CN109093507A - 弹性膜、基板保持装置及研磨装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。

Description

弹性膜、基板保持装置及研磨装置
本申请是下述专利申请的分案申请：
申请号：201510136596.2
申请日：2015年03月26日
发明名称：弹性膜、基板保持装置及研磨装置
技术领域
本发明涉及一种用于保持晶片等基板的基板保持装置的弹性膜。此外，本发明涉及一种具备此种弹性膜的基板保持装置及研磨装置。
背景技术
近年来，伴随半导体设备的高积体化、高密度化，电路配线越来越微细化，多层配线的层数也不断增加。为了谋求电路微细化而且实现多层配线，由于遵循下侧层的表面凹凸而且阶梯差更大，因此随着配线层数增加，膜被覆性(阶跃式覆盖率)对形成薄膜时的阶梯差形状变差。因此，为了实施多层配线，必须改善该阶跃式覆盖率，并以适当的过程进行平坦化处理。此外，因为焦点深度随光微影术的微细化而变浅，所以需要将半导体设备表面实施平坦化处理，使半导体设备表面的凹凸阶梯差达到焦点深度以下。
因此，在半导体设备的制造工序中，半导体设备表面的平坦化越来越重要。该表面平坦化中最重要的技术是化学机械研磨(CMP：Chemical mechanical Polishing)。该化学机械研磨是在研磨垫的研磨面上供给包含二氧化硅(SiO2)等磨料的研磨液，并使晶片滑动接触于研磨面来进行研磨的。
用于进行CMP的研磨装置具备：支撑研磨垫的研磨台；及用于保持晶片的顶环或是称为研磨头等的基板保持装置。使用此种研磨装置进行晶片的研磨情况下，由基板保持装置保持晶片，并以指定压力将该晶片向研磨垫的研磨面按压。此时，通过使研磨台与基板保持装置相对移动，晶片滑动接触于研磨面，从而研磨晶片表面。
研磨中的晶片与研磨垫的研磨面间的相对按压力在整个晶片面上不均匀时，根据施加给晶片各部分的按压力而发生研磨不足或过度研磨。因此，为了使对晶片的按压力均匀化，而在基板保持装置下部设置由弹性膜形成的压力室，通过在该压力室中供给空气等流体，经由弹性膜而由流体压按压晶片。
因为上述研磨垫具有弹性，所以有时施加于研磨中的晶片边缘部(周缘部)的按压力不均匀，而发生仅晶片边缘部被研磨较多的所谓“边缘塌陷”的情况。为了防止此种边缘塌陷，将保持晶片边缘部的挡环设成可对顶环本体(或运载头(Carrier Head)本体)进行上下移动，并以挡环按压位于晶片外周缘侧的研磨垫的研磨面。
【先前技术文献】
【专利文献】
[专利文献1]日本特开2013-111679号公报
发明内容
(发明所要解决的问题)
近年来，半导体设备的种类增加快速，按照每个设备或每个CMP工序(氧化膜研磨或金属膜研磨等)调整晶片边缘部的研磨剖面的必要性提高。作为原因之一，可列举出：各CMP工序之前进行的成膜工序因膜种类不同而不同，所以晶片的初期膜厚分布不同。通常在CMP后整个晶片需要使膜厚分布均匀，所以各个不同初期膜厚分布需要的研磨剖面不同。
还可举出其他原因，即从成本等观点出发，研磨装置所使用的研磨垫及研磨液等的种类繁多。研磨垫或研磨液等消耗材料不同时，特别是晶片边缘部的研磨剖面差异很大。在半导体设备制造中，晶片边缘部的研磨剖面对产品的成品率的影响很大。因此，在晶片边缘部，特别是在半径方向狭窄的区域精密调整晶片边缘部的研磨剖面是非常重要的。
为了调整晶片边缘部的研磨剖面，提出有专利文献1所示的各种弹性膜。但是，这些弹性模适合调整比较宽的区域的晶片边缘部的研磨剖面的情况。
因此，本发明的目的为提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜(Membrane)。此外，本发明的目的为提供一种具备这种弹性膜的基板保持装置及研磨装置。
(用于解决问题的手段)
本发明一方式是用于基板保持装置的弹性膜，其特征在于，具备：抵接部，该抵接部抵接于基板，并将该基板按压于研磨垫；第一边缘周壁，该第一边缘周壁从所述抵接部的周端部向上方延伸；及第二边缘周壁，该第二边缘周壁具有连接于所述第一边缘周壁的内周面的水平部，所述第一边缘周壁的内周面具有相对所述抵接部垂直延伸的上侧内周面及下侧内周面，所述上侧内周面从所述第二边缘周壁的所述水平部向上方延伸，所述下侧内周面从所述第二边缘周壁的所述水平部向下方延伸。
优选方式的特征在于，所述上侧内周面及所述下侧内周面处于同一面内。
优选方式的特征在于，在所述下侧内周面上形成有沿所述第一边缘周壁的周向延伸的环状槽。
优选方式的特征在于，所述环状槽形成于所述下侧内周面的下端。
优选方式的特征在于，还具备配置于所述第二边缘周壁的径向内侧的第三边缘周壁，所述第三边缘周壁的下端连接于所述抵接部，所述第三边缘周壁的下端邻接于所述第一边缘周壁。
本发明另一方式是基板保持装置，其特征在于，具备：弹性膜，该弹性膜形成用于按压基板的多个压力室；头本体，该头本体安装所述弹性膜；及挡环，该挡环以包围所述基板的方式配置；所述弹性膜是上述弹性膜。
本发明又一方式是研磨装置，具备：研磨台，该研磨台用于支撑研磨垫；及基板保持装置，该基板保持装置用于将基板按压于所述研磨垫。所述研磨装置的特征在于，所述基板保持装置具备：弹性膜，该弹性膜形成用于按压基板的多个压力室；头本体，该头本体安装所述弹性膜；及挡环，该挡环以包围所述基板的方式配置；所述弹性膜是上述弹性膜。
(发明的效果)
通过将弹性膜使用于研磨装置的基板保持装置，可精密控制在基板外周部的狭窄范围的研磨率。因此，在各种处理中，基板面内的研磨率的均匀性提高，可使成品率提高。
附图说明
图1是表示研磨装置一实施方式的图。
图2是表示设于图1所示的研磨装置的研磨头(基板保持装置)的图。
图3是表示设于图2所示的研磨头的弹性膜(Membrane)的剖面图。
图4是表示弹性膜的一部分的放大剖面图。
图5是第一边缘周壁的上侧内周面及下侧内周面倾斜时力的作用方向的说明图。
图6是第一边缘周壁的上侧内周面及下侧内周面倾斜时力的作用方向的说明图。
图7是第一边缘周壁的上侧内周面倾斜时力的作用方向的说明图。
图8是第一边缘周壁的下侧内周面倾斜时力的作用方向的说明图。
图9是第一边缘周壁的上侧内周面及下侧内周面相对抵接部垂直延伸时力的作用方向的说明图。
图10是表示弹性膜的另一实施方式的剖面图。
图11是表示弹性膜的又一实施方式的剖面图。
符号说明
1 研磨头
2 头本体
3 挡环
5、6、7、8 保持环
10 弹性膜(Membrane)
10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h 周壁
11 抵接部
12 中央压力室
14a、14b 边缘压力室
16a、16b、16c、16d、16e 中间压力室
17 通孔
18 研磨台
18a 台轴
19 研磨垫
19a 研磨面
20、22、24a、24b、24c、24d、24e、24f 流路
25 研磨液供给喷嘴
26、28、30a、30b、30c、30d、30e、30f 流体管线
32 流体供给源
34 固定室
36 流路
38 流体管线
40 控制装置
64 头支臂
66 旋转筒
67 定时带轮
68 头马达
69 定时带
70 定时带轮
80 支臂旋转轴
81 上下移动机构
82 旋转接头
83 轴承
84 桥部
85 支撑台
86 支柱
88 滚珠丝杠
88a 丝杠轴
88b 螺母
90 伺服马达
101 内周面
101a 上侧内周面
101b 下侧内周面
102 外周面
103 弯曲部
104 凸缘部
105 环状槽
111、122、132 水平部
112、121、131 倾斜部
113 内侧水平部
114、123、133 铅直部
115、124、134 凸缘部
125 下端
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9 压力调整器
V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9 开闭阀
W 晶片
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施方式。图1是表示研磨装置一实施方式的图。如图1所示，研磨装置具备：支撑研磨垫19的研磨台18；及保持研磨对象物即作为基板的一例的晶片W，并按压于研磨台18上的研磨垫19的研磨头(基板保持装置)1。
研磨台18经由台轴18a连接于配置在其下方的台马达29，并可绕该台轴18a旋转。研磨垫19贴附于研磨台18的上表面，研磨垫19的表面19a构成研磨晶片W的研磨面。在研磨台18上方设置有研磨液供给喷嘴25，通过该研磨液供给喷嘴25在研磨台18上的研磨垫19上供给研磨液Q。
研磨头1具备：向研磨面19a按压晶片W的头本体2；及保持晶片W而避免晶片W从研磨头1弹出的挡环3。研磨头1连接于头旋转轴27，该头旋转轴27借助上下移动机构81而相对头支臂64上下移动。通过该头旋转轴27的上下移动，使整个研磨头1相对头支臂64升降而定位。在头旋转轴27的上端安装有旋转接头82。
使头旋转轴27及研磨头1上下移动的上下移动机构81具备经由轴承83可旋转地支撑头旋转轴27的桥部84，安装于桥部84的滚珠丝杠88，由支柱86支撑的支撑台85，及设于支撑台85上的伺服马达90。支撑伺服马达90的支撑台85经由支柱86而固定于头支臂64。
滚珠丝杠88具备连接于伺服马达90的丝杠轴88a，及供该丝杠轴88a螺合的螺母88b。头旋转轴27可与桥部84一体地上下移动。因此，驱动伺服马达90时，桥部84经由滚珠丝杠88而上下移动，由此头旋转轴27及研磨头1上下移动。
头旋转轴27经由键(Key)(未图示)而连接于旋转筒66。该旋转筒66在其外周部具备定时带轮67。头支臂64上固定有头马达68，上述定时带轮67经由定时带69连接于设于头马达68的定时带轮70。因此，通过旋转驱动头马达68，旋转筒66及头旋转轴27经由定时带轮70、定时带69及定时带轮67而一体旋转，而使研磨头1旋转。头支臂64由可旋转地支撑于框架(未图示)的支臂旋转轴80支撑。研磨装置具备以控制头马达68、伺服马达90为首的装置内的各机器的控制装置40。
研磨头1构成可在其下面保持晶片W。头支臂64构成可以支臂旋转轴80为中心而回旋，在下表面保持有晶片W的研磨头1通过头支臂64的回旋而从晶片W的接收位置移动至研磨台18的上方位置。
如下所示地进行晶片W的研磨。分别使研磨头1及研磨台18旋转，并从设于研磨台18上方的研磨液供给喷嘴25向研磨垫19上供给研磨液Q。在该状态下，使研磨头1下降至指定位置(指定高度)，在该指定位置将晶片W按压于研磨垫19的研磨面19a。晶片W滑动接触于研磨垫19的研磨面19a，由此研磨晶片W表面。
其次，参照图2详细说明设于图1所示的研磨装置的研磨头(基板保持装置)1。如图2所示，研磨头1基本上由固定于头旋转轴27下端的头本体2，直接按压研磨面19a的挡环3，及向研磨面19a按压晶片W的柔软的弹性膜10而构成。挡环3以包围晶片W的方式配置，并连接于头本体2。弹性膜10以覆盖头本体2下表面的方式安装于头本体2。
弹性膜10具有同心状配置的多个(图示为8个)环状周壁10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h，通过这些多个周壁10a～10h，而在弹性膜10上表面与本体装置2下表面之间形成有位于中央的圆形状的中央压力室12，位于最外周的环状的边缘压力室14a、14b，及位于中央压力室12与边缘压力室14a、14b之间的本例中为环状的5个中间压力室(第一～第五中间压力室)16a、16b、16c、16d、16e。
在头本体2中分别形成有连通于中央压力室12的流路20，连通于边缘压力室14a的流路22，连通于边缘压力室14b的流路24f，及分别连通于中间压力室16a、16b、16c、16d、16e的流路24a、24b、24c、24d、24e。并且，流路20、22、24a、24b、24c、24d、24e、24f分别经由流体管线26、28、30a、30b、30c、30d、30e、30f而连接于流体供给源32。在流体管线26、28、30a～30f中分别设置有开闭阀V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8与压力调整器R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8。
在挡环3的正上方形成有固定(Retainer)室34，固定室34经由形成于头本体2中的流路36及设置有开闭阀V9与压力调整器R9的流体管线38而连接于流体供给源32。压力调整器R1～R9具有调整分别从流体供给源32供给至压力室12、14a、14b、16a～16e及供给至固定室34的压力流体的压力的压力调整功能。压力调整器R1～R9及开闭阀V1～V9连接于控制装置40，并以控制装置40控制它们的工作。
采用如图2所示地构成的研磨头1时，在研磨头1保持有晶片W状态下，通过分别控制供给至各压力室12、14a、14b、16a～16e的压力流体的压力，可在沿着晶片W半径方向的弹性膜10上的多个区域以每个不同的压力按压晶片W。如此，在研磨头1中，通过调整供给至形成于头本体2与弹性膜10间的各压力室12、14a、14b、16a～16e的流体压力，可在每个晶片W的区域调整施加于晶片W的按压力。同时，通过控制供给至固定室34的压力流体的压力，可调整挡环3按压研磨垫19的按压力。
头本体2例如由工程塑料(例如PEEK(聚二醚酮))等树脂形成，弹性膜10例如由乙丙橡胶(EPDM(乙烯丙烯二烯共聚物))、聚氨酯橡胶、硅橡胶等强度及耐用性优异的橡胶材料形成。
图3是表示弹性膜(Membrane)10的剖面图。弹性膜10具有接触于晶片W的圆形的抵接部11，及直接或间接连接于抵接部11的8个周壁10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h。抵接部11接触于晶片W的背面，即接触于与待研磨的表面的相反侧的面，而向研磨垫19按压晶片W。周壁10a～10h为同心状配置的环状周壁。
周壁10a～10h的上端通过4个保持环5、6、7、8而安装于头本体2的下表面。这些保持环5、6、7、8通过保持单元(未图示)而可装卸地固定于头本体2。因此，当解除保持单元时，保持环5、6、7、8从头本体2离开，由此可从头本体2取出弹性膜10。保持单元可使用螺钉等。
抵接部11具有连通于中间压力室16c的多个通孔17。图3仅表示1个通孔17。在晶片W接触于抵接部11的状态下，在中间压力室16c中形成真空时，晶片W通过真空吸引而保持于抵接部11的下表面，即保持于研磨头1。而且，晶片W从研磨垫19离开状态下，在中间压力室16c中供给加压流体时，晶片W被从研磨头1释放。通孔17也可形成于其他压力室而非中间压力室16c。此时，晶片W的真空吸引或释放是通过控制形成有通孔17的压力室的压力来进行的。
周壁10h为最外侧的周壁，周壁10g配置于周壁10h的径向内侧。而且，周壁10f配置于周壁10g的径向内侧。以下，将周壁10h称为第一边缘周壁，将周壁10g称为第二边缘周壁，将周壁10f称为第三边缘周壁。
图4是表示弹性膜10的一部分的放大剖面图。为了能够调整晶片W边缘部狭窄范围的研磨率，弹性膜10采用如图4所示的形状。以下，详细说明弹性膜10。第一边缘周壁10h从抵接部11的周端部向上方延伸，第二边缘周壁10g连接于第一边缘周壁10h。
第二边缘周壁10g具有连接于第一边缘周壁10h的内周面101的外侧水平部111。第一边缘周壁10h的内周面101具有相对抵接部11垂直延伸的上侧内周面101a及下侧内周面101b。上侧内周面101a从第二边缘周壁10g的水平部111向上方延伸，下侧内周面101b从第二边缘周壁10g的水平部111向下方延伸。换言之，在分割相对抵接部11垂直延伸的内周面101的位置连接有第二边缘周壁10g的外侧水平部111。下侧内周面101b连接于抵接部11的周端部。位于下侧内周面101b外侧的外周面102也相对抵接部11垂直延伸。上侧内周面101a及下侧内周面101b处于同一面内。所谓“同一面”，为垂直于抵接部11的假设面。换言之，上侧内周面101a的径向位置与下侧内周面101b的径向位置相同。
第一边缘周壁10h具有允许抵接部11上下移动的弯曲部103。该弯曲部103连接于上侧内周面101a。弯曲部103具有在与抵接部11垂直的方向(即铅直方向)上伸缩自如地构成的波纹管构造。因此，即使头本体2与研磨垫19的距离变化，仍可维持抵接部11的周端部与晶片W的接触。头本体2与研磨垫19的距离变化的原因可举出头本体2与研磨垫19的相对斜度、研磨垫表面19a伴随研磨台18旋转的面振动、伴随头旋转轴27的旋转的轴向振动(铅直方向的振动)等。第一边缘周壁10h具有从弯曲部103的上端向半径方向内侧延伸的凸缘部104，凸缘部104通过图3所示的保持环8而固定于头本体2的下表面。
第二边缘周壁10g具有从第一边缘周壁10h的内周面101水平延伸的外侧水平部111。而且，第二边缘周壁10g具有连接于外侧水平部111的倾斜部112，连接于倾斜部112的内侧水平部113，连接于内侧水平部113的铅直部114，及连接于铅直部114的凸缘部115。倾斜部112从外侧水平部111向径向内侧延伸且向上方倾斜。凸缘部115从铅直部114向径向外侧延伸，并由图3所示的保持环8固定于头本体2下表面。第一边缘周壁10h及第二边缘周壁10g由保持环8安装于头本体2的下表面时，在第一边缘周壁10h与第二边缘周壁10g之间形成边缘压力室14a。
第三边缘周壁10f配置于第二边缘周壁10g的径向内侧。第三边缘周壁10f具有连接于抵接部11上表面的倾斜部121，连接于倾斜部121的水平部122，连接于水平部122的铅直部123，及连接于铅直部123的凸缘部124。倾斜部121从抵接部11上表面向径向内侧延伸且向上方倾斜。凸缘部124从铅直部123向径向内侧延伸，并由图3所示的保持环7固定于头本体2下表面。第二边缘周壁10g及第三边缘周壁10f由保持环8、7分别安装于头本体2下表面时，在第二边缘周壁10g与第三边缘周壁10f之间形成边缘压力室14b。
周壁10e配置于第三边缘周壁10f的径向内侧。周壁10e具有连接于抵接部11上表面的倾斜部131，连接于倾斜部131的水平部132，连接于水平部132的铅直部133，及连接于铅直部133的凸缘部134。倾斜部131从抵接部11上面向径向内侧延伸且向上方倾斜。凸缘部134从铅直部133向径向外侧延伸，并由图3所示的保持环7固定于头本体2的下表面。周壁10e及第三边缘周壁10f由保持环7安装于头本体2下表面时，在周壁10e与第三边缘周壁10f之间形成中间压力室16e。
由于图3所示的周壁10b、10d具有与图4所示的第三边缘周壁10f实质相同的构成，图3所示的周壁10a、10c具有与图4所示的周壁10e实质相同的构成，因此省略它们的说明。如图3所示，周壁10a、10b的凸缘部通过保持环5而固定于头本体2下表面，周壁10c、10d的凸缘部通过保持环6而固定于头本体2下表面。
如图4所示，边缘压力室14a配置于边缘压力室14b的上方。边缘压力室14a与边缘压力室14b通过大致水平延伸的第二边缘周壁10g隔开。由于第二边缘周壁10g连接于第一边缘周壁10h，因此边缘压力室14a与边缘压力室14b的差压产生将第一边缘周壁10h沿铅直方向按压的向下的力。换言之，当边缘压力室14a中的压力比边缘压力室14b中的压力大时，通过边缘压力室14a、14b间的差压而在第一边缘周壁10h上产生向下的力，第一边缘周壁10h将抵接部11的周缘部沿铅直方向按压于晶片背面。结果，抵接部11的周缘部向研磨垫19按压晶片边缘部。如此，由于向下的力沿铅直方向作用于第一边缘周壁10h本身，因此抵接部11的周缘部可对研磨垫19按压晶片边缘部的狭窄区域。因此，可精密控制晶片边缘部的剖面。
上侧内周面101a相对抵接部11垂直地向上方延伸，下侧内周面101b相对抵接部11垂直地向下方延伸。通过这种上侧内周面101a及下侧内周面101b的形状，倾斜方向的力不作用于第一边缘周壁10h与第二边缘周壁10g的连接部分，可在晶片边缘部的狭窄区域控制研磨率。关于这一点参照图5至图9进行说明。
如图5至图8所示，上侧内周面101a及/或下侧内周面101b倾斜时，在第一边缘周壁10h与第二边缘周壁10g的连接部分作用有斜向的力。因而，力广范围作用于第一边缘周壁10h与抵接部11的连接部分，无法控制晶片边缘部狭窄范围的研磨率。而且，当边缘压力室14a、14b间产生差压时，斜向的力作用于第一边缘周壁10h与第二边缘周壁10g的连接部分，导致第一边缘周壁10h变形倒塌，或者力不向晶片传递。
相对于此，如图9所示，本实施方式的上侧内周面101a及下侧内周面101b双方沿铅直方向，即相对抵接部11垂直地延伸。通过形成这种形状，斜向的力几乎不作用于第一边缘周壁10h与第二边缘周壁10g的连接部分，通过边缘压力室14a、14b间的差压产生的向下的力传递至第一边缘周壁10h，而沿铅直方向作用于晶片边缘部。因此，可控制在晶片边缘部狭窄范围的研磨率。
图10为表示弹性膜10另一实施方式的剖面图。不作特别说明的构成与图4所示的构成相同。如图10所示，在下侧内周面101b中形成有沿着第一边缘周壁10h的周向延伸的环状槽105。该环状槽105形成于下侧内周面101b的下端，并在第一边缘周壁10h上形成有薄壁部。由于这种环状槽105邻接于抵接部11而形成，因此即使斜向的力作用于第一边缘周壁10h时，该斜向的力也难以传递至抵接部11。因此，可控制晶片边缘部的狭窄范围的研磨率。
图11为表示弹性膜10的又一实施方式的剖面图。不特别说明的构成与图4所示的构成相同。如图11所示，第三边缘周壁10f的下端125邻接于第一边缘周壁10h。例如，第三边缘周壁10f的下端125与第一边缘周壁10h的下侧内周面101b的距离为1mm以上，10mm以下，更优选为1mm以上，5mm以下。采用本实施方式的形状时，可缩小边缘压力室14b内的压力作用于抵接部11的区域。因此，可控制晶片边缘部的狭窄范围的研磨率。
上述实施方式是以具有本发明所属技术领域的一般知识者可实施本发明为目的而记载的。本领域技术人员当然可形成上述实施方式的各种变形例，且本发明的技术性思想也适用于其他实施方式。因此，本发明不限定于所记载的实施方式，而按照权利要求书所定义的技术性思想作最广泛的解释。

Claims (9)

1.一种弹性膜，用于基板保持装置，其特征在于，具备：
抵接部，该抵接部抵接于基板，并将该基板按压于研磨垫；
第一边缘周壁，该第一边缘周壁从所述抵接部的周端部向上方延伸；
第二边缘周壁，该第二边缘周壁连接于所述第一边缘周壁；及
第三边缘周壁，该第三边缘周壁具有倾斜部，该倾斜部连接于所述抵接部的上表面。
2.如权利要求1所述的弹性膜，其特征在于，
在所述第一边缘周壁与所述第二边缘周壁之间形成有第一边缘压力室，
在所述第二边缘周壁与所述第三边缘周壁之间形成有第二边缘压力室。
3.如权利要求2所述的弹性膜，其特征在于，
还具备第四周壁，该第四周壁配置于所述第三边缘周壁的径向内侧，
在所述第三边缘周壁与所述第四周壁之间形成有中间压力室，
所述第二边缘压力室的一部分位于所述中间压力室的上方。
4.如权利要求1所述的弹性膜，其特征在于，
所述倾斜部位于所述第二边缘周壁的下方且所述抵接部的上方。
5.如权利要求1所述的弹性膜，其特征在于，
所述第一边缘周壁具有与所述抵接部垂直的内周面。
6.如权利要求1所述的弹性膜，其特征在于，
所述第三边缘周壁的下端与所述第一边缘周壁的下侧内周面的距离为1mm以上且10mm以下。
7.如权利要求6所述的弹性膜，其特征在于，
所述距离为1mm以上且5mm以下。
8.一种基板保持装置，其特征在于，具备：
弹性膜，该弹性膜形成用于按压基板的多个压力室；
头本体，该头本体安装所述弹性膜；及
挡环，该挡环以包围所述基板的方式配置，且
所述弹性膜是权利要求1-7中任一项所述的弹性膜。
9.一种研磨装置，具备：
研磨台，该研磨台用于支撑研磨垫；及
基板保持装置，该基板保持装置用于将基板按压于所述研磨垫，所述研磨装置的特征在于，所述基板保持装置具备：
弹性膜，该弹性膜形成用于按压基板的多个压力室；
头本体，该头本体安装所述弹性膜；及
挡环，该挡环以包围所述基板的方式配置，且
所述弹性膜是权利要求1-7中任一项所述的弹性膜。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Inventor after: Namiki jisuke

Inventor after: Haraya Osamu

Inventor after: Togashi Shingo

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