JP2015517095A - Euvレンズの結像品質を測定するための測定システム - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 518
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 295
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 82
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 78
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 71
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 48
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 44
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 24
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 16
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 claims description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 8
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 29
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 22
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 22
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 19
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 9
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006295 Si—Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000013210 evaluation model Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0207—Details of measuring devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/005—Testing of reflective surfaces, e.g. mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Abstract
Description
強度分布I(x,y,z)を用いると、
・個別像:1つの測定位置における検出器の記録;
・像スタック: レンズの複数の個々の像の、種々の測定位置(測定位置=z位置)への割り当て;
・プロファイル:アルファ方向に沿った個々の像の強度の合計(個々の像の第1軸に対するプロファイルのy値)及びアルファ方向(プロファイルのx値)に垂直な横方向位置への割り当て;
・プロファイルの重心:yの積分で除した、xとyの積の積分値(S);従来、重心は第1中心モーメントとも称される;
・N−thセントラルモーメント:xと重心との間の差及びyの積分で除したyのN乗の積の積分;
・分散:第2中心モーメント;
・歪度:第3中心モーメント:
・尖度:第4中心モーメント;
・N−th調和: フーリエ成分(0番目の調和=平均値);
・最良焦点:z軸沿いの分散に対する放物線当てはめの極値。
12.波面源
14.検出器
15.評価デバイス
16.測定光放射デバイス
18.EUV源
20.照明光学ユニット
21.測定光
22.ミラー
22−1.調整可能ミラー
24.テストマスク
26.テスト構造
27.両矢印
28.物体ホルダ
29.物体面
30.EUVレンズ
31.テスト波
32.ミラー
32−1.調整可能ミラー
34.筐体
36.第1入射窓
38.第2入射窓
50.検査装置
52.被検査基板
54.表面
56.検査光放射デバイス
61.検査光
62.変位テーブル
63.両矢印
64.検査検出器
66.入射ビーム経路
68.出射ビーム経路
72.吸収層
74.保護層
76.多層配置
78.キャリア
80.第1多層層
82.第2多層層
84.第3多層層
86.第4多層層
87.レンズ視野
88.照明カットアウト
89.照明視野
90.集光ミラー
91.斜壁面
92.更なる反射素子
94.更なる反射素子
95.照明及びレンズ視野
96.拡散板
98.吸収層
100.反射防止コーティング
102.対向側
104.反対側
106、斜面領域
108.膜
110.キャリア層
112.反射コーティング
114−1.捕捉構造
114−2.捕捉構造
114−3.捕捉構造
114−4.捕捉構造
116.火線
118.追加EUV源
120.追加照明光学ユニット
122.検査光放射デバイス
130.レンズ
132.光学素子
133.瞳面
210.測定システム
215.反射多層スタック
216.測定光放射デバイス
218.吸収層
221.測定光
224.第1テストマスク
226.第1回折テスト構造
228.自由開口部
229.物体面
231.テスト波
2310.第1ビーム
231+1 .第2ビーム
231-1 .第3ビーム
231R 0.基準波
231+1,0.テスト光部
231R 0,-1. 基準光部
233.テスト波の波面
234.基準ビーム
240.像面
244.第2テストマスク
245.反射面
246.第2回折テスト構造
248.自由開口部
256.基準波
260.検出器
262.評価デバイス
264.回折格子
310.反射多層スタック
312.測定システム
312.レンズホルダ
315.反射多層スタック
316.測定光放射デバイス
318.吸収層
321.測定光
324.テストマスク
326.回折テスト構造
329.物体面
331.テスト波
340.像面
342.光変調デバイス
343.テスト位置
344.変調構造
360.検出器
362.評価デバイス
421.測定光
424.テストマスク
431.テスト波
431a.最適化テスト波
432.テスト波の伝播方向
470.補正板
471.第1透過層
472.第2透過層
472.吸収層
476.多層配置
521.測定光
521a.入射測定光の光線
521b.入射測定光の光線
521c.入射測定光の光線
524.テストマスク
525.テストマスクの表面
526.回折テスト構造
531.テスト波
531a.反射光線
531b.反射光線
531c.反射光線
580.キャリア層
582.インサート
583.パッド
584.最上層
585.カットアウト
Claims (26)
- EUVレンズの結像品質を測定する測定システムであって、
・回折テスト構造と、
・EUV波長範囲の測定光をテスト構造に放射するように構成される測定光放射デバイスと、
・レンズによって行われる、前記テスト構造の結像における少なくとも1つの像決定パラメータを変化させる可変デバイスと、
・設定された種々の像決定パラメータで生成された複数の像を含む像スタックを記録する検出器と、
・前記像スタックから前記レンズの結像品質を決定するように構成される評価デバイスと、を備える測定システム。 - 請求項1に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造は、前記測定光に対する反射効果を持つテストマスクの一部であり、該テストマスクは多層配置を備える測定システム。
- 請求項2に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造は、前記多層配置に適用される吸収層に具現化される測定システム。
- 請求項1に記載の測定システムにおいて、前記回折テスト構造はテストマスクの一部であり、前記測定光放射デバイスが前記測定光を前記テストマスクにかすめ入射で放射するように構成される測定システム。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の測定システムにおいて、カットアウトの形態の前記テスト構造を有するテストマスクと、該穴構造に対してオフセットする照明カットアウトとを備え、反射素子が前記測定光放射デバイスに対して前記テストマスクの反対側に配置され、前記反射素子が、前記測定光を、該光が前記照明カットアウトを通過した後、前記テスト構造の前記カットアウトに向けるように構成される測定システム。
- 請求項5に記載の測定システムにおいて、前記反射素子が、前記測定光に対して集光的に作用するように具現化される測定システム。
- 請求項5又は6に記載の測定システムにおいて、2つの更なる反射素子が、前記測定光放射デバイスに対して前記テストマスクの反対側に、前記測定光が、前記照明カットアウトを通過した後、前記テスト構造の前記カットアウトを通る前に、前記更なる反射素子によって更に偏向されるように配置される測定システム。
- 請求項5〜7の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記反射素子が拡散板として具現化される測定システム。
- 請求項5〜8の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記テストマスク及び前記反射素子が、リソグラフィのためにEUV投影露光装置に露光するように構成されたプロダクトレチクルの寸法を有するマスクモジュールの一部である測定システム。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造が穴構造として具現化され、前記評価デバイスが、前記穴構造の寸法を決めるために、前記レンズの前記結像品質を決定する際、最適化計算により、本当の寸法から逸脱した値を決定するように構成される測定システム。
- 請求項1〜10の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記測定光の前記回折テスト構造との相互作用の下流の、前記測定光のビーム経路に配置される補正板を更に備え、該補正板は前記測定光に光学効果を与えるように構成され、該光学効果は、前記補正板における前記測定光の伝播方向に対して横方向に変化する測定システム。
- 請求項1〜11の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記補正板が可変厚さを有する透過層を備える測定システム。
- レンズの結像品質を測定する測定システムであって、
・レンズを保持するレンズホルダと、
・測定光を生成するように構成された測定光放射デバイスと、
・前記レンズホルダに配置される際、前記レンズの物体側に配置される第1回折テスト構造であって、該第1回折テスト構造における前記測定光の回折によってテスト波が生成されるように配置される第1回折テスト構造と、
・前記レンズホルダに配置される際、前記レンズの像側に配置される第2回折テスト構造であって、該第2回折テスト構造における前記測定光の回折によって基準波が生成されるように配置される第2回折テスト構造と、
・前記レンズと相互作用した前記テスト波からの光と前記基準波からの光との重畳によって生成される干渉パターンを記録するように配置される検出器と
を備える測定システム。 - 請求項13に記載の測定システムにおいて、前記レンズホルダに配置される際、前記レンズの前記物体側に基準ビーム生成構造が更に配置され、該基準ビーム生成構造は前記測定光から基準ビームを形成し、該基準ビームを前記第2回折テスト構造に向けるように構成される測定システム。
- 請求項13に記載の測定システムにおいて、回折格子が前記テスト波の前記ビーム経路に、前記テスト波が種々に配向されるビームに分けられるように配置され、該ビームの第1ビームは前記第2回折構造に向けられ、前記ビームの第2ビームは前記検出器に向けられ、前記基準波との重畳によって前記干渉パターンが生成される測定システム。
- 請求項13〜15の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記第2回折テスト構造は、光反射背景における光吸収構造として構成され、前記検出器は、前記レンズホルダに配置される際、前記レンズの物体側に配置される測定システム。
- 請求項13〜16の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記レンズホルダに前記レンズを配置した状態で、前記干渉パターンが、前記レンズを2度横切った前記テスト波からの光と、前記回折構造における前記基準波の生成後、前記レンズを1度横切った前記基準波からの光との重畳によって生成される測定システム。
- 検査装置のためのレンズと、該レンズを測定するための、請求項1〜17の何れか一項に記載の測定システムとを備える配置。
- マイクロリソグラフィのために、基板の表面を検査する検査装置であって、基板の被検査面の少なくとも一部を、結像放射によって検出平面に結像させるレンズと、前記レンズの結像品質を測定する、請求項1〜17の何れか一項に記載の測定システムとを備える検査装置。
- 請求項19に記載の検査装置において、該検査装置は前記被検査基板を保持する物体ホルダを有し、前記テスト構造が前記物体ホルダに配置され、該物体ホルダが、前記被検査基板が前記測定光の前記ビーム経路に配置される検査位置と、前記テスト構造が前記測定光の前記ビーム経路に配置される測定位置との間に変位可能に取り付けられる、検査装置。
- EUVレンズの結像品質を測定するための測定システムのテストマスクであって、EUV波長範囲の測定光での照射時に、その波面が理想の球面形状から0.1nm以下の最大偏差を有するテスト波を生成するように構成されるテスト構造を備えるテストマスク。
- EUVレンズの結像品質を測定する方法であって、
・EUV波長範囲の測定光を回折テスト構造に放射するステップと、
・前記レンズによって前記テスト構造を検出器に結像しながら、前記結像の少なくとも1つの像決定パラメータを変化させるステップと、
・前記像決定パラメータの変化によって生成された像スタックを記録するステップと、
・前記像スタックを評価することによって前記レンズの前記結像品質を決定するステップと
を含む方法。 - 請求項22に記載の方法において、請求項1〜12の何れか一項に記載の測定システム又は請求項18又は20に記載の検査装置によって実行される方法。
- レンズの結像品質を測定する方法であって、
・測定光を回折テスト構造に放射して、該回折テスト構造における前記測定光の回折によってテスト波を生成するステップと、
・瞳面を有するレンズを前記テスト波のビーム経路に配置するステップと、
・前記瞳面において前記テスト波の光強度を変調して、前記瞳面を通過した後の前記測定光の前記光強度分布がいくつかのテスト位置において極値を有するようにするステップと、
・検出器を前記レンズの像側に配置して、前記レンズを通過した前記テスト波によって生成された強度パターンを記録するステップと、
・前記記録した強度パターンを所定のターゲットパターンと比較することによって、前記レンズの前記結像品質を決定するステップと
を含む方法。 - 請求項24に記載の方法において、前記光強度を、前記測定光の、前記テスト場所を除く、前記瞳面への通過を遮断することによって変調する方法。
- 請求項24又は25に記載の方法において、前記光強度を、前記テスト位置に配置された変調構造を有する前記瞳面に絞りを配置することによって変調し、前記検出器を、前記回折テスト構造の前記結像に対して前記レンズの焦点面からオフセットした位置に配置する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261614759P | 2012-03-23 | 2012-03-23 | |
US61/614,759 | 2012-03-23 | ||
DE102012204704A DE102012204704A1 (de) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Messvorrichtung zum Vermessen einer Abbildungsgüte eines EUV-Objektives |
DE102012204704.2 | 2012-03-23 | ||
PCT/EP2013/000875 WO2013139483A2 (en) | 2012-03-23 | 2013-03-22 | Measuring system for measuring an imaging quality of an euv lens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015517095A true JP2015517095A (ja) | 2015-06-18 |
JP6318140B2 JP6318140B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=49112250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015500798A Active JP6318140B2 (ja) | 2012-03-23 | 2013-03-22 | Euvレンズの結像品質を測定するための測定システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9494483B2 (ja) |
JP (1) | JP6318140B2 (ja) |
KR (1) | KR102044575B1 (ja) |
CN (2) | CN104204952B (ja) |
DE (1) | DE102012204704A1 (ja) |
WO (1) | WO2013139483A2 (ja) |
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- 2013-03-22 JP JP2015500798A patent/JP6318140B2/ja active Active
- 2013-03-22 WO PCT/EP2013/000875 patent/WO2013139483A2/en active Application Filing
- 2013-03-22 KR KR1020147026062A patent/KR102044575B1/ko active IP Right Grant
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DE102012204704A1 (de) | 2013-09-26 |
WO2013139483A3 (en) | 2013-12-19 |
KR20140138174A (ko) | 2014-12-03 |
CN104204952B (zh) | 2018-04-27 |
CN104204952A (zh) | 2014-12-10 |
US9494483B2 (en) | 2016-11-15 |
CN108627318A (zh) | 2018-10-09 |
WO2013139483A2 (en) | 2013-09-26 |
US20150009492A1 (en) | 2015-01-08 |
KR102044575B1 (ko) | 2019-11-13 |
JP6318140B2 (ja) | 2018-04-25 |
CN108627318B (zh) | 2021-01-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170314 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180402 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6318140 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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