JP2015210082A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態に係る半導体装置について図1〜図3を参照して説明する。
本発明の第2実施形態について図4を参照して説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して下地部3dの構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について図5を参照して説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して第1膜3cの構成を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 ケース
3 ターミナル
3c 第1膜
3d 下地部
3e 溝
31 下地部の凹部
3f 微細凹凸
4 ボンディングワイヤ
5 保護部材
Claims (8)
- 半導体素子(1)と、
前記半導体素子が配置されたケース(2)と、
導電性材料で構成された部材であって、一部が外部に露出するように前記ケースに埋め込まれ、前記外部に露出させられた部分における最表面がAu、Ag、Pdのうちの少なくとも1つを主成分とする第1膜(3c)とされ、前記第1膜の下地として、前記第1膜と異なる導電性材料で構成された下地部(3d)を有するターミナル(3)と、
前記第1膜に接続されて前記半導体素子と前記ターミナルとを電気的に接続するためのボンディングワイヤ(4)と、
前記ケースより柔らかい材料で構成され、前記ターミナルのうち前記ボンディングワイヤと接触している部分を被覆する保護部材(5)と、を有する半導体装置であって、
前記ターミナルにおける前記外部に露出させられた部分のうち前記ボンディングワイヤと接触している部分の周囲において、前記第1膜が除去されて前記下地部が露出させられており、前記下地部と前記保護部材とが密着させられていることを特徴とする半導体装置。 - レーザービームを照射することにより、前記第1膜が除去されて前記下地部が露出させられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記保護部材は、ヤング率が0.5〜10MPaの材料で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ターミナルにおける前記外部に露出させられた部分のうち前記ボンディングワイヤと接触している部分の周囲の全周において、前記第1膜が除去された前記下地部が露出させられており、前記下地部と前記保護部材とが密着させられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記ターミナルは、一方の先端(3a)および一方とは反対側の他方の先端(3b)を有し、前記一方の先端および前記他方の先端がそれぞれ外部に露出するように前記ケースに埋め込まれた構成とされており、前記ターミナルの一方の先端のうち前記露出させられた部分において前記第1膜および前記下地部を有し、前記ターミナルの他方の先端のうち前記外部に露出させられた部分が外部機器と接続するためのコネクタ部として構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記下地部のうち前記第1膜が除去されて露出させられた部分に凹部(31f)形成されており、前記下地部のうち該凹部が形成された部分に前記保護部材が密着させられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1膜において、直線状に伸びるように形成された幅が5〜300μmの溝(3f)が形成され、
前記下地部のうち前記溝が形成されていることにより露出させられた部分が前記保護部材に密着させられており、
前記溝の周囲には、凸部が複数形成され、前記凸部の平均高さが1〜500nm、前記凸部の平均幅が1〜300nm、前記凸部の平均間隔が1〜300nmのサイズである微細凹凸(3g)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記溝の内部において前記微細凹凸が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
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