JP2015212375A - 赤色発光蛍光体の製造方法 - Google Patents

赤色発光蛍光体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015212375A
JP2015212375A JP2015088859A JP2015088859A JP2015212375A JP 2015212375 A JP2015212375 A JP 2015212375A JP 2015088859 A JP2015088859 A JP 2015088859A JP 2015088859 A JP2015088859 A JP 2015088859A JP 2015212375 A JP2015212375 A JP 2015212375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
combinations
formula
doped
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015088859A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6577226B2 (ja
Inventor
ロバート・ジョゼフ・リオンズ
Joseph Lyons Robert
ジェームズ・エドワード・マーフィー
Edward Murphy James
アナント・アチュット・セトラー,ジュニア
Achyut Setlur Anant Jr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2015212375A publication Critical patent/JP2015212375A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6577226B2 publication Critical patent/JP6577226B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617Silicates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

【課題】 式IのMn4+ドープ蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、A+陽イオンと、式MFyの陰イオンと、フルオロマンガン化合物を含むMnn+源とを酸性溶液中で混合し、酸性溶液からMnn+含有蛍光体前駆体を沈殿させ、Mnn+含有蛍光体前駆体を気体状の含フッ素酸化剤と高温で接触させてMn4+ドープ蛍光体を形成することを含む。
x[MFy]:Mn4+ (I)
式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、
MはSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はそれらの組合せであり、
xは[MFy]イオンの電荷の絶対値であり、
yは5、6又は7であり、
nは2又は3である。
【選択図】図1

Description

本発明は蛍光体の製造方法に関する。
米国特許第7358542号、同第7497973号及び同第7648649号に記載されているようなMn4+で賦活された複合フッ化物系赤色発光蛍光体は、YAG:Ce、その他のガーネット化合物のような黄色/緑色発光蛍光体と組合せて用いると、現行の蛍光、白熱及びハロゲンランプで得られるのと同等の、温白色光(黒体軌跡でCCT<5000K、演色評価数(CRI)>80)を青色LEDから得ることができる。これらの材料は、青色光を強く吸収して、約610〜635nmで効率的に発光し、濃赤/NIR発光が少ない。そのため、目の感度の低い濃赤域で顕著に発光する赤色蛍光体と比べると、発光効率が最大となる。量子効率は、青色(440〜460nm)励起で85%を超える。
蛍光体の製造方法は、通例、溶媒としてフッ化水素酸を必要とする。例えば、国際公開第2007/100824号には、溶媒としてHF水溶液を用いる複合フッ化物蛍光体の製造法が記載されている。この方法は、この極めて有害な物質を大量に使用するので、HFの不要な或いは少なくともその使用量が低減する代替手段があれば、経済的に有利である。
米国特許第7648649号明細書
本発明は、一態様では、式IのMn4+ドープ蛍光体のHFフリー製造方法に関する。
x[MFy]:Mn4+ (I)
式中、
AはLi、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、
MはSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はそれらの組合せであり、
xは[MFy]イオンの電荷の絶対値であり、
yは5、6又は7であり、
nは2又は3である。
本方法は、A+陽イオンと、式MFyの陰イオンと、フルオロマンガン化合物を含むMnn+源とを酸性溶液中で混合し、酸性溶液からMnn+含有蛍光体前駆体を沈殿させ、Mnn+含有蛍光体前駆体を気体状の含フッ素酸化剤と高温で接触させてMn4+ドープ蛍光体を形成することを含む。
特定の実施形態では、フルオロケイ酸水溶液中のMnn+源を、KF水溶液に添加して、Mnn+含有蛍光体前駆体であるK2SiF6:Mn2+又はK2SiF6:Mn3+を沈殿させる。
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点については、図面と併せて以下の詳細な説明を参照することによって理解を深めることができるであろう。図面を通して、同様の部材には同様の符号を付した。
本発明の一実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明の別の実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る照明装置の断面斜視図である。 バックライトLEDの表面実装デバイス(SMD)の概略斜視図である。
本発明の方法では、酸性溶液は、A+陽イオンと、式MFyの陰イオンと、Mnn+源とを混合して、Mnn+含有前駆体を形成するための媒質である。好適な酸性溶液は、式MFyの陰イオン及び前駆体Mnn+フルオロ陰イオンがいずれも安定なものである。酸は式Hx[MFy]のものであってもよく、好適な酸の具体例としては、H2SiF6、H2GeF6、H2TiF6及びそれらの組合せが挙げられる。特定の実施形態では、酸はフルオロケイ酸である。
+陽イオンは塩として供給され、A+の対応陰イオンは、フッ化物、塩化物、酢酸、塩化物、シュウ酸、二水素リン酸又はそれらの組合せでもよく、特にフッ化物である。好適な物質の具体例としては、KF、KHF、LiF、LiHF2、NaF、NaHF2、RbF、RbHF2、CsF、CsHF2及びそれらの組合せが挙げられる。特定の実施形態では、陰イオンはフッ化物である。式MFyの陰イオンは、式Hx[MFy]の酸から得ることもできるし、Cs2SiF6又はMgSiF6・6H2Oのような化合物を用いてもよい。Mnn+源として好適なフルオロマンガン化合物は、酸性溶液に溶解する際、Mnn+フロオロ陰イオンを生じる。好適なMn2+源の具体例としては、K2MnF4、KMnF3、MnF2、酢酸マンガン(II)、酸化マンガン(II)、炭酸マンガン(II)、硝酸マンガン(II)及びそれらの組合せが挙げられる。好適なMn3+源の具体例としては、K2MnF5・H2O、KMnF4、及びMnF3、酢酸マンガン(III)、酸化マンガン(III)及びそれらの組合せが挙げられる。Mnn+源の水和形は、低濃度のHFを生じる。MnF4、K2MnF6及びMnO2のようなMn4+源を用いてもよいが、HF非含有溶液中での安定性及び溶解性が限られており、マンガン還元を生じる。
式MFyの陰イオン及びMnn+源は、酸性溶液中でA+陽イオン及び式MFyの陰イオンと混合され、Mnn+含有蛍光体前駆体が沈殿する。フッ化物又は二フッ化物陰イオン又はそれらの組合せが溶液中に存在していてもよく、A+陽イオン及びフッ化物又は二フッ化物陰イオンの好適な源は、A+のフッ化物又は二フッ化物塩、AF又はAHF2でもよい。特定の実施形態では、Mnn+源を酸と混合してもよく、式MFyの陰イオンを生じてもよく、それにA+陽イオンが添加される。場合によっては、A+陽イオンを塩基性溶液(例えば、A+の炭酸又は水酸化物水溶液)に溶解させる。添加順序は、全ての実施形態で同じである必要はなく、場合によっては、KF溶液を酸性溶液に添加してもよい。MFy、陰イオン、Mnn+フルオロ陰イオン及びAFの原料の量は、前駆体形成反応の化学量論によって決まる。
前駆体は、式IIIのMnn+含有複合フッ化物蛍光体でもよい。
m[MFz]:Mnn+ (III)
式中、A、M及びnは上記で定義した通りであり、
mは[MFz]イオンの電荷の絶対値であり、
4≦z<7である。
本発明に係る方法では、中間体として形成し得るMnn+含有蛍光体前駆体一例は、Mn3+含有K2SiF6である。
特定の実施形態では、式Iの蛍光体はK2SiF6:Mn4+であり、Mnn+源をSiF6陰イオン及びKFと混合して、Mnn+含有K2SiF6を得る。例えば、Mnn+含有蛍光体前駆体(K2SiF6:Mn2+、又はK2SiF6:Mn3+)を沈殿させるため、Mnn+源をフルオロケイ酸水溶液中に溶解して、KF水溶液に添加してもよい。
ある実施形態では、式IのMn4+ドープ蛍光体は、酸性水溶液にほとんど溶解せず、形成時に沈殿する。蛍光体が、媒質中で沈殿するほど十分不溶性でない場合には、溶液に貧溶媒を加えても、蛍光体を沈殿させてもよい。貧溶媒としての使用に好適な溶媒は、Mnn+による作用を受けないものであり、アルコール類、ケトン類、カルボン酸及びリン酸、特にアセトンが挙げられる。
Mnn+含有蛍光体前駆体は、気体状の含フッ素酸化剤と高温で接触させることによってMn4+ドープ蛍光体に変換させることができる。接触中の温度範囲は、約200〜約700℃、特に約350〜約600℃であり、ある実施形態では、約200〜約700℃である。本発明の様々な実施形態では、温度は、100℃以上、特に225℃以上、さらに好ましくは350℃以上である。蛍光体前駆体は酸化剤と、Mn4+ドープ蛍光体へと変換させるのに十分な時間接触させる。時間と温度とは相関しており、例えば、時間を延ばしながら温度を下げるか、或いは温度を高めながら時間を短くするなど、一緒に調整してもよい。接触工程は、時間及び温度の異なる複数の接触時間を含んでいてもよく、それらの時間の中間に、処理の均一性を高めるため前駆体を再均質化してもよい。
特定の実施形態では、蛍光体前駆体は、250℃以上の温度で8時間以上(例えば、約425℃で約4時間、次いで温度約560℃で約4時間)酸化剤と接触させる。
含フッ素酸化剤は、F2、HF、SF6、BrF5、NH4HF2、NH4F、KF、AlF3、SbF5、ClF3、BrF3、KrF、XeF2、XeF4、NF3、SiF4、PbF2、ZnF2、SnF2、CdF2又はそれらの組合せでもよい。特定の実施形態では、含フッ素酸化剤は、F2である。雰囲気中の酸化剤量は変化してよく、好ましくは、時間と温度の変化に関連する。含フッ素酸化剤がF2である場合、雰囲気は、少なくとも0.5%のF2を含んでよいが、ある実施形態では、さらに低い濃度が効果的であろう。具体的には、雰囲気は、少なくとも5%のF2を、さらに好ましくは、20%以上のF2を含んでいてもよい。さらに、雰囲気は、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び含フッ素酸化剤との組合せを含んでいてもよい。特定の実施形態では、雰囲気は約20%のF2と約80%の窒素とを含む。
Mnn+含有蛍光体前駆体を含フッ素酸化剤と接触させる方法は重要ではなく、蛍光体前駆体を所望の特性の蛍光体に十分変換させることのできる方法であれば任意の方法で実施し得る。ある実施形態では、前駆体を含むチャンバーに投与し、次いで封入してチャンバーの加熱によって過圧を生じるようにしてもよいし、別の実施形態では、一段と均一な圧力が得られるようにアニールプロセス中ずっとフッ素と窒素の混合物を流し続けてもよい。ある実施形態では、所定時間後、追加量の含フッ素酸化剤を導入してもよい。
フラックス材料を、アニーリング前に、Mnn+含有前駆体と混合してもよい。フラックスの使用は、Mnn+含有蛍光体前駆体が、Mn4+ドープ蛍光体の生成物に対しA+が不足する場合、すなわち、比[A+]/([Mnn+]+[M])が2以下の場合(ただし、これに限らない)、望ましいであろう。フラックスとして用いるために好適なA+含有フラックス材料は、式AX、EX2、MF2、又はMF3の化合物を含み、ここでMは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はそれらの組合せであり、特に、一フッ化、及び二フッ化カリウム、ナトリウム、及びルビジウム(KF及びKHF2、NaF及びNaHF2、RbF及びRbHF2)、並びにその組合せである。特定の実施形態では、A+含有フラックス材料は、KFもしくはKHF2又はそれらの組合せである。フラックス材料は、酢酸などの好適な溶媒で洗浄することによって、蛍光体の生成物から除去してもよい。
本発明に係る方法で製造された蛍光体の色の安定性及び量子効率は、米国特許第8252613号に記載のように、次の式IIの化合物の水性フッ化水素酸中の飽和溶液で粒状蛍光体を処理することによって向上させることができる。
x[MFy] (II)
例えば、蛍光体の色の安定性と量子効率を向上するため、K2SiF6:Mn4+を、室温で、HF中のK2SiF6溶液で処理してもよい。蛍光体を溶液に接触する温度範囲は、約20〜約50℃である。蛍光体を製造するための所要時間の範囲は、約1分〜約5時間であり、好ましくは、約5分〜約1時間である。HF水溶液のフッ化水素酸の濃度範囲は、約20〜約70%w/wであり、好ましくは、約40〜約70%w/wである。高濃度水溶液が薄いほど、得られる蛍光体は、より少なくなり得る。
本発明に係る方法で用いたMnn+含有蛍光体前駆体、及びそれにより製造されたMn4+ドープ蛍光体は、複合フッ化物である。本発明の記載内において、複合フッ化物という用語は、一以上の配位中心、リガンドとして機能するフッ化物イオンで囲まれており、また必要に応じて対イオンで電荷補償された、配位化合物を意味する。一例として、K2SiF6:Mn4+は、配位中心がSiであり、対イオンがKである。必要に応じて、複合フッ化物は、単純な、二フッ化物の組合せとして記載するが、このような記載は、配位中心の周囲におけるリガンドの配位数を示さない。角括弧(必要に応じて、簡略化のため省略)は、それが包含する複イオンが、新しい化学種であり、単純なフッ化物イオンと異なることを示す。賦活イオン(Mn4+)は、配位中心としても機能し、ホスト格子(例えばSi)の中心の一部を置換する。ホスト格子(対イオンを含む)は、賦活イオンの励起、及び発光特性を、さらに修正してもよい。
ある実施形態では、本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体は、
(A)A2[MF5]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)
(B)A3[MF6]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)
(C)Zn2[MF7]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)
(D)A[In27]:Mn4+
(E)A2[MF6]:Mn4+(式中、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びそれらの組合せから選択される。)
(F)E[MF6]:Mn4+(式中、EはMg、Ca、Sr、Ba、Zn及びそれらの組合せから選択され、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びそれらの組合せから選択される。)
(G)Ba0.65Zr0.352.70:Mn4+
(H)A3[ZrF7]:Mn4+
からなる群から選択される。
式中、Aは、Li、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せである。
本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体の例は、K2[SiF6]:Mn4+、K2[TiF6]:Mn4+、Cs2[TiF6]:Mn4+、Rb2[TiF6]:Mn4+、Cs2[SiF6]:Mn4+、Rb2[SiF6]:Mn4+、Na2[TiF6]:Mn4+、Na2[ZrF6]:Mn4+、K3[ZrF7]:Mn4+、K3[BiF6]:Mn4+、K3[YF6]:Mn4+、K3[LaF6]:Mn4+、K3[GdF6]:Mn4+、K3[NbF7]:Mn4+、K3[TaF7]:Mn4+を含む。特定の実施形態では、配位中心Mは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr又はそれらの組合せである。より具体的には、配位中心は、Si、Ge、Ti又はそれらの組合せであり、式Iの対イオンAは、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、yは6である。
本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体は、光束照射後、良好な色安定性で表示できる。本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体を組み込む照明装置は、LED電流密度2A/cm2より大きく、LED電力変換効率(wall−plug efficiency)が40%より大きく、また、ボード温度が25℃より大きい条件で、少なくとも2000時間の動作後、マクアダム楕円で1.5以下の色ずれを有してもよく、好ましくはマクアダム楕円で1以下の色ずれである。加速試験条件のもと、LED電流密度70A/cm2より大きく、LED電力変換効率が18%より大きく、また、ボード温度が25℃より大きい条件で、30分の動作後、照明装置は、マクアダム楕円で2以下の色ずれを有してもよい。LEDパッケージ外の蛍光体の安定性は、少なくとも50℃の温度で、少なくとも80w/cm2の光束照射後、蛍光体の強度損失%で測定され、21時間後、色安定性の蛍光体の強度損失%は、4%以下でもよい。
本発明の一実施形態に係る照明装置、又は発光アセンブリ、もしくはランプ10を図1に示す。照明装置10は、半導体放射源(発光ダイオード(LED)チップ12で図示)、及びLEDチップと電気的接続されたリード14を含む。リード14は細いワイヤでもよく、これより厚い(複数の)リードフレーム16で支持され、又は、リードは、自立した電極でもよく、この場合リードフレームを省略してもよい。リード14は、電流をLEDチップ12に供給し、よって発光を生じる。
ランプは、どのような半導体青色、又はUV光源を含んでいてもよく、この発光が蛍光体へ向かった際、白色を生じることができる。一実施形態では、半導体光源は、様々な不純物ドープ青色発光LEDである。よって、LEDは、III−V、II−VI、又はIV−IV半導体層のいずれの好適なベースで、約250〜550nmの発光波長を有する半導体ダイオードを備えてもよい。具体的には、LEDは、GaN、ZnSe、又はSiCを含む一以上の半導体層を含んでいてもよい。例えば、LEDは、約250nmより大きく、約550nmより小さい発光波長を有する、式IniGajAlkN(ここで、0≦i、0≦j、0≦k、i+j+k=1)の窒素化合物半導体を備えてもよい。特定の実施形態では、チップは、約400〜約500nmに発光波長ピークを有する、近UV、又は青色発光LEDである。このようなLED半導体は、当技術分野で周知である。簡略化のため、ここで記載した放射源はLEDである。しかしながら、本明細書で用いるとき、この用語は、例えば半導体レーザーダイオードを含む全ての半導体放射源を含む。さらに、ここで論じる本発明の例示的構造の一般的議論は、無機LED系光源に対するものであるが、特に記載のない限り、LEDチップが他の放射源に置換してもよいこと、また、半導体、半導体LED、又はLEDチップのいずれの参照も、有機発光ダイオードを含む(しかし、これに限定されない)いずれの適切な放射源の単なる例示であることは、理解されるべきである。
照明装置10において、蛍光体組成物22は、LEDチップ12に放射状に結合される。放射状に結合するとは、一つから出た放射が他へ伝播するように、要素が互いに関係することを意味する。蛍光体組成物22は、LEDチップ12上に適切な方法で配置される。例えば、(複数の)蛍光体の水性懸濁液を形成し、LED表面に蛍光体層として適用できる。そのような方法の一つにおいて、シリコーンスラリーは、蛍光体粒子がランダムに分散しており、LEDの周囲に配置される。この方法は、蛍光体組成物22とLEDチップ12とがとり得る配置の単なる例示である。よって、蛍光体組成物22は、LEDチップ12上に蛍光体懸濁液を被覆して乾燥することで、LEDチップ12の発光表面の上方を、又は発光表面を直接、被覆してもよい。シリコーン系懸濁液の場合、懸濁液は適切な温度で硬化させる。シェル18、及び封入材料20は、白色光24がこれら要素を透過できるように透明でなければならない。限定を意図するものではないが、場合によっては、蛍光体組成物のメジアン粒径の範囲は、約1〜約50μm、好ましくは約15〜約35μmである。
別の実施形態では、蛍光体組成物22は、LEDチップ12上に直接形成される代わりに、封入材料20内に散在する。蛍光体(粉末状)は、封入材料20の単一の領域内、又は封入材料の全体に散在してもよい。LEDチップ12で発された青色光は、蛍光体組成物22からの発光と混合し、混合光は、白色光に見える。蛍光体を封入材料20内に散在させる場合、蛍光体の粉末は、ポリマー、又はシリコーン前駆体に添加してもよく、LEDチップ12の周囲に含まれ、そして、ポリマー前駆体は、ポリマー、又はシリコーン材料を凝固するため、硬化させてもよい。他の既知の蛍光体の散在方法(トランスファー成形等)を用いてもよい。
さらに別の実施形態では、蛍光体組成物22は、LEDチップ12上に形成される代わりに、シェル18の表面上を被覆する。蛍光体組成物は、好ましくはシェル18の内面を被覆するが、必要であれば、蛍光体はシェルの外面を被覆してもよい。蛍光体組成物22は、シェルの表面全体を被覆してもよく、又は、シェルの表面上部のみを被覆してもよい。LEDチップ12で発されたUV/青色光は、蛍光体組成物22からの発光と混合し、混合光は白色に見える。もちろん、蛍光体は、いずれの二つ、又は全ての三つの位置、又はいずれの他の適切な位置(例えばシェルから離間、或いはLEDに組み込まれた位置)に、配置してもよい。
図2は、本発明に係るシステムの第二の構造を示す。図1〜図4において、関連する数字(例えば、図1の12と図2の112)は、特に記載がなくても、各図面の対応構造に関する。図2の実施形態の構造は、蛍光体組成物122が、LEDチップ112上に直接形成される代わりに、封入材料120内に散在することを除き、図1のそれと同様である。蛍光体(粉末状)は、封入材料の単一の領域内、又は封入材料の全体に散在してもよい。LEDチップ112で発された放射(矢印126で図示)は、蛍光体122からの発光と混合し、混合光は、白色光124に見える。蛍光体を封入材料120内に散在させる場合、蛍光体の粉末は、ポリマー前駆体に添加してもよく、LEDチップ112の周りに含まれる。ポリマー、又はシリコーン前駆体は、ポリマー、又はシリコーンを凝固するため硬化させてもよい。他の既知の蛍光体の散在方法(トランスファー成形等)を用いてもよい。
図3は、本発明に係るシステムの第三のとり得る構造を示す。図3に示す実施形態の構造は、蛍光体組成物222が、LEDチップ212上に形成される代わりに、外囲器218の表面を被覆していることを除き、図1のそれと同様である。好ましくは、蛍光体組成物222は、外囲器218の内面を被覆するが、必要であれば、外囲器の外面を被覆してもよい。蛍光体組成物222は、外囲器の全表面、又は外囲器の表面上部のみを被覆してもよい。LEDチップ212で発された放射226は、蛍光体組成物222からの発光と混合し、混合光は、白色光224に見える。もちろん、図1〜図3の構造は組合せてもよく、蛍光体は、いずれの二つ、又は全ての三つの位置、又はいずれの他の適切な位置(例えば外囲器から離間、或いはLEDに組み込まれた位置)に、配置してもよい。
上述の構造のいずれにおいても、ランプは、複数の散乱粒子を含んでいてもよく(図示せず)、これは封入材料に組み込まれる。例えば、散乱粒子は、アルミナ又はチタニアを備えてもよい。散乱粒子は、LEDチップから発された指向性の光を効率的に散乱し、好ましくは、吸収量が極めて少ない。
図4に第四の構造を示すように、LEDチップ412は、反射カップ430に搭載してもよい。カップ430は、アルミナ、チタニア、もしくは当技術分野で周知の他の絶縁性粉末などの絶縁性材料で形成、又は被覆してもよく、又は、アルミニウム、もしくは銀などの反射性金属で被覆してもよい。図4の実施形態の構造の他の部分は、先の図のいずれのそれとも等しく、二つのリード416、導電性ワイヤ432、及び封入材料420を含むことができる。反射カップ430は、第一のリード416で支持され、導電性ワイヤ432は、LEDチップ412を第二のリード416に電気的に接続するため用いられる。
他の構造(特にバックライト用途)は、表面実装デバイス(「SMD」)型の発光ダイオード550であり、例えば、図5に図示する。このSMDは「側方発光型」であり、導光部材554の突出部に、発光窓552を有する。SMDパッケージは、上で定義した通り、LEDチップを備えてもよく、蛍光体物質は、LEDチップが発した光で励起される。他のバックライト装置は、TV、コンピュータ、スマートフォン、タブレットコンピュータ、並びに半導体光源、及び本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体を含むディスプレイを有する他の携帯端末を含むが、これに限定されない。
350〜550nmで発光するLED、及び、一又は複数の他の適切な蛍光体を用いる場合、得られた発光システムは、白色光を生じるであろう。ランプ10は、散乱粒子を含んでいてもよく(図示せず)、これは封入材料に組み込まれる。例えば、散乱粒子は、アルミナ又はチタニアを備えてもよい。散乱粒子は、LEDチップが発した指向性の光を効率的に散乱し、好ましくは、吸収量が極めて少ない。
Mn4+ドープ蛍光体に加え、蛍光体組成物22は、一つ又は複数の他の蛍光体を含んでいてもよい。約250〜550nm範囲で発光する青色又は近UVのLEDと組合せて照明装置に用いる場合、アセンブリにより発され生じた光は、白色光になるであろう。生じる光の白色をカスタマイズし、特有の分光分布をなすため、緑、青、黄、赤、橙、その他の色の蛍光体などの他の蛍光体を混合し用いてもよい。蛍光体組成物22に用いる他の好適な材料は、エレクトロルミネセンスのポリマーを含み、例えば、ポリフルオレン、好ましくは、ポリ(9,9’−ジオクチルフルオレン)、及びその共重合体、例えば、ポリ(9,9’−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−N,N’−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(F8−TFB)、ポリ(ビニルカルバゾール)、及びポリフェニレンビニレン、並びにその誘導体を含む。さらに、発光層は、青、黄、橙、緑、又は赤色の蛍光色素、又は金属複合体、或いはその組合せを含んでいてもよい。蛍光色素として好適な材料は、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(赤色素)、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(緑色素)、及びイリジウム(III)ビス(2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2)(青色素)、を含むが、これに限定されない。ADS(American Dyes Source,Inc.)の市販の蛍光性、及び燐光性の金属複合体を用いてもよい。ADS緑色素は、ADS060GE、ADS061GE、ADS063GE、及びADS066GE、ADS078GE、及びADS090GEを含む。ADS青色素は、ADS064BE、ADS065BE、及びADS070BEを含む。ADS赤色素は、ADS067RE、ADS068RE、ADS069RE、ADS075RE、ADS076RE、ADS067RE、及びADS077REを含む。
蛍光体組成物22に用いる好ましい蛍光体としては、限定されるわけではないが、以下のものが挙げられる。
((Sr1−z(Ca,Ba,Mg,Zn)z)1−(x+w)(Li,Na,K,Rb)wCex)3(Al1−ySiy)O4+y3+(x−w)F1-y-3(x-w),0<x≦0.10,0≦y≦0.5,0≦z≦0.5,0≦w≦x、
(Ca,Ce)3Sc2Si312(CaSiG)、
(Sr,Ca,Ba)3Al1-xSix4+ x1-x:Ce3+(SASOF))、
(Ba,Sr,Ca)5(PO43(Cl,F,Br,OH):Eu2+,Mn2+、(Ba,Sr,Ca)BPO5:Eu2+,Mn2+
(Sr,Ca)10(PO46 *νB23:Eu2+(ここで、0<ν≦1)、Sr2Si38 *2SrCl2:Eu2+
(Ca,Sr,Ba)3MgSi28:Eu2+,Mn2+、BaAl813:Eu2+、2SrO*0.84P25 *0.16B23:Eu2+
(Ba,Sr,Ca)MgAl1017:Eu2+,Mn2+、(Ba,Sr,Ca)Al24:Eu2+、(Y,Gd,Lu,Sc,La)BO3:Ce3+,Tb3+
ZnS:Cu+,Cl-、ZnS:Cu+,Al3+、ZnS:Ag+,Cl-、ZnS:Ag+,Al3+、(Ba,Sr,Ca)2Si1-ξO4-2ξ:Eu2+(ここで、0≦ξ≦0.2)、(Ba,Sr,Ca)2(Mg,Zn)Si27:Eu2+、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)24:Eu2+
(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α:Ce3+(ここで、0≦α≦0.5)、
(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO44Cl2:Eu2+,Mn2+、Na2Gd227:Ce3+,Tb3+
(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)227:Eu2+,Mn2+、(Gd,Y,Lu,La)23:Eu3+,Bi3+、(Gd,Y,Lu,La)22S:Eu3+,Bi3+
(Gd,Y,Lu,La)VO4:Eu3+,Bi3+、(Ca,Sr)S:Eu2+,Ce3+、SrY24:Eu2+、CaLa24:Ce3+
(Ba,Sr,Ca)MgP27:Eu2+,Mn2+、(Y,Lu)2WO6:Eu3+,Mo6+、(Ba,Sr,Ca)βSiγNμ:Eu2+(ここで、2β+4γ=3μ)、Ca3(SiO4)Cl2:Eu2+、(Lu,Sc,Y,Tb)2-u-vCevCa1+uLiwMg2-ww(Si,Ge)3-w12-u/2(なお、−0.5≦u≦1、0<v≦0.1、かつ0≦w≦0.2)、(Y,Lu,Gd)2-φCaφSi46+φC1-φ:Ce3+,(ここで、0≦φ≦0.5)、
(Lu,Ca,Li,Mg,Y),Eu2+及び/又はCe3+ドープα−SiAlON、(Ca,Sr,Ba)SiO22:Eu2+,Ce3+、β−SiAlON:Eu2+,3.5MgO*0.5MgF2 *GeO2:Mn4+、Ca1-c-fCecEufAl1+cSi1-c3,(なお、0≦c≦0.2、0≦f≦0.2)、Ca1-h-rCehEurAl1-h(Mg,Zn)hSiN3,(なお、0≦h≦0.2、0≦r≦0.2)、Ca1-2s-tCes(Li,Na)sEutAlSiN3,(なお、0≦s≦0.2、0≦f≦0.2、s+t>0)、及びCa1-σ-χ-φCeσ(Li,Na)χEuφAl1+σ-χSi1-σ+χN3,(なお、0≦σ≦0.2、0≦χ≦0.4、0≦φ≦0.2)。
蛍光体の混合物中の、個別の蛍光体の各比率は、所望の出力光特性によって変化してもよい。蛍光体を混合した様々な実施形態では、個別の蛍光体の相対的割合は、その発光を混合しLED照明装置で用いる際に、CIE色度図で所定のxとy値の可視光をなすよう調整してもよい。上述のように、好ましくは白色光を生成する。この白色光は、例えば、x値が約0.20〜約0.55の範囲、y値が約0.20〜約0.55の範囲でもよい。しかしながら、上述のように、蛍光体組成物中の各蛍光体の正確な特性、及び量は、最終用途に応じて変化し得る。例えば、物質を液晶ディスプレイ(LCD)バックライト向けLEDに用いることもできる。この用途において、LEDカラーポイントは、LCD/カラーフィルターの組合せを通過後、所望の白、赤、緑、及び青色に基づき、適切に調整され得る。
本発明に係る方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体は、上記以外の用途に用いられてもよい。例えば、物質は、蛍光灯、陰極線管、プラズマディスプレイ装置、又は液晶ディスプレイ(LCD)で、蛍光体として用いられてもよい。また、この物質は、電磁カロリメータ、ガンマ線カメラ、コンピュータ断層撮影装置、又はレーザーで、シンチレータとして用いられてもよい。これらの用途は単なる例示であり、これに限定されない。
一般手順
安定性試験
高光束条件
446nmで発光するレーザーダイオードを、光学ファイバにコリメータでその他端に接続した。出力は310mWで、サンプルにおけるビーム直径は700μmであった。これは、サンプル表面における80W/cm2のフラックスと等しい。スペクトルパワー分布(SPD)スペクトルは、レーザーからの散乱放射、及び励起された蛍光体からの発光の組合せであり、1メートル(直径)積分球とデータを分光計ソフトウェア(Specwin)で処理して収集される。二分間隔で、レーザーの集中出力と蛍光体の発光とを、各々400〜500nmと550〜700nmとで、SPDを積分することで、21時間にわたり記録した。レーザーの熱的安定性による影響を避けるため、測定の最初の90分は破棄する。レーザーダメージによる強度損失のパーセンテージは、以下のように計算する。
蛍光体からの発光出力のみをプロットする一方、実験中にレーザーの安定性(変動1%未満)を確実とするため、レーザー発光の集中出力とそのピーク位置をモニタした。
比較例1:K 2 SiF 6 :Mn 4+ の製造
Mnドープのフルオロケイ酸カリウム蛍光体、K2SiF6:Mn4+は、市販の源から得られ、全重量の0.84重量%のMnを含み、これを8時間、20%F2/80%N2雰囲気の下、540℃、10psiaでアニールした。K2SiF6飽和溶液100mL(まず、室温で、40%のHFに、〜17gのK2SiF6を加え、撹拌し、溶液を濾過することで生成)が入ったテフロン(登録商標)ビーカーに、粉末(〜10g)を入れることにより、K2SiF6の飽和溶液で、アニールした蛍光体粉末を処理した。懸濁液をゆっくり撹拌し、その残りを真空でろ過し乾燥した。乾燥したろ液は、HFを除去するため、アセトンで3〜5回洗浄し、100℃で10分間加熱した。
実施例1:K 2 MnF 5 ・H 2 Oの製造
塩酸溶液(45ml、37%のHCl)を、10.5ml、48〜49%のHF中、二フッ化水素カリウム(15.62gのKHF2)と、過マンガン酸カリウム(15.8gのKMnO4)との懸濁液に、徐々に加えた。完全に加えた後、反応を収束させ、溶解したCl2を除去するため、温度を70℃まで上昇させた。フラスコの中身は、真空ろ過した。KHF2を除去するため、氷酢酸で、また、アセトンで三回、ろ液をリンスし、その後、真空デシケータで乾燥した。収量は、淡紅色のK2MnF5・H2Oが、23gである。
実施例2:Mn 3+ 含有K 2 SiF 6 の製造
20mlの水中のK2CO3(5.56g)及びKHF2(3.78g)の溶液を、35%H2SiF6(10ml)中のK2MnF5・H2O(0.266g)の急速撹拌溶液に、徐々に加えた。得られたK2SiF6懸濁液を、真空ろ過し、KF、及びKHF2を除去するため、氷酢酸でリンスし、アセトンで三回リンスし、その後、真空デシケータで乾燥した。
実施例3:Mn 3+ 含有K 2 SiF 6 からのMn 4+ 含有K 2 SiF 6 の製造
実施例2のMn3+含有K2SiF6を含む炉室を真空にし、その後20%のフッ素ガスと80%の窒素気体を含む雰囲気で満たし、500℃まで加熱した。その温度で炉を8時間保ち、その後、炉を冷却した。生成物の発光スペクトルは、比較例1のK2SiF6:Mn4+物質と本質的に同じであった。
本明細書において、本発明の一定の特徴のみを図示及び記載したが、当業者にとって多くの修正及び変形を生じることができよう。それゆえ、本発明の真の趣旨内にある限り、添付の特許請求の範囲は、全てのそのような修正及び変形にわたるよう意図されることが理解される。

Claims (23)

  1. 式IのMn4+ドープ蛍光体の製造方法であって、
    x[MFy]:Mn4+ (I)
    (式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、
    MはSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はそれらの組合せであり、
    xは[MFy]イオンの電荷の絶対値であり、
    yは5、6又は7であり、
    nは2又は3である。)
    +陽イオンと、式MFyの陰イオンと、フルオロマンガン化合物を含むMnn+源とを酸性溶液中で混合する工程と、
    酸性溶液からMnn+含有蛍光体前駆体を沈殿させる工程と、
    Mnn+含有蛍光体前駆体を気体状の含フッ素酸化剤と高温で接触させてMn4+ドープ蛍光体を形成する工程と
    を含む、方法。
  2. フッ化物又は二フッ化物陰イオン又はそれらの組合せを、A+陽イオン、式MFyの陰イオン及びMnn+源と混合することをさらに含む、請求項1記載の方法。
  3. Mn4+ドープ蛍光体がK2SiF6:Mn4+である、請求項1記載の方法。
  4. 式[MFy]の陰イオンがSiF6である、請求項1記載の方法。
  5. +陽イオンがKF、KHF2又はそれらの組合せに由来する、請求項1記載の方法。
  6. Mnn+源がK2MnF5・H2O、KMnF4、K2MnF4、KMnF3、MnF2、MnF3及びそれらの組合せから選択される、請求項1記載の方法。
  7. Mnn+源がK2MnF5・H2Oである、請求項1記載の方法。
  8. 酸性溶液がフルオロケイ酸水溶液である、請求項1記載の方法。
  9. 含フッ素酸化剤がF2である、請求項1記載の方法。
  10. Mnn+含有蛍光体前駆体を含フッ素酸化剤と接触させる工程が、Mnn+含有蛍光体前駆体を、含フッ素酸化剤、及び式AXの化合物(式中、XはF、Cl、Br、I、HF2又はそれらの組合せである。)と接触させることをさらに含む、請求項1記載の方法。
  11. フルオロケイ酸及びMnn+源を含む溶液を、KF、KHF2及びそれらの組合せから選択されるフッ化カリウム化合物と混合する工程と、
    Mnn+含有蛍光体前駆体を沈殿させる工程と、
    Mnn+含有蛍光体前駆体を、20%以上のフッ素ガスを含む雰囲気に高温で暴露してMn4+ドープ蛍光体を形成する工程と
    を含んでいて、Mnn+源が、K2MnF5・H2O、KMnF4、MnF3及びそれらの組合せから選択されるフルオロマンガンカリウム化合物を含む、請求項1記載の方法。
  12. 粒状蛍光体を、フッ化水素酸中の式IIの化合物の飽和水溶液で処理する、請求項1記載の方法。
    x[MFy] (II)
  13. 請求項1記載の方法で製造されるMn4+ドープ蛍光体。
  14. 半導体光源(12)と請求項1記載の方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体とを備える照明装置(10)。
  15. 半導体光源(550)と請求項1記載の方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体とを備えるバックライト装置。
  16. Mn4+ドープ蛍光体の製造方法であって、
    +陽イオンと、式MFyの陰イオンと、フルオロマンガン化合物を含むMnn+源とを酸性溶液中で混合する工程と、
    酸性溶液からMnn+含有蛍光体前駆体を沈殿させる工程と、
    Mnn+含有蛍光体前駆体を、気体状の含フッ素酸化剤と高温で接触させてMn4+ドープ蛍光体を形成する工程と
    を含んでいて、Mn4+ドープ蛍光体が以下の(A)〜(H)からなる群から選択され、AがLi、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せである、方法。
    (A)A2[MF5]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)、
    (B)A3[MF6]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)、
    (C)Zn2[MF7]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びそれらの組合せから選択される。)、」
    (D)A[In27]:Mn4+
    (E)A2[MF6]:Mn4+(式中、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びそれらの組合せから選択される。)、
    (F)E[MF6]:Mn4+(式中、EはMg、Ca、Sr、Ba、Zn及びそれらの組合せから選択され、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びそれらの組合せから選択される。)、
    (G)Ba0.65Zr0.352.70:Mn4+、及び
    (H)A3[ZrF7]:Mn4+
  17. 酸性溶液がフルオロケイ酸水溶液である、請求項16記載の方法。
  18. 含フッ素酸化剤がF2である、請求項16記載の方法。
  19. 請求項16記載の方法で製造されるMn4+ドープ蛍光体。
  20. 半導体光源(12)と請求項16記載の方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体とを備える照明装置(10)。
  21. 半導体光源(550)と請求項16記載の方法で製造されたMn4+ドープ蛍光体とを備えるバックライト装置。
  22. 次の式IIIのMnn+含有複合フッ化物化合物。
    m[MFz]:Mnn+ (III)
    式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、
    MはSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はそれらの組合せであり、
    mは[MFz]イオンの電荷の絶対値であり、
    4≦z<7、
    nは2又は3であるが、Mnn+含有複合フッ化物蛍光体が、K2SiF6:Mn2+以外であることを条件とする。
  23. 式K2SiF6:Mn3+である、請求項22記載のMnn+含有複合フッ化物蛍光体。
JP2015088859A 2014-05-01 2015-04-24 赤色発光蛍光体の製造方法 Active JP6577226B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/267,434 US9512356B2 (en) 2014-05-01 2014-05-01 Process for preparing red-emitting phosphors
US14/267,434 2014-05-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015212375A true JP2015212375A (ja) 2015-11-26
JP6577226B2 JP6577226B2 (ja) 2019-09-18

Family

ID=53189605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015088859A Active JP6577226B2 (ja) 2014-05-01 2015-04-24 赤色発光蛍光体の製造方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9512356B2 (ja)
EP (1) EP2940099B1 (ja)
JP (1) JP6577226B2 (ja)
KR (1) KR101913459B1 (ja)
CN (1) CN105038775B (ja)
AU (1) AU2015202021B2 (ja)
BR (1) BR102015008716A2 (ja)
CA (1) CA2888734C (ja)
MX (1) MX365436B (ja)
MY (1) MY171670A (ja)
TW (1) TWI684638B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017048401A (ja) * 2016-12-12 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体の製造方法
JP2017520641A (ja) * 2014-06-12 2017-07-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 色安定赤色発光蛍光体
JP2017521511A (ja) * 2014-06-12 2017-08-03 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色発光蛍光体及びその関連装置
US9944848B2 (en) 2014-09-30 2018-04-17 Nichia Corporation Fluoride fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device
JP2019526929A (ja) * 2016-08-08 2019-09-19 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色放出蛍光体を有する複合材料

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9868898B2 (en) * 2013-03-15 2018-01-16 General Electric Company Processes for preparing color stable red-emitting phosphors
US10563121B2 (en) * 2014-06-12 2020-02-18 Current Lighting Solutions, Llc Red-emitting phosphors and associated devices
KR102167629B1 (ko) * 2015-05-18 2020-10-20 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 Mn 도핑된 플루오르화물 인광체의 제조 방법
FR3043687B1 (fr) * 2015-11-13 2020-07-03 Universite Blaise Pascal Clermont Ii Procede sol-gel de synthese d'un materiau luminescent de formulation generale axbyfz:mn
JP7067857B2 (ja) * 2015-11-17 2022-05-16 株式会社東芝 蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置
CN105505384B (zh) * 2015-12-03 2017-12-19 河北利福光电技术有限公司 一种窄谱带红光荧光粉及其制备方法
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
CN106010514A (zh) * 2016-06-27 2016-10-12 华南理工大学 一种Mn4+掺杂氟镓酸盐红色荧光粉及其制备方法
JP6460056B2 (ja) * 2016-06-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体の製造方法
US20200194625A1 (en) * 2016-10-12 2020-06-18 Merck Patent Gmbh Mn4+-activated luminescent material as conversion phosphor for led solid-state light sources
US10793773B2 (en) * 2017-03-16 2020-10-06 Current Lighting Solutions, Llc Color stable red-emitting phosphors
US20190048258A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 General Electric Company Coated manganese doped phosphors
US10720554B2 (en) 2017-09-20 2020-07-21 General Electric Company Green-emitting phosphors and devices thereof
CN107686726A (zh) * 2017-09-29 2018-02-13 温州大学 一种白光led用氟硅酸锂钠红光材料及其制备方法
KR102036661B1 (ko) * 2018-01-25 2019-10-25 성균관대학교산학협력단 불화물계 형광체의 제조 방법
CN108359460B (zh) * 2018-04-16 2021-01-01 陕西师范大学 一种Mn(IV)激活的氟化物红色荧光粉及其制备方法
KR102206453B1 (ko) 2018-09-27 2021-01-25 세종대학교 산학협력단 빠른 감쇠 속도를 갖는 불화물계 형광체와 이 형광체를 포함하는 발광장치
CN115698199A (zh) 2020-04-14 2023-02-03 通用电气公司 具有窄带发射磷光体材料的油墨组合物和膜

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090020775A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc RED LINE EMITTING COMPLEX FLUORIDE PHOSPHORS ACTIVATED WITH Mn4+
JP2009528429A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード応用における使用のための赤色線放出蛍光体
WO2009119486A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 国立大学法人群馬大学 蛍光体及びその製造方法並びに該蛍光体を用いた白色発光ダイオード
JP2010209311A (ja) * 2008-09-05 2010-09-24 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2012104814A (ja) * 2010-10-15 2012-05-31 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
WO2012128837A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
JP2012224536A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 複フッ化物及び複フッ化物蛍光体の製造方法
JP2013014715A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Nichia Corp フッ化物蛍光体及びそのフッ化物蛍光体を用いた発光装置
WO2013088313A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mn-activated hexafluorosilicates for led applications
JP2013533363A (ja) * 2010-07-27 2013-08-22 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 耐湿性蛍光体及び関連する方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2447359A (en) 1944-12-01 1948-08-17 Tennessee Corp Production of sodium fluosilicate
US3576756A (en) 1968-06-12 1971-04-27 Mallinckrodt Chemical Works Fluocomplexes of titanium, silicon, tin and germanium, activated by tetravalent manganese
GB1360690A (en) 1973-02-16 1974-07-17 Gen Electric Co Ltd Luminescent materials
KR100875575B1 (ko) 2004-09-10 2008-12-29 쇼와 덴코 가부시키가이샤 불화망간의 제조 방법
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7648649B2 (en) 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
JP5229770B2 (ja) * 2007-03-22 2013-07-03 株式会社フジクラ サイアロン蛍光体
ATE491010T1 (de) * 2007-04-20 2010-12-15 Koninkl Philips Electronics Nv Weisslichtquelle und leuchtstoff mit erhöhter farbstabilität
WO2009099211A1 (ja) 2008-02-07 2009-08-13 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体
JP2010093132A (ja) 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
JP5527130B2 (ja) 2010-09-17 2014-06-18 三菱電機株式会社 点灯装置およびこの点灯装置を備える照明器具
RU2613963C2 (ru) 2012-02-16 2017-03-22 Конинклейке Филипс Н.В. Имеющие покрытие фторсиликаты, излучающие красный узкополосный свет, для полупроводниковых светоизлучающих устройств
WO2013138347A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Emissive compacts and method of making the same
US9698314B2 (en) * 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009528429A (ja) * 2006-02-28 2009-08-06 ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード応用における使用のための赤色線放出蛍光体
US20090020775A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc RED LINE EMITTING COMPLEX FLUORIDE PHOSPHORS ACTIVATED WITH Mn4+
WO2009119486A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 国立大学法人群馬大学 蛍光体及びその製造方法並びに該蛍光体を用いた白色発光ダイオード
JP2010209311A (ja) * 2008-09-05 2010-09-24 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2013533363A (ja) * 2010-07-27 2013-08-22 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 耐湿性蛍光体及び関連する方法
JP2012104814A (ja) * 2010-10-15 2012-05-31 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
WO2012128837A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
JP2012224536A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 複フッ化物及び複フッ化物蛍光体の製造方法
JP2013014715A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Nichia Corp フッ化物蛍光体及びそのフッ化物蛍光体を用いた発光装置
WO2013088313A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mn-activated hexafluorosilicates for led applications

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017520641A (ja) * 2014-06-12 2017-07-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 色安定赤色発光蛍光体
JP2017521511A (ja) * 2014-06-12 2017-08-03 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色発光蛍光体及びその関連装置
US9944848B2 (en) 2014-09-30 2018-04-17 Nichia Corporation Fluoride fluorescent material, method for producing the same, and light emitting device
US10400166B2 (en) 2014-09-30 2019-09-03 Nichia Corporation Fluoride fluorescent material and light emitting device
JP2019526929A (ja) * 2016-08-08 2019-09-19 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色放出蛍光体を有する複合材料
JP7361602B2 (ja) 2016-08-08 2023-10-16 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色放出蛍光体を有する複合材料
JP2017048401A (ja) * 2016-12-12 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150315461A1 (en) 2015-11-05
JP6577226B2 (ja) 2019-09-18
MX2015005580A (es) 2015-11-02
MY171670A (en) 2019-10-22
EP2940099B1 (en) 2017-08-16
EP2940099A1 (en) 2015-11-04
CN105038775A (zh) 2015-11-11
MX365436B (es) 2019-06-03
TWI684638B (zh) 2020-02-11
KR20150126298A (ko) 2015-11-11
CA2888734A1 (en) 2015-11-01
TW201606049A (zh) 2016-02-16
US9512356B2 (en) 2016-12-06
AU2015202021A1 (en) 2015-11-19
AU2015202021B2 (en) 2018-08-02
KR101913459B1 (ko) 2018-10-30
CA2888734C (en) 2022-11-15
BR102015008716A2 (pt) 2018-10-30
CN105038775B (zh) 2019-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6577226B2 (ja) 赤色発光蛍光体の製造方法
JP6571374B2 (ja) 赤色発光蛍光体の製造方法
JP6928067B2 (ja) 赤色発光蛍光体、関連方法及び装置
JP7094715B2 (ja) 色安定赤色発光蛍光体
US20210340443A1 (en) Color stable red-emitting phosphors
JP6671302B2 (ja) 色安定赤色発光蛍光体
JP6694398B2 (ja) 色安定性赤色発光蛍光体
JP6743002B2 (ja) 色安定性赤色発光蛍光体
JP6803845B2 (ja) 赤色発光蛍光体、方法及び装置
US10731076B2 (en) Processes for preparing stable red-emitting phosphors

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180326

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190614

RD12 Notification of acceptance of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432

Effective date: 20190613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190718

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190802

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6577226

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250