JP2015521574A - アルミノシリケートゼオライトｓｓｚ−３３の作成方法 - Google Patents

Abstract

アルミノシリケートゼオライトＳＳＺ−３３が、１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンを構造指向剤として用いて直接調製される。

Description

この開示は、概して、１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンを構造指向剤（「ＳＤＡ」）として用いてアルミノシリケートゼオライトＳＳＺ−３３を直接調製するための方法に関する。

モレキュラーシーブは、ガス流精製及び炭化水素転換プロセスのようなプロセスについて化学工業で用いられる一群の重要な材料である。モレキュラーシーブは様々なサイズの内部連通孔を有する多孔性固体である。モレキュラーシーブは典型的には、孔に入ることのできる分子を選択的に吸着し、大きすぎる分子を排除する一つ以上の分子の大きさの孔を有する、１次元、２次元、又は３次元結晶性孔構造を有している。孔サイズ、孔形状、格子間隔又はチャネル、組成、結晶モルホロジー及び構造は、モレキュラーシーブの幾つかの特徴であり、様々な炭化水素吸着及び転換プロセスにおけるそれらの使用を決定する。

石油及び石油化学工業において、最も商業的に有用なモレキュラーシーブはゼオライトとして知られている。ゼオライトは、［ＳｉＯ_４］の酸素原子と［ＡｌＯ_４］四面体のような他の金属酸化物を分け合う角から形成されるオープンフレームワーク構造を有する金属ケイ酸塩である。可動性の外部フレームワークカチオンはゼオライトフレームワークに沿って電荷のバランスをとるため孔内に留まる。これらの電荷は四面体フレームワークカチオン（例えば、Ｓｉ^４＋）が三価又は五価のカチオンで置き換えられた結果である。外部フレームワークカチオンはフレームワークの電気的中性を保存するこれらの電荷と釣り合いをとっており、これらのカチオンは他のカチオン及び／又はプロトンと交換可能である。

原理的には、特定のフレームワーク組成を有する特定のモレキュラーシーブ構造、例えば同じ結晶構造のアルミノシリケートのような特定の金属ケイ酸塩の形成をもたらす二つのルート：（１）直接合成、及び（２）合成後処理（二次合成）がある。直接合成がモレキュラーシーブの合成の主要なルートである。

モレキュラーシーブの性質及びそれらの形成の化学反応に応じて、これらのモレキュラーシーブのいくつかは、広い範囲のフレームワーク組成、例えば全シリカ形態、アルミノシリケート形態、及びボロシリケート形態を用いて合成することができるが、他の構造の合成は特定のヘテロ原子（例えば、ホウ素）が合成混合物中に存在し、そしてフレームワークの中に組み込まれる場合にしかうまくいかないのである。

国際ゼオライト協会（ＩＺＡ）によりフレームワーク構造コードＣＯＮを有するとして同定されたモレキュラーシーブが知られている。ＳＳＺ−３３は既知の結晶性ＣＯＮ材料であり、様々な触媒反応を含む多くのプロセスに有用である。ボロシリケートＳＳＺ−３３（Ｂ−ＳＳＺ−３３）及びその製造方法は、米国特許第４，９６３，３３７号；７，０２２，３０８号及び７，６４８，６９４号に開示されている。しかし、ボロシリケートゼオライトは特定の炭化水素変換プロセスについて実用的というには十分に触媒的に活性であるとはいえない。

米国特許第４，９６３，３３７号は、か焼ボロシリケートＳＳＺ−３３を約１００℃でＡｌ（ＮＯ_３）_３水溶液中で加熱することにより、ボロシリケートＳＳＺ−３３をはるかに強いフレームワーク酸部位を持ったアルミノシリケートＳＳＺ−３３に変換する方法を開示している。

現在までアルミノシリケートＳＳＺ−３３の直接合成の試みは成功していなかった。

したがって、アルミノシリケートＳＳＺ−３３を直接調製する方法へのニーズが存在する。

一つの態様では、結晶化条件下で：（１）少なくとも１種のケイ素源；（２）少なくとも１種のアルミニウム源；（３）水酸化物イオン；及び（４）１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンを接触させることによりアルミノシリケートゼオライトＳＳＺ−３３を調製するための方法が提供される。

他の態様では、（ａ）（１）少なくとも１種のケイ素源；（２）少なくとも１種のアルミニウム源；（３）周期表の１族及び２族から選択される元素の少なくとも１種の源；（４）水酸化物イオン；（５）１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオン；及び（６）水を含む反応混合物を調製し、（ｂ）ゼオライトの結晶を形成するのに十分な条件下で反応混合物を維持すること：により、表４のＸ線回折（ＸＲＤ）線を、か焼形態で有するアルミノシリケートゼオライトＳＳＺ−３３の調製方法が提供される。

さらに他の態様では、合成されたままの無水状態で、モル比で以下の組成を有するアルミノシリケートＳＳＺ−３３ゼオライトが提供される。

ここでＱは１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンであり、Ｍは周期表の１族及び２族からの元素からなる群から選択される。

図１は実施例２の合成されたままのアルミノシリケートＳＳＺ−３３生成物の粉末ＸＲＤパターンを示す。

図２は実施例２のアルミノシリケートＳＳＺ−３３生成物の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す。

図３も実施例２のアルミノシリケートＳＳＺ−３３生成物のＳＥＭ像を示す。

図４は実施例３のか焼アルミノシリケートＳＳＺ−３３生成物の粉末ＸＲＤパターンを示す。

はじめに
以下の用語は明細書全体を通して使用され、特に断りがなければ以下の意味を有するであろう。

「活性源」という用語は少なくとも１種の元素を、反応し得る、ゼオライト構造内に挿入され得る形態で提供することのできる試薬又は前駆体を意味する。「源」及び「活性源」の用語は本明細書では相互に同じ意味で用いることができる。

「周期表」という用語は、ＩＵＰＡＣ元素の周期表の２００７年６月２２日付の版を指し、周期表族の番号付けはＣｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｎｅｗｓ １９８５，６３（５），２６−２７に記載されている通りである。

アルミノシリケートＳＳＺ−３３（Ａ１−ＳＳＺ−３３）を調製するにあたり、１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンを構造指向剤（「ＳＤＡ」）として用い、これはまた結晶化テンプレートとしても知られている。Ａ１−ＳＳＺ−３３を作成するのに有用なＳＤＡは以下の構造（１）で表される。

ＳＤＡジカチオンはアニオンと会合しており、このアニオンはＡ１−ＳＳＺ−３３の形成に害をなさないアニオンであればいずれでもよい。代表的なアニオンは、周期表の１７族の元素（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、及びヨウ化物）、水酸化物、酢酸塩、硫酸塩、テトラフルオロボレート、カルボン酸塩等を含む。

反応混合物
一般に、アルミノシリケートＳＳＺ−３３は：（ａ）（１）少なくとも１種のケイ素源；（２）少なくとも１種のアルミニウム源；（３）周期表の１族及び２族から選択される元素の少なくとも１種の源；（４）水酸化物イオン；（５）１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオン；及び（６）水を含む反応混合物を調製し、（ｂ）ゼオライトの結晶を形成するのに十分な条件下で反応混合物を維持すること：により調製することができる。

ゼオライトを形成する反応混合物の組成はモル比で以下の表１において同定される。

ここでＱは１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンであり、Ｍは周期表の１族及び２族からの元素からなる群から選ばれる。

本明細書で有用なケイ素の源としては、ヒュームドシリカ、沈殿シリケート、シリカヒドロゲル、ケイ酸、コロイダルシリカ、テトラアルキルオルトシリケート（例えば、テトラエチルオルトシリケート）、及びシリカ水酸化物が挙げられる。

本明細書で有用なアルミニウムの源としては、アルミン酸塩、アルミナ、及びＡｌＣｌ_３、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、Ａｌ（ＯＨ）_３のようなアルミニウム化合物、カオリン粘土、及び他のゼオライトが挙げられる。アルミニウムの源として有用な他のゼオライトの例としては、ＬＺ−２１０及びＬＺ−５２ゼオライト（Ｙゼオライトのタイプ）が挙げられる。

上述のように、本明細書に記載した各態様について、反応混合物を、周期表の１族及び２族から選択された元素（本明細書中ではＭという）の少なくとも１種の源を用いて形成することができる。一つの実施態様では、反応混合物は周期表の１族からの元素の源を用いて形成される。他の実施態様では、反応混合物はナトリウム（Ｎａ）の源を用いて形成される。結晶化プロセスに悪影響を与えないＭ含有化合物であればいずれも適している。そのような１族及び２族元素の源としては、その酸化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩、クエン酸塩、及び酢酸塩が挙げられる。

本明細書に記載した各態様について、ゼオライト反応混合物は複数の源により提供することができる。また、２種以上の反応成分を一つの源により提供することもできる。

反応混合物はバッチ式又は連続式のいずれでも調製することができる。本明細書に記載されたゼオライトの結晶サイズ、モルホロジー、及び結晶化時間は、反応混合物の性質及び結晶化条件とともに変動し得る。

結晶化及び合成後処理
実際、アルミノシリケートゼオライトＳＳＺ−３３は、（ａ）本明細書に上述した反応混合物を調製し；（ｂ）反応混合物をゼオライトの結晶を形成するのに十分な結晶化条件下に維持することにより調製される。

反応混合物をゼオライトの結晶が形成されるまで高温に維持する。水熱結晶化は通常加圧下で行われ、通常は、反応混合物が１２５℃と２００℃の間の温度で自己生成圧力に付されるようにオートクレーブで行われる。

反応混合物は結晶化工程の間、穏やかな混合又は攪拌に付すことができる。当業者であれば、本明細書に記載されたゼオライトが、非晶質材料のような不純物、ゼオライトとは一致しないフレームワークトポロジーを有する単位格子、及び／又は他の不純物（例えば、有機炭化水素類）を含み得ることが理解されよう。

水熱結晶化工程の間、ゼオライト結晶は反応混合物から自発的に核形成させることができる。種材料としてのゼオライトの結晶の使用は完全な結晶化が起きるのに必要な時間を短縮する点で有利であり得る。また、種結晶を形成することは、望ましくない相以上に核形成及び／又はゼオライトの形成を促進することにより得られる生成物の純度を上げることにつながり得る。種として使用する場合、種結晶は反応混合物に使用されるケイ素源の重量の１％と１０％の間の量で添加する。

一度ゼオライト結晶が形成されたら、濾過のような標準的な機械的分離技術により固体生成物を反応混合物から分離する。結晶を水洗し、次いで乾燥して合成されたままのゼオライト結晶を得る。乾燥工程は大気圧で又は真空下で行うことができる。

ゼオライトは合成されたままで用いることができるが、典型的には熱処理（か焼）される。「合成されたままの」という用語は、ＳＤＡカチオン及び／又はＭの除去前の、結晶化後の形態にあるゼオライトをいう。ＳＤＡは熱処理（例えば、か焼）により、好ましくは酸化的雰囲気（例えば、空気、０ｋＰａより高い酸素分圧の気体）で、ゼオライトからＳＤＡを除去するのに十分であると当業者によって容易に決定できる温度で除去することができる。ＳＤＡはまた、米国特許第６，９６０，３２７号に記載されている光分解技術（例えば、ゼオライトから有機化合物を選択的に除去するのに十分な条件下で可視光よりも短い波長を有する光又は電磁放射にＳＤＡ含有ゼオライト生成物を曝露すること）により除去することもできる。

ゼオライトは引き続いて蒸気、空気、又は不活性気体中で２００℃から８００℃までの範囲の温度で１〜４８時間又はそれ以上の時間、か焼することができる。通常は、イオン交換により外部フレームワークカチオン（例えば、Ｎａ^＋）を除去し、それを水素で、アンモニウムで、又は所望の金属イオンであれば何ででも置き換えることが望ましい。

ゼオライトの特性評価
本明細書に記載された方法で作られたゼオライトは、合成されたままの無水状態で、モル比で、表２に記載の組成を有している。表２中、組成変数Ｑ及びＭは上記の通りである。

本明細書に開示された方法で合成されたゼオライトは、そのＸＲＤパターンにより特徴付けることができる。表３の粉末ＸＲＤ線は合成されたままのアルミノシリケートＳＳＺ−３３の代表的なものである。回折パターンのマイナーな変動は格子定数の変化による特定の試料のフレームワーク種のモル比の変動の結果である可能性がある。また、十分に小さい結晶はピークの形状と強度に影響を与え、大きなピークのブロード化をもたらすであろう。回折パターンにおけるマイナーな変動はまた、調製に用いた有機化合物の変動、及び試料ごとのＳｉ／Ａｌモル比の変動の結果である可能性もある。か焼がＸ線回折パターンのマイナーなシフトを引き起こすこともある。これらのマイナーな揺らぎにもかかわらず、基本的な結晶構造は変わらないままである。

^（ａ）±０．２０
^（ｂ）得られた粉末ＸＲＤパターンは、相対強度スケールに基づいており、Ｘ線パターンの最も強い線を１００の値とし、Ｗ＝弱い（＞０〜≦２０）；Ｍ＝中（＞２０〜≦４０）；Ｓ＝強い（＞４０〜≦６０）；ＶＳ＝非常に強い（＞６０〜≦１００）である。

表４のＸ線回折パターン線はか焼したアルミノシリケートＳＳＺ−３３の代表的なものである。

^（ａ）±０．２０
^（ｂ）得られた粉末ＸＲＤパターンは、相対強度スケールに基づいており、Ｘ線パターンの最も強い線を１００の値とし、Ｗ＝弱い（＞０〜≦２０）；Ｍ＝中（＞２０〜≦４０）；Ｓ＝強い（＞４０〜≦６０）；ＶＳ＝非常に強い（＞６０〜≦１００）である。

本明細書に提示された粉末Ｘ線回折パターンは標準的技術により収集した。放射線はＣｕＫα線とした。ピーク高さと、２θの関数（θはブラッグ角である）としての位置は、ピークの相対強度（バックグラウンドについて調整）から読み取り、ｄ、即ち記録された線に対応する面間距離を計算することができる。

以下の例示的実施例は非制限的であることを意図している。

実施例１
１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジヒドロキシドの合成
Ｉ．１−（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジンの合成：三口５００ｍＬフラスコに、２０ｇ（０．２３モル）のピペリジン、５３ｇ（０．４７モル）の３−メチルシクロヘキサノン、及び２００ｍＬの無水シクロヘキサンを入れた。得られた溶液に、８４ｇ（０．７０モル）の無水硫酸マグネシウムを添加し、混合物を機械的に攪拌し、１９２時間加熱還流させた（反応をＮＭＲでモニターした）。次いで反応混合物をフリッターガラス漏斗でろ過した。ろ液（エナミン生成物、過剰の３−メチルシクロヘキサノン、及びシクロヘキサンを含む）を、水素化容器に移した。この混合物に、活性炭上１０％Ｐｄの３ｇを添加し、６５ｐｓｉの水素で容器を水素化Ｐａｒｒシェーカーに取り付けた。混合物を室温で６時間Ｐａｒｒシェーカー上で放置した。混合物を次いでフリッターガラスろ過漏斗中のセライト（Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標））の床上にろ過した。ろ液を丸底フラスコに移し、ロータリーエバポレータで減圧下で濃縮した。得られた残渣物は、１−（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジン及び過剰の３−メチルシクロヘキサノンを含んでおり、１２０ｍＬの３Ｍ ＨＣｌ水溶液で処理した。混合物を約２０分間氷浴中で攪拌した。次いで混合物を分液漏斗に移し、２００ｍＬのジエチルエーテルで抽出した。過剰の３−メチルシクロヘキサノンを含むエーテル相を、オニウム塩酸塩の形態のアミンを含む水相から分離した。エーテル相をＭｇＳＯ_４で乾燥し、ろ過し、ロータリーエバポレータで減圧下で濃縮して、３１ｇの過剰の３−メチルシクロヘキサノンを回収した。水相を氷浴中５０重量％のＮａＯＨ水溶液でｐＨが約１１に到達するまで処理した。次いでこの溶液を３００ｍＬのジエチルエーテルで抽出した。エーテル層をＭｇＳＯ_４で乾燥し、ろ過し、ロータリーエバポレータで減圧下で濃縮して、３２ｇの１−（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジンを黄色の油として得た。生成物を^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲ分析により確認した。多少のピペリジンも不純物として油中に存在していた。

ＩＩ．四級化（１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジヨーダイドの合成）：５００ｍＬ丸底フラスコ中、２００ｍＬ無水アセトニトリルへの２０ｇ（０．１２モル）の１−（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジンの溶液に、１９．５ｇ（０．０６モル）の１,５−ジヨードペンタンを添加した。４日後、ＮＭＲ解析により反応が不完全であったことがわかった。次いで混合物を６００ｍＬのオートクレーブに移し、８０℃で２４時間加熱した。ＮＭＲ解析により反応の終了が示された。混合物を次いでロータリーエバポレータで減圧下濃縮し、４６ｇの生成物を淡褐色の粘稠な油として得た。この油をアセトンに溶かし、次いでジエチルエーテルをゆっくりと添加することにより溶液からクラッシュ（ｃｒａｓｈ）した。アセトン／ジエチルエーテル溶媒をデカンテーションした。残りの粘稠な油をロータリーエバポレータで減圧下で乾燥し４４ｇの生成物を得た。

ＩＩＩ．イオン交換（１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジヒドロキシドの合成）：１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジヨーダイド塩（３５ｇ、７１ミリモル）を５００ｍＬプラスチック容器中２００ｍＬの脱イオン水に溶解した。この溶液に、１５０ｇのアニオン交換樹脂−ＯＨ（バイオラッドＡＧ（ＢＩＯ−ＲＡＤ ＡＧ）（登録商標）１−Ｘ８）を加え、混合物を室温で一晩攪拌した。混合物をろ過し、固形物をを５０ｍＬの水を追加してすすいだ。元のろ液とすすぎ液を混合して、少量を０．１Ｎ ＨＣｌで滴定したところ、溶液中に１３２ミリモルの水酸化物イオン（６６ミリモルの１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジヒドロキシド）の存在、又は０．５２Ｍの水酸化物イオン濃度を示した。

以下のスキーム１はＳＤＡの合成を示す。

実施例２
Ａｌ−ＳＳＺ−３３の合成
２３ｍＬテフロン（登録商標）ライナーに、４．５ｇの実施例１で調製したＳＤＡの水酸化物溶液、１．５ｇの１Ｎ ＮａＯＨ水溶液、及び１．５ｇの脱イオン水を入れた。この混合物に、０．２６ｇのゼオライトＬＺ−５２（ユニオンカーバイド社）を添加し十分に混合した。最後に０．８ｇのＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ（登録商標）Ｍ−５（キャボット社）をゆっくりと加え、ゲルを十分に混合した。次いでテフロン（登録商標）ライナーをキャップしオートクレーブ中に封じて、１６０℃の対流オーブンの中に置いた。オートクレーブを加熱オーブン中、１８日にわたって４３ｒｐｍで回転ドラムにかけた。結晶化の進行をＳＥＭでモニターした。結晶化が終われば、オートクレーブを取り外し、室温にまで放冷した。次いで固形物をろ過により回収し脱イオン水で十分に洗った。次いで固形物を室温で乾燥させ、その後１１５℃で２時間対流オーブンで乾燥した。得られた生成物の粉末ＸＲＤパターンを図１に示すが、これは生成物がＳＳＺ−３３であることを示した。図２及び図３は生成物のＳＥＭ画像を示す。

実施例３
Ａｌ−ＳＳＺ−３３のか焼
実施例２の生成物を１℃／分の割合で５９５℃に加熱し、５９５℃で５時間保持した２％酸素／９８％窒素の気流下でマッフル炉内でか焼し、冷却し、次いで粉末ＸＲＤにより分析した。か焼物のＸＲＤパターンを図４に示す。ＸＲＤパターンはゼオライトがか焼後も安定を維持し有機ＳＤＡを除去することを示している。

本明細書及び添付の特許請求の範囲の目的のために、断りがなければ、量、パーセンテージ、又は割合を示すすべての数字、並びに本明細書及び特許請求の範囲で使用される他の数値は、「約」という用語により、すべての例で修飾されるものと理解されるべきである。従って、そうでないとの断りがなければ、以下の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、得ようとする所望の特性に応じて変更しうる概数である。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用されるように、単数形「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は明示的にはっきりと一つの参照に制限されるというのでなければ、複数形の参照を包含するものであることは留意されるべきである。本明細書に使用されるものとして、「含む」という用語及びその文法的変形は、非制限的であることを意図しており、リストに品目を列挙されたからといって、その列挙された品目に置き換わる又は追加することのできる他の同様の品目を除外することを意図するものではない。本明細書に使用されるものとして、「含む」という用語はその用語の後に同定される要素又は工程を包含することを意味するが、そのような要素又は工程のいずれもそれらがすべてということではなく、或る実施態様は他の要素又は工程を包含することができる。

特に断りがない限り、個々の成分又は成分の混合物を選択することのできる一つの属の要素、材料又は他の成分を記載することは、列挙された成分及びその混合物のすべての可能性のある下位の属の組み合わせを包含することを意図している。

特許可能な範囲は特許請求の範囲により規定され、当業者に想到される他の実施例を包含し得る。そのような他の実施例は、それらが特許請求の範囲の文言と相違することのない構造的な要素を有しているのであれば、又はそれらが特許請求の範囲の文言と非実質的な相違しかない等価な構造的要素を含んでいるのであれば、特許請求の範囲内にあると意図される。本明細書と矛盾しない限りは、本明細書中で参照されるすべての引用は参照することにおいて本明細書に取り込まれるものとする。

Claims (7)

1. （１）少なくとも１種のケイ素源；（２）少なくとも１種のアルミニウム源；（３）水酸化物イオン；及び（４）１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（１−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンを結晶化条件下で接触させることを含むアルミノシリケートＳＳＺ−３３を調製する方法。
2. ゼオライトが、モル比で以下を含む反応混合物から調製される、請求項１記載の方法。
   
   ここでＱは１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンであり、Ｍは周期表の１族及び２族からの元素からなる群から選ばれる。
3. ゼオライトが、モル比で以下を含む反応混合物から調製される、請求項１記載の方法。
   
   ここでＱは１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンであり、Ｍは周期表の１族及び２族からの元素からなる群から選ばれる。
4. ゼオライトがそのか焼された形態で、以下の表で実質的に示されるＸ線回折パターンを有する、請求項１記載の方法。
   
5. 合成されたままの無水状態で、モル比で以下のような組成を有するアルミノシリケートＳＳＺ−３３ゼオライト。
   
   ここでＱは１，１’−（ペンタン−１，５−ジイル）ビス（１−（３−メチルシクロヘキシル）ピペリジニウムジカチオンであり、Ｍは周期表の１族及び２族からの元素からなる群から選ばれる。
6. ゼオライトが、合成されたままの無水状態で、モル比で以下のような組成を有する、請求項５記載のアルミノシリケートＳＳＺ−３３ゼオライト。
   
7. ゼオライトがその合成されたままの形態で、以下の表で実質的に示されるＸ線回折パターンを有する、請求項５記載のアルミノシリケートＳＳＺ−３３ゼオライト。