JP2008513335A - モレキュラーシーブssz−33の調製 - Google Patents

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Abstract

結晶性モレキュラーシーブSSZ−33を、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物を構成成分とする混合物を用いて調製した。

Description

(背景)
本発明は、モレキュラーシーブSSZ−33の新規調製方法並びにその方法で調製されたモレキュラーシーブに関する。
結晶性モレキュラーシーブは、通常、アルカリおよびアルカリ土族金属酸化物源、酸化ケイ素源、および任意的に、例えば、酸化ホウ素及び/または酸化アルミニウム源を含有する水性反応混合物から調製される。モレキュラーシーブは、通常は窒素含有有機カチオンである有機構造化剤(“SDA”)を含有する反応混合物から調製されてきた。1990年10月16日にZonesに交付された米国特許第4,963,337号では、SSZ−33と指定されたモレキュラーシーブがトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンSDAを用いて調製できることを開示している。
1998年7月28日にZonesらに交付されている米国特許第5,785,947号には、わずかな分量の有機構造化剤と、1〜8炭素を有する少なくとも1つのアミンを含むより大きな分量のアミン成分、水酸化アンモニウム、または、それらの混合物を使った結晶性ゼオライトの調製方法が開示されている。またアミン成分は、8個以下の炭素しか持たない脂肪族または脂環式アミンであることが好ましいことが開示されている。アミン成分の開示例として、イソプロピルアミン、イソブチルアミン、n−ブチルアミン、ピペリジン、4−メチルピペリジン、シクロヘキシルアミン、1,1,3,3−テトラメチル−ブチルアミンおよびシクロペンチルアミンが挙げられている。
1998年1月13日にNakagawaらに交付された米国特許第5,707,600号には、ゼオライトの形成が可能な小分子中性アミン類を用いて中細孔サイズゼオライトを調製するプロセスが開示されており、それらアミンは、(a)炭素、窒素、および水素原子のみ、(b)1個の、第四アミノ基以外の第一、第二、または第三アミノ基、および(c)1個の第三窒素原子、少なくとも1個の第三炭素原子,または少なくとも1個の第二炭素原子に直接結合した窒素原子を含んでいる。またプロセスは第四アンモニウム化合物不在下で実施される。小分子中性アミンの開示例として、イソブチルアミン、ジイソブチルアミン、トリメチルアミン、シクロペンチルアミン、ジイソプロピルアミン、sec−ブチルアミン、2,5−ジメチルピロリジン、及び2,6−ジメチルピペリジンが挙げられている。
1998年1月13日にNakagawaらに交付された米国特許第5,707,600号では、ゼオライトの形成が可能な小さな、中性アミン類を用いてMTT結晶構造を有するゼオライトを調製するプロセスが開示されている。前記アミンは、(a)炭素、窒素、および水素原子のみを含み、(b)1個の、第四ではなく、第一、第二または第三アミノ基を含み、(c)1個の第三窒素原子、少なくとも1個の第三炭素原子、または少なくとも1個の第二炭素原子に直接結合した窒素原子を含み、またプロセスは第四アンモニウム化合物不在下で実施される。小さな中性アミンの開示例として、イソブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジイソプロピルアミン、およびトリメチルアミンが挙げられている。
(発明の概要)
本発明によれば、(1)酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、およびそれらの混合物が(2)酸化ホウ素、または酸化ホウ素と酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化チタンまたは酸化鉄の混合物またはそれらの混合物に対して、約15:1より大きなモル比を持ち、また焼成後、表IIのX線回折線を持つモレキュラーシーブの調製方法が提供される。
前記方法は、
A.(1)酸化ケイ素、酸化ゲルマニウムおよびそれらの混合物源;(2)酸化ホウ素または酸化ホウ素と酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化チタンまたは酸化鉄との混合物、またはそれらの混合物;(3)アルカリ金属またはアルカリ土族金属源;(4)N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオン、および(5)N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物を含む水性反応混合物を形成し;
B.前記水性混合物を結晶が形成されるまで、十分な結晶化条件下で保持する
ことを包含する。
前記反応混合物は、以下の表Aで示される範囲内にあるモル比組成を有する:
表A
広範囲 優先
YO/W 10−200 30−60
OH/YO 0.10−1.0 0.20−0.30
Q/YO 0.05−0.50 0.10−0.25
n+/YO 0.05−0.30 0.05−0.15
O/YO 15−300 25−60
Q/Q+Mn+ 0.30−0.70 0.40−0.60
ここで、Yはケイ素、ゲルマニウムまたはそれらの混合物、Wはホウ素、またはホウ素、アルミニウム、ガリウム、チタン、鉄の混合物、またはそれらの混合物、aは1または2、bはaが1の時2(すなわち、Wが四価)、bはaが2の時3(すなわち、Wが三価)、Mはアルカル金属またはアルカリ土族金属、nはMの原子価(すなわち、1または2)、そしてQは、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物である。
一実施態様では、本発明によりN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積の全てを満たすのに必要な量より少ない量、すなわち、N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物不在下でモレキュラーシーブを結晶化させるのに必要な量より少ない量、が使用されるプロセスが提供される。通常、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比は、約1:4およびそれより高く、例えば、約1:4から約4:1である。
本発明によれば、合成されたままの、無水状態で、モル比で表現した時、以下の組成を持つモレキュラーシーブも提供される:
(1〜5)Q:(0.1〜1)Mn+:W:(15より大きい)YO
ここで、Q,M,n,W,a,b及びYは、前に定義したものである。合成されたままのモレキュラーシーブは重量基準で100ppmより大きなホウ素含有量を持つことができる。
本発明の一実施態様では、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積の全てを満たすのに必要とされる量より少ない量、すなわち、N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物不在下でモレキュラーシーブを結晶化させるのに必要とされる量より少ない量が使用される、合成されたままのモレキュラーシーブが提供される。通常、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比は、約1:4及びそれより高く、例えば、約1:4から約4:1である。
本発明によれば、前記モレキュラーシーブ用の原材料及び有機構造化剤からモレキュラーシーブを調製するための改良された方法がさらに提供される。この改良点には、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物からなる有機構造化剤の採用が含まれる。
一実施態様では、本発明はN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積の全てを満たすのに必要とされる量よりさらに少ない量、すなわち、N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物不在下でモレキュラーシーブを結晶化させるのに必要な量より少ない量が使用される改良された方法を提供する。通常、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比は約1:4及びそれより高く、例えば、約1:4から約4:1である。
(詳細な説明)
モレキュラーシーブSSZ−33はN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオン、及びN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物を含有する水性混合物を調製することを含む方法により調製できる。通常は、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比は、約1:4及びそれより高く、例えば、約1:4から約4:1である。
本発明によれば、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンSDA単独使用よりも顕著なコスト改善がなされる。
SSZ−33モレキュラーシーブはアルカリ金属またはアルカリ土族金属酸化物源、ケイ素、ゲルマニウムの酸化物またはそれらの混合物源、酸化ホウ素または酸化ホウ素と酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化チタンまたは酸化鉄及びそれらの混合物源、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物を含有する水性反応混合物から適切に調製できる。この混合物は、モル比で表した場合、下記表Aで示す範囲に入る組成を持つべきものである。
表A
広範囲 優先
YO/W 10−200 30−60
OH/YO 0.10−1.0 0.20−0.30
Q/YO 0.05−0.50 0.10−0.25
n+/YO 0.05−0.30 0.05−0.15
O/YO 15−300 25−60
Q/Q+Mn+ 0.30−0.70 0.40−0.60
ここで、Yはケイ素、ゲルマニウムまたはそれらの混合物;Wはホウ素、またはホウ素、アルミニウム、ガリウム、チタン、鉄の混合物、またはそれらの混合物、aは1または2、bはaが1の時2(すなわち、Wが四価)、bはaが2の時3(すなわち、Wが三価)、Mはアルカル金属またはアルカリ土族金属;nはMの原子価(すなわち、1または2);そしてQは、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物である。
この反応混合物は標準的なモレキュラーシーブ調製技法を用いて調製される。反応混合物用のホウ素源には、ホウケイ酸塩ガラス及び他の反応性酸化ホウ素が含まれる。これらには、ホウ酸塩、ホウ酸及びホウ酸エステルが含まれる。酸化ケイ素の典型的な源として、ヒュームドシリカ、ケイ酸塩、シリカヒドロゲル、ケイ酸、コロイダルシリカ、テトラ−アルキルオルトケイ酸塩、及び水酸化ケイ素類が挙げられる。酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化チタンまたは酸化鉄などの他の酸化物源は、酸化ホウ素及び酸化ケイ素のそれらと類似している。
混合物Qは、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物より構成されている。N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンは式、
Figure 2008513335

を有する。ここで、R、R及びRは、それぞれ別々に、低級アルキル、例えば、メチル、である。このカチオンはSSZ−33の生成に対して有害ではないアニオン、A、と会合している。このようなアニオンの代表例には、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオンなどのハロゲン類;水酸化物イオン;酢酸イオン;硫酸イオン及びカルボン酸イオンが含まれる。水酸化物イオンが好ましいアニオンである。例えば、水酸化物イオンの代わりにハロゲン化物イオンなどへイオン交換し、それにより必要とされるアルカリ金属またはアルカリ土族金属ヒドロキシドを削減または削除することは有益かもしれない。
N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンは、引用することでそっくりそのまま本明細書に組みこまれる前述の米国特許第4,963,337号の実施例1に記述された方法で合成できる。
N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物は式
Figure 2008513335

で表される。ここで、R及びRは前に定義したものである。N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンへの中間体であるN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の合成もまた、米国特許第4,963,337号に記載されている。
混合物Qは、通常、約1:4及びより高い、例えば、約1:4から約4:1の、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比を有している。混合物QでのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の使用により、混合物Qで使用されるN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンを削減でき、それによりかなりのコスト節約が結果としてもたらされる。実際、混合物QでのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の使用により、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオン量をSSZ−33の微小孔体積を満たすのに必要とされる量、すなわち、N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物不在下でSSZ−33を結晶化させるのに必要とされる量以下のレベルまで削減できることが見いだされている。
前記反応混合物は、結晶化の方向付けと加速の両方を行うため、並びに望ましくない汚染物の生成を最少化するために、SSZ−33結晶を種結晶として用いることができる。一般には、種結晶を用いる場合、それらは反応混合物中の酸化ケイ素基準で約2〜3重量%量使用される。
前記反応混合物はSSZ−33の結晶が形成されるまで高温度で保持される。熱水結晶化工程中の温度は、通常、約140℃から約200℃に、好ましくは約150℃から約170℃に、最も好ましくは約155℃から約165℃に維持される。結晶化期間は通常1日以上、及び好ましくは約3日から約7日である。
熱水結晶化は加圧下で、通常は反応混合物が自原性圧力を受けるように、オートクレーブ中で実施される。前記反応混合物は結晶化中に、反応器を回転させるなどして、撹拌することもできる。熱水結晶化工程時に、SSZ−33結晶を反応混合物から自然核発生させることもできる。
ひとたびSSZ−33結晶が形成されたならば、ろ過などの標準的な機械的分離方法で、固体生成物を反応混合物から分離できる。この結晶は水洗でき、次いで、例えば、90℃から150℃、8〜24時間の条件下で乾燥でき、合成されたままのSSZ−33結晶を得ることができる。この乾燥工程は大気圧または大気圧以下の条件下で実施できる。
本明細書中で使用されたように、用語“合成されたままの”は、モレキュラーシーブ結晶が反応混合物から回収され、それらの微小孔内にまだSDAが含まれていること、すなわち、SDAがモレキュラーシーブ結晶から(通常)焼成により除去されていないことを意味している。SSZ−33モレキュラーシーブは、合成されたままで、かつ無水状態では、以下の表Bで示される、モル比で表された組成を有している。
合成されたままのSSZ−33組成
表B
(1から5)Q:(0.1〜1)Mn+:W:(15より大きい)YO
ここで、Q、M、n、W、a、b、及びYは前に定義した通りである。
合成されたままのSSZ−33は、100ppmより大きなホウ素含有量を持つことができる。
合成されたままのSSZ−33モレキュラーシーブは、そのX線粉末回折パターンが次の特徴的回折線を示す結晶構造を有している。
合成されたままのSSZ−33組成
表I
2θ d 間隔(Å) 強度
7.86 11.25 VS
20.48 4.336 VS
21.47 4.139 M−S
22.03 4.035 VS
23.18 3.837 S−VS
26.83 3.323 M−S
±0.1
与えられたX線パターンは、X線パターンの最強ラインを100の値に帰属させた相対強度スケールに基づく:W(弱)は20未満;M(中)は20〜40;S(強)は40〜60;VS(非常に強い)は60より大きい。
以下の表IAは、合成されたままのSSZ−33の、実際の相対強度を含んだ、特徴的X線粉末回折ラインを示す。
合成されたままのSSZ−33組成
表IA
2θ d 間隔(Å) 相対強度(100×I/I
7.86 11.25 90
20.48 4.336 100
21.47 4.139 40
22.03 4.035 90
23.18 3.837 64
26.83 3.323 40
±0.1
SSZ−33モレキュラーシーブは、合成されたままでも使用でき、または熱処理(焼成)することもできる。“熱処理”は、スチームの存在下、または不在下で、約200℃から約820℃の温度まで加熱することを意味する。
通常は、アルカリ金属またはアルカリ土族金属カチオンをイオン交換で除去し、水素、アンモニウム、または他の望ましい金属イオンと置換することが望ましい。スチームを含んだ熱処理は、酸による攻撃から結晶格子を安定化することを助ける。
焼成後、SSZ−33モレキュラーシーブは、そのX線粉末回折パターンが以下の表IIに表示される特徴的なラインを示す結晶構造を有する。
焼成後SSZ−33
表II
2θ d 間隔(Å) 強度
7.81 11.32 VS
20.43 4.347 M−S
21.44 4.144 W
22.02 4.037 M
23.18 3.837 M
26.80 3.326 M
±0.1
以下の表IIAは焼成済SSZ−33の、実際の相対強度を含んだ特徴的X線粉末回折ラインである。
焼成済SSZ−33
表IIA
2θ d 間隔(Å) 相対強度(100×I/I
7.81 11.32 100
20.43 4.347 46
21.44 4.144 9
22.02 4.037 41
23.18 3.837 28
26.80 3.326 31
±0.1
X線粉末回折パターンは標準的方法で測定した。放射線は銅のK−アルファ/二重項であり、ストリップ−チャートペン記録計を備えたシンチレーションカウンタースペクトロメータを使用した。ピーク高さI及び2θ(θはBragg角)の関数として表される位置を、スペクトロメータチャートから読み取った。これらの測定値から、相対強度、100×I/I(ここで、Iは最強ラインまたはピークの強度)、及びd、記録されたラインに相当するオングストローム単位で表した格子面間隔、が計算できた。
回折パターンにおける変化は、サンプル間のシリカ対ホウ素モル比の変化に由来する結果でもあり得る。モレキュラーシーブ中に存在する金属または他のカチオンを他のカチオンと交換することにより製造されたモレキュラーシーブは、格子面間隔のシフト並びに相対強度の変化はあり得るが、類似した回折パターンを与える。焼成もまたX線回折パターンのシフトを起こしうる。これらの摂動にもかかわらず、基本的結晶格子構造は不変のまま保たれる。
SSZ−33モレキュラーシーブは炭化水素変換反応において有用である。これらの用途例が、1990年10月16日にZonesに支給され、引用することで本明細書中に取り込まれる、米国特許第4,963,337号に述べられている。
(実施例1−8)
次の実施例において、“SDA1”は、N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンヒドロキシドを表し、そして“SDA2”は、N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンを表す。以下の成分は一定に保たれた:SiO(Cabosil M−5 ヒュームドシリカ97%)、1N NaOH、及びホウ酸。ここで示した全ての運転は、次のモル比であった:HO/SiO=44、Na/SiO=0.10、及びSiO/B=12。反応は密封対流加熱オーブン内のスピット上で、160℃、43RPMタンブリングの条件下で実施した。運転は6〜12日で行った。
実施例 mM SDA1 mM SDA2 SiO XRD 結果
番号
1 2.6 0 12 SSZ−33
2 2.1 0.50 12 SSZ−33
3 1.56 1.0 12 SSZ−33
4 1.04 1.5 12 SSZ−33
5 0.77 1.8 12 SSZ−33,
MIN.AMO
6 0.52 2.0 12 AMO>SSZ−33
7 0.26 2.22 12 AMO>SSZ−33
8 0.00 2.5 12 痕跡量の33だけ
実施例1〜8は、条件のいくらかの最適化を行うと、SDA1の75%に相当する量がSDA2で置換可能なことを示している。
(実施例9)
SSZ−33の合成を、反応機内でオーバーヘッドモータ駆動スターラを使用した1ガロン反応器内で実施した。この調製では次の試薬量を使用した。
SDA1の0.73M溶液 130gr.(95mM)
SDA2 72gr.(381mM)
O 1485gr.
ホウ酸 23.4gr.(189mMB
1N NaOH 234gr.(234mM)
Cabosil M−5、 140gr.(2.33モル)
ヒュームドシリカ(97%)
SSZ−33の種結晶 3.90gr.
12時間定速加温で160℃まで温度を上げて、反応を実施した。反応器を75RPMで撹拌し、11日間運転を継続した。反応器を冷却し、サンプルを最初に取り出し、洗浄、乾燥した。生成物のXRDデータは、それがSSD−33であることを示していた。次いで、バッチ全体を取り出し、洗浄、乾燥し、同じXRDデータを得た。

Claims (19)

  1. (1)酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、及びそれらの混合物が、(2)酸化ホウ素か酸化ホウ素と酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化チタン、あるいは酸化鉄及びそれらの混合物、およびそれらの混合物に対しておよそ15:1より大きなモル比を持ち、そして焼成後、表IIのX線回折線を持つモレキュラーシーブを調製する方法であって、前記方法が
    A.(1)酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、及びそれらの混合物源;(2)酸化ホウ素か酸化ホウ素と酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化チタンあるいは酸化鉄およびそれらの混合物、およびそれらの混合物源;(3)アルカリ金属かアルカリ土類金属源;(4)N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウムトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオン、および(5)N,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物を含む水性反応混合物を形成すること;および
    B.結晶が形成されるまで十分な結晶化条件下で前記水性混合物を維持すること、
    を包含する方法。
  2. 前記反応混合物が、モル比で表したその組成が以下に示した範囲:
    YO/W 10〜200
    OH/YO 0.10〜1.0
    Q/YO 0.05〜0.50
    n+/YO 0.05〜0.30
    O/YO 15〜300
    Q/Q+Mn+ 0.30〜0.70
    (ここで、Yはケイ素、ゲルマニウム、あるいはそれらの混合物、Wはホウ素またはホウ素、アルミニウム、ガリウム、チタン、鉄の混合物、あるいはそれらの混合物、aは1または2、bはaが1の時2、bはaが2の時3、Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、nはMの原子価、QはN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物である)にある、請求項1に記載の方法。
  3. 反応混合物がモル比に関して下記の範囲:
    YO/W 30〜60
    OH/YO 0.20〜0.30
    Q/YO 0.10〜0.25
    n+/YO 0.05〜0.15
    O/YO 25〜60
    Q/Q+Mn+ 0.40〜0.60
    にある組成を有する、請求項2に記載の方法。
  4. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積の全てを満たすのに必要とされる体積より少ない量で使用される、請求項1に記載の方法。
  5. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が、約1:4およびそれより高い、請求項1に記載の方法。
  6. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が、約1:4〜約4:1である、請求項5に記載の方法。
  7. 前記モレキュラーシーブ中のホウ素量が100ppmより大きい、請求項1に記載の方法。
  8. モレキュラーシーブが、合成されたままで、かつ無水状態で、モル比に関して下記:
    (1〜5)Q:(0.1〜1)Mn+:W:(15より大きい)YO
    (式中、Yはケイ素、ゲルマニウム、あるいはそれらの混合物、Wはホウ素、あるいはホウ素、アルミニウム、ガリウム、チタン、鉄の混合物、あるいはそれらの混合物、aは1あるいは2、bはaが1の時2、bはaが2の時3、Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属、nはMの原子価、そしてQはN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物である)組成を有するモレキュラーシーブ。
  9. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積全てを満たすのに必要とされる量より少ない量で使用される、請求項8に記載のモレキュラーシーブ。
  10. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が約1:4およびより高い、請求項8に記載のモレキュラーシーブ。
  11. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が約1:4から約4:1である、請求項10に記載のモレキュラーシーブ。
  12. 前記モレキュラーシーブ中のホウ素量が100ppmより大きい、請求項8に記載のモレキュラーシーブ。
  13. 前記モレキュラーシーブが、焼成後、表IIのX線回折線を有する、請求項8に記載のモレキュラーシーブ。
  14. 改良がN,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンとN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物の混合物を含む構造化剤の採用からなる、モレキュラーシーブ用材料源および有機構造化剤からモレキュラーシーブを調製するための改良方法。
  15. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンがモレキュラーシーブの微小孔体積の全てを満たすのに必要とされる量より少ない量で使用される、請求項14に記載の方法。
  16. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が、約1:4およびより高い、請求項14に記載の方法。
  17. 前記N,N,N−トリアルキル−8−アンモニウム−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン第四アンモニウムカチオンのN,N−ジアルキル−8−アミノ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン化合物に対するモル比が、約1:4から約4:1である、請求項16に記載の方法。
  18. モレキュラーシーブ中のホウ素量が100ppmより大きい、請求項14に記載の方法。
  19. 前記モレキュラーシーブが、焼成後に、表IIのX線回折線を有する、請求項14に記載の方法。
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