JP2015515123A - 静電クランプ - Google Patents
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Abstract
Description
[001] 本出願は、2012年2月29日出願の米国仮出願第61/604,945号の利益を主張し、その全体を参照により本明細書に組み込むものとする。
1.ステップモードでは、パターニングデバイス(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、支持構造(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造(例えば、マスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
上式で、
Pclampは、クランプするオブジェクト上に作用するクランプ圧力、
ε0は、真空の誘電率(8.854×10−12)、
εRは、クランプ1の上部4の誘電体の比誘電率、
Vは、電極6に印加される電圧、
dは、クランプ1の上部4の厚さ、
gは、クランプ1の上部4の上面とオブジェクトがクランプされる平面2との間のギャップ(バール5の高さ)。
上式で、
V2は、第2の電極26bの電圧、
R2は、第2の抵抗器32の抵抗値、
Riは、第1の抵抗器31の抵抗値、
VSは、電圧源30によって供給される電圧。
上式で、
CAは単位面積あたりの静電容量。
その他のすべての記号は式(1)に関連する上記の通常の意味を有する。
Claims (11)
- 使用時に物品を保持し、
下部と、
誘電体材料から形成された上部と、
前記下部と前記上部との間に配置された複数の電極とを備える静電クランプであって、
前記電極が、
使用時に第1の電圧に保持される第1の電極と、
使用時に第2の電圧に保持される少なくとも1つの中間電極と、
接地電極とを備え、
前記少なくとも1つの中間電極が前記第1の電極と前記接地電極との間に位置し、前記第2の電圧が前記第1の電圧とグランドとの間にある静電クランプ。 - 前記少なくとも1つの中間電極が、使用時に前記第1の電圧とグランドとの間の電圧に保持される、請求項1に記載の静電クランプ。
- 前記第1の電極と前記接地電極との間に複数の中間電極を提供でき、使用時に、前記複数の中間電極の各々に印加される電圧が、前記第1の電極から前記接地電極へ向けて低下する、請求項1に記載の静電クランプ。
- 前記第1の電極と第1の中間電極との間の電圧低下と、隣接する中間電極間の電圧低下が同じである、請求項3に記載の静電クランプ。
- 前記第1の電極と前記少なくとも1つの中間電極が共通の電源を共用し、前記印加される電圧を前記第1の電極と前記少なくとも1つの中間電極とに振り分ける抵抗回路網が提供される、請求項1から4のいずれかに記載の静電クランプ。
- 前記抵抗回路網が、可変抵抗器を含む、請求項5に記載の静電クランプ。
- 前記クランプが、
2つ目の第1の電極と、
前記2つ目の第1の電極と前記接地電極との間に位置する少なくとも1つの第2の中間電極と、をさらに備えるバイポーラクランプであり、
使用時に、前記2つ目の第1の電極と前記少なくとも1つの第2の中間電極が、それぞれ、前記第1の電極と前記第1の中間電極とに印加される電圧と符号が逆の第1の電圧と第2の電圧とに保持され、
前記第2の中間電極に印加される第2の電圧が、前記2つ目の第1の電極に印加される前記第1の電圧とグランドとの間にある、請求項1から6のいずれかに記載の静電クランプ。 - 前記第1の電極が一般に矩形であり、前記クランプがレチクルクランプとして使用される、請求項1から7のいずれかに記載の静電クランプ。
- 前記第1の電極が、一般に円の一部の形状をなし、前記クランプがウェーハクランプとして使用される、請求項1から7のいずれかに記載の静電クランプ。
- 請求項1から9のいずれかに記載の静電クランプを備える半導体製造装置。
- 前記半導体製造装置が、リソグラフィ装置、レチクル検査装置、ウェーハ検査装置、及び空間像メトロロジー装置のいずれかである、請求項10に記載の半導体製造装置。
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