JP2015213078A - 発光装置、電子機器 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 596
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 70
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 62
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 62
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 30
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002585 base Substances 0.000 description 26
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 12
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100025982 BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000933342 Homo sapiens BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000715194 Homo sapiens Cell cycle and apoptosis regulator protein 2 Proteins 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- RVQAXMNSKHFMNS-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline;terbium Chemical compound [Tb].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RVQAXMNSKHFMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(pyren-1-yl)phenyl]pyrene Chemical compound C1=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-bis(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 FQNVFRPAQRVHKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carbazol-9-ylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)O1 IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZULHHMJFLPUTMR-UHFFFAOYSA-N 2-[2,6-bis[2-(6-methoxy-4,4,10,10-tetramethyl-1-azatricyclo[7.3.1.05,13]trideca-5,7,9(13)-trien-7-yl)ethenyl]pyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound CC1(C)CCN2CCC(C)(C)C3=C2C1=CC(C=CC=1OC(=CC(C=1)=C(C#N)C#N)C=CC=1C(=C2C(C)(C)CCN4C2=C(C(CC4)(C)C)C=1)OC)=C3OC ZULHHMJFLPUTMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[2,6-bis[2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]pyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C)C)O1 QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(1-azatricyclo[7.3.1.05,13]trideca-5,7,9(13)-trien-7-yl)ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracene Chemical compound C=12C=CC=CC2=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C2=CC(C(C)(C)C)=CC=C2C=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C=C21 WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 3,6-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C3=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- ZJRROCIDIGEDLC-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C(=CC=C(NC=3C=CC=CC=3)C=2)C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 ZJRROCIDIGEDLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 4-n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 4-n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWQDBYKWEGXSJW-UHFFFAOYSA-N 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene Chemical compound C12=C3C=CC=CC3=C(OC)C(C=3C=CC=CC=3)=C2C2=CC=CC=C2C(OC)=C1C1=CC=CC=C1 MWQDBYKWEGXSJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(4-methylnaphthalen-1-yl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C)C2=CC=CC=C12 YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)-10-[10-(2-phenylphenyl)anthracen-9-yl]anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 9-N,9-N,21-N,21-N-tetrakis(4-methylphenyl)-4,15-diphenylheptacyclo[12.10.1.13,7.02,12.018,25.019,24.011,26]hexacosa-1,3,5,7,9,11(26),12,14,16,18(25),19(24),20,22-tridecaene-9,21-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3[C]4C5=C(C=6C=CC=CC=6)C=CC6=CC(=CC([C]56)=C4C=C4C(C=5C=CC=CC=5)=CC=C2C=34)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTGCMKMICLCAQU-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[2-(3-phenanthren-9-ylphenyl)ethenyl]phenyl]phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=CC=3C=C(C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DTGCMKMICLCAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[2-(4-phenanthren-9-ylphenyl)ethenyl]phenyl]phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=C(C=C3)C=CC=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)-2,3,5,6-tetraphenylphenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C1=CC=CC=C1 ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(10-phenylanthracen-9-yl)anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Chemical class C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012936 correction and preventive action Methods 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N ctk3i0272 Chemical group C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C(=C(C=5C=CC=CC=5)C(C=5C=CC=CC=5)=C(C=5C=CC=CC=5)C=4C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- GQDKQZAEQBGVBS-UHFFFAOYSA-N dibenzo[g,p]chrysene Chemical class C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C3=C(C=CC=C3)C3=C21 GQDKQZAEQBGVBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N europium;1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNFOMBWFZZDRKO-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 LNFOMBWFZZDRKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-4-[2-[4-(n-(4-carbazol-9-ylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N n-Nitrosodimethylamine Chemical compound CN(C)N=O UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVHDEFQSXAYURV-UHFFFAOYSA-N n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 RVHDEFQSXAYURV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Chemical class 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N pyrazol-1-yloxyboronic acid Chemical compound OB(O)ON1C=CC=N1 VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板110と、基板上に設けられた接着剤層111と、接着剤層上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層130と、導電層上に位置する絶縁層113と、絶縁層上に設けられたトランジスタ114、115と、トランジスタを覆う層間絶縁層128、129と、層間絶縁層上に形成され、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極117、第1の電極と対向する第2の電極120、及び第1の電極と第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層119とを備える発光素子127と、発光素子を覆う封止層121と、を有するフレキシブル発光装置。
【選択図】図1
Description
装置又は該フレキシブル発光装置を搭載した電子機器に関する。
場のニーズも後押しし、著しい進歩を遂げている。
れており、ディスプレイのフレキシブル化に関しては様々な提案がなされている(例えば
特許文献1参照)。また、フレキシブルな基板を用いた発光装置はガラス基板などを用い
た場合と比較して非常に軽量化することが可能である。
にある。
、可撓性を有さないガラス基板を用いることが出来ず、可撓性を有するが透水性が高く、
耐熱性が低いプラスチック基板を使用しなければいけないことが原因となっている。プラ
スチック基板はその耐熱性が低い為に、高温をかけて良質な保護膜を作製することができ
ず、プラスチック基板を用いた側からの水分の侵入が発光素子ひいては発光装置の寿命に
大きな悪影響を及ぼしてしまう。例えば、非特許文献1ではポリエーテルスルホン(PE
S)をベースとした基板上に発光素子を作製し、アルミニウムのフィルムで封止を行った
フレキシブル発光装置を作製した例が紹介されているが、その寿命は230時間程度であ
り、実用にはほど遠い。
わせているが、通常の厚さでは可視光を透過しないため、発光装置においては発光素子を
挟む一対の基板のうち、どちらか一方のみに使用が限られる。
侵入は抑制されたものの、PES基板側からの水分の侵入をはばむことができなかった結
果であると考えられる。
スチック基板を用いることから、緻密な高温成膜の保護膜を用いることが出来ず発光素子
や発光装置の寿命が短かった。
、表示ムラが生じることがある。
的の一とする。また、本発明の一態様は、表示ムラが生じない良好な表示特性を有し、歩
留まりが高く、信頼性の高いフレキシブル発光装置を提供することを目的の一とする。ま
た、当該フレキシブル発光装置を用いた電子機器を提供することを目的の一とする。また
、当該フレキシブル発光装置の簡便な作製方法を提供することを目的の一つとする。
物や、作製プロセス中の静電気が原因で帯電しやすい。トランジスタは絶縁層を介して接
着剤層と非常に近い位置に存在するため、有機樹脂の帯電はトランジスタを誤動作させる
。具体的にはトランジスタの閾値が変動し、本来オフ状態となるゲート電圧においてトラ
ンジスタがオン状態になる現象や、本来オン状態となるゲート電圧においてトランジスタ
がオフ状態になる現象が発生する。その結果、表示ムラが生じてしまう。
ように適切な温度で保護層を形成し、トランジスタ、発光素子の電極又は発光素子など必
要なものを保護層上に形成した後、それらを保護層ごと基板から剥離し、剥離によって露
出した保護層の表面に可視光に対する透光性を有する導電層を形成した後、プラスチック
基板に転置し、最後に封止層を形成することによって作製されたフレキシブル発光装置に
より解決することができる。
導電層を形成し、該導電層上に充分に低い透水性を有するように適切な温度で保護層を形
成し、該保護層上にトランジスタや発光素子の電極若しくは発光素子など必要なものを形
成した後、それらを導電層ごとプラスチック基板に転置し、最後に封止層を形成すること
によって作製されたフレキシブル発光装置により解決することができる。
有する基板と、基板上に設けられた接着剤層と、接着剤層上に形成された可視光に対する
透光性を有する導電層と、導電層上に位置する絶縁層と、絶縁層上に設けられたトランジ
スタと、トランジスタを覆う層間絶縁層と、層間絶縁層上に設けられ、トランジスタのソ
ース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極、第1の電極と対向する第2の
電極、及び第1の電極と第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層とを
備える発光素子と、発光素子を覆う封止層と、を有するフレキシブル発光装置である。
に適切な温度で保護層を形成し、該保護層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形
成し、該導電層上に下地絶縁層を形成し、該下地絶縁層上に、トランジスタや発光素子の
電極若しくは発光素子など必要なものを形成した後、それらを保護層ごとプラスチック基
板に転置し、最後に封止層を形成することによって作製されたフレキシブル発光装置によ
り解決することができる。
有する基板と、基板上に設けられた接着剤層と、接着剤層上に位置する絶縁層と、絶縁層
上に形成された可視光に対する透光性を有する導電層と、導電層上に形成された下地絶縁
層と、下地絶縁層上に設けられたトランジスタと、トランジスタを覆う層間絶縁層と、層
間絶縁層上に形成され、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する
第1の電極、第1の電極と対向する第2の電極、及び第1の電極と第2の電極との間に設
けられた発光性の有機化合物を含む層とを備える発光素子と、発光素子を覆う封止層と、
を有するフレキシブル発光装置である。
いて、発光素子とトランジスタを含む画素部と、画素部の外側に設けられ、トランジスタ
を含む駆動回路部を有し、画素部のトランジスタと駆動回路部のトランジスタが同一工程
により形成されるフレキシブル発光装置である。
いて、トランジスタの活性層には、結晶質シリコンが用いられているフレキシブル発光装
置である。また、本明細書中において開示する発明の一は、上記に記載のフレキシブル発
光装置において、トランジスタの活性層には、酸化物半導体が用いられているフレキシブ
ル発光装置である。
含むフレキシブル発光装置である。ここで、金属基板としては、ステンレス、アルミニウ
ム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料を用いることが好ましい。
樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは複数種
の材料によりなるフレキシブル発光装置である。
する透光性を有する基板と接着剤層との間に、防水層が形成されているフレキシブル発光
装置である。ここで、防水層は、珪素及び窒素を含む層もしくはアルミニウム及び窒素を
含む層、であることが好ましい。
する透光性を有する基板における封止層と対向する面と反対の面に、コート層を有するフ
レキシブル発光装置である。
対する透光性を有し、高硬度の層であるフレキシブル発光装置である。また、上記構成に
おいてコート層は、可視光に対する透光性を有する導電層であるフレキシブル発光装置で
ある。
素を含む層であるフレキシブル発光装置である。
部に用いる電子機器である。
に絶縁層を形成し、絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に層間絶縁
層を形成し、層間絶縁層上にトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電極及び隔壁
上に仮支持基板を接着し、絶縁層、トランジスタ、層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び
仮支持基板を、剥離層と絶縁層との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離
によって露出した絶縁層の表面に、可視光に対する透光性を有する導電層を形成し導電層
上に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持
基板を除去して、第1の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆って発光性の有
機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、
第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。
に絶縁層を形成し、絶縁層上に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、導電層上
に下地絶縁層を形成し、下地絶縁層上に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に
層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電
気的に接続する第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電
極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し、絶縁層、導電層、下地絶縁層、トランジスタ、
層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥離層と絶縁層との間で剥離するこ
とによって作製基板から分離し、分離によって露出した絶縁層の表面に、接着剤層を用い
て可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持基板を除去して、第1
の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆って発光性の有機化合物を含む層を形
成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電極を形成し、第2の電極上に封止層
を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。
に可視光に対する透光性を有する導電層を形成し、導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層上
に複数のトランジスタを形成し、トランジスタ上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に
トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第1の電極を形成し、第
1の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第1の電極及び前記隔壁上に仮支持基板を接着し
、絶縁層、導電層、トランジスタ、層間絶縁層、第1の電極、隔壁、及び仮支持基板を、
剥離層と導電層との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離によって露出し
た導電層の表面に、接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接
着し、仮支持基板を除去して、第1の電極の表面を露出させ、露出した第1の電極を覆っ
て発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層を覆って第2の電
極を形成し、第2の電極上に封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。
50℃以上400℃以下の温度条件で成膜するフレキシブル発光装置の作製方法である。
た、本発明の一態様は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を有し、歩留まりが高く、信
頼性の高いフレキシブル発光装置を提供することができる。また、当該フレキシブル発光
装置を用いた電子機器を提供することができる。また、当該フレキシブル発光装置の簡便
な作製方法を提供することができる。
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置及び本発明の一態様の発光装置の作製方法
について説明する。まず、本実施の形態の発光装置を、図1を用いて説明する。
シブル発光装置は、プラスチック基板110、第1の接着剤層111、可視光に対する透
光性を有する導電層130、保護層112、下地絶縁層113、画素部トランジスタ11
4、駆動回路部トランジスタ115、発光素子127(第1の電極117、発光性の有機
化合物を含む層(以下、EL(Electroluminescence)層と記す)1
19、第2の電極120を含む)、隔壁118、第1の層間絶縁層128、第2の層間絶
縁層129、及び封止層121を有する。
チック基板110と可視光に対する透光性を有する導電層130とが、第1の接着剤層1
11によって接着され、可視光に対する透光性を有する導電層130上に保護層112が
形成されているが、図1(B)では、プラスチック基板110と保護層112とが、第1
の接着剤層111によって接着され、保護層112上に可視光に対する透光性を有する導
電層130が形成されている点である。
るため、有機樹脂の帯電(有機樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中で
生じる静電気による帯電)が生じやすい。しかし、図1(A)(B)に示すように、本実
施の形態のフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層111とトランジスタとの間に、可
視光に対する透光性を有する導電層130を有するため、有機樹脂の帯電が原因で起こる
トランジスタの誤動作を抑制し、表示ムラを防ぐことができる。
発光しないはずの発光素子の一部もしくは大部分が発光してしまうことでコントラスト比
が低下する現象などが挙げられる。
、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、画素部トランジスタ11
4に電気的に接続する発光素子の第1の電極117、及び第1の電極117の端部を覆う
隔壁118が設けられており、図1(A)ではそれらの一部が示されている。図1(B)
に示すフレキシブル発光装置は、可視光に対する透光性を有する導電層130上に、下地
絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トランジスタ115、画素部トラ
ンジスタ114に電気的に接続する発光素子の第1の電極117、及び第1の電極117
の端部を覆う隔壁118が設けられており、図1(B)ではそれらの一部が示されている
。
形成された発光性の有機化合物を含むEL層119及びEL層119を覆って設けられた
第2の電極120を有する。第2の電極120上には封止層121が形成されている。な
お、駆動回路部は必ずしも設ける必要はない。また、さらにCPU部を有していても良い
。図1(A)(B)において、被剥離層116は、保護層112、可視光に対する透光性
を有する導電層130、下地絶縁層113、画素部トランジスタ114、駆動回路部トラ
ンジスタ115、第1の層間絶縁層128、第2の層間絶縁層129、第1の電極117
及び隔壁118を少なくとも含む構成としたが、これは作製がしやすい一例を示したもの
であり、被剥離層116を構成する要素はこれに限らない。
剥離層を介して保護層112を含む被剥離層116を形成した後、剥離層を境に作製基板
と被剥離層116とを分離して、分離した被剥離層116を、接着剤を用いてプラスチッ
ク基板110上に接着して作製される。よって、透水性の高いプラスチック基板110側
に充分に透水性の低い保護層112を設けることができる。このため、本実施の形態にお
ける発光装置はプラスチック基板110と保護層112との間に第1の接着剤層111が
存在する。
のことである。プラスチック基板110としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有
する基板であれば特に限定はないが、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチ
レンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテ
ルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂
、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。プラ
スチック基板は熱膨張係数の低い材料からなることが好ましい。よって、熱膨張係数が3
0×10−6以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PETなどを好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂
に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからなる基板
よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径40nm以下の小さな無機フィラーを
使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
ク基板の大気側表面に凹凸を形成することで、基板の表面で全反射して大気に取り出せな
かった発光素子からの光の成分を取り出すことが可能になり、光の取り出し効率を向上さ
せることができる。
させることのできる凹凸フィルムなどを組み合わせた構成としても良い。
硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各
種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂やアクリル樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。第1の接着剤層111は、
透湿性の低い材料を用いることが好ましく、特にエポキシ樹脂などを好適に用いることが
できる。
は、有機樹脂内のイオン性不純物や、作製プロセス中の静電気が原因で、帯電しやすい。
トランジスタは絶縁層を介して第1の接着剤層111と非常に近い位置に存在するため、
有機樹脂の帯電は、トランジスタを誤動作させることがある。しかしながら、本実施の形
態のフレキシブル発光装置は、第1の接着剤層111とトランジスタとの間に、可視光に
対する透光性を有する導電層130を有するため、有機樹脂の帯電が原因で起こるトラン
ジスタの誤動作を抑制し、表示ムラを防ぐことができる。
せて使用しても良い。熱伝導性のフィラーを分散させた第1の接着剤層111の熱伝導率
は、0.50W/m・K以上であることが好ましい。さらに好ましくは1.0W/m・K
以上である。熱伝導性のフィラーとしては、第1の接着剤層に用いる上記樹脂よりも熱伝
導率が高い材料を用いる。特に好ましくは、熱伝導率が30W/m・K以上の材料を用い
る。例えば、熱伝導率が260W/m・Kであるアルミニウム、300W/m・Kである
窒化アルミニウム、36W/m・Kであるアルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素等が挙げられ
る。また、その他の熱伝導性フィラーとしては、例えば、銀、熱伝導率が388W/m・
Kである銅等の金属粒子がある。また、熱伝導性フィラーに、乾燥剤として機能するフィ
ラーを用いると、第1の接着剤層111は、熱伝導性に加え耐湿性が向上するため、好ま
しい。また、熱伝導性のフィラーと乾燥剤として機能するフィラーを混合して用いても良
い。乾燥剤として機能するフィラーとしては、例えばゼオライトが挙げられる。なお、曲
げ性を損なわないため、第1の接着剤層111に用いるフィラーの粒子径は1nm以上1
000nm以下であることが好ましい。フィラーの粒子径が大きいと、曲げた際に欠陥や
クラックの起点となってしまうことがある。
ば、窒化珪素層や窒化酸化珪素層、酸化窒化珪素層などが挙げられ、窒素と珪素を含む絶
縁層を用いることが好ましい。また、酸化アルミニウム層を用いても良い。
112の屈折率も高い方が好ましい。屈折率は、プラスチック基板110の屈折率<第1
の接着剤層111の屈折率<保護層112の屈折率<第1の電極117の屈折率という順
で高いことが好ましい。例えば、第1の電極117に好適に用いることのできるインジウ
ム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)やアルミニウムを添加した酸
化亜鉛(AZO)の屈折率は、1.8〜2.1のため、プラスチック基板110、第1の
接着剤層111及び保護層112の屈折率は、1.6以上であることが好ましい。更に好
ましくは、1.6以上1.8以下である。
とで、該有機樹脂のみからなる接着剤層よりも屈折率を向上させることができる。特に粒
子径40nm以下の小さな無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、
好ましい。また、保護層112は、例えば、可視光に対する透光性を有する窒化酸化珪素
層などを好適に用いることができる。
、ITO、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウ
ム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素を
添加したインジウム錫酸化物、酸化アンチモンなどが挙げられる。また、可視光に対する
透光性を有する導電層130として、薄い金属(例えば、銀等)を用いても良い。
ても良い。例えば、可視光に対する透光性を有する導電層130の電位を接地電位とする
ことで、有機樹脂の帯電を防ぐ効果をより得ることができる。
ムなどを単層又は積層で用いる。また、防湿性の高い窒化珪素、窒化酸化硅素、酸化アル
ミニウムなどの無機膜と、有機膜を積層することで封止を行っても良い。また、封止層1
21に金属基板を用いると、低コストで高い信頼性が得られるため好ましい。また、前述
の防湿性の高い無機膜の上に金属基板を設けても良い。また、これらと共に、乾燥剤を用
いて封止を行っても良い。
ラスチック基板側に当該プラスチック基板の耐熱温度以上の温度をかけて作製した、透水
性の充分に低い保護層を設けていることから、プラスチック基板側から侵入する水分の影
響を有効に低減することができ、長寿命の発光装置を実現できる。
の間に、可視光に対する透光性を有する導電層を有することから、有機樹脂の帯電(有機
樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中の静電気による帯電)が原因で起
こるトランジスタの誤動作を抑制することができる。よって、本実施の形態におけるフレ
キシブル発光装置は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を有し、歩留まりが高く信頼性
の高いフレキシブル発光装置であるということができる。
おいても良い。トランジスタとしては、アモルファスシリコンを用いたトランジスタや酸
化物半導体を用いたトランジスタなど高い熱をかけずに作製できるものはもちろん、耐熱
性の高い作製基板上でトランジスタを作製できることによって結晶質シリコンなど、ある
程度の加熱やレーザ処理が必要な結晶質半導体層を用いたトランジスタも作製が可能であ
る。このことから、本実施の形態のフレキシブル発光装置は、結晶質半導体を用いたトラ
ンジスタを有するアクティブマトリクス型のフレキシブル発光装置とすることができる。
また、駆動回路部やCPUを画素部と同じ基板上に作り込むことで、別途駆動回路やCP
Uを装着するよりもコスト面や作製工程面で非常に有利なフレキシブル発光装置を作製す
ることも可能となる。
封止基板として、充分な可撓性を有し、透水性の低い金属基板123を用いることによっ
て、封止基板側からの水分の侵入の影響も良好に抑えることが可能である。図1(C)に
示したフレキシブル発光装置は保護層112及び金属基板123が設けられているため、
プラスチック基板面と金属基板面の両面から水分の侵入を抑制でき、長寿命の発光装置を
実現できる。金属基板123は可撓性を得るために、厚さが10μm以上200μm以下
のものを用いる。なお、曲げ性を損なわないため、20μm以上50μm以下の厚さが好
ましい。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、またはアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適に用いる
ことができる。なお、金属基板を構成する材料は、接着する前に、真空中でのベークやプ
ラズマ処理を行うことによって、その表面に付着した水を取り除いておくことが好ましい
。
光に対する透光性を有さないため、図1(C)に示した発光装置はトランジスタが設けら
れたプラスチック基板110側から発光を取り出すいわゆるボトムエミッション型の発光
装置となる。なお、金属基板123はプラスチック基板110と同様に、接着剤層を介し
て発光素子127と接着されるため、発光素子127の第2の電極120と金属基板12
3との間には第2の接着剤層122が存在する。
ができる。例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの接着剤を用
いることができる。これら接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。
せて使用しても良い。熱伝導性のフィラーを分散させた第2の接着剤層122の熱伝導率
は、0.50W/m・K以上であることが好ましい。さらに好ましくは1.0W/m・K
以上である。熱伝導性のフィラーとしては、第2の接着剤層に用いる、上記樹脂よりも熱
伝導率が高い材料を用いる。特に好ましくは、熱伝導率が30W/m・K以上の材料を用
いる。例えば、熱伝導率が260W/m・Kであるアルミニウム、300W/m・Kであ
る窒化アルミニウム、36W/m・Kであるアルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素等が挙げら
れる。また、その他の熱伝導性フィラーとしては、例えば、銀、熱伝導率が388W/m
・Kである銅等の金属粒子がある。また、熱伝導性フィラーに、乾燥剤として機能するフ
ィラーを用いると、第2の接着剤層122は、熱伝導性に加え耐湿性が向上するため、好
ましい。また、熱伝導性のフィラーと乾燥剤として機能するフィラーを混合して用いても
良い。乾燥剤として機能するフィラーとしては、例えばゼオライトが挙げられる。なお、
曲げ性を損なわないため、第2の接着剤層122に用いるフィラーの粒子径は1nm以上
1000nm以下であることが好ましい。フィラーの粒子径が大きいと、曲げた際に欠陥
やクラックの起点となってしまうことがある。
状の接着剤を、ラミネーターを用いて金属基板に貼り合わせておき、それを、ラミネータ
ーを用いてさらに発光素子上に接着する方法や、スクリーン印刷などで金属基板に接着剤
を印刷しておき、それを、ラミネーターを用いて発光素子上に接着する方法などがある。
この工程は、気泡が入るのを低減するため、減圧下で行うことが好ましい。
23にかかる押圧を分散し、金属基板123を保護することができる。樹脂層は、エポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化
性樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料、またはポリプロピレン、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂、
ポリエチレンナフタレート等の熱可塑性樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料
を用いて形成することができる。
箔を用いると、金属基板123は折れ(座屈し)やすくなる。曲げ性を保ちつつ、折れを
防止するために例えばガラス繊維に樹脂を充填した材料を形成し、繊維体を含んだ樹脂層
を設けても良い。繊維体を含んだ樹脂層を設けることで、曲げ及び折れに強いフレキシブ
ル発光装置を作製することができる。繊維体としては、例えば、ガラス繊維が好ましい。
繊維体を含んだ樹脂層の形成方法としては、樹脂の充填されたガラス繊維を接着剤で貼り
付ける方法、ガラス繊維に接着剤を充填した半硬化状態のものを金属基板123の上に設
置した後、硬化させる方法等がある。
、金属基板123や樹脂層に用いる材料よりも熱放射率の高い材料を用いて形成する。放
熱材料層としては、熱放射率が0.8以上の材料を用いる。さらに好ましくは、熱放射率
が0.9以上の材料を用いる。放熱材料層を設けることで、発光装置の表面温度の上昇を
抑制でき、発熱による発光装置の駆動電圧の上昇や破壊、信頼性低下を防ぐことができる
。
ギー量の、同じ温度の黒体(放射で与えられたエネルギーを100%吸収する仮想の物質
)から放射されるエネルギー量に対する比率を示す。
面と逆の面側にコート層124を設けても良い。コート層124は、有機膜、無機膜、若
しくはその両方を用いた積層膜など、様々な材料で形成することができ、柔らかいプラス
チック基板110の表面を傷などから保護することができるハードコート層(例えば窒化
珪素層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えばアラミド樹脂層等など)を指すもの
とする。
チック基板110の帯電を防止することができ、さらに好ましい。コート層124に用い
る可視光に対する透光性を有する導電膜の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化
錫、ITO、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジ
ウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素
を添加したインジウム錫酸化物、酸化アンチモンなどが挙げられる。コート層124は、
スパッタ法、印刷法、真空蒸着法などを用いて形成することができる。
スチック基板110に、静電気を帯びた人体の手、指などが触れ、放電が起きても、トラ
ンジスタや画素部を保護することができる。
の侵入を抑制する保護層としても機能させることができる。
より、さらに水分の侵入を抑制した構造としても良い。防水層125は、透水性の低い材
料を用いて形成すれば良く、例えば窒化珪素層や窒化酸化珪素層など、窒素及び珪素を含
む層を用いることができる。また、窒素及びアルミニウムを含む層や、酸化アルミニウム
層を用いても良い。
用してもよい。また、図1(C)では、コート層124及び防水層125を図1(A)の
フレキシブル発光装置に適用する例を示したが、これらの構成はもちろん図1(B)のフ
レキシブル発光装置に適用することもできる。
現するディスプレイ用途で本実施の形態におけるフレキシブル発光装置を用いる場合は、
複数の発光素子127を有する画素部を形成する。また、フルカラーの画像を表示する場
合には、少なくとも赤、緑、青の3色の光を得ることが必要となる。その方法としては、
色ごとにEL層119の必要な部分を塗り分けする方法、すべての発光素子を白色発光と
してカラーフィルタ層を透過させることによって各々の色を得る方法、全ての発光素子を
青もしくはそれより波長の短い発光とし色変換層を介して各々の色を得る方法などがある
。
ついて説明する図を示す。図2(A)乃至(D)に示すフレキシブル発光装置は、カラー
フィルタ層(又は色変換層)300、及びバリア層301を有する。バリア層301はカ
ラーフィルタ層(又は色変換層)300から発生するガスの影響を発光素子やトランジス
タが受けないようにするために設置されるが、これは必ずしも設ける必要はない。カラー
フィルタ層(又は色変換層)300は発光素子127に対応し、色ごとに設けられるが、
隣り合う色のカラーフィルタ層同士は、発光素子127の開口領域(第1の電極、EL層
、及び第2の電極が直接重なっている部分)以外の場所において重なっていても良い。カ
ラーフィルタ層(又は色変換層)300とバリア層301は画素部のみに形成しても、駆
動回路部まで形成してもよい。
04上にカラーフィルタ層300を形成し、有機絶縁膜によりカラーフィルタ層による段
差を平坦化する平坦化層306を形成する。その後、平坦化層306にコンタクトホール
を形成し、発光素子の第1の電極117とトランジスタの電極307を接続する電極30
5を形成して、発光素子の第1の電極117を設けた一例である。また、平坦化層306
上にバリア層301を設けても良い。
い。図2(B)では、バリア層301を形成した後、バリア層301上にカラーフィルタ
層300を形成する。その後、層間絶縁層304及びトランジスタの電極305を形成し
て、発光素子の第1の電極117を設けた一例である。
ないが、発光装置においては、赤、青及び緑のカラーフィルタ層(又は色変換層)が適宜
所定の配置及び形状で形成されている。カラーフィルタ層(又は色変換層)の配列パター
ンは、ストライプ配列、斜めモザイク配列、三角モザイク配列などがあるが、どのような
配列をとっても良い。また、白色発光素子とカラーフィルタ層を用いる場合、RGBW4
画素配列を採用しても良い。RGBW4画素配列は、赤、青、緑3色のカラーフィルタ層
が設けられた画素と、カラーフィルタ層を設けない画素とを有する画素配置であり、消費
電力の低減などに効果を発揮する。また、白色発光素子は例えば赤、青及び緑色の光を含
み、NTSC(National Television Standards Com
mittee)で定められた赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であること
が好ましい。
ーンは、感光性の樹脂を使う場合はカラーフィルタ層そのものを露光及び現像して形成し
てもよいが、微細なパターンであるため、ドライエッチングによってパターンを形成する
ことが好ましい。
る構成の例である。カラーフィルタ基板302のカラーフィルタ層300が形成されてい
ない面をプラスチック基板110に第1の接着剤層111を用いて貼り合わせる場合、カ
ラーフィルタ基板302には、カラーフィルタ層300を傷などから保護する為のコート
層303を設けていても良い。コート層303は可視光に対する透光性を有する材料で構
成し、コート層124と同じ材料を用いることができる。また、図示していないがカラー
フィルタ基板302のカラーフィルタ層300が形成された側をプラスチック基板110
側に向けて貼り合わせても良い。なお、カラーフィルタ基板302とは、可撓性及び可視
光に対する透光性を有する各種基板、例えばプラスチック基板110と同様の材料にカラ
ーフィルタ層300を形成したものである。
製したカラーフィルタ基板302を、第1の電極を有する被剥離層116に直に貼り合わ
せる構成の例である。カラーフィルタ層300を設けたプラスチック基板110からなる
カラーフィルタ基板302を、第1の電極を有する被剥離層116に直に貼り合わせるこ
とにより、部品点数を削減し作製コストが低減できる。以上、簡単にカラーフィルタ層(
又は色変換層)の設置について説明したが、この他、各発光素子の間にブラックマトリク
スが設けられていても良いし、その他公知の構成が適用されていても良い。
の作製方法を図3(A)乃至(E)及び図1(A)、(C)を用いて説明する。
1の電極117等を含む被剥離層116を形成する(図3(A)参照)。
面に絶縁層が形成された金属基板など、良質な保護層を形成することができる程度に耐熱
性の高い基板を用いることができる。
ることから、高精細に画素部トランジスタを設けることもできる。
グステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム
、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、珪素から選択さ
れた元素、又は該元素を主成分とする合金材料、又は該元素を主成分とする化合物材料か
らなる層を、単層又は積層で形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多
結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗布法は、スピンコーティング法、液滴
吐出法、ディスペンス法、ノズルプリンティング法、スロットダイコーティング法を含む
。
グステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タン
グステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当す
る。
層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、2層目として、タングス
テン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物
又は窒化酸化物を含む層を形成する。
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層
を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒
化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上
層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。さらには、タング
ステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素ガス、窒素ガス、一酸化二窒素ガス、あるいはこれらガスとその他
のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。
2は窒化珪素や酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など、窒素と珪素を含む絶縁層をプラズマC
VDにより形成し、その成膜温度を250℃〜400℃、及びその他の条件を公知の条件
にすることによって、緻密で非常に透水性の低い層とすることができる。
地絶縁層113は、酸化珪素や窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などの無機絶縁層
を用い、単層若しくは積層にて作製することができる。なお、保護層112が下地となる
絶縁層を兼ねることが出来る場合は、下地絶縁層113は形成しなくとも良い。
材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質(アモルファス、以
下「AS」ともいう)半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶(セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「SAS」ともいう)半導体、有機材料を主成分とする半導体など
を用いることができる。半導体層はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法
等により成膜することができる。
状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導
体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対し
て法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマン
スペクトルが単結晶シリコンを示す520cm−1よりも低波数側に、シフトしている。
即ち、単結晶シリコンを示す520cm−1とアモルファスシリコンを示す480cm−
1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手(ダングリ
ングボンド)を終端するため水素またはハロゲンを1原子%以上含ませている。さらに、
ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに
助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体層が得られる。
たは周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD法により形成することができる。
例えば、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4
などを水素で希釈して形成することができる。これらの化合物に対して水素の流量比を5
倍以上200倍以下、好ましくは50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とす
る。また、水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種また
は複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体層を形成することができる。
は例えばポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン(多結晶シリコン)には、800
℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリ
シリコンや、600℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用い
た所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結
晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又
は一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
nP、SiC、ZnSe、GaN、SiGeなどのような化合物半導体も用いることがで
きる。また酸化物半導体である酸化亜鉛、酸化スズ、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウ
ム、酸化インジウム、及び上記酸化物半導体の複数より構成される酸化物半導体などを用
いることができる。例えば、酸化亜鉛と酸化インジウムと酸化ガリウムとから構成される
酸化物半導体なども用いることができる。なお、酸化亜鉛を半導体層に用いる場合、ゲー
ト絶縁層をY2O3、Al2O3、TiO2、それらの積層などを用いるとよく、ゲート
電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ITO、アルミニウム、チタン、タン
グステンなどを用いるとよい。また、酸化亜鉛にインジウムやガリウムなどを添加するこ
ともできる。なお、半導体層に可視光に対する透光性を有する酸化物半導体層を利用した
透明トランジスタを、画素部のトランジスタに適用することもできる。このような透明ト
ランジスタに発光素子を重ねて形成すると、画素に占める発光素子の面積率、いわゆる開
口率を高めることができ、高輝度で高解像度のフレキシブルな表示装置を形成できる。ま
た、透明トランジスタのゲート電極、ソース電極やドレイン電極を、可視光に対する透光
性を有する導電層を用いて形成すると、さらに開口率を高めることができる。
法(レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等)を用いれば良い。また、SASである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下500℃で1時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD
法、プラズマ処理法(プラズマCVD法も含む)、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。
体層に結晶化を促進する元素(触媒元素、金属元素とも示す)を添加し、熱処理(550
℃〜750℃で3分〜24時間)により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長(促進)す
る元素としては、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミ
ウム、イリジウム、白金、銅及び金から選ばれた一種又は複数種を用いることができる。
接して、不純物元素を含む半導体層を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、n型を付与する不純物元素、p型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン、窒素、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ボロン、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種を用い
ることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体層に、希ガス元素を含む半導
体層を形成し、熱処理(550℃〜750℃で3分〜24時間)を行う。結晶性半導体層
中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体層中に移動し、結晶性半
導体層中の結晶化を促進する元素は除去、又は低減される。その後、ゲッタリングシンク
となった希ガス元素を含む半導体層を除去する。
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体層を選択的に作製基板の下地絶縁層上に形
成してもよい。
炭素の同素体(ダイヤモンドを除く)からなる物質を主成分とする半導体層を用いること
ができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレ
ン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シア
ニン色素等が挙げられる。
層は酸化珪素の単層又は酸化珪素と窒化珪素との積層構造など、公知の構造で作製すれば
よいし、ゲート電極は、CVD法やスパッタ法、液滴吐出法などを用い、銀、金、銅、ニ
ッケル、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、タングステン、アルミニウム、タン
タル、モリブデン、カドミウム、亜鉛、鉄、チタン、珪素、ゲルマニウム、ジルコニウム
、バリウムから選ばれた元素、又は該元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で
形成すればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン層に代表さ
れる半導体層や、Ag−Pd−Cu合金を用いてもよい。また、単層構造でも複数層の構
造でもよい。
、ボトムゲートや公知の他の構造のトランジスタを用いても構わない。
単層又は積層で形成することができる。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン等を使用することができる
。なお、図1では、第1の層間絶縁層128及び第2の層間絶縁層129の2層から成る
構成を示したが、これは一例を示したものであり、層間絶縁層の構成はこれに限定される
ものではない。
、ゲート絶縁層などにトランジスタの半導体層に達するコンタクトホールを形成し、導電
性の金属膜をスパッタ法又は真空蒸着法によって成膜してエッチングによってトランジス
タの電極及び配線を形成する。画素部トランジスタのドレイン電極は画素電極である第1
の電極と重なる部分を設け、電気的な接続が得られるように形成する。
1の電極117が陽極である場合、可視光に対する透光性を有する導電層は、酸化インジ
ウム(In2O3)やITOなどを材料として用い、スパッタ法や真空蒸着法などで形成
することができる。酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3−ZnO)を用いても良い
。また、酸化亜鉛も適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガ
リウムを添加した酸化亜鉛(ZnO:Ga)などを用いることができる。第1の電極11
7を陰極とする場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そ
のような物質の薄膜と上述のような可視光に対する透光性を有する導電層との積層構造を
用いることによって作製することができる。
い材料を用いて第1の電極117を形成すると、光の取り出し効率が向上するため好まし
い。
絶縁層を形成し、当該絶縁層を第1の電極117の表面が露出し且つ第1の電極117の
端部を覆うように加工して隔壁118を形成する。
離層201を用いて被剥離層116を作製基板200より剥離する。これにより被剥離層
116は、仮支持基板202側に設けられる。続いて、作製基板200から剥離され、剥
離層201、若しくは保護層112が露出した被剥離層116に、可視光に対する透光性
を有する導電層130を形成する(図3(B)参照)。可視光に対する透光性を有する導
電層130としては、前述した通りの材料を用いることができる。可視光に対する透光性
を有する導電層130は、スパッタ法、印刷法、真空蒸着法などを用いて形成することが
できる。
板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有する
プラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。
により可塑化させることが可能であるような、必要時に仮支持基板202と被剥離層11
6とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。
層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜
を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱
性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場
合はレーザ光の照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離
層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金
属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一
部を溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後
、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素
、酸素や水素等を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有
合金膜など)を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素
をガスとして放出させ、被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。
lF3等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場
合、剥離層を設けなくとも良い。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層201をエッチングしながら剥離を行うと良い
。
着剤による第1の接着剤層111を用いてプラスチック基板110を接着する(図3(C
)参照)。
、プラスチック基板110には予め防水層125を成膜しておいても良い。
。仮支持基板202を取り除いたら、発光素子の第1の電極117が露出するように剥離
用接着剤203を水や溶媒などで除去する(図3(D)参照)。
16をプラスチック基板110上に作製することができる。
る。EL層119の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層
、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物
質を含む層、バイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質を含む層等を適宜
組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、
電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。
成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
ン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物
等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニ
ン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’−ビス[N−(4−ジフ
ェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N
’−ビス[4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル]−N,N’−ジフェニ
ル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族ア
ミン化合物、或いはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスル
ホン酸)(略称:PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形成するこ
とができる。
材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有さ
せたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことが
できる。つまり、第1の電極117として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の
小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8−テト
ラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、ク
ロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元
素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的
には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化
タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特
に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用い
ることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化
合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有す
る物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具
体的に列挙する。
ニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジ
フェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,
N’−ビス[4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル]−N,N’−ジフェ
ニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,
5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(
略称:DPA3B)等を挙げることができる。
9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−
イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、
3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−
9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カ
ルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9
−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[4
−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用い
ることができる。
ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5
−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,
10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10
−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセ
ン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnt
h)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、
2−tert−ブチル−9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン
、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テ
トラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチ
ル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10
’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル
)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェ
ニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6c
m2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いるこ
とがより好ましい。
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジ
フェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジ
フェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
ルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルア
ミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略
称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(
フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物を複合材料に用い
ることもできる。
例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略
称:NPB)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,
1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス
(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4
’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン
(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2
−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合
物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔
移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら
以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけで
なく、上記物質からなる層が二層以上積層したものでもよい。
る発光層であっても、ホスト材料中に発光材料を分散するいわゆるホスト−ゲスト型の発
光層であってもどちらでも構わない。
る。蛍光発光性材料としては、例えばN,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−
イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YG
A2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アン
トリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、等の他、発光波長が450nm以上
の4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(9,10−ジフェニル−2−アント
リル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−
(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略
称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン(
略称:TBP)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9
H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)、N,N’’
−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビ
ス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPABP
A)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPPA)、N−[4−(9,
10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,
4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N’’,N’
’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン−2,7,10,
15−テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30、N−(9,10−ジフェニル−
2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2P
CAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリ
ル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA
)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−
1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’
−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4
−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェ
ニル−2−イル)−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェ
ニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニル
アントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)、クマリン545T、N,N’−ジ
フェニルキナクリドン、(略称:DPQd)、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビ
フェニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)、2−(2−
{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4
−イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2−{2−メチル−6−[2−(
2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エ
テニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,
N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(
略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4
−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略
称:p−mPhAFD)、2−{2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テト
ラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9
−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJ
TI)、2−{2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2
,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテ
ニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTB)、2−
(2,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−4H−ピラン−
4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM)、2−{2,6−ビス[2−
(8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H
,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデ
ン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)などが挙げられる。燐光発光性材料
としては、例えば、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C
2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)
、の他、発光波長が470nm〜500nmの範囲にある、ビス[2−(4’,6’−ジ
フルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称
:FIrpic)、ビス[2−(3’,5’−ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジ
ナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2
(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’
]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)、発光波長が5
00nm(緑色発光)以上のトリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(
略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、トリス(アセチルアセトナ
ト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Ph
en))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート
(略称:Ir(bzq)2(acac))、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサ
ゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo
)2(acac))、ビス[2−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]
イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(aca
c))、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(bt)2(acac))、ビス[2−(2’−ベンゾ[
4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−
N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(a
cac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノ
キサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、(アセ
チルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(
略称:Ir(tppr)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−
オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)、トリ
ス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロ
ピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイ
ル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(
III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))等が挙げられる。以上のような材料又
は他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:
Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(
略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト
)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)
(略称:Znq)、ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(
略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(I
I)(略称:Zn(BTZ)2)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,
3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2
−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5
−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2
,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベン
ゾイミダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バ
ソキュプロイン(略称:BCP)、9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジア
ゾール−2−イル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CO11)などの複素環化
合物、NPB(またはα−NPD)、TPD、BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げ
られる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘
導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的
には、DPAnth、PCAPA、YGAPA、2PCAPA、DBC1、CzPA、D
PPA、DNA、t−BuDNA、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−
9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)
、4−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、
N,9−ジフェニル−N−{4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]
フェニル}−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPBA)、6,12−ジメ
トキシ−5,11−ジフェニルクリセン、3,6−ジフェニル−9−[4−(10−フェ
ニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,
9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイル)
ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル)ジ
フェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5−ト
リイル)トリピレン(略称:TPB3)などを挙げることができる。これら及び公知の物
質の中から、各々に分散される発光物質のエネルギーギャップ(燐光発光の場合は三重項
励起エネルギー)より大きなエネルギーギャップ(三重項励起エネルギー)を有し、且つ
各々の層が有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。
eBq2、BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等か
らなる層である。また、この他Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2などのオキサゾール
系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体
以外にも、PBDや、OXD−7、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができ
る。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質であ
る。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層と
して用いても構わない。
のでもよい。
れは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した
層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節する
ことが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生
する問題(例えば素子寿命の低下)の抑制に大きな効果を発揮する。
ム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム等のよ
うなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例え
ば、Alq中にマグネシウムを含有させたもののように、電子輸送性を有する物質からな
る層中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの等を用
いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中に、
アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いると、第2の電極120から
の電子注入が効率良く行われるため、より好ましい。
質としては、第2の電極120を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい(具体的
には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用い
ることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第
2族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(Mg−Ag
、Al−Li等)、ユウロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、及びこれらを含む合
金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けること
により、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ITO、珪素若しくは酸化珪素
を含有したITO等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材
料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが
可能である。
等)とアルミニウムの積層構造を用いることもできる。このような構造とすることで、ダ
ークスポットの増加や拡大を抑制することができる。
.0eV以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好
ましい。具体的には、例えば、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有したITO、酸化イ
ンジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステ
ン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性
金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製し
ても構わない。例えば、IZO膜は、酸化インジウムに対し1〜20wt%の酸化亜鉛を
加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、IWZ
O膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1
〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、
パラジウム、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。また、上
述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材
料を選択することができる。
複数積層されていても良い。この場合、積層されたEL層800とEL層801との間に
は、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形
成することができる。また、電荷発生層803は複合材料よりなる層と他の材料よりなる
層との積層構造をなしていてもよい。この場合、他の材料よりなる層としては、電子供与
性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、可視光に対する透光性を有する導電層より
なる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移
動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで、高い発光効率と長い
寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他
方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用
いることができる。
いて説明する。図6(B)のようにEL層1003が、例えばn(nは2以上の自然数)
層の積層構造を有する場合には、m(mは自然数、mは1以上n−1以下)番目のEL層
と、(m+1)番目のEL層との間には、それぞれ電荷発生層1004が挟まれた構造を
有する。
したときに、電荷発生層1004に接して形成される一方のEL層1003に対して正孔
を注入する機能を有し、他方のEL層1003に電子を注入する機能を有する。
ができる。また、電荷発生層1004は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と、他の材
料(例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物)とを組み合わせ
て形成しても良い。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料よりなる層と、他の材料
(例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物)よりなる層との積
層構造をなしていても良い。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機
化合物とV2O5やMoO3やWO3等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香
族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポ
リマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送
性有機化合物として正孔移動度が10−6cm2/Vs以上であるものを適用することが
好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用い
てもよい。なお、電荷発生層1004に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリ
ア輸送性に優れているため、発光素子の低電流駆動を実現することができる。
作製することができる。例えば、照明装置に用いる白色フレキシブル発光装置や、図2の
構成と組み合わせることによって、フルカラーフレキシブル発光装置を作製することがで
きる。
あればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第1のEL層と、緑色と赤色
の燐光材料を発光物質として含む第2のEL層を有する構成が挙げられる。また、補色の
関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。EL層が2層
積層された積層型素子において、第1のEL層から得られる発光の発光色と第2のEL層
から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、
あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質とし
ては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。
有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。
す第1の発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第2の
発光層とを有し、第2のEL層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペク
トルを示す第3の発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第4の発光層とを有するものとする。
光を合わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域の両
方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第1のEL層は2波長型の白色ま
たは白色に近い色の発光を呈する。
合わせたものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両方に
ピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第2のEL層は、第1のEL層とは異
なる2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。
により、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長領域、橙
色〜赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度の発光が可能であり、そのため長寿命
素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので
、大面積での均一発光が可能となる。
3(E))。封止層121に用いることができる材料は前述の通りである。
ことができる。
ブル発光装置の作製方法について図7(A)乃至(E)及び図1(B)を用いて説明する
。以下に示す作製工程(適用できる材料等)は多くの部分で、上述の作製工程(図3参照
)と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる
点について詳細に説明する。
1の電極117等を含む被剥離層116を作製する(図7(A)参照)。このとき、被剥
離層116には、可視光に対する透光性を有する導電層130を含む。
層112上に可視光に対する透光性を有する導電層130を形成する。そして、可視光に
対する透光性を有する導電層130上に、下地絶縁層113を形成する。
上に可視光に対する透光性を有する導電層130を形成し、可視光に対する透光性を有す
る導電層130上に保護層112を形成し、保護層112上に下地絶縁層113を形成す
れば良い。
続いて、層間絶縁層を形成する。層間絶縁層を形成後、パターニング及びエッチングを行
うことによって、層間絶縁層、ゲート絶縁層などにトランジスタの半導体層に達するコン
タクトホールを形成し、導電性の金属膜をスパッタ法又は真空蒸着法によって成膜して、
エッチングによってトランジスタのソース電極層、ドレイン電極層及び配線を形成する。
素電極である第1の電極117は、画素部トランジスタのドレイン電極と重なる部分を設
け、電気的な接続が得られるように形成する。その後、層間絶縁層、第1の電極117を
覆って有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、当該絶縁層を第1の電極
117の表面が露出し且つ第1の電極117の端部を覆うように加工して隔壁118を形
成する。
離層201を用いて被剥離層116を作製基板200より剥離する。これにより被剥離層
116は、仮支持基板202側に設けられる(図7(B)参照)。
光に対する透光性を有する導電層130)が露出した被剥離層116に剥離用接着剤20
3とは異なる接着剤による第1の接着剤層111を用いてプラスチック基板110を接着
する(図7(C)参照)。
。仮支持基板202を取り除いたら、発光素子の第1の電極117が露出するように剥離
用接着剤203を水や溶媒などで除去する(図7(D)参照)。
16をプラスチック基板110上に作製することができる。
電極120を形成する。そして、第2の電極120上に封止層121を形成する(図7(
E)参照)。
きる。
117までを作製基板上に形成し、剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発
明はこれに限らず、発光素子127まで形成してから(すなわち、発光素子の第2の電極
120を形成後)剥離、転置を行っても良い。また、保護層112のみ作製基板に形成し
、プラスチック基板110に剥離、転置した後、トランジスタや発光素子を作製しても良
い。
ック基板110の第1の接着剤層111と接する面と逆の面側にコート層124を設け、
画面に付いてしまう傷や押圧による破損を防止しても良い。
いても良い。繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維と
は、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポ
リビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊
維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、ま
たは炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガ
ラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、こ
の繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体をプラスチック基板110と
して用いても良い。プラスチック基板110として繊維体と有機樹脂からなる構造体を用
いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。
る場合、発光素子からの光が外部に出るのを妨げることを低減するために、当該繊維体を
直径100nm以下のナノファイバーとすることが好ましい。また、繊維体と有機樹脂や
接着剤の屈折率を合わせることが好ましい。
、繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体を用いることが出来る。この
際、当該構造体の有機樹脂としては、反応硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型など追加処理
を施すことによって硬化が進行するものを用いると良い。
ト)を貼り付ける。必要があればICチップなどを実装させても良い。
に示す。
した断面図である。図4(A)において、第1の接着剤層500を介してプラスチック基
板110上に、可視光に対する透光性を有する導電層530が設けられ、導電層530上
に、保護層501及び下地絶縁層531が設けられ、下地絶縁層531上に画素部502
、ソース側駆動回路504、及びゲート側駆動回路503が形成されている。
層400によって金属基板401が接着されることで封止を行っている。
ための配線である配線508は、外部入力端子となるFPC402からビデオ信号やクロ
ック信号を受け取る。なお、ここではFPC402しか図示されていないが、このFPC
にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書中で開示するフ
レキシブル発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り
付けられた状態をも含むものとする。
可視光に対する導電層530が設けられ、導電層530上に保護層501及び下地絶縁層
531が設けられ、下地絶縁層531の上方には画素部502、ゲート側駆動回路503
が形成されており、画素部502は電流制御用トランジスタ511とそのドレインに電気
的に接続された画素電極512を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動
回路503はnチャネル型トランジスタ513とpチャネル型トランジスタ514とを組
み合わせたCMOS回路を用いて形成される。
隔壁118を、窒化珪素や酸化窒化珪素、窒化酸化珪素及び酸化珪素のような無機材料に
より形成する。そして、第2の接着剤層400と金属基板401の周辺端部は隔壁118
の周辺端部よりフレキシブル発光装置の中心部に近くなるように設置する。すなわち、第
2の接着剤層400及び金属基板401は隔壁118よりその面積が小さく、隔壁118
の上に収まるように設置する。そして低融点金属520を第2の接着剤層400の側面を
覆うように形成する。これにより、第2の接着剤層400の側面端部からの水分の侵入を
非常に有効に遮断出来、さらなるフレキシブル発光装置の寿命の向上を実現できる。低融
点金属520としては、特に限定はないが、概ね45℃〜300℃で融着可能な金属材料
を用いると良い。300℃程度の融着温度であれば、画素部周辺且つ隔壁の上での部分的
な温度上昇であるため、発光素子やプラスチック基板に損傷を与えること無く融着するこ
とが可能である。そのような材料としては、スズ、銀、銅、インジウムなどを含む金属材
料が挙げられる。また、これらにビスマスなどがさらに含まれていても良い。
にトランジスタを作製することができることから、移動度の高い結晶質シリコンなどの結
晶質半導体を用いたトランジスタを用いることができるため、このような駆動回路部を同
時に作り込むことができ、より安価にフレキシブル発光装置を作製することができるよう
になる。
の接着剤層とトランジスタとの間に、可視光に対する透光性を有する導電層を有すること
から、有機樹脂の帯電(有機樹脂内のイオン性不純物による帯電や、作製プロセス中の静
電気による帯電)が原因で起こるトランジスタの誤動作を抑制することができる。よって
、本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、表示ムラが生じず、良好な表示特性を
有し、歩留まりが高く信頼性の高いフレキシブル発光装置を実現できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明
する。
カメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置
(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(
モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備え
た画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる
。これらの電子機器の具体例を図5に示す。
ーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置の表示部9103
は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ
長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したテレビ装置は、表示
部9103において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的
安価な商品とすることが可能となる。
ボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。
このコンピュータの表示部9203は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによ
って作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光
装置を搭載したコンピュータは、表示部9203において、曲面の表示が可能かつ軽量化
を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。
部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407等を含む
。この携帯電話の表示部9403は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによっ
て作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装
置を搭載した携帯電話は、表示部9403において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現
しながら高い画質の映像を提供することが可能となる。また軽量化が図られた本実施の形
態における携帯電話は、様々な付加価値を備えても携帯に適した重量にとどめることがで
き、当該携帯電話は高機能な携帯電話としても適した構成となっている。
ート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入
力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラの表示部950
2は、実施の形態1に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且
つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態1に記載の発光装置を搭載したカメラは、表示部
9502において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安
価な商品とすることが可能となる。
603、スピーカー部9604、操作キー9605等を含む。本体9601には他にテレ
ビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなどが搭載されていても良い
。このディスプレイの表示部9602は実施の形態1に示した発光装置を用いることによ
って作製される。フレキシブルな表示部9602は本体9601内に巻き取ることで収納
することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる
実施の形態1に記載の発光装置を搭載したディスプレイは、表示部9602において、携
帯好適性かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能と
なる。
らゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
111 第1の接着剤層
112 保護層
113 下地絶縁層
114 画素部トランジスタ
115 駆動回路部トランジスタ
116 被剥離層
117 第1の電極
118 隔壁
119 EL層
120 第2の電極
121 封止層
122 第2の接着剤層
123 金属基板
124 コート層
125 防水層
127 発光素子
128 第1の層間絶縁層
129 第2の層間絶縁層
130 導電層
200 作製基板
201 剥離層
202 仮支持基板
203 剥離用接着剤
300 カラーフィルタ層
301 バリア層
302 カラーフィルタ基板
303 コート層
304 層間絶縁層
305 電極
306 平坦化層
307 電極
400 第2の接着剤層
401 金属基板
402 FPC
500 第1の接着剤層
501 保護層
502 画素部
503 ゲート側駆動回路
504 ソース側駆動回路
511 電流制御用トランジスタ
512 画素電極
513 nチャネル型トランジスタ
514 pチャネル型トランジスタ
520 低融点金属
530 導電層
531 下地絶縁層
600 第1の電極
601 第2の電極
800 EL層
801 EL層
803 電荷発生層
1001 第1の電極
1002 第2の電極
1003 EL層
1004 電荷発生層
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
9601 本体
9602 表示部
9603 外部メモリ挿入部
9604 スピーカー部
9605 操作キー
Claims (6)
- プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上の接着剤層と、
前記接着剤層上の導電層と、
前記導電層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上において、前記半導体層と電気的に接続する発光素子と、を有し、
前記導電層には電圧が印加され、
前記導電層は、前記接着剤層の帯電を防ぐ機能を有することを特徴とする発光装置。 - プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上の接着剤層と、
前記接着剤層上の導電層と、
前記導電層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上において、前記半導体層と電気的に接続する発光素子と、
前記発光素子を覆う封止層と、を有し、
前記発光素子は、有機化合物を含む層を有し、
前記導電層には電圧が印加され、
前記導電層は、前記接着剤層の帯電を防ぐ機能を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記半導体層は、結晶質シリコンを有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記接着剤層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の材料を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015128911A JP6077059B2 (ja) | 2010-01-20 | 2015-06-26 | 発光装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010010430 | 2010-01-20 | ||
JP2010010430 | 2010-01-20 | ||
JP2015128911A JP6077059B2 (ja) | 2010-01-20 | 2015-06-26 | 発光装置、電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011008071A Division JP5771010B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-18 | 発光装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015213078A true JP2015213078A (ja) | 2015-11-26 |
JP6077059B2 JP6077059B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=44276928
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011008071A Expired - Fee Related JP5771010B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-18 | 発光装置及び電子機器 |
JP2015128911A Expired - Fee Related JP6077059B2 (ja) | 2010-01-20 | 2015-06-26 | 発光装置、電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011008071A Expired - Fee Related JP5771010B2 (ja) | 2010-01-20 | 2011-01-18 | 発光装置及び電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9000442B2 (ja) |
JP (2) | JP5771010B2 (ja) |
KR (1) | KR101987000B1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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KR102479944B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2013251255A (ja) | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
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KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
TWI669835B (zh) | 2012-07-05 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
KR102481056B1 (ko) | 2012-08-10 | 2022-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 장치 |
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JPWO2014141330A1 (ja) | 2013-03-13 | 2017-02-16 | パナソニック株式会社 | 電子デバイス |
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KR102398137B1 (ko) | 2013-07-02 | 2022-05-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 데이터 처리 장치 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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