JP2015193070A - 弾性膜、基板保持装置、および研磨装置 - Google Patents

弾性膜、基板保持装置、および研磨装置 Download PDF

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Abstract

【課題】ウェハエッジ部の狭い領域において研磨プロファイルを精密に調整することができる弾性膜を提供する。【解決手段】弾性膜10は、基板に当接する当接部11と、当接部11の周端部から上方に延びる第1エッジ周壁10hと、第1エッジ周壁10hの内周面101に接続された水平部111を有する第2エッジ周壁10gとを備え、第1エッジ周壁10hの内周面101は、当接部11に対して垂直に延びる上側内周面101aおよび下側内周面101bを有しており、上側内周面101aは第2エッジ周壁10gの水平部111から上方に延び、下側内周面101bは第2エッジ周壁10gの水平部111から下方に延びる。【選択図】図4

Description

本発明は、ウェハなどの基板を保持するための基板保持装置に用いられる弾性膜に関する。また、本発明は、そのような弾性膜を備えた基板保持装置および研磨装置に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、多層配線の層数も増加している。回路の微細化を図りながら多層配線を実現しようとすると、下側の層の表面凹凸を踏襲しながら段差がより大きくなるので、配線層数が増加するに従って、薄膜形成における段差形状に対する膜被覆性(ステップカバレッジ)が悪くなる。したがって、多層配線するためには、このステップカバレッジを改善し、然るべき過程で平坦化処理しなければならない。また光リソグラフィの微細化とともに焦点深度が浅くなるため、半導体デバイスの表面の凹凸段差が焦点深度以下に収まるように半導体デバイス表面を平坦化処理する必要がある。
したがって、半導体デバイスの製造工程においては、半導体デバイス表面の平坦化がますます重要になっている。この表面の平坦化において最も重要な技術は、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)である。この化学機械研磨は、シリカ(SiO)等の砥粒を含んだ研磨液を研磨パッドの研磨面上に供給しつつウェハを研磨面に摺接させて研磨を行うものである。
CMPを行うための研磨装置は、研磨パッドを支持する研磨テーブルと、ウェハを保持するためのトップリング又は研磨ヘッド等と称される基板保持装置とを備えている。このような研磨装置を用いてウェハの研磨を行う場合には、基板保持装置によりウェハを保持しつつ、このウェハを研磨パッドの研磨面に対して所定の圧力で押圧する。このとき、研磨テーブルと基板保持装置とを相対運動させることによりウェハが研磨面に摺接し、ウェハの表面が研磨される。
研磨中のウェハと研磨パッドの研磨面との間の相対的な押圧力がウェハの全面に亘って均一でない場合には、ウェハの各部分に与えられる押圧力に応じて研磨不足や過研磨が生じてしまう。そこで、ウェハに対する押圧力を均一化するために、基板保持装置の下部に弾性膜から形成される圧力室を設け、この圧力室に空気などの流体を供給することで弾性膜を介して流体圧によりウェハを押圧することが行われている。
上記研磨パッドは弾性を有するため、研磨中のウェハのエッジ部(周縁部)に加わる押圧力が不均一になり、ウェハのエッジ部のみが多く研磨される、いわゆる「縁だれ」を起こしてしまう場合がある。このような縁だれを防止するため、ウェハのエッジ部を保持するリテーナリングをトップリング本体(又はキャリアヘッド本体)に対して上下動可能に設け、ウェハの外周縁側に位置する研磨パッドの研磨面をリテーナリングで押圧するようにしている。
特開2013−111679号公報
近年、半導体デバイスの種類が飛躍的に増大しており、デバイス毎やCMP工程毎(酸化膜研磨や金属膜研磨など)にウェハエッジ部の研磨プロファイルを調整する必要性が高くなってきている。この理由の1つには、各CMP工程の前に行われる成膜工程が膜の種類によって異なるためにウェハの初期膜厚分布が異なることが挙げられる。通常CMP後にウェハ全面で均一な膜厚分布とすることが必要とされるため、異なる初期膜厚分布ごとに必要となる研磨プロファイルが異なってくる。
他の理由としては、コストなどの観点から研磨装置で使用される研磨パッドや研磨液などの種類が非常に増加していることも挙げられる。研磨パッドや研磨液などの消耗材が異なると、特にウェハエッジ部での研磨プロファイルは大きく異なってくる。半導体デバイス製造においては、ウェハエッジ部の研磨プロファイルは製品の歩留まりに大きく影響する。したがって、ウェハエッジ部、特に半径方向に狭い領域でウェハエッジ部の研磨プロファイルを精密に調整することは非常に重要である。
ウェハエッジ部の研磨プロファイルを調整するために特許文献1に示されるような種々の弾性膜が提案されている。しかしながら、これらは比較的広い領域でのウェハエッジ部の研磨プロファイルを調整する場合に適していた。
そこで、本発明は、ウェハエッジ部の狭い領域において研磨プロファイルを精密に調整することができる弾性膜(メンブレン)を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような弾性膜を備えた基板保持装置および研磨装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、基板保持装置に用いられる弾性膜であって、基板に当接して該基板を研磨パッドに押圧する当接部と、前記当接部の周端部から上方に延びる第1エッジ周壁と、前記第1エッジ周壁の内周面に接続された水平部を有する第2エッジ周壁とを備え、前記第1エッジ周壁の内周面は、前記当接部に対して垂直に延びる上側内周面および下側内周面を有しており、前記上側内周面は前記第2エッジ周壁の前記水平部から上方に延び、前記下側内周面は前記第2エッジ周壁の前記水平部から下方に延びることを特徴とする。
好ましい態様は、前記上側内周面および前記下側内周面は、同一面内にあることを特徴とする。
好ましい態様は、前記下側内周面には、前記第1エッジ周壁の周方向に延びる環状溝が形成されていることを特徴とする。
好ましい態様は、前記環状溝は、前記下側内周面の下端に形成されていることを特徴とする。
好ましい態様は、前記第2エッジ周壁の径方向内側に配置された第3エッジ周壁をさらに備え、前記第3エッジ周壁の下端は前記当接部に接続されており、前記第3エッジ周壁の下端は前記第1エッジ周壁に隣接していることを特徴とする。
本発明の他の態様は、基板を押圧するための複数の圧力室を形成する弾性膜と、前記弾性膜が取り付けられるヘッド本体と、前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、前記弾性膜は上記弾性膜であることを特徴とする基板保持装置である。
本発明のさらに他の態様は、研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、基板を前記研磨パッドに押し付けるための基板保持装置とを備えた研磨装置であって、前記基板保持装置は、基板を押圧するための複数の圧力室を形成する弾性膜と、前記弾性膜が取り付けられるヘッド本体と、前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、前記弾性膜は上記弾性膜であることを特徴とする。
弾性膜を研磨装置の基板保持装置に使用することで、基板の外周部の狭い範囲での研磨レートを精密に制御することが可能となる。したがって、種々のプロセスにおいて基板面内での研磨レートの均一性が高まり、歩留まりを向上させることが出来る。
研磨装置の一実施形態を示す図である。 図1に示す研磨装置に備えられている研磨ヘッド(基板保持装置)を示す図である。 図2に示す研磨ヘッドに備えられた弾性膜(メンブレン)を示す断面図である。 弾性膜の一部を示す拡大断面図である。 第1エッジ周壁の上側内周面および下側内周面が傾斜している場合の力の作用方向を説明する図である。 第1エッジ周壁の上側内周面および下側内周面が傾斜している場合の力の作用方向を説明する図である。 第1エッジ周壁の上側内周面が傾斜している場合の力の作用方向を説明する図である。 第1エッジ周壁の下側内周面が傾斜している場合の力の作用方向を説明する図である。 第1エッジ周壁の上側内周面および下側内周面が当接部に対して垂直に延びる場合の力の作用方向を説明する図である。 弾性膜の他の実施形態を示す断面図である。 弾性膜のさらに他の実施形態を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、研磨装置の一実施形態を示す図である。図1に示すように、研磨装置は、研磨パッド19を支持する研磨テーブル18と、研磨対象物である基板の一例としてのウェハWを保持して研磨テーブル18上の研磨パッド19に押圧する研磨ヘッド(基板保持装置)1とを備えている。
研磨テーブル18は、テーブル軸18aを介してその下方に配置されるテーブルモータ29に連結されており、そのテーブル軸18a周りに回転可能になっている。研磨パッド19は研磨テーブル18の上面に貼付されており、研磨パッド19の表面19aがウェハWを研磨する研磨面を構成している。研磨テーブル18の上方には研磨液供給ノズル25が設置されており、この研磨液供給ノズル25によって研磨テーブル18上の研磨パッド19上に研磨液Qが供給されるようになっている。
研磨ヘッド1は、ウェハWを研磨面19aに対して押圧するヘッド本体2と、ウェハWを保持してウェハWが研磨ヘッド1から飛び出さないようにするリテーナリング3とを備えている。研磨ヘッド1は、ヘッドシャフト27に接続されており、このヘッドシャフト27は、上下動機構81によりヘッドアーム64に対して上下動するようになっている。このヘッドシャフト27の上下動により、ヘッドアーム64に対して研磨ヘッド1の全体を昇降させ位置決めするようになっている。ヘッドシャフト27の上端にはロータリージョイント82が取り付けられている。
ヘッドシャフト27および研磨ヘッド1を上下動させる上下動機構81は、軸受83を介してヘッドシャフト27を回転可能に支持するブリッジ84と、ブリッジ84に取り付けられたボールねじ88と、支柱86により支持された支持台85と、支持台85上に設けられたサーボモータ90とを備えている。サーボモータ90を支持する支持台85は、支柱86を介してヘッドアーム64に固定されている。
ボールねじ88は、サーボモータ90に連結されたねじ軸88aと、このねじ軸88aが螺合するナット88bとを備えている。ヘッドシャフト27は、ブリッジ84と一体となって上下動するようになっている。したがって、サーボモータ90を駆動すると、ボールねじ88を介してブリッジ84が上下動し、これによりヘッドシャフト27および研磨ヘッド1が上下動する。
ヘッドシャフト27はキー(図示せず)を介して回転筒66に連結されている。この回転筒66はその外周部にタイミングプーリ67を備えている。ヘッドアーム64にはヘッドモータ68が固定されており、上記タイミングプーリ67は、タイミングベルト69を介してヘッドモータ68に設けられたタイミングプーリ70に接続されている。したがって、ヘッドモータ68を回転駆動することによってタイミングプーリ70、タイミングベルト69、およびタイミングプーリ67を介して回転筒66およびヘッドシャフト27が一体に回転し、研磨ヘッド1が回転する。ヘッドアーム64は、フレーム(図示せず)に回転可能に支持されたアームシャフト80によって支持されている。研磨装置は、ヘッドモータ68、サーボモータ90をはじめとする装置内の各機器を制御する制御装置40を備えている。
研磨ヘッド1は、その下面にウェハWを保持できるように構成されている。ヘッドアーム64はアームシャフト80を中心として旋回可能に構成されており、下面にウェハWを保持した研磨ヘッド1は、ヘッドアーム64の旋回によりウェハWの受取位置から研磨テーブル18の上方位置に移動される。
ウェハWの研磨は次のようにして行われる。研磨ヘッド1および研磨テーブル18をそれぞれ回転させ、研磨テーブル18の上方に設けられた研磨液供給ノズル25から研磨パッド19上に研磨液Qを供給する。この状態で、研磨ヘッド1を所定の位置(所定の高さ)まで下降させ、この所定の位置でウェハWを研磨パッド19の研磨面19aに押圧する。ウェハWは研磨パッド19の研磨面19aに摺接され、これによりウェハWの表面が研磨される。
次に、図1に示す研磨装置に備えられている研磨ヘッド(基板保持装置)1について、図2を参照して詳細に説明する。図2に示すように、研磨ヘッド1は、ヘッドシャフト27の下端に固定されたヘッド本体2と、研磨面19aを直接押圧するリテーナリング3と、ウェハWを研磨面19aに対して押圧する柔軟な弾性膜10とから基本的に構成される。リテーナリング3はウェハWを囲むように配置されており、ヘッド本体2に連結されている。弾性膜10は、ヘッド本体2の下面を覆うようにヘッド本体2に取り付けられている。
弾性膜10は、同心状に配置された複数(図示では8つ)の環状の周壁10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10hを有し、これらの複数の周壁10a〜10hによって、弾性膜10の上面とヘッド本体2の下面との間に、中央に位置する円形状の中央圧力室12、最外周に位置する環状のエッジ圧力室14a,14b、及び中央圧力室12とエッジ圧力室14a,14bとの間に位置する、この例では環状の5つの中間圧力室(第1〜第5中間圧力室)16a,16b,16c,16d,16eが形成されている。
ヘッド本体2内には、中央圧力室12に連通する流路20、エッジ圧力室14aに連通する流路22、エッジ圧力室14bに連通する流路24f、及び中間圧力室16a,16b,16c,16d,16eにそれぞれ連通する流路24a,24b,24c,24d,24eがそれぞれ形成されている。そして、流路20,22,24a,24b,24c,24d,24e,24fは、それぞれ流体ライン26,28,30a,30b,30c,30d,30e,30fを介して流体供給源32に接続されている。流体ライン26,28,30a〜30fには、開閉バルブV1,V2,V3,V4,V5,V6,V7,V8と圧力レギュレータR1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8がそれぞれ設置されている。
リテーナリング3の直上にはリテーナ室34が形成されており、リテーナ室34は、ヘッド本体2内に形成された流路36および開閉バルブV9と圧力レギュレータR9が設置された流体ライン38を介して流体供給源32に接続されている。圧力レギュレータR1〜R9は、それぞれ流体供給源32から圧力室12,14a,14b,16a〜16eおよびリテーナ室34に供給する圧力流体の圧力を調整する圧力調整機能を有している。圧力レギュレータR1〜R9および開閉バルブV1〜V9は、制御装置40に接続されていて、それらの作動が制御装置40で制御されるようになっている。
図2に示すように構成された研磨ヘッド1によれば、ウェハWを研磨ヘッド1で保持した状態で、各圧力室12,14a,14b,16a〜16eに供給される圧力流体の圧力をそれぞれ制御することで、ウェハWの半径方向に沿った弾性膜10上の複数のエリア毎に異なった圧力でウェハWを押圧することができる。このように、研磨ヘッド1においては、ヘッド本体2と弾性膜10との間に形成される各圧力室12,14a,14b,16a〜16eに供給する流体の圧力を調整することにより、ウェハWに加えられる押圧力をウェハWの領域毎に調整できる。同時に、リテーナ室34に供給する圧力流体の圧力を制御することで、リテーナリング3が研磨パッド19を押圧する押圧力を調整できる。
ヘッド本体2は、例えばエンジニアリングプラスティック(例えば、PEEK)などの樹脂により形成され、弾性膜10は、例えばエチレンプロピレンゴム(EPDM)、ポリウレタンゴム、シリコンゴム等の強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
図3は、弾性膜(メンブレン)10を示す断面図である。弾性膜10は、ウェハWに接触する円形の当接部11と、当接部11に直接または間接に接続される8つの周壁10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10hを有している。当接部11はウェハWの裏面、すなわち研磨すべき表面とは反対側の面に接触し、ウェハWを研磨パッド19に対して押し付ける。周壁10a〜10hは、同心状に配置された環状の周壁である。
周壁10a〜10hの上端は、4つの保持リング5,6,7,8によってヘッド本体2の下面に取り付けられている。これら保持リング5,6,7,8は保持手段(図示せず)によってヘッド本体2に着脱可能に固定されている。したがって、保持手段を解除すると、保持リング5,6,7,8がヘッド本体2から離れ、これによって弾性膜10をヘッド本体2から取り外すことができる。保持手段としてはねじなどを用いることが出来る。
当接部11は、中間圧力室16cに連通する複数の通孔17を有している。図3では1つの通孔17のみを示す。当接部11にウェハWが接触した状態で中間圧力室16cに真空が形成されると、ウェハWが当接部11の下面に、すなわち研磨ヘッド1に真空吸引により保持される。さらに、ウェハWが研磨パッド19から離れた状態で中間圧力室16cに加圧流体を供給すると、ウェハWが研磨ヘッド1からリリースされる。通孔17は中間圧力室16cの代わりに他の圧力室に形成してもよい。その際にはウェハWの真空吸引やリリースは通孔17を形成した圧力室の圧力を制御することにより行う。
周壁10hは、最も外側の周壁であり、周壁10gは周壁10hの径方向内側に配置されている。さらに、周壁10fは周壁10gの径方向内側に配置されている。以下、周壁10hを第1エッジ周壁、周壁10gを第2エッジ周壁、周壁10fを第3エッジ周壁と呼ぶ。
図4は、弾性膜10の一部を示す拡大断面図である。ウェハWのエッジ部の狭い範囲での研磨レートを調整可能とするために、弾性膜10は図4に示されるような形状を採用している。以下、弾性膜10について詳細に説明する。第1エッジ周壁10hは、当接部11の周端部から上方に延び、第2エッジ周壁10gは第1エッジ周壁10hに接続されている。
第2エッジ周壁10gは第1エッジ周壁10hの内周面101に接続された外側水平部111を有している。第1エッジ周壁10hの内周面101は、当接部11に対して垂直に延びる上側内周面101aおよび下側内周面101bを有している。上側内周面101aは第2エッジ周壁10gの水平部111から上方に延び、下側内周面101bは第2エッジ周壁10gの水平部111から下方に延びている。言い換えれば、当接部11に対して垂直に延びる内周面101を分割する位置に第2エッジ周壁10gの外側水平部111が接続されている。下側内周面101bは当接部11の周端部に接続されている。下側内周面101bの外側に位置する外周面102も、当接部11に対して垂直に延びている。上側内周面101aおよび下側内周面101bは、同一面内にある。この「同一面」とは、当接部11に垂直な想像面である。つまり、上側内周面101aの径方向位置と下側内周面101bの径方向位置は同じである。
第1エッジ周壁10hは、当接部11の上下動を許容する折り曲げ部103を有している。この折り曲げ部103は、上側内周面101aに接続されている。折り曲げ部103は、当接部11と垂直な方向(すなわち、鉛直方向)に伸縮自在に構成されたベローズ構造を有している。したがって、ヘッド本体2と研磨パッド19との距離が変化しても、当接部11の周端部とウェハWとの接触を維持することができる。ヘッド本体2と研磨パッド19との距離が変化する要因としては、ヘッド本体2と研磨パッド19との相対的な傾き、研磨テーブル18の回転に伴う研磨パッド表面19aの面振れ、ヘッドシャフト27の回転に伴うアキシアル振れ(鉛直方向の振れ)などが挙げられる。第1エッジ周壁10hは、折り曲げ部103の上端から径方向内側に延びるリム部104を有している。リム部104は、図3に示す保持リング8によってヘッド本体2の下面に固定される。
第2エッジ周壁10gは、第1エッジ周壁10hの内周面101から水平に延びる外側水平部111を有している。さらに、第2エッジ周壁10gは、外側水平部111に接続された傾斜部112と、傾斜部112に接続された内側水平部113と、内側水平部113に接続された鉛直部114と、鉛直部114に接続されたリム部115とを有している。傾斜部112は、外側水平部111から径方向内側に延びつつ上方に傾斜している。リム部115は、鉛直部114から径方向外側に延びており、図3に示す保持リング8によってヘッド本体2の下面に固定される。第1エッジ周壁10hおよび第2エッジ周壁10gが保持リング8によってヘッド本体2の下面に取り付けられると、第1エッジ周壁10hと第2エッジ周壁10gとの間にエッジ圧力室14aが形成される。
第3エッジ周壁10fは、第2エッジ周壁10gの径方向内側に配置されている。第3エッジ周壁10fは、当接部11の上面に接続された傾斜部121と、傾斜部121に接続された水平部122と、水平部122に接続された鉛直部123と、鉛直部123に接続されたリム部124とを有している。傾斜部121は、当接部11の上面から径方向内側に延びつつ上方に傾斜している。リム部124は、鉛直部123から径方向内側に延びており、図3に示す保持リング7によってヘッド本体2の下面に固定される。第2エッジ周壁10gおよび第3エッジ周壁10fが保持リング8,7によってそれぞれヘッド本体2の下面に取り付けられると、第2エッジ周壁10gと第3エッジ周壁10fとの間にエッジ圧力室14bが形成される。
周壁10eは、第3エッジ周壁10fの径方向内側に配置されている。周壁10eは、当接部11の上面に接続された傾斜部131と、傾斜部131に接続された水平部132と、水平部132に接続された鉛直部133と、鉛直部133に接続されたリム部134とを有している。傾斜部131は、当接部11の上面から径方向内側に延びつつ上方に傾斜している。リム部134は、鉛直部133から径方向外側に延びており、図3に示す保持リング7によってヘッド本体2の下面に固定される。周壁10eおよび第3エッジ周壁10fが保持リング7によってヘッド本体2の下面に取り付けられると、周壁10eと第3エッジ周壁10fとの間に中間圧力室16eが形成される。
図3に示す周壁10b,10dは、図4に示す第3エッジ周壁10fと実質的に同じ構成を有しており、図3に示す周壁10a,10cは、図4に示す周壁10eと実質的に同じ構成を有しているので、それらの説明を省略する。図3に示すように、周壁10a,10bのリム部は保持リング5によってヘッド本体2の下面に固定され、周壁10c,10dのリム部は保持リング6によってヘッド本体2の下面に固定される。
図4に示すように、エッジ圧力室14aはエッジ圧力室14bの上方に配置されている。エッジ圧力室14aとエッジ圧力室14bとは、概ね水平に延びる第2エッジ周壁10gによって仕切られている。第2エッジ周壁10gは第1エッジ周壁10hに接続されているので、エッジ圧力室14aとエッジ圧力室14bとの差圧は第1エッジ周壁10hを鉛直方向に押し下げる下向きの力を発生させる。つまり、エッジ圧力室14a内の圧力がエッジ圧力室14b内の圧力よりも大きいとき、エッジ圧力室14a,14b間の差圧によって下向きの力が第1エッジ周壁10hに発生し、第1エッジ周壁10hは当接部11の周縁部を鉛直方向にウェハの裏面に押し付ける。結果として、当接部11の周縁部がウェハエッジ部を研磨パッド19に対して押し付ける。このように、第1エッジ周壁10h自体に下向きの力が鉛直方向に作用するので、当接部11の周縁部はウェハエッジ部の狭い領域を研磨パッド19に対して押し付けることができる。したがって、ウェハのエッジ部のプロファイルを精密に制御することが可能となる。
上側内周面101aは当接部11に対して垂直に上方に延び、下側内周面101bは当接部11に対して垂直に下方に延びている。このような上側内周面101aおよび下側内周面101bの形状により、第1エッジ周壁10hと第2エッジ周壁10gとの接続部分には斜め方向の力が作用せず、ウェハエッジ部の狭い領域で研磨レートを制御することが可能となる。この点について、図5乃至図9を参照して説明する。
図5乃至図8に示すように、上側内周面101aおよび/または下側内周面101bが傾斜していると、第1エッジ周壁10hと第2エッジ周壁10gとの接続部分には斜め方向の力が作用する。このため、第1エッジ周壁10hと当接部11との接続部分に力が広い範囲で作用し、ウェハエッジ部の狭い範囲での研磨レートを制御できなくなる。さらに、エッジ圧力室14a,14b間に差圧が発生したときに、第1エッジ周壁10hと第2エッジ周壁10gとの接続部分に斜め方向の力が作用し、第1エッジ周壁10hが変形したり倒れたりして、ウェハへ力が伝達されない。
これに対し、図9に示すように、本実施形態の上側内周面101aおよび下側内周面101bの両方は、鉛直方向に、すなわち当接部11に対して垂直に延びている。このような形状にすることにより、第1エッジ周壁10hと第2エッジ周壁10gとの接続部分には斜め方向の力はほとんど作用せず、エッジ圧力室14a,14b間の差圧によって発生する下向きの力は第1エッジ周壁10hを伝ってウェハエッジ部に鉛直方向に作用する。したがって、ウェハエッジ部の狭い範囲での研磨レートを制御することが可能となる。
図10は、弾性膜10の他の実施形態を示す断面図である。特に説明しない構成は図4に示す構成と同じである。図10に示すように、下側内周面101bには、第1エッジ周壁10hの周方向に延びる環状溝105が形成されている。この環状溝105は、下側内周面101bの下端に形成されており、第1エッジ周壁10hに薄肉部を形成している。このような環状溝105が当接部11に隣接して形成されているので、第1エッジ周壁10hに斜め方向の力が作用した場合であっても、その斜め方向の力は当接部11に伝達されにくくなる。したがって、ウェハエッジ部の狭い範囲での研磨レートを制御することが可能となる。
図11は、弾性膜10のさらに他の実施形態を示す断面図である。特に説明しない構成は図4に示す構成と同じである。図11に示すように、第3エッジ周壁10fの下端125は第1エッジ周壁10hに隣接している。例えば、第3エッジ周壁10fの下端125と第1エッジ周壁10hの下側内周面101bとの距離は、1mm以上10mm以下であり、より望ましくは1mm以上5mm以下である。本実施形態の形状によれば、エッジ圧力室14b内の圧力が当接部11に作用する領域を狭くすることができる。したがって、ウェハエッジ部の狭い範囲での研磨レートを制御することが可能となる。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
1 研磨ヘッド
2 ヘッド本体
3 リテーナリング
5,6,7,8 保持リング
10 弾性膜(メンブレン)
10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h 周壁
11 当接部
12 中央圧力室
14a,14b エッジ圧力室
16a〜16e 中間圧力室
17 通孔
18 研磨テーブル
18a テーブル軸
19 研磨パッド
19a 研磨面
25 研磨液供給ノズル
27 ヘッドシャフト
32 流体供給源
34 リテーナ室
40 制御装置
64 ヘッドアーム
66 回転筒
67 タイミングプーリ
68 ヘッドモータ
69 タイミングベルト
70 タイミングプーリ
80 アームシャフト
81 上下動機構
82 ロータリージョイント
83 軸受
84 ブリッジ
85 支持台
86 支柱
88 ボールねじ
88a ねじ軸
88b ナット
90 サーボモータ
101 内周面
101a 上側内周面
101b 下側内周面
111 水平部
V1,V2,V3,V4,V5,V6,V7,V8,V9 開閉バルブ
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9 圧力レギュレータ

Claims (7)

  1. 基板保持装置に用いられる弾性膜であって、
    基板に当接して該基板を研磨パッドに押圧する当接部と、
    前記当接部の周端部から上方に延びる第1エッジ周壁と、
    前記第1エッジ周壁の内周面に接続された水平部を有する第2エッジ周壁とを備え、
    前記第1エッジ周壁の内周面は、前記当接部に対して垂直に延びる上側内周面および下側内周面を有しており、
    前記上側内周面は前記第2エッジ周壁の前記水平部から上方に延び、前記下側内周面は前記第2エッジ周壁の前記水平部から下方に延びることを特徴とする弾性膜。
  2. 前記上側内周面および前記下側内周面は、同一面内にあることを特徴とする請求項1に記載の弾性膜。
  3. 前記下側内周面には、前記第1エッジ周壁の周方向に延びる環状溝が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の弾性膜。
  4. 前記環状溝は、前記下側内周面の下端に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の弾性膜。
  5. 前記第2エッジ周壁の径方向内側に配置された第3エッジ周壁をさらに備え、
    前記第3エッジ周壁の下端は前記当接部に接続されており、前記第3エッジ周壁の下端は前記第1エッジ周壁に隣接していることを特徴とする請求項1に記載の弾性膜。
  6. 基板を押圧するための複数の圧力室を形成する弾性膜と、
    前記弾性膜が取り付けられるヘッド本体と、
    前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、
    前記弾性膜は請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性膜であることを特徴とする基板保持装置。
  7. 研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、
    基板を前記研磨パッドに押し付けるための基板保持装置とを備えた研磨装置であって、
    前記基板保持装置は、基板を押圧するための複数の圧力室を形成する弾性膜と、前記弾性膜が取り付けられるヘッド本体と、前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、前記弾性膜は請求項1乃至5のいずれか一項に記載の弾性膜であることを特徴とする研磨装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017164895A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 株式会社荏原製作所 基板研磨方法、トップリングおよび基板研磨装置
KR20180046877A (ko) 2016-10-28 2018-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 보유 지지 장치, 탄성막, 연마 장치 및 탄성막의 교환 방법
KR20180115226A (ko) 2017-04-12 2018-10-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 탄성막, 기판 보유 지지 장치 및 연마 장치
JP2018176414A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社荏原製作所 弾性膜、基板保持装置、及び研磨装置
JP2020168675A (ja) * 2019-04-02 2020-10-15 株式会社荏原製作所 積層メンブレン、積層メンブレンを備える基板保持装置および基板処理装置
US11179823B2 (en) 2016-10-28 2021-11-23 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6383152B2 (ja) * 2014-01-10 2018-08-29 平田機工株式会社 移載方法、保持装置及び移載システム
TWI628043B (zh) * 2014-03-27 2018-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 彈性膜、基板保持裝置、及研磨裝置
TWI730044B (zh) * 2016-03-15 2021-06-11 日商荏原製作所股份有限公司 基板研磨方法、頂環及基板研磨裝置
CN108885984B (zh) * 2016-04-01 2024-03-08 姜準模 形成有基板容纳部件的化学机械研磨装置用载体头
US10096460B2 (en) * 2016-08-02 2018-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase
CN107813220A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 清华大学 压力加载膜
CN109420968B (zh) * 2017-08-25 2022-04-05 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨设备及半导体装置的制造方法
TWI673786B (zh) * 2017-08-25 2019-10-01 台灣積體電路製造股份有限公司 化學機械研磨設備及半導體裝置之製造方法
KR102052878B1 (ko) * 2017-12-01 2019-12-10 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
USD918161S1 (en) 2017-12-19 2021-05-04 Ebara Corporation Elastic membrane
CN108161702B (zh) * 2018-03-16 2019-09-06 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种抛光机
CN108188865B (zh) * 2018-03-16 2020-01-10 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种激光晶体抛光装置
KR102121728B1 (ko) * 2018-05-03 2020-06-12 주식회사 케이씨텍 유지링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드
KR20200016175A (ko) * 2018-08-06 2020-02-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 보유 지지 장치, 기판 흡착 판정 방법, 기판 연마 장치, 기판 연마 방법, 연마되는 웨이퍼의 상면으로부터 액체를 제거하는 방법, 및 웨이퍼를 연마 패드에 압박하기 위한 탄성막, 기판 릴리스 방법 및 정량 기체 공급 장치
JP7158223B2 (ja) 2018-09-20 2022-10-21 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドおよび研磨装置
KR102629679B1 (ko) * 2018-11-09 2024-01-29 주식회사 케이씨텍 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR102637833B1 (ko) * 2018-11-09 2024-02-19 주식회사 케이씨텍 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
KR102637832B1 (ko) * 2018-11-09 2024-02-19 주식회사 케이씨텍 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인
US11325223B2 (en) * 2019-08-23 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with segmented substrate chuck
SG10202008012WA (en) * 2019-08-29 2021-03-30 Ebara Corp Elastic membrane and substrate holding apparatus
CN112792728B (zh) * 2021-02-03 2022-11-22 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的柔性膜、承载头及抛光设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004516644A (ja) * 2000-07-25 2004-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可撓性膜を有するマルチチャンバキャリヤヘッド
US20120309275A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 K.C. Tech Co., Ltd. Membrane assembly and carrier head having the membrane assembly
JP2013111679A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Ebara Corp 弾性膜及び基板保持装置
US20130316628A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible membranes for a polishing head

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851140A (en) * 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
JP2002187060A (ja) 2000-10-11 2002-07-02 Ebara Corp 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法
JP4515047B2 (ja) * 2003-06-06 2010-07-28 株式会社荏原製作所 弾性膜、基板保持装置、研磨装置、及び研磨方法
US7255771B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
US7402098B2 (en) 2006-10-27 2008-07-22 Novellus Systems, Inc. Carrier head for workpiece planarization/polishing
US7654888B2 (en) 2006-11-22 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Carrier head with retaining ring and carrier ring
US7727055B2 (en) 2006-11-22 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for carrier head
JP2009131920A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Ebara Corp 研磨装置及び方法
US7959496B2 (en) * 2008-01-03 2011-06-14 Strasbaugh Flexible membrane assembly for a CMP system and method of using
KR100897226B1 (ko) * 2008-02-12 2009-05-14 황병렬 화학기계 연마장치의 내부 세척식 연마헤드
JP5390807B2 (ja) 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
US8475231B2 (en) * 2008-12-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane
KR20100108820A (ko) 2009-03-30 2010-10-08 주식회사리온 화학기계 연마 헤드용 가요성 박막
KR101113748B1 (ko) 2009-12-08 2012-02-27 전남대학교산학협력단 수소 저장 착물의 제조방법
US8591286B2 (en) * 2010-08-11 2013-11-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for temperature control during polishing
KR101286009B1 (ko) * 2011-12-16 2013-07-15 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마방법
KR20140028287A (ko) * 2012-08-28 2014-03-10 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마 장치
JP5875950B2 (ja) 2012-06-29 2016-03-02 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
TWI628043B (zh) * 2014-03-27 2018-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 彈性膜、基板保持裝置、及研磨裝置
SG10201606197XA (en) * 2015-08-18 2017-03-30 Ebara Corp Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004516644A (ja) * 2000-07-25 2004-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可撓性膜を有するマルチチャンバキャリヤヘッド
US20120309275A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 K.C. Tech Co., Ltd. Membrane assembly and carrier head having the membrane assembly
JP2013111679A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Ebara Corp 弾性膜及び基板保持装置
US20130316628A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible membranes for a polishing head

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017164895A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 株式会社荏原製作所 基板研磨方法、トップリングおよび基板研磨装置
JP7157521B2 (ja) 2016-03-15 2022-10-20 株式会社荏原製作所 基板研磨方法、トップリングおよび基板研磨装置
US11179823B2 (en) 2016-10-28 2021-11-23 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane
KR20180046877A (ko) 2016-10-28 2018-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 보유 지지 장치, 탄성막, 연마 장치 및 탄성막의 교환 방법
JP2018078267A (ja) * 2016-10-28 2018-05-17 株式会社荏原製作所 基板保持装置、弾性膜、研磨装置、および弾性膜の交換方法
US11958163B2 (en) 2016-10-28 2024-04-16 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, elastic membrane, polishing apparatus, and method for replacing elastic membrane
KR20180115226A (ko) 2017-04-12 2018-10-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 탄성막, 기판 보유 지지 장치 및 연마 장치
US11088011B2 (en) 2017-04-12 2021-08-10 Ebara Corporation Elastic membrane, substrate holding device, and polishing apparatus
JP7141222B2 (ja) 2017-04-12 2022-09-22 株式会社荏原製作所 弾性膜、基板保持装置、及び研磨装置
JP2018176414A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社荏原製作所 弾性膜、基板保持装置、及び研磨装置
JP2020168675A (ja) * 2019-04-02 2020-10-15 株式会社荏原製作所 積層メンブレン、積層メンブレンを備える基板保持装置および基板処理装置
US11638980B2 (en) 2019-04-02 2023-05-02 Ebara Corporation Laminated membrane, substrate holder including laminated membrane, and substrate processing apparatus
JP7300297B2 (ja) 2019-04-02 2023-06-29 株式会社荏原製作所 積層メンブレン、積層メンブレンを備える基板保持装置および基板処理装置
TWI833934B (zh) * 2019-04-02 2024-03-01 日商荏原製作所股份有限公司 積層膜、具備積層膜的基板保持裝置及基板處理裝置

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