JP2015505171A5 - - Google Patents

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  1. 基板と、
    前記基板の第1の側に形成された誘電体層と、
    前記誘電体層および前記基板を貫通して延びる基板貫通ビアであって、前記基板貫通ビアが導電材料および絶縁層を含み、前記絶縁層が前記導電材料を少なくとも部分的に囲み、前記絶縁層がテーパ部分を備える、基板貫通ビアと
    を備え
    前記基板貫通ビアが、前記導電材料の一部分を前記絶縁層から分離するフォトレジスト層の残部をさらに備える半導体デバイス
  2. 前記絶縁層が、実質的に一定の直径を有する一定部分を備え、前記テーパ部分が変動直径を有し、前記変動直径が前記実質的に一定の直径より大きい、請求項1に記載の半導体デバイス
  3. 前記導電材料が、実質的に一定の直径を有する第1の部分と、前記テーパ部分の前記変動直径に対応して変動する直径を有する第2の部分とを備える、請求項2に記載の半導体デバイス
  4. 前記絶縁層の前記テーパ部分が、能動デバイスおよび/または受動デバイスを有する前記基板の前記第1の側に近接して配設される、請求項1に記載の半導体デバイス
  5. 前記絶縁層の前記テーパ部分が、前記基板の前記第1の側、および前記誘電体層に近接して配設される、請求項1に記載の半導体デバイス
  6. 前記基板貫通ビアが、前記導電材料を前記絶縁層から分離する多層キャップ層をさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス
  7. 前記半導体デバイスの一部分が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータの内の少なくとも1つに組み込まれる、請求項1に記載の半導体デバイス
  8. 半導体基板と、
    前記基板の第1の側に形成された誘電体層と、
    前記誘電体層および前記基板を通って伝導するための手段と、
    前記伝導手段を絶縁するための手段であって、前記伝導手段を囲み、テーパ部分を備える絶縁手段と
    を備え
    前記基板貫通ビアが、前記導電材料の一部分を前記絶縁層から分離するフォトレジスト層の残部をさらに備える半導体デバイス
  9. 前記伝導手段の一部分が、
    前記絶縁手段の前記テーパ部分に少なくとも部分的に基づいて直径が変動する、請求項に記載の半導体デバイス
  10. 前記絶縁手段の前記テーパ部分が、能動デバイスおよび/または受動デバイスを有する前記基板の前記第1の側に近接して配設される、請求項に記載の半導体デバイス
  11. 前記絶縁手段の前記テーパ部分が、前記基板の前記第1の側、および前記誘電体層に近接して配設される、請求項に記載の半導体デバイス
  12. 前記半導体デバイスの一部分が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータの内の少なくとも1つに組み込まれる、請求項に記載の半導体デバイス
JP2014552358A 2012-01-13 2013-01-12 基板貫通ビアを集積回路の中間工程層に組み込むこと Active JP6012763B2 (ja)

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