセグメントの位置を例示する。
この例では、インターポーザ200の各信号ラインセグメント(たとえば206および208)は、マイクロバンプコンタクトパッドのそれぞれの対(たとえば204)を接続する。破線で示される信号ラインセグメント(たとえば208)は第1のルーティング層に形成され、実線で示される信号ラインセグメント(たとえば206)は第2のルーティング層に形成される。テスト回路がマイクロバンプコンタクトパッドと整列および接続されると、テスト回路220内のマイクロバンプおよび信号ラインセグメント(たとえば226,228)は、ICの接続信号ラインセグメントを直列に(マイクロバンプコンタクトを介して)接続し、1つ以上のデイジーチェーンを形成する。
図示される裏側面に破線で示されるテスト回路220の信号ラインセグメント(たとえば228)は、テスト回路の第1のルーティング層に形成される。図示された裏側面に実線で示されるテスト回路220の信号ラインセグメント(たとえば226)は、テスト回路の第2のルーティング層に形成される。回路経路230および232によって示されるように、ルーティング層202の信号ラインセグメントはテスト回路のルーティング層の信号ラインセグメントに接続され、信号ラインセグメントおよびマイクロバンプコンタクトのデイジーチェーンを形成する。
図2に示される例では、信号ラインセグメントは、インターポーザの2つのルーティング層、またはテスト回路の2つのルーティング層において、重なり合い、配置されるものとして例示され、説明される。しかしながら、信号ラインが任意の数のルーティング層に位置し得ることが理解される。
説明を簡単にするため、以下の例は主として、第1のx軸に配向される第1の組のデイジーチェーンと第2のy軸に配向される第2の組のデイジーチェーンとを形成するように配列される信号ラインセグメントを用いて例示され、説明される。たとえば、デイジーチェーン230は、x軸に配向されるデイジーチェーンの組のうちの1つのデイジーチェーンであり、デイジーチェーン232は、y軸に配向されるデイジーチェーンの組のうちの1つのデイジーチェーンである。しかしながらマイクロバンプコンタクトおよび信号ラインセグメントは、デイジーチェーンの異なる配向を形成する多数の代替パターンに配向され得ると認識される。
テスト回路の信号ラインセグメントおよび/またはインターポーザのルーティング層は、アクティブな回路系を用いてダイナミックに接続され得る。たとえば、テスト回路は、テストモードで動作しつつ、マイクロバンプコンタクトの各対を選択可能に接続してデイジーチェーンを形成するMOSFETスイッチ(図示せず)を含み得る。テストが完了した後、MOSFETスイッチはマイクロバンプコンタクトの対を切離し得る。マイクロバンプコンタクトの対の切離しは、テスト回路を除去することなく、マイクロバンプコンタクトを分離することを必要とする他のテスト方法を容易にし得る。
図3は、図1の1つ以上のテスト回路102,103および104といったテスト回路を実装するために使用され得るテスト回路の上面図レイアウトを示す。テスト回路302は、信号ラインセグメントおよびマイクロバンプコンタクトのデイジーチェーンを、テストのために(コア回路308に配置される)導通センサに選択的に接続するように構成される4つのスイッチング回路304,306,310,および312を含む。説明を簡単にするため、テスト回路によってテストされることになるデイジーチェーンが破線(320および322)で例示される。図4および図5を参照してより詳細に記載されるように、コア回路308内の制御回路(図示せず)は、デイジーチェーンをセンサ回路に接続し、マイクロバンプコンタクトにおけるいずれかの開路またはいずれかの短絡不良の場所を検出し判定する。図6〜図10を参照してより詳細に記載されるように、デイジーチェーンの第1の組(320)および第2の組(322)の選択された一方は、系統的に接続されて、デイジーチェーン内の検出された開路および短絡の場所を自動的に判定し得る。
製造テストは、テストの結果に基づいてテスト済みのICを異なるグループ(ビン)に分類することが多い。このグループ化は、検出される欠陥を減少させるために製造プロセスをどのように向上させ得るかを調べるための追加的なテストを容易にするのに役立つ。図4は、スタックドICのマイクロバンプコンタクトを欠陥についてテストするためのプロセス例のフローチャートを示す。最初に、テスト回路がIC(たとえばインターポーザ)に搭載される。テスト回路は、マイクロバンプコンタクトを接続して、デイジーチェーンを形成する。テストされることになるIC(たとえばインターポーザ)にテスト回路を搭載し、プローブをプローブパッドに接続した後、プローブカードピンチェックが行われて、ブロック402において導通を確実にする。プロービングがプローブパッドの各々との導通を実現しない場合、スタックドICは、ブロック404において(導通故障を示す)ctと記載される第1のビンに配置される。そうでなければ、スイッチング回路がブロック406においてテストされ、スイッチング回路が制御回路からの制御信号に応答するかどうかを判定する。このテストを行なうため、制御回路は、制御信号の所定のシーケンスを生成するように構成され得る。テスト回路の出力端子の値をテスト中にモニタリングして、出力値が期待値の所定の組と一致するかどうかを判定する。出力値が期待値の組と一致しない場合、スイッチング回路は誤って動作していると判定される。いずれかのスイッチング回路がテストに不合格になった場合、スタックドICは、ブロック408において(スイッチング回路の故障を示す)swと記載される第2のビンに配置される。
スイッチング回路が動作可能であることが分かれば、ブロック410において開路および短絡についてデイジーチェーンがテストされる。判定ブロック414においてデイジーチェーンのうちのいずれかが開路を有し、判定ブロック416においてどのデイジーチェーンも別のデイジーチェーンとの短絡を有していない場合、スタックドICは、ブロック418において(開路故障を示す)opとして記載される第3のビンに配置される。1つ以上のデイジーチェーンが開路を有し、1つ以上のデイジーチェーンが短絡を有する場合、スタックドICは、ブロック412において(開路故障および短絡故障の両方を示す)osとして記載される第4のビンに配置される。判定ステップ414においてどのデイジーチェーンも開路を有していないが、判定ステップ420において1つ以上のデイジーチェーンが短絡を有する場合、ICは、ブロック422において(短絡故障を示す)shとして記載される第5のビンに配置される。そうでなければ、どのデイジーチェーンも開路または短絡を含まない場合、ICは、ブロック424においてICがテストに合格したことを示すビンに配置される。
図5は、デイジーチェーンを欠陥についてテストするために使用され得る回路のブロック図を示す。デイジーチェーンは、テストされることになるデイジーチェーンの第1の端部を電圧源(Vin)に接続し、デイジーチェーンの導通をテストするための検知回路512にデイジーチェーンの第2の端部を接続するか、または短絡についてテストするために別のデイジーチェーンの端部を検知回路512に接続することによってテストされる。検知回路512は、テスト済みの経路から電圧(Vtest)を受け取り、電圧を基準電圧(Vref)と比較するように構成される。制御回路502によって生成された制御信号に応答して、デイジーチェーン回路経路508は、MOSFETスイッチ504によってVinに、MOSFETスイッチ506によって検知回路512に、選択可能に接続される。
デイジーチェーン回路経路508がVinおよび検知回路512に接続されると、検知回路は、VtestをVref電圧と比較して、導通が存在するかどうかを判定する。その上、デイジーチェーンの抵抗の近似値を判定するためにVrefを変動させてもよい。この実装例では、MOSFET510は、テスト中のデイジーチェーン(たとえば508)が開路故障を含む時に、検知回路512の入力から接地への小電流経路を提供して、入力の電圧が浮動するのを妨げるように構成される。
上に示されるように、第1および第2の組のデイジーチェーンのうち選択されたものが系統的に接続され、デイジーチェーンにおける検出された開路故障および短絡の場所を自動的に判定する。図6は、マイクロバンプコンタクトをテストして短絡の場所を判定するように構成された図3のテスト回路を示す。図3を参照して説明されるように、テスト回路は4つのスイッチング回路(602,604,606,および608)を含み、各スイッチング回路は、制御回路(図示せず)に応答して、第1および第2の組のデイジーチェーンのデイジーチェーンを選択可能に検知回路(たとえば図5、512)に接続するように構成される複数のスイッチ610を含む。
互いから絶縁されるべき第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間に導通があると、短絡が検出される。図2に示されるように、交差するデイジーチェーン230および232は互いから絶縁される。なぜなら、交差点における一方の信号ラインセグメントはテスト回路に実装され、他方はテスト中のICに実装されているからである。第1および第2の組のデイジーチェーンが互いに垂直に配向されているため、第1の組のデイジーチェーンと第2の組のデイジーチェーンとの間に導通が検出された場合、デイジーチェーンのマイクロバンプコンタクトが最も近接している、デイジーチェーンが公差している場所に短絡が位置することになる。
図6に示されるように、スイッチング回路602および606は、第1の組のデイジーチェーンを第1の端子(Out)に接続するように構成され、スイッチング回路604および608は、第2の組のデイジーチェーンを第2の端子(In)に接続するように構成される。短絡は、第1および第2のデータ端子の間の導通についてテストすることによって検出される。たとえば、スイッチは、デイジーチェーン620および622の間の導通についてテストするようにコントローラによって構成される。導通が検出された場合、デイジーチェーンが交差している場所が短絡の場所であると判定される。選択されたデイジーチェーン(たとえば622)の両端が同じデータ端子(たとえばOut)に接続されているため、当該デイジーチェーンにおける開路の存在は、短絡の回路経路を遮断しにくく、かつ検出を妨げにくい。
いくつかの実装例では、制御回路(図示せず)は、スイッチング回路に、第1および第2の組の複数のデイジーチェーンを対応する端子に接続させて、短絡について複数のデイジーチェーンを同時にチェックするように構成される。短絡が検出された場合、制御回路は、複数のデイジーチェーンの選択されたものを切離し、かつ短絡について再テストするように構成される。短絡が絶縁されるまで、プロセスが繰り返される。いくつかの特定の実装例では、制御回路は、スイッチング回路に、すべてのデイジーチェーンを対応する端子に最初に接続させ、短絡の検出に応答して、短絡が絶縁されるまで、バイナリサーチアルゴリズムに従った除去のためにデイジーチェーンを選択するように構成され得る。各除去ステップにおいて、バイナリサーチは、接続されたデイジーチェーンの半分を切離し、短絡が依然として検出されるかどうかを見るためにチェックする。短絡が検出されなくなれば、短絡はデイジーチェーンの他の半分にあるものと判定される。デイジーチェーンの他の半分によって選択および検出プロセスを繰り返して、短絡をさらに絶縁する。そうでなければ、短絡が依然として検出された場合、短絡はデイジーチェーンのどちらか半分に存在し得る。各半分について選択および検出プロセスを繰り返して、短絡をさらに絶縁する。
図7は、マイクロバンプコンタクトをテストして開路の場所を判定するように構成された図3のテスト回路を示す。図6を参照して説明されるように、テスト回路は4つのスイッチング回路(602,604,606,および608)を含み、各スイッチング回路は、制御回路(図示せず)に応答して、第1および第2の組のデイジーチェーンのデイジーチェーンを電圧源および検知回路(たとえば図5、512)に選択可能に接続するように構成される複数のスイッチ610を有する。
不導通がないかデイジーチェーンの各々を個々にチェックすることによって、開路が検出される。たとえば、図7に示される例では、スイッチング回路604および608は、デイジーチェーン702の第1の端部を第1の端子(In)に接続し、デイジーチェーンの第2の端部を第2の端子(Out)に接続するように、制御回路(図示せず)によって構成される。次いで、第1および第2の端子が導通についてチェックされる。開路(つまり不導通)が検出された場合、制御回路は、導通が回復されるまでデイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスすることによって開路を特定するように構成される。デイジーチェーンの1つのセグメントがバイパスされたときに導通が回復された場合、開路はバイパスされたセグメントにあるものと判定される。図7に示される実装例では、テスト回路は、各組において隣接するデイジーチェーン同士の間に配備される複数のスイッチ(たとえば706)を含む。スイッチ706は、組(たとえば704)内の隣接するデイジーチェーンによって、選択されたデイジーチェーン(たとえば702)の異なる部分をバイパスするように制御回路(図示せず)によって制御される。
図8は、図7に示されるテスト回路の構成を用いて開路故障の場所を判定するためのプロセス例のフローチャートを示す。この例では、デイジーチェーンにおける開路の検出に応答して、開路が特定されるまで、信号ラインセグメントが連続してバイパスされる。デイジーチェーンにおける開路の検出に応答して、デイジーチェーンの第1のセグメントがブロック802において選択される。選択されたセグメントはバイパスされ、ブロック804において導通についてデイジーチェーンが再テストされる。判定ブロック806において導通が存在しない場合、あらかじめバイパスされたセグメントがデイジーチェーンにおいて再接続され、デイジーチェーンにおいてバイパスするべき次のセグメントがブロック808において選択される。当該プロセスは、ブロック804に戻ることによって繰り返される。そうでなければ、判定ブロック806において導通が存在する場合、開路は、バイパスされた信号ラインセグメントにあるものと判定される。
図9−1〜図9−3は、図8に示される方法を用いた開路故障の場所の判定を例示する。この例では、スイッチ902および906の間に接続された第1のデイジーチェーンにおける開路の場所は、スイッチ904および908の間に接続された第2のデイジーチェーンのセグメント(920,922,924,および928)によって様々なセグメント(910,912,914,および916)を連続してバイパスすることによって判定される。
図9−1は、どのセグメントもバイパスされないデイジーチェーン間のスイッチの構成を示す。この例では、開路はセグメント912にある。第1のデイジーチェーンの不導通は、図において「X」で表わされる。図8に記載されるように、第1のデイジーチェーンの不導通の検出に応答して、導通が回復されるまでデイジーチェーンのセグメントが連続してバイパスされる。
図9−2は、第1および第2のデイジーチェーンの間のスイッチの構成を示し、第1のデイジーチェーンのセグメント910は、第2のデイジーチェーンのセグメント920によってバイパスされる。導通が回復されないため、スイッチは第1のデイジーチェーンの次のセグメントをバイパスするように再構成される。図9−3は、第1および第2のデイジーチェーンの間のスイッチの構成を示し、第1のデイジーチェーンのセグメント912は、第2のデイジーチェーンのセグメント922によってバイパスされる。図9−3におけるバイパスの結果として導通が回復され、開路の場所が判定されている。
制御回路は、デイジーチェーンの複数のセグメントを同時にバイパスするように構成され得る。導通が回復された場合、開路は、バイパスされたセグメントのうちの1つにあるものと判定される。いくつかの特定の実装例では、制御回路は、開路を含むセグメントが判定されるまで、バイナリサーチのやり方でセグメントをバイパスするように構成される。
インターポーザに関連して様々な例について主として記載しているが、当業者は、当該例が様々な他のスタックドICにおけるマイクロバンプコンタクトをテストすることにも適用可能であり得ることを認識するであろう。明細書および例示された実施例は例としてのみ考慮されることが意図され、発明の真の範囲は以下の請求項によって示される。

Claims (15)

  1. 集積回路(IC)であって、
    前記ICの1つ以上のルーティング層内に複数の信号ラインセグメントを含むルーティング回路系と、
    前記ルーティング回路系に結合された複数のマイクロバンプコンタクトと、
    複数のテスト回路とを備え、各テスト回路は、前記マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセットを介して前記複数の信号ラインセグメントのサブセットに結合され、各テスト回路は、
    マイクロバンプコンタクトの前記それぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、信号ラインセグメントのサブセットの第1の組のデイジーチェーンと、信号ラインセグメントのサブセットの第2の組のデイジーチェーンとを形成し、
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストし、
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストし、
    デイジーチェーンにおける開路の検出に応答して、開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定し、かつ
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡の検出に応答して、前記第1の組のデイジーチェーンが前記第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所を判定するように構成される、IC。
  2. 前記ICは、インターポーザと複数のテスト回路とを含むスタックドICを備え、
    前記インターポーザは、前記ICの前記1つ以上のルーティング層に前記複数の信号ラインセグメントを含み、
    前記複数のテスト回路は前記インターポーザ上に搭載され、前記マイクロバンプコンタクトを介して前記インターポーザに結合される、請求項1に記載のIC。
  3. 前記インターポーザは、
    アレイに配列された複数のハンダボールと、
    前記ハンダボールにそれぞれ接続された複数の貫通シリコンビアとを含み、
    前記ルーティング回路系は、前記複数のマイクロバンプコンタクトおよび前記複数の貫通シリコンビアに接続され、前記ルーティング回路系は、前記インターポーザの第1のルーティング層内の第1の組の信号ラインと、前記インターポーザの第2のルーティング層内の第2の組の信号ラインとを含む、請求項2に記載のIC。
  4. 前記信号ラインセグメントの各々は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれの対を接続し、
    各テスト回路は、開路が位置するデイジーチェーンの一部分の判定において、不導通があるデイジーチェーン内の複数のマイクロバンプコンタクトの隣接する対を判定するようにさらに構成される、請求項1〜3のうちいずれかに記載のIC。
  5. 各テスト回路は、前記第1の組のデイジーチェーンが前記第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所の判定において、互いに接続される一対のマイクロバンプコンタクトを判定するようにさらに構成される、請求項4に記載のIC。
  6. 前記複数のテスト回路の各々は、
    前記第1の組のデイジーチェーンの第1のデイジーチェーンを示す第1の制御信号に応答して、前記第1のデイジーチェーンの第1の端部を第1の端子に接続するように構成された第1のスイッチング回路と、
    前記第1のデイジーチェーンを示す第2の制御信号に応答して、前記第1のデイジーチェーンの第2の端部を第2の端子に接続するように構成された第2のスイッチング回路と、
    前記第2の組のデイジーチェーンの第2のデイジーチェーンを示す第3の制御信号に応答して、前記第2のデイジーチェーンの第1の端部を第3の端子に接続するように構成された第3のスイッチング回路と、
    前記第2のデイジーチェーンを示す第4の制御信号に応答して、前記第2のデイジーチェーンの第2の端部を第4の端子に接続するように構成された第4のスイッチング回路と、
    前記第1、第2、第3、および第4の端子に接続された検知回路と、
    前記第1、第2、第3、および第4のスイッチング回路に結合され、前記第1、第2、第3、および第4の制御信号を調整するように構成された制御回路とを含む、請求項1〜5のうちいずれかに記載のIC。
  7. 前記複数のテスト回路の各々は、前記第1の組のデイジーチェーンの各デイジーチェーンについて、
    前記第1の組のデイジーチェーンの第1の端部および第2の端部を第1の端子に接続することと、
    前記第2の組の1つ以上のデイジーチェーンの第1の端部および第2の端部を第2の端子に接続することと、
    前記第1の端子と前記第2の端子との間を導通についてテストすることとによって、前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストするように構成される、請求項1〜6のうちいずれかに記載のIC。
  8. 前記第2の組のデイジーチェーンの前記1つ以上のデイジーチェーンは、前記第2の組におけるデイジーチェーンのすべてを含み、
    前記テスト回路は、前記第1の端子と前記第2の端子との間の導通の検出に応答して、前記第2の組のデイジーチェーンのサブセットを選択することと、デイジーチェーンのサブセット内のデイジーチェーンのみを前記第2の端子に接続することと、かつ前記第1の端子と前記第2の端子との間の導通についてのテストを繰り返すこととによって、前記第1の組のデイジーチェーン上に導通を提供する電気経路を特定するようにさらに構成され、前記サブセットの選択は、バイナリサーチに従って行なわれる、請求項7に記載のIC。
  9. 前記テスト回路は、前記デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスすることと、前記デイジーチェーンを導通についてテストすることとによって、開路が位置する前記デイジーチェーンのうち第1のデイジーチェーンの一部分の判定を行なうように構成される、請求項1〜8のうちいずれかに記載のIC。
  10. 前記テスト回路は、前記第1のデイジーチェーンを前記デイジーチェーンのうち第2のデイジーチェーンに接続することによって、前記第1のデイジーチェーンの異なるセグメントのバイパスを行なうように構成される、請求項9に記載のIC。
  11. 前記デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスし、前記デイジーチェーンを導通についてテストすることは、前記デイジーチェーンのセグメントを連続してバイパスする、請求項10に記載のIC。
  12. 前記デイジーチェーンの異なるセグメントをバイパスし、前記デイジーチェーンを導通についてテストすることは、バイナリサーチアルゴリズムに従って前記異なるセグメントを選択する、請求項10に記載のIC。
  13. インターポーザのマイクロバンプコンタクトをテストする方法であって、
    マイクロバンプコンタクトのそれぞれのアレイを有する複数のテスト回路を、前記インターポーザの前記マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット上に搭載することを含み、前記複数のテスト回路の各々は、マイクロバンプコンタクトのそれぞれのサブセット内のマイクロバンプコンタクトを接続して、それぞれの第1の組のデイジーチェーンとそれぞれの第2の組のデイジーチェーンとを形成し、さらに、
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとの間を短絡についてテストすることと、
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとを開路についてテストすることと、
    デイジーチェーン内の開路を検出することに応答して、前記開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定することと、
    前記第1の組のデイジーチェーンと前記第2の組のデイジーチェーンとの間の短絡の検出に応答して、前記第1の組のデイジーチェーンが前記第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所を判定することとを含む、方法。
  14. 前記開路が位置するデイジーチェーンの一部分を判定することは、不導通がある前記デイジーチェーン内の複数のマイクロバンプコンタクトの隣接する対を判定することを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第1の組のデイジーチェーンが前記第2の組のデイジーチェーンに短絡される場所は、互いに接続される一対のマイクロバンプコンタクトを判定することを含む、請求項13または14に記載の方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9581638B2 (en) * 2013-03-13 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip-on-wafer process control monitoring for chip-on-wafer-on-substrate packages
KR101949618B1 (ko) * 2014-06-23 2019-02-18 지글루, 인크. 모듈형 적층 집적 회로를 제조하기 위한 시스템 및 방법
US10048306B1 (en) * 2015-03-02 2018-08-14 Altera Corporation Methods and apparatus for automated integrated circuit package testing
KR102482023B1 (ko) 2016-01-28 2022-12-28 삼성전자주식회사 적층 메모리 칩 전기적 단락 검출 장치 및 방법
TWI582445B (zh) * 2016-04-29 2017-05-11 力成科技股份有限公司 加寬輸入輸出記憶體之矽穿孔菊鍊測試裝置
CN107450009A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 展讯通信(上海)有限公司 一种集成电路测试装置及采用其测试焊点的方法
US10429439B2 (en) 2016-07-01 2019-10-01 Intel Corporation In die stepping sort
JP6790607B2 (ja) * 2016-09-01 2020-11-25 富士通株式会社 積層基板の検査方法、検査モジュールおよびパレット
US10262911B1 (en) * 2016-12-14 2019-04-16 Xilinx, Inc. Circuit for and method of testing bond connections between a first die and a second die
KR102361639B1 (ko) 2017-07-10 2022-02-10 삼성전자주식회사 유니버설 테스트 소켓, 반도체 테스트 장비, 및 반도체 장치의 테스트 방법
CN110931452B (zh) * 2019-10-31 2022-02-08 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种射频直流旋转对称正反复用型菊花链结构
TWI726681B (zh) * 2020-04-14 2021-05-01 元太科技工業股份有限公司 電子裝置
CN113471168B (zh) * 2021-07-09 2022-10-11 中国人民解放军国防科技大学 基于引线键合的tsv多应力可靠性试验芯片结构、装置
CN113540039B (zh) * 2021-07-09 2022-10-11 中国人民解放军国防科技大学 基于倒装焊的tsv多应力可靠性试验芯片结构、装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6564986B1 (en) * 2001-03-08 2003-05-20 Xilinx, Inc. Method and assembly for testing solder joint fractures between integrated circuit package and printed circuit board
JP2003185710A (ja) * 2001-10-03 2003-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチチップモジュール、半導体チップ及びマルチチップモジュールのチップ間接続テスト方法
US20030169061A1 (en) * 2000-07-10 2003-09-11 Formfactor, Inc. Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure
US20030193344A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Test assembly for integrated circuit package
JP2003309183A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Toshiba Corp 半導体システム、半導体システムの接続テスト方法及び半導体システムの製造方法
US20050088195A1 (en) * 2003-10-23 2005-04-28 Carlo Grilletto Daisy chain gang testing
US20090230976A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Sun Microsystems, Inc. Apparatus and method for testing electrical interconnects
JP2013535113A (ja) * 2010-06-28 2013-09-09 ザイリンクス インコーポレイテッド ダイ間ボンディングをテストするための集積回路および方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043726C2 (de) * 2000-09-05 2003-12-04 Atg Test Systems Gmbh Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten mit einem Paralleltester und eine Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens
US6509739B1 (en) 2000-11-08 2003-01-21 Xilinx, Inc. Method for locating defects and measuring resistance in a test structure
CN1170165C (zh) * 2001-09-19 2004-10-06 陈振贤 阵列式电子接点可靠性的测试方法及其测试结构
US7109734B2 (en) 2003-12-18 2006-09-19 Xilinx, Inc. Characterizing circuit performance by separating device and interconnect impact on signal delay
US7429867B1 (en) 2005-01-10 2008-09-30 Xilinx, Inc. Circuit for and method of detecting a defect in a component formed in a substrate of an integrated circuit
US7187179B1 (en) * 2005-10-19 2007-03-06 International Business Machines Corporation Wiring test structures for determining open and short circuits in semiconductor devices
US7312625B1 (en) 2006-06-08 2007-12-25 Xilinx, Inc. Test circuit and method of use thereof for the manufacture of integrated circuits
US7518394B1 (en) 2007-02-07 2009-04-14 Xilinx, Inc. Process monitor vehicle
WO2009146583A1 (en) 2008-06-02 2009-12-10 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd Semiconductor wafer, semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor wafer and device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030169061A1 (en) * 2000-07-10 2003-09-11 Formfactor, Inc. Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure
US6564986B1 (en) * 2001-03-08 2003-05-20 Xilinx, Inc. Method and assembly for testing solder joint fractures between integrated circuit package and printed circuit board
JP2003185710A (ja) * 2001-10-03 2003-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチチップモジュール、半導体チップ及びマルチチップモジュールのチップ間接続テスト方法
US20030193344A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Test assembly for integrated circuit package
JP2003309183A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Toshiba Corp 半導体システム、半導体システムの接続テスト方法及び半導体システムの製造方法
US20050088195A1 (en) * 2003-10-23 2005-04-28 Carlo Grilletto Daisy chain gang testing
US20090230976A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Sun Microsystems, Inc. Apparatus and method for testing electrical interconnects
JP2013535113A (ja) * 2010-06-28 2013-09-09 ザイリンクス インコーポレイテッド ダイ間ボンディングをテストするための集積回路および方法

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