JP2015187668A - 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 - Google Patents
感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015187668A JP2015187668A JP2014065253A JP2014065253A JP2015187668A JP 2015187668 A JP2015187668 A JP 2015187668A JP 2014065253 A JP2014065253 A JP 2014065253A JP 2014065253 A JP2014065253 A JP 2014065253A JP 2015187668 A JP2015187668 A JP 2015187668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin composition
- photosensitive resin
- substituted
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N CC1CCCC1 Chemical compound CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
ここで、ポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂を用いた場合のプロセスを簡略化するために、光酸発生剤のジアゾキノン化合物を、これらの樹脂と組み合わせたポジ型感光性樹脂組成物が使用されている(例えば、特許文献1参照。)。
通常、ポジ型感光性樹脂組成物を使用した半導体素子の保護膜または絶縁膜の作製は、ポジ型感光性樹脂組成物の支持体への塗布、化学線による露光、アルカリ現像液での現像、純水による洗浄、加熱による硬化などの工程を経て行われる。
上記露光工程においては、縮小投影露光機やブロードバンドアライナー等の露光機が主に用いられている。しかし、これら露光機は非常に高価であるため増台するのは難しい。そのため、ポジ型感光性樹脂組成物の光感度が悪いと、スループットが大きく悪化してしまう。
アルカリ可溶性樹脂(A)と、
下記一般式(1)で表されるフェノール化合物と芳香族アルデヒド化合物を反応させて得られるフェノール樹脂(B)と、
光酸発生剤(C)と、
を含む感光性樹脂組成物。
(式中X1は単結合、C(−Y1)(−Y2)、硫黄原子、エーテル基、カルボニル基、エステル基、またはアミド基を含む2価の有機基を示し、Y1及びY2は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示し、Y3及びY4は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数1〜20の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示す。
p及びqは、それぞれ独立に1〜3の整数を示し、r及びsは、それぞれ独立に0〜3の整数を示す。)
上記フェノール樹脂(B)に対する上記アルカリ可溶性樹脂(A)の重量比(A/B)が20/80以上95/5以下である[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3]
上記フェノール樹脂(B)に対する上記アルカリ可溶性樹脂(A)の重量比(A/B)が20/80以上80/20以下である[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[4]
当該感光性樹脂組成物を加熱硬化させて得られる硬化物の示差走査熱量測定によるガラス転移温度が、200℃以上である[1]乃至[3]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[5]
当該感光性樹脂組成物を加熱硬化させて得られる硬化物の引張試験による引張弾性率が、0.5GPa以上である[1]乃至[4]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[6]
上記一般式(1)で表される上記フェノール化合物が、下記式(2)で表されるフェノール類の中から選ばれる1種または2種以上である[1]乃至[5]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
上記芳香族アルデヒド化合物が、下記一般式(3)で表わされる芳香族アルデヒド化合物である[1]乃至[6]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
上記芳香族アルデヒド化合物が、下記式(4)で表される芳香族アルデヒド化合物の中から選ばれる1種または2種以上である[1]乃至[7]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
上記アルカリ可溶性樹脂(A)が、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド、ポリイミド前駆体及びポリアミドから選ばれるものである[1]乃至[8]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[10]
更に熱架橋剤(E)を含有する[1]乃至[9]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[11]
更にシランカップリング剤(F)を含有する[1]乃至[10]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[12]
[1]乃至[11]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている硬化膜。
[13]
[12]に記載の硬化膜で構成されている保護膜。
[14]
[12]に記載の硬化膜で構成されている絶縁膜。
[15]
[12]に記載の硬化膜を有している電子装置。
(式中X1は単結合、C(−Y1)(−Y2)、硫黄原子、エーテル基、カルボニル基、エステル基、またはアミド基を含む2価の有機基を示し、Y1及びY2は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示し、Y3及びY4は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数1〜20の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示す。
p及びqは、それぞれ独立に1〜3の整数を示し、r及びsは、それぞれ独立に0〜3の整数を示す。)
また、本実施形態に係る半導体装置、表示体装置等の電子装置は、上記硬化膜で構成されていることを特徴とする。
[アルカリ可溶性樹脂(A)]
本実施形態に用いるアルカリ可溶性樹脂(A)としては、主鎖又は側鎖に、水酸基、特にフェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有するものであり、例えば、フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。これらの中でも、フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ポリアミド樹脂が好ましく、更に好ましくは、特に耐熱性、膜靭性に優れたポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド、及びポリイミド前駆体等のポリアミド樹脂から選択される一種または二種以上である。これらアルカリ可溶性樹脂は1種または2種以上混合して用いることができる。
(式中、X、Yは、有機基である。R2は、水酸基、−O−R4、アルキル基、アシルオキシ基又はシクロアルキル基であり、複数有する場合、それぞれ同一であっても異なってもよい。R3は、水酸基、カルボキシル基、−O−R4又は−COO−R4であり、複数有する場合、それぞれ同一であっても異なってもよい。R2及びR3におけるR4は、炭素数1〜15の有機基である。ここで、式(10)において、R2に、水酸基がない場合は、R3の少なくとも1つはカルボキシル基である。また、R3に、カルボキシル基がない場合は、R2の少なくとも1つは水酸基である。mは0〜8の整数、nは0〜8の整数である。aは2〜100の整数である。)
(式(11)中、*は、一般式(10)におけるNH基に結合することを示す。Aは、アルキレン基、置換アルキレン基、−O−C6H4−O−、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−NHC(=O)−または単結合である。R5は、アルキル基、アルキルエステル基及びハロゲン原子から選ばれた1つを示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。R6は、水素原子、アルキル基、アルキルエステル基及びハロゲン原子から選ばれた1つを示す。sは0〜4の整数である。R7〜R10はそれぞれ有機基である。
なお、上記式(11)において、上記一般式(10)におけるXの置換基R2は省略している。)
(式(12)中、*は一般式(10)におけるNH基に結合することを示す。式中Aは、アルキレン基、置換アルキレン基、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−NHC(=O)−、−CH3−、−C(CH3)H−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、又は単結合である。R11は、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基及びシクロアルキル基から選ばれる1つであり、R11が複数ある場合、それぞれ同じでも異なってもよい。cは0以上3以下の整数である。)
(式(13)中、*は一般式(10)におけるNH基に結合することを示す。R12はアルキレン基、置換アルキレン基、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−NHC(=O)−、―C(CF3)2―、単結合から選ばれる有機基である。)
(式(14)中、*は、一般式(10)におけるC=O基に結合することを示す。Jは、−CH2−、−C(CH3)2−、−O−、−S−、−SO2−、−C(=O)−、−NHC(=O)−、−C(CF3)2−または単結合である。R13は、アルキル基、アルキルエステル基、アルキルエーテル基、ベンジルエーテル基及びハロゲン原子から選ばれた1つを示し、それぞれ同じでも異なってもよい。R14は、水素原子、アルキル基、アルキルエステル基及びハロゲン原子から選ばれた1つを示す。tは0以上2以下の整数である。R15〜R18は、有機基である。
なお、上記式(14)において、上記一般式(10)におけるYの置換基R3は省略している。)
これら式(14)で表わされる基の中で特に好ましいものとしては、下記式(15)で表されるもの(一般式(10)中のR3を有するものもあり)が挙げられる。
下記式(15)中のテトラカルボン酸二無水物由来の構造については、一般式(10)におけるC=O基に結合する位置が両方メタ位であるもの、両方パラ位であるものを挙げているが、メタ位とパラ位をそれぞれ含む構造でもよい。
上記アルケニル基、アルキニル基および水酸基の内から選ばれた有機基を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含む酸無水物又はモノカルボン酸としては、例えばマレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、2,3−ジメチルマレイン酸無水物、4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、exo−3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、イタコン酸無水物、ヘット酸無水物、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、4−エチニルフタル酸無水物及び4−フェニルエチニルフタル酸無水物、4−ヒドロキシフタル酸無水物、4−ヒドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシ安息香酸等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上組み合わせて用いても良く、末端封止したアミド部分の一部が脱水閉環していてもよい。
上記窒素含有環状化合物としては、例えば1−(5−1H−トリアゾイル)メチルアミノ基、3−(1H−ピラゾイル)アミノ基、4−(1H−ピラゾイル)アミノ基、5−(1H−ピラゾイル)アミノ基、1−(3−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、1−(4−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、1−(5−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、(1H−テトラゾル−5−イル)アミノ基、1−(1H−テトラゾル−5−イル)メチル−アミノ基、3−(1H−テトラゾル−5−イル)ベンズ−アミノ基等が挙げられる。
なお、ジカルボン酸を用いる場合には、ポリアミド樹脂の反応収率等を高めるため、ジカルボン酸に、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
本実施形態におけるフェノール樹脂(B)には、下記一般式(1)で表されるフェノール化合物と芳香族アルデヒド化合物を反応させ合成したフェノール樹脂を用いることができる。下記一般式(1)で表されるフェノール化合物と芳香族アルデヒド化合物を反応させ合成したフェノール樹脂は、感光性樹脂組成物により得られた硬化膜について、高い耐熱性をもたらし、併せて分子構造に柔軟性を有することにより、硬化膜について良好な伸び特性をもたらすことができる。
(式中X1は単結合、C(−Y1)(−Y2)、硫黄原子、エーテル基、カルボニル基、エステル基、またはアミド基を含む2価の有機基を示し、Y1及びY2は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示し、Y3及びY4は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数1〜20の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示す。
p及びqは、それぞれ独立に1〜3の整数を示し、r及びsは、それぞれ独立に0〜3の整数を示す。)
(式中R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基から選ばれる有機基を示し、tは0〜3の整数。)
上記芳香族アルデヒド化合物としては、無置換又は、置換基が3以下の芳香族アルデヒド化合物を用いるものであり、上記置換基として、炭素数が1以上20以下のアルキル基、アルコキシ基及びヒドロキシ基から選ばれる有機基である。なお、上記炭素数が1以上20以下のアルキル基及びアルコキシ基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。このような芳香族アルデヒド化合物として、例えば、ベンズアルデヒド、2−メチルベンズアルデヒド、3−メチルベンズアルデヒド、4−メチルベンズアルデヒト、2,3−ジメチルベンズアルデヒド、2,4−ジメチルベンズアルデヒド、2,5−ジメチルベンズアルデヒド、2,6−ジメチルベンズアルデヒド、3,4−ジメチルベンズアルデヒド、3,5−ジメチルベンズアルデヒド、2,3,4−トリメチルベンズアルデヒド、2,3,5−トリメチルベンズアルデヒド、2,3,6−トリメチルベンズアルデヒド、2,4,5−トリメチルベンズアルデヒド、2,4,6−トリメチルベンズアルデヒド、3,4,5−トリメチルベンズアルデヒド、4−エチルベンズアルデヒド、4−tert−ブチルベンズアルデヒド、4−イソブチルベンズアルデヒド、4−メトキシベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド、3−ヒドロキシベンズアルデヒド、4−ヒドロキシベンズアルデヒド、3−メチルサリチルアルデヒド、4−メチルサリチルアルデヒド、2−ヒドロキシ−5−メトキシベンズアルデヒド、2,4−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2,5−ジヒドロキシベンズアルデヒド、2,3,4−トリヒドロキシベンズアルデヒド、等を使用することができ、これらに限定されないが、これらの中でも、一般式(3)におけるR1が、水素、メチル基、ヒドロキシ基である芳香族アルデヒド化合物が好ましく、下記式(4)で表される芳香族アルデヒド化合物の中から選ばれるものがより好ましい。更にこれらアルデヒド類は1種または2種以上を混合して用いることが可能である。
本実施形態に用いる光酸発生剤(C)としては、光により酸を発生する化合物であり、例えば、ポジ型のパターニングが可能となる感光剤を用いることができ、200〜500nmの波長、特に好ましくは350〜450nmの波長を持つ化学線の照射により酸を発生する化合物が好ましい。
具体的には、感光性ジアゾキノン化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、スルホニウム・ボレート塩などのオニウム塩、2−ニトロベンジルエステル化合物、N−イミノスルホネート化合物、イミドスルホネート化合物、2,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン化合物、ジヒドロピリジン化合物などを用いることができる。この中でも、感度や溶剤溶解性に優れる感光性ジアゾキノン化合物が好ましい。
ポジ型の場合、未露光部のレリーフパターン中に残存する光酸発生剤は、硬化時における熱で分解し酸を発生させると考えられ、反応促進剤としても光酸発生剤は重要な役割を果たしている。このような感光性ジアゾキノン化合物の場合、より熱で分解し易い1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸のエステルが好ましい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤(D)に溶解し、ワニス状にして使用することができる。このような溶剤(D)としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びメチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いてもよい。
本実施形態の感光性樹脂組成物には、さらに熱架橋剤(E)を用いることができるが、このような熱架橋剤としては、上記アルカリ可溶性樹脂(A)及びフェノール樹脂(B)と熱により反応可能な基を有する化合物であれば特に限定されず、たとえば、1,2−ベンゼンジメタノール、1,3−ベンゼンジメタノール、1,4−ベンゼンジメタノール、1,3,5−ベンゼントリメタノール、4,4−ビフェニルジメタノール、2,6−ピリジンジメタノール、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール、4,4‘−メチレンビス(2,6−ジアルコキシメチルフェノール)等から代表されるメチロール基を有する化合物;1,4−ビス(メトキシメチル)ベンゼン、1,3−ビス(メトキシメチル)ベンゼン、4,4’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル、3,4’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル、3,3’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル、2,6−ナフタレンジカルボン酸メチル、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメトキシメチルフェノール)等から代表されるアルコキシメチル基を有する化合物;ヘキサメチロールメラミン、ヘキサブタノールメラミン等から代表されるメチロールメラミン化合物;ヘキサメトキシメラミン等から代表されるアルコキシメラミン化合物;テトラメトキシメチルグリコールウリル等から代表されるアルコキシメチルグリコールウリル化合物;メチロールベンゾグアナミン化合物、ジメチロールエチレンウレア等から代表されるメチロールウレア化合物;ジシアノアニリン、ジシアノフェノール、シアノフェニルスルホン酸等から代表されるシアノ化合物;1,4−フェニレンジイソシアナート、3,3‘−ジメチルジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアナート等から代表されるイソシアナート化合物;エチレングリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、イソシアヌル酸トリグリシジル、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂型エポキシ樹脂等から代表されるエポキシ基含有化合物;N,N’−1,3−フェニレンジマレイミド、N,N’−メチレンジマレイミド等から代表されるマレイミド化合物等が挙げられるがこれらに限定されない。これら熱架橋剤は1種または2種以上を組み合わせて使用することができる。
本実施形態の感光性樹脂組成物には、密着性を向上させる上で、シランカップリグ剤(F)を用いることができる。このようなシランカップリング剤(F)としては、例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、及びアミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物または酸無水物とを反応することにより得られるケイ素化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記酸二無水物または酸無水物としては、特に制限されるわけではないが、例えば、無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル酸、ピロメリット酸無水物、4,4’−ビフタル酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、4,4’−カルボニルジフタル酸無水物等などが挙げられる。また、使用にあたっては単独、または2種類以上を併用して使用することができる。
シランカップリング剤(F)の添加量は、特に限定されるものではないが、アルカリ可溶性樹脂(A)とフェノール樹脂(B)の総重量100質量部に対して、0.05〜50質量部であるのが好ましく、0.1〜20質量部であるのがより好ましい。添加量が上記範囲内であることで、基板との密着性と感光性樹脂組成物の保存性とを好適に両立することができる。
また、本実施形態の感光性樹脂組成物中には、溶解促進剤が含まれていてもよい。
溶解促進剤は、感光性樹脂組成物を用いて形成された塗膜の露光部の現像液に対する溶解性を向上させ、パターニング時のスカムを改善することが可能な成分である。
溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有する化合物が特に好ましい。
感光性樹脂組成物の全固形分(すなわち、溶剤(D)を除く成分)を100質量%としたとき、好ましくは、アルカリ可溶性樹脂(A)の割合が20質量%以上80質量%以下であり、フェノール樹脂(B)の割合が5質量%以上70質量%以下であり、光酸発生剤(C)の割合が1質量%以上30質量%以下である。
より好ましくは、アルカリ可溶性樹脂(A)の割合が30質量%以上70質量%以下であり、フェノール樹脂(B)の割合が5質量%以上50質量%以下であり、光酸発生剤(C)の割合が5質量%以上20質量%以下である。
本実施形態の感光性樹脂組成物の使用方法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウエハ、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。塗布量は、半導体素子上に塗布する場合、一般的に硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるよう塗布する。このような数値範囲とすることにより、半導体素子の保護膜、絶縁膜としての機能を十分に発揮され、微細なレリーフパターンを得ることができる。
塗布方法としては、スピンコーターを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。
次に、60〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥後、レリーフパターンを形成する場合、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
加熱処理は高温でも低温でも可能であり、高温での加熱処理温度は、280℃〜380℃が好ましく、より好ましくは290℃〜350℃である。低温での加熱処理温度は150℃〜280℃が好ましく、より好ましくは180℃〜260℃である。加熱処理にはオーブン、ホットプレート、電気炉(ファーネス)、赤外線、マイクロ波などが使われる。
当該感光性樹脂組成物を加熱硬化させて得られる硬化物(寸法:10mm×60mm×10μm厚)の引張試験(延伸速度:5mm/分)による引張弾性率は、好ましくは0.5GPa以上10GPaであり、より好ましくは1.0GPa以上8.0GPa以下である。上記硬化物の引張弾性率が上記範囲内であると、得られる硬化膜が十分な強度を有することができ、保護膜としての信頼性をより一層向上させることができる。
次に、感光性樹脂組成物の用途について説明する。
その使用方法は、半導体装置用途に準じ、表示体素子やカラーフィルターを形成した基板上にパターン化された感光性樹脂組成物層を、上記の方法で形成することによるものである。表示体装置用途、特に絶縁膜や平坦化膜用途では、高い透明性が要求されるが、本実施形態の感光性樹脂組成物の塗膜の硬化前に、後露光工程を導入することにより、透明性に優れた樹脂層が得られることもでき、実用上さらに好ましい。
表示体装置としては、TFT型液晶、有機EL、カラーフィルターなどが挙げられる。
以下、本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて形成された膜を有する電子装置の一例を説明する。
図1および図2は、それぞれ本実施形態に係る電子装置100の一例を示す断面図である。いずれにおいても、電子装置100のうちの絶縁膜20を含む一部が示されている。
本実施形態に係る電子装置100は、たとえば本実施形態の感光性樹脂組成物により形成される永久膜である絶縁膜20を備えている。
トランジスタ30は、たとえば液晶表示装置のスイッチング素子を構成する薄膜トランジスタである。基板10上には、たとえば複数のトランジスタ30がアレイ状に配列されている。本実施形態に係るトランジスタ30は、たとえばゲート電極31と、ソース電極32と、ドレイン電極33と、ゲート絶縁膜34と、半導体層35と、により構成される。ゲート電極31は、たとえば基板10上に設けられている。ゲート絶縁膜34は、ゲート電極31を覆うように基板10上に設けられる。半導体層35は、ゲート絶縁膜34上に設けられている。また、半導体層35は、たとえばシリコン層である。ソース電極32は、一部が半導体層35と接触するよう基板10上に設けられる。ドレイン電極33は、ソース電極32と離間し、かつ一部が半導体層35と接触するよう基板10上に設けられる。
絶縁膜20上および開口22内には、ドレイン電極33と接続する配線40が形成されている。配線40は、液晶とともに画素を構成する画素電極として機能する。
また、絶縁膜20上には、配線40を覆うように配向膜90が設けられている。
基板10と当該対向基板12との間には、液晶層14を構成する液晶が充填される。
まず、基板10上にトランジスタ30を形成する。次いで、基板10のうちトランジスタ30が設けられた一面上に、印刷法あるいはスピンコート法により感光性樹脂組成物を塗布し、トランジスタ30を覆う絶縁膜20を形成する。これにより、基板10上に設けられたトランジスタ30を覆う平坦化膜が形成される。
次いで、絶縁膜20を露光現像して、絶縁膜20の一部に開口22を形成する。このとき、未露光部分が現像液に溶解し、露光部分が残ることとなる。この点は、後述する電子装置100の各例においても同様である。
次いで、絶縁膜20を加熱硬化させる。そして、絶縁膜20の開口22内に、ドレイン電極33に接続された配線40を形成する。その後、絶縁膜20上に対向基板12を配置し、対向基板12と絶縁膜20との間に液晶を充填し、液晶層14を形成する。
これにより、図1に示す電子装置100が形成されることとなる。
図2に示す電子装置100は、トランジスタ等の半導体素子が設けられた半導体基板と、半導体基板上に設けられた多層配線層と、を備えている(図示せず)。多層配線層のうち最上層には、層間絶縁膜である絶縁膜50と、絶縁膜50上に設けられた最上層配線72が設けられている。最上層配線72は、たとえばAlにより構成される。
絶縁膜52には、最上層配線72に接続する開口24が形成されている。再配線70は、絶縁膜52上および開口24内に形成され、最上層配線72に接続されている。絶縁膜54には、再配線70に接続する開口26が設けられている。
これらの絶縁膜52および絶縁膜54は、感光性樹脂組成物からなる永久膜により構成される。絶縁膜52は、たとえば絶縁膜50上に塗布された感光性樹脂組成物に対し露光・現像を行うことにより開口24を形成した後、これを加熱硬化することにより得られる。また、絶縁膜54は、たとえば絶縁膜52上に塗布された感光性樹脂組成物に対し露光・現像を行うことにより開口26を形成した後、これを加熱硬化することにより得られる。
また、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
温度計、攪拌機、原料投入口および乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸21.43g(0.083モル)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール・一水和物22.43g(0.166モル)とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物40.87g(0.083モル)と、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン36.62g(0.100モル)とを入れ、N−メチル−2−ピロリドン296.96gを加えて溶解させた。その後、オイルバスを用いて75℃にて15時間反応させた。
次に、N−メチル−2−ピロリドン34.88gに溶解させた3,6−エンドメチレン−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物6.98g(0.0425モル)を加え、さらに3時間攪拌して反応を終了した。
温度計、攪拌機、原料投入口および乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン30.0g(0.082モル)を入れ、アセトン400mlを加えて溶解させた。
次に、アセトン100mLに溶解したパラ−ニトロベンゾイルクロリド12.4g(0.18モル)を、温度が20℃未満になるよう冷却しながら30分かけて滴下し、混合物を得た。滴下後、混合物の温度を40℃に加熱し、2時間撹拌し、次に、炭酸カリウム30.0g(0.218モル)を徐々に添加して、さらに2時間撹拌した。加熱をやめて、混合物を、さらに室温にて18時間撹拌した。その後、混合物を激しく撹拌しながら、水酸化ナトリウム水溶液を徐々に添加し、添加後55℃に加温して、さらに30分間撹拌した。撹拌終了後、室温まで冷却し、37重量%の塩酸水溶液と水500mlを加え、溶液のpHが6.0〜7.0の範囲になるよう調整した。次いで、得られた析出物を、ろ別し、ろ過液を水で洗浄後、60〜70℃にて乾燥を行い、ビス−N,N’−(パラ−ニトロベンゾイル)ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンの固体を得た。
温度計、攪拌機、原料投入口および乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口丸底フラスコに、乾燥窒素気流下、m−クレゾール64.9g(0.60モル)、p−クレゾール43.3g(0.40モル)、30重量%ホルムアルデヒド水溶液65.1g(ホルムアルデヒド0.65モル)、及びシュウ酸二水和物0.63g(0.005モル)を仕込んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら100℃で4時間重縮合反応を行った。その後、油浴の温度を200℃まで3時間かけて昇温した。その後に、フラスコ内の圧力を50mmHg以下まで減圧し、水分及び揮発分を除去した後、樹脂を室温まで冷却して、重量平均分子量3200のノボラック型フェノール樹脂(A−3)を得た。
温度計、攪拌機、原料投入口および乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口丸底フラスコに、乾燥窒素気流下、ビスフェノールF(商品名、本州化学工業製)150.0g(0.75モル)、ベンズアルデヒド63.7g(0.60モル)、及びベンゼンスルホン酸3.0g(0.02モル)を仕込んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら100℃で2時間重縮合反応を行った。その後、フラスコを冷却しながらアセトン75gとトリエチルアミン3.0g(0.03モル)を加え30分撹拌した後、更に純水150gを加え30分撹拌した。室温まで冷却したら、撹拌を停止し、分離した水層を取り除いた後、γ−ブチロラクトンを37.5g加え、油浴の温度を170℃まで3時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を50mmHg以下まで減圧し、揮発分を除去した後、樹脂を室温まで冷却して、重量平均分子量2900のフェノール樹脂(B−1)を得た。
温度計、攪拌機、原料投入口および乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口丸底フラスコに、乾燥窒素気流下、2,2‘−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン171.0g(0.75モル)、ベンズアルデヒド63.7g(0.60モル)、及びベンゼンスルホン酸3.0g(0.02モル)を仕込んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら100℃で2時間重縮合反応を行った。その後、フラスコを冷却しながらアセトン75gとトリエチルアミン3.0g(0.03モル)を加え30分撹拌した後、更に純水150gを加え30分撹拌した。室温まで冷却したら、撹拌を停止し、分離した水層を取り除いた後、γ−ブチロラクトンを37.5g加え、油浴の温度を170℃まで3時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を50mmHg以下まで減圧し、揮発分を除去した後、樹脂を室温まで冷却して、重量平均分子量2540のフェノール樹脂(B−2)を得た。
温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに、式(C−1)で表されるフェノール化合物11.04g(0.026モル)と、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド18.81g(0.070モル)とアセトン170gとを入れて撹拌、溶解させた。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)14g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)6g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例1の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例2の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)6g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)14g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例3の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−2)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例4の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−2)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例5の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−2)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−2)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例6の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したノボラック型フェノール樹脂(A−3)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例7の感光性樹脂組成物を得た。
重量平均分子量3,500のポリヒドロキシスチレン/スチレン共重合樹脂(丸善石油化学社製、商品名:マルカリンカーCST−60)(A−4)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例8の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g、上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5g及び架橋剤として1,4−ベンゼンジメタノール(E−1)1gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例9の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、上記で合成した全芳香族型フェノール樹脂(B−1)10g、上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5g及びシランカップリング剤として3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(F−1)0.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、実施例10の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)20g、及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、比較例1の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、上記で合成したノボラック型フェノール樹脂(A−3)10g、及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、比較例2の感光性樹脂組成物を得た。
上記で合成したノボラック型フェノール樹脂(A−3)20g、及び上記で合成した光酸発生剤(Q−1)1.5gを、γ−ブチロラクトン25gに混合して溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、比較例3の感光性樹脂組成物を得た。
上記で得た感光性樹脂組成物を、それぞれ、8インチシリコンウエハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で3分間プリベークし、膜厚約7.5μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷社製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー(ニコン社製・NSR−4425i)を用いて、露光量を変化させて照射した。
次に、現像液として2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、プリベーク後の膜厚と現像後の膜厚の差が1.0μmになるように現像時間を調節して2回パドル現像を行うことによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。100μmの正方形のビアホールのパターンが形成される最低露光量の値を感度として評価した。
上記で得た感光性樹脂組成物を、それぞれ、8インチシリコンウエハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で3分間プリベークし、膜厚約7.5μmの塗膜を得た。塗布膜を、酸素濃度を1000ppm以下に保ちながら、オーブンにて150℃で30分間、続いて300℃で30分間加熱し、室温に戻した後の膜厚を測定した。硬化後の膜厚と硬化前の膜厚の膜厚変化率を下記式より算出し、硬化残膜率として評価した。
硬化残膜率=硬化後の膜厚/硬化前の膜厚*100
なお、硬化残膜率は半導体素子を保護するための十分な膜厚を保持するために高い方が
よい。
硬化残膜率評価にて得た硬化膜について、示差走査熱量測定(DSC6000 セイコーインスツルメンツ社製)にて昇温5℃/分の条件で昇温し、外挿点よりガラス転移温度(Tg)を算出した。また、Tg−DTA装置(TG/DTA6200 セイコーインスツルメンツ社製)にて昇温10℃/分の条件で昇温し10%熱重量減少温度(Td10)を測定した。
実施例1から6、9から11および比較例1,2については、得られた感光性樹脂材料を窒素雰囲気下、300℃、30分の条件下で硬化して得られる試験片(10mm×60mm×10μm厚)に対して引張試験(延伸速度:5mm/分)を23℃雰囲気中で実施した。引張試験は、オリエンテック社製引張試験機(テンシロンRTC−1210A)を用いて行った。試験片5本を測定し、破断した距離と初期距離から引張伸び率を算出し、平均化したものを伸び率とした。得られた応力−歪曲線の初期の勾配からそれぞれ引張弾性率を算出し、平均化したものを弾性率とした。
伸び率及び弾性率の評価にて得た硬化膜について、波長630nmの光線に対する膜厚10μm換算の光線透過率T(%)を測定した。光線透過率Tは、株式会社島津製作所製UV−160Aを用いて測定された光線透過率を、Lambert−Beerの法則により膜厚10μmの値へ換算することによって求めた。表1に結果を示す。
表面にアルミ回路を備えた模擬素子ウエハを用いて、実施例1〜10の感光性樹脂組成物を、それぞれ、最終5μmとなるよう塗布した後、パターン加工を施して硬化した。その後、チップサイズ毎に分割して16Pin DIP(Dual Inline Package)用のリードフレームに導電性ペーストを用いてマウントした後、半導体封止用エポキシ樹脂(住友ベークライト社製、EME−6300H)で封止成形して、半導体装置を作製した。これらの半導体装置(半導体パッケージ)を85℃/85%湿度の条件で168時間処理した後、260℃半田浴槽に10秒間浸漬し、次いで、高温、高湿のプレッシャークッカー処理(125℃、2.3atm、100%相対湿度)を施してアルミ回路のオープン不良をチェックした。その結果、腐食などはみられず半導体装置として問題無く使用できるものと予想される。
Claims (15)
- アルカリ可溶性樹脂(A)と、
下記一般式(1)で表されるフェノール化合物と芳香族アルデヒド化合物を反応させて得られるフェノール樹脂(B)と、
光酸発生剤(C)と、
を含む感光性樹脂組成物。
(式中X1は単結合、C(−Y1)(−Y2)、硫黄原子、エーテル基、カルボニル基、エステル基、またはアミド基を含む2価の有機基を示し、Y1及びY2は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示し、Y3及びY4は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数1〜20の飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20の不飽和アルキル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基、または置換若しくは無置換のシクロヘキシル基を示す。
p及びqは、それぞれ独立に1〜3の整数を示し、r及びsは、それぞれ独立に0〜3の整数を示す。) - 前記フェノール樹脂(B)に対する前記アルカリ可溶性樹脂(A)の重量比(A/B)が20/80以上95/5以下である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記フェノール樹脂(B)に対する前記アルカリ可溶性樹脂(A)の重量比(A/B)が20/80以上80/20以下である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 当該感光性樹脂組成物を加熱硬化させて得られる硬化物の示差走査熱量測定によるガラス転移温度が、200℃以上である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 当該感光性樹脂組成物を加熱硬化させて得られる硬化物の引張試験による引張弾性率が、0.5GPa以上である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリイミド、及びポリイミド前駆体から選ばれるものである請求項1乃至8のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 更に熱架橋剤(E)を含有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 更にシランカップリング剤(F)を含有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている硬化膜。
- 請求項12に記載の硬化膜で構成されている保護膜。
- 請求項12に記載の硬化膜で構成されている絶縁膜。
- 請求項12に記載の硬化膜を有している電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065253A JP6451065B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065253A JP6451065B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015187668A true JP2015187668A (ja) | 2015-10-29 |
JP6451065B2 JP6451065B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=54429938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014065253A Active JP6451065B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6451065B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017099019A1 (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、パターン形成方法、固体撮像素子および画像表示装置 |
WO2019230639A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
CN110741318A (zh) * | 2017-06-06 | 2020-01-31 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、层叠体、固化膜的制造方法、半导体装置及化合物 |
CN110989294A (zh) * | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 三星Sdi株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性树脂层以及电子装置 |
CN111812943A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-23 | 武汉柔显科技股份有限公司 | 一种感光性树脂组合物、感光性树脂膜及图案形成方法 |
KR20210061997A (ko) | 2018-09-18 | 2021-05-28 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 수지 시트, 경화막, 유기 el 표시 장치, 반도체 전자 부품, 반도체 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH095994A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPH0915851A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPH0973169A (ja) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2007304592A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2009244663A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jsr Corp | 接着方法およびそれに用いられるポジ型感光性接着剤組成物、並びに電子部品 |
JP2011197362A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2012082404A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-04-26 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フェノール樹脂組成物並びに硬化レリーフパターン及び半導体の製造方法 |
WO2012141165A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Dic株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物、その塗膜及びノボラック型フェノール樹脂 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065253A patent/JP6451065B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH095994A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPH0915851A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPH0973169A (ja) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2007304592A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2009244663A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jsr Corp | 接着方法およびそれに用いられるポジ型感光性接着剤組成物、並びに電子部品 |
JP2011197362A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2012082404A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-04-26 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フェノール樹脂組成物並びに硬化レリーフパターン及び半導体の製造方法 |
WO2012141165A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Dic株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物、その塗膜及びノボラック型フェノール樹脂 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017099019A1 (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、パターン形成方法、固体撮像素子および画像表示装置 |
JPWO2017099019A1 (ja) * | 2015-12-08 | 2018-09-13 | 富士フイルム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、パターン形成方法、固体撮像素子および画像表示装置 |
US10921708B2 (en) | 2015-12-08 | 2021-02-16 | Fujifilm Corporation | Radiation-sensitive resin composition, cured film, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device |
CN110741318B (zh) * | 2017-06-06 | 2023-06-30 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、层叠体、固化膜的制造方法及半导体装置 |
CN110741318A (zh) * | 2017-06-06 | 2020-01-31 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、层叠体、固化膜的制造方法、半导体装置及化合物 |
CN112218844A (zh) * | 2018-05-28 | 2021-01-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法 |
JPWO2019230639A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2021-07-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
WO2019230639A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
US11747728B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-09-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin |
JP7459789B2 (ja) | 2018-05-28 | 2024-04-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
CN112218844B (zh) * | 2018-05-28 | 2024-04-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法 |
KR20210061997A (ko) | 2018-09-18 | 2021-05-28 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 수지 시트, 경화막, 유기 el 표시 장치, 반도체 전자 부품, 반도체 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 |
CN110989294A (zh) * | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 三星Sdi株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性树脂层以及电子装置 |
CN110989294B (zh) * | 2018-10-02 | 2023-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性树脂层以及电子装置 |
CN111812943A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-23 | 武汉柔显科技股份有限公司 | 一种感光性树脂组合物、感光性树脂膜及图案形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6451065B2 (ja) | 2019-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5494766B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、半導体装置及び電子デバイス | |
JP6645424B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 | |
WO2014069091A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 | |
JP6451065B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置 | |
TWI442184B (zh) | 正型感光性樹脂組成物、光阻圖案的製造方法及電子零件 | |
JP2014041264A (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
WO2012036130A1 (ja) | フェノール樹脂組成物並びに硬化レリーフパターン及び半導体の製造方法 | |
TW201829539A (zh) | 樹脂組成物、樹脂薄片、硬化膜、有機el顯示裝置、半導體電子零件、半導體裝置及有機el顯示裝置之製造方法 | |
JP5904211B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP6291718B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置 | |
JP6255740B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、表示体装置、およびポジ型感光性樹脂組成物の製造方法 | |
JP2013134346A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 | |
KR102153873B1 (ko) | 감광성 수지 재료 및 수지막 | |
JP5488752B1 (ja) | 感光性樹脂材料および樹脂膜 | |
JP7066978B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2013167693A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、及び、該パターン硬化膜を有する半導体装置 | |
JP2015049508A (ja) | 感光性樹脂材料および樹脂膜 | |
JP2014010156A (ja) | 感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
CN110967928B (zh) | 正感光性树脂组合物、感光性树脂层以及电子装置 | |
JP2018028690A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 | |
CN110874015B (zh) | 感光性树脂组合物、使用其的感光性树脂层和电子装置 | |
JP5648725B1 (ja) | 感光性樹脂材料、電子装置および感光性樹脂材料の製造方法 | |
JP2016139149A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 | |
JP2013076748A (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
JP2015212801A (ja) | 感光性樹脂材料および樹脂膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6451065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |