JP2015184222A5 - - Google Patents

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［適用例１］
本適用例の物理量センサーは、撓み変形可能なダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムに設けられた撓み量素子と、を備え、
前記撓み量素子は、前記ダイヤフラムの中心寄りに設けられた中心側素子と、前記中心側素子よりも前記ダイヤフラムの縁部寄りに設けられた縁部側素子と、を有することを特徴とする。
［適用例３］
本適用例の物理量センサーでは、前記ダイヤフラムの撓み変形量が変化したときに、
前記中心側素子と前記縁部側素子とが検出する応力の大きさは、互いに反対方向に変化することが好ましい。

Claims (13)

  1. 撓み変形可能なダイヤフラムと、
    前記ダイヤフラムに設けられた撓み量素子と、を備え、
    前記撓み量素子は、前記ダイヤフラムの中心寄りに設けられた中心側素子と、前記中心側素子よりも前記ダイヤフラムの縁部寄りに設けられた縁部側素子と、を有することを特徴とする物理量センサー。
  2. 前記中心側素子および前記縁部側素子は、前記ダイヤフラムの中心から縁部に向かって並んで設けられている請求項１に記載の物理量センサー。
  3. 前記ダイヤフラムの撓み変形量が変化したときに、
    前記中心側素子と前記縁部側素子とが検出する応力の大きさは、互いに反対方向に変化する請求項２に記載の物理量センサー。
  4. 前記ダイヤフラムの中心から前記ダイヤフラムの外縁までの距離をＬとしたとき、
    前記中心側素子は、前記ダイヤフラムの中心から２Ｌ／３以下の範囲内に位置している請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  5. 前記ダイヤフラムの中心から前記ダイヤフラムの外縁までの距離をＬとしたとき、
    前記中心側素子は、前記ダイヤフラムの中心からＬ／４以上Ｌ／２以下の範囲内に位置している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  6. 前記ダイヤフラムは、平面視で四角形状であり、２つの対角線で分割される４つの領域のうちの少なくとも１つの前記領域内に、前記中心側素子および前記縁部側素子が、少なくとも１つずつ設けられている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  7. 前記４つの領域内に、それぞれ、前記中心側素子および前記縁部側素子が少なくとも１つずつ設けられている請求項６に記載の物理量センサー。
  8. 前記中心側素子および前記縁部側素子は、平面視にて長手形状であり、
    前記中心側素子の長手方向と、前記縁部側素子の長手方向とが交差している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  9. 前記中心側素子および前記縁部側素子は、平面視にて長手形状であり、
    前記中心側素子の長手方向の長さは、前記縁部側素子の長手方向の長さよりも短い請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  10. 圧力を検知する圧力センサーである請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサー。
  11. 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする高度計。
  12. 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする電子機器。
  13. 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の物理量センサーを有することを特徴とする移動体。
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