JP2015171007A - 信号伝達回路 - Google Patents

Abstract

【課題】同相ノイズの影響を受け難い信号伝達回路を提供する。
【解決手段】この信号伝達回路は、入力信号ＶＩのレベル変化に応答してトランス６の１次巻線７の端子７ａ，７ｂにパルス電圧を交互に印加する送信回路１と、２次巻線８の端子８ａ，８ｂに現れる電圧Ｖ１，Ｖ２を減衰させる減衰回路７１，７２と、減衰回路７１，７２の出力電圧の差Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａが正側トリップ電圧ＶＴＰを越えた場合に信号ＣＭＰを「Ｈ」レベルにし、Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａが負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低下した場合に信号ＣＭＰを「Ｌ」レベルにする差動比較器１６とを備える。したがって、２次巻線８の端子８ａ，８ｂに発生する同相ノイズの影響を軽減できる。
【選択図】図１６

Description

この発明は信号伝達回路に関し、特に、トランスを用いて送信側と受信側を絶縁しながら、送信側から受信側に信号を伝達する信号伝達回路に関する。

インバータ等の電力変換回路においては、制御回路が配置された低電圧領域と半導体スイッチが配置された高電圧領域とを電気的に絶縁しつつ、制御回路から半導体スイッチに制御信号を伝達する信号伝達回路が設けられている。

特許文献１に開示された信号伝達回路では、トランスの１次巻線の第１の端子に入力信号が与えられるとともに、１次巻線の第２の端子に入力信号を一定時間だけ遅延させた信号が与えられる。トランスの２次巻線の第１および第２の端子間に第１および第２の抵抗素子が直列接続されており、第１および第２の抵抗素子間のノードに直流バイアス電圧が印加されている。通常は、２次巻線の第１および第２の端子はそれぞれ差動比較器の第１および第２の入力端子に接続されている。差動比較器は、第１および第２の入力端子間の電圧に基づいて信号を出力する。

米国特許第２０１０／０１１１２１８号明細書

しかし、特許文献１の信号伝達回路は、電力変換回路のスイッチング動作に伴ってトランスの２次巻線の第１および第２の端子に発生する同相ノイズの影響を受け、差動比較器が誤動作するという問題があった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、同相ノイズの影響を受け難い信号伝達回路を提供することである。

この発明に係る信号伝達回路は、１次巻線および２次巻線を含むトランスと、入力信号の前縁に応答して１次巻線の第１の端子に第１のパルス電圧を印加し、入力信号の後縁に応答して１次巻線の第２の端子に第２のパルス電圧を印加する送信回路と、第１のパルス電圧に応答して２次巻線の第１の端子に現れる電圧を予め定められた減衰率で減衰させる第１の減衰回路と、第２のパルス電圧に応答して２次巻線の第２の端子に現れる電圧を予め定められた減衰率で減衰させる第２の減衰回路と、第１および第２の減衰回路の出力電圧の差である第３の電圧が正側トリップ電圧よりも高くなったことに応じて第１の論理レベルの信号を出力し、第３の電圧が負側トリップ電圧よりも低くなったことに応じて第２の論理レベルの信号を出力する差動比較器とを備えたものである。

この発明に係る信号伝達回路では、トランスの２次巻線と差動比較器との間に第１および第２の減衰回路を設け、２次巻線に現れる同相ノイズを減衰させるので、差動比較器が誤動作することを防止することができ、同相ノイズの影響を軽減することができる。

本願発明の比較例となる信号伝達回路の構成を示す回路ブロック図である。 図１に示したＥＳＤ保護回路２の構成を示す回路図である。 図１に示したエッジパルス生成回路の構成を示す回路図である。 図３に示したエッジパルス生成回路の動作を示すタイムチャートである。 図１に示した出力バッファ４の構成を示す回路図である。 図１に示したＥＳＤ保護回路１１の構成を示す回路図である。 図１に示した差動比較器の構成を示す回路図である。 図７に示した差動比較器の動作を示す図である。 図１に示した出力バッファ１７の構成を示す回路図である。 図１に示した信号伝達回路の動作を示すタイムチャートである。 図１に示した信号伝達回路を備えたインバータの構成を示す回路ブロック図である。 図１に示した接地電圧ＶＳ３とＶＳ１の電圧差が変化した場合にトランスの２次巻線に発生する同相ノイズを示すタイムチャートである。 図１２に示した同相ノイズが発生する理由を説明するための回路図である。 図１に示した接地電圧ＶＳ３とＶＳ１の電圧差が変化した場合に出力信号に発生するノイズを示すタイムチャートである。 図１４に示したノイズが発生する理由を説明するためのタイムチャートである。 この発明の実施の形態１による信号伝達回路の構成を示す回路ブロック図である。 図１６に示した減衰回路および演算増幅器の構成を示す回路図である。 図１７に示した減衰回路の動作を示すタイムチャートである。 図１７に示した減衰回路の動作のシミュレーション結果を示すタイムチャートである。 図１６に示した出力バッファ７６の構成を示す回路図である。 図１６に示した３つの電源端子および３つの接地端子のそれぞれの接続方法を示す回路ブロック図である。 図２１に示した３つの電源端子および３つの接地端子の第１の接続方法を示す図である。 図２１に示した３つの電源端子および３つの接地端子の第２の接続方法を示す図である。 図１６に示した３つの電源端子および３つの接地端子の効果を示す回路図である。 比較例および実施の形態１において、接地電圧のレベル変化に伴う出力信号の電圧変化をシミュレーションした結果を示すタイムチャートである。 図１６に示した信号伝達回路の動作を示すタイムチャートである。 図１６に示した信号伝達回路の入力信号および出力信号の各々の電圧変化をシミュレーションした結果を示すタイムチャートである。 この発明の実施の形態２による信号伝達回路の構成を示す回路ブロック図である。 図２８に示したトランスの構成を示す回路図である。 図２８に示したＥＳＤ保護回路９１の構成を示す回路図である。 図２８に示したＥＳＤ保護回路９２の構成を示す回路図である。

[比較例]
図１は、本願発明の比較例となる信号伝達回路の構成を示す回路図である。図１において、信号伝達回路は、半導体基板上に形成された集積回路であって、送信回路１、トランス６、および受信回路１０を備える。

送信回路１は、入力端子Ｔ１、電源端子Ｔ１１，Ｔ１２、接地端子Ｔ２１，Ｔ２２、ＥＳＤ（Electrostatic-Discharge）保護回路２、エッジパルス生成回路３、および出力バッファ４，５を含む。トランス６は、互いに絶縁された１次巻線７および２次巻線８を含む。受信回路１０は、電源端子Ｔ１３，Ｔ１４、接地端子Ｔ２３，Ｔ２４、出力端子Ｔ２、ＥＳＤ保護回路１１，１２、抵抗素子１３，１４、バイアス回路１５、差動比較器１６、および出力バッファ１７を含む。

入力端子Ｔ１は入力信号ＶＩを受け、出力端子Ｔ２から出力信号ＶＯが出力される。出力信号ＶＯは、入力信号ＶＩの遅延信号となる。電源端子Ｔ１１〜Ｔ１４はそれぞれ電源電圧ＶＤ１〜ＶＤ４を受け、接地端子Ｔ２１〜Ｔ２４はそれぞれ接地電圧ＶＳ１〜ＶＳ４を受ける。電源電圧ＶＤ１とＶＤ２は同じ電圧であるが、各電源端子の電圧変動の影響が他の電源端子に与える影響を軽減するために、電源端子Ｔ１１とＴ１２は別々に設けられている。同じ理由で、電源電圧ＶＤ３とＶＤ４は同じ電圧であるが、電源端子Ｔ１３とＴ１４は別々に設けられている。また、接地電圧ＶＳ１〜ＶＳ４は同じ電圧であるが、各接地端子の電圧変動の影響が他の接地端子に与える影響を軽減するために、接地端子Ｔ２１〜Ｔ２４は別々に設けられている。

ＥＳＤ保護回路２は、入力端子Ｔ１が大きなサージ電圧を受けた場合に、そのサージ電圧を電源端子Ｔ１１および接地端子Ｔ２１に流出させて信号伝達回路を保護する。ＥＳＤ保護回路２は、図２（ａ）に示すように、２つのダイオード２１，２２を含む。ダイオード２１のアノードおよびダイオード２２のカソードは入力端子Ｔ１およびエッジパルス生成回路３の入力ノード３ａに接続され、ダイオード２１のカソードおよびダイオード２２のアノードはそれぞれ電源端子Ｔ１１および接地端子Ｔ２１に接続される。

入力端子Ｔ１に印加された正のサージ電圧はダイオード２１を介して電源端子Ｔ１１に流出し、入力端子Ｔ１に印加された負のサージ電圧はダイオード２２を介して接地端子Ｔ２１に流出する。

図２（ｂ）に示すように、ダイオード２１，２２がそれぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ２３およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ２４で置換されていてもよい。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２３のソースおよびゲートは電源端子Ｔ１１に接続され、そのドレインは入力端子Ｔ１および入力ノード３ａに接続される。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２３は、アノードが入力端子Ｔ１および入力ノード３ａに接続され、カソードが電源端子Ｔ１１に接続されたダイオードを構成する。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２３は、寄生ダイオード２３ａを含む。寄生ダイオード２３ａのアノードおよびカソードは、それぞれトランジスタ２３のドレインおよびソースに接続されている。

ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２４のドレインは入力端子Ｔ１および入力ノード３ａに接続され、そのゲートおよびソースは接地端子Ｔ２１に接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２４は、アノードが接地端子Ｔ２１に接続され、カソードが入力端子Ｔ１および入力ノード３ａに接続されたダイオードを構成する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２４は、寄生ダイオード２４ａを含む。寄生ダイオード２４ａのアノードおよびカソードは、それぞれトランジスタ２４のソースおよびドレインに接続されている。

図１に戻って、エッジパルス生成回路３は、電源端子Ｔ１２および接地端子Ｔ２２から受ける電源電圧ＶＤ２および接地電圧ＶＳ２によって駆動され、外部から入力端子Ｔ１およびＥＳＤ保護回路２を介して入力ノード３ａに与えられた入力信号ＶＩの立ち上りエッジおよび立下りエッジに応答してそれぞれパルス信号Ｓ１，Ｓ２を生成し、生成したパルス信号Ｓ１，Ｓ２をそれぞれ出力ノード３ｂ，３ｃに出力する。

エッジパルス生成回路３は、図３に示すように、遅延素子３１、ＮＡＮＤゲート３２、インバータ３３、およびＮＯＲゲート３４を含む。入力ノード３ａに与えられた入力信号ＶＩは、遅延素子３１によって遅延および反転されてゲート３２，３４の一方入力ノードに与えられるとともに、ゲート３２，３４の他方入力ノードに直接与えられる。ＮＡＮＤゲート３２の出力信号φ３２は、インバータ３３によって反転されてパルス信号Ｓ１となり、出力ノード３ｂに出力される。ＮＯＲゲート３４の出力信号は、パルス信号Ｓ２として出力ノード３ｃに出力される。

図４（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ入力信号ＶＩ、遅延素子３１の出力信号φ３１、ＮＡＮＤゲート３２の出力信号φ３２、パルス信号Ｓ１、およびパルス信号Ｓ２の波形を示すタイムチャートである。入力信号ＶＩは、一定の周期で交互に「Ｈ」レベルおよび「Ｌ」レベルになるものとする。入力信号ＶＩが「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに立ち上げられると、一定時間Ｔｐの経過後に信号φ３１が「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに立ち下げられる。入力信号ＶＩが「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに立ち下げられると、一定時間Ｔｐの経過後に信号φ３１が「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに立ち上げられる。

信号ＶＩとφ３１がともに「Ｈ」レベルになっている時間に、信号φ３２が「Ｌ」レベルとなる。パルス信号Ｓ１は、入力信号ＶＩの立ち上りエッジに応答して一定時間Ｔｐだけ「Ｈ」レベルになる。パルス信号Ｓ２は、入力信号ＶＩの立ち下りエッジに応答して一定時間Ｔｐだけ「Ｈ」レベルになる。

図１に戻って、出力バッファ４はパルス信号Ｓ１をバッファリングしてトランス６の１次巻線７の第１の端子７ａに与え、出力バッファ５はパルス信号Ｓ２をバッファリングしてトランス６の１次巻線７の第２の端子７ｂに与える。出力バッファ４，５の各々は、ＥＳＤ保護回路も内蔵している。

出力バッファ４は、図５（ａ）に示すように、プリドライバ４１、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４２、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３、およびダイオード４４，４５を含む。プリドライバ４１は、電源端子Ｔ１２および接地端子Ｔ２２から与えられる電源電圧ＶＤ２および接地電圧ＶＳ２によって駆動され、パルス信号Ｓ１の反転信号を出力する。

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４２のゲートはプリドライバ４１の出力信号を受け、そのソースは電源端子Ｔ１１に接続され、そのドレインは１次巻線７の第１の端子７ａに接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３のゲートはプリドライバ４１の出力信号を受け、そのソースは接地端子Ｔ２１に接続され、そのドレインは１次巻線７の第１の端子７ａに接続される。

トランジスタ４２，４３は、電源端子Ｔ１１および接地端子Ｔ２１から与えられる電源電圧ＶＤ１および接地電圧ＶＳ１によって駆動され、プリドライバ４１の出力信号を反転させて１次巻線７の第１の端子７ａに与えるメインドライバを構成する。パルス信号Ｓ１は、プリドライバ４１によって反転され、トランジスタ４２，４３からなるメインドライバによって再度反転されて１次巻線７の第１の端子７ａに印加される。

ダイオード４４のアノードおよびダイオード４５のカソードは１次巻線７の第１の端子７ａに接続され、ダイオード４４のカソードおよびダイオード４５のアノードはそれぞれ電源端子Ｔ１１および接地端子Ｔ２１に接続される。ダイオード４４，４５は、ＥＳＤ保護回路を構成する。１次巻線７の第１の端子７ａに印加された正のサージ電圧はダイオード４４を介して電源端子Ｔ１１に流出し、入力端子Ｔ１に印加された負のサージ電圧はダイオード４５を介して接地端子Ｔ２１に流出する。

図５（ｂ）に示すように、ダイオード４４，４５がそれぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ４６およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７で置換されていてもよい。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４６のソースおよびゲートは電源端子Ｔ１１に接続され、そのドレインは１次巻線７の第１の端子７ａに接続される。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４６は、アノードが１次巻線７の第１の端子７ａに接続され、カソードが電源端子Ｔ１１に接続されたダイオードを構成する。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４６は、寄生ダイオード４６ａを含む。寄生ダイオード４６ａのアノードおよびカソードは、それぞれトランジスタ４６のドレインおよびソースに接続されている。

ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７のドレインは１次巻線７の第１の端子７ａに接続され、そのゲートおよびソースは接地端子Ｔ２１に接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７は、アノードが接地端子Ｔ２１に接続され、カソードが１次巻線７の第１の端子７ａに接続されたダイオードを構成する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７は、寄生ダイオード４７ａを含む。寄生ダイオード４７ａのアノードおよびカソードは、それぞれトランジスタ４７のソースおよびドレインに接続されている。

出力バッファ５は、出力バッファ４と同じ構成である。ただし、プリドライバ４１はパルス信号Ｓ２の反転信号を出力し、トランジスタ４２，４３からなるメインドライバはプリドライバ４１の出力信号を反転させて１次巻線７の第２の端子７ｂに出力する。ダイオード４４のアノードおよびダイオード４５のカソードは、１次巻線７の第２の端子７ｂに接続される。

図１に戻って、ＥＳＤ保護回路１１は、トランス６の２次巻線８の第１の端子８ａと差動比較器１６の第１の入力端子１６ａとの間に設けられ、２次巻線８の第１の端子８ａに印加されたサージ電圧を電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３に流出させて信号伝達回路を保護する。ＥＳＤ保護回路１２は、トランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂと差動比較器１６の第２の入力端子１６ｂとの間に設けられ、２次巻線８の第２の端子８ｂに印加されたサージ電圧を電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３に流出させて信号伝達回路を保護する。

ＥＳＤ保護回路１１は、図６（ａ）（ｂ）に示すように、ＥＳＤ保護回路２と同じ構成である。ただし、ダイオード２１のアノードおよびダイオード２２のカソードは、２次巻線８の第１の端子８ａおよび差動比較器１６の第１の入力端子（−端子）１６ａに接続される。ダイオード２１のカソードおよびダイオード２２のアノードは、それぞれ電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３に接続される。また、ダイオード２１，２２をそれぞれＰチャネルＭＯＳトランジスタ２３およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ２４で構成してもよい。

また、ＥＳＤ保護回路１２は、ＥＳＤ保護回路１１と同じ構成である。ただし、ダイオード２１のアノードおよびダイオード２２のカソードは、２次巻線８の第２の端子８ｂおよび差動比較器１６の第２の入力端子（＋端子）１６ｂに接続される。

図１に戻って、抵抗素子１３，１４は、差動比較器１６の入力端子１６ａ，１６ｂ間に直列接続される。抵抗素子１３，１４の抵抗値は同じである。バイアス回路１５は、電源端子Ｔ１４および接地端子Ｔ２４から与えられる電源電圧ＶＤ４および接地電圧ＶＳ４によって駆動され、直流バイアス電圧ＶＢを生成して抵抗素子１３，１４の間のノードに与える。直流バイアス電圧ＶＢは、たとえば、電源電圧ＶＤ４と接地電圧ＶＳ４の中間電圧である。すなわち、ＶＢ＝（ＶＤ４＋ＶＳ４）／２である。

差動比較器１６は、第２の入力端子１６ｂに与えられた２次巻線８の第２の端子８ｂの電圧Ｖ２と、第１の入力端子１６ａに与えられた２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１との差の電圧（Ｖ２−Ｖ１）が正側トリップ電圧ＶＴＰを越えたことに応じて信号ＣＭＰを「Ｈ」レベルにし、その電圧（Ｖ２−Ｖ１）が負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低下したことに応じて信号ＣＭＰを「Ｌ」レベルにする。

差動比較器１６は、図７に示すように、第１の入力端子１６ａ、第２の入力端子１６ｂ、出力端子１６ｃ、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ６，ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１〜Ｑ６、およびバイアス電流源ＩＳ１を含む。

第１の入力端子１６ａは、トランス６の２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１を受ける。第２の入力端子１６ｂは、トランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂの電圧Ｖ２を受ける。出力端子１６ｃには信号ＣＭＰが出力される。

トランジスタＰ１〜Ｐ６のソースは、ともに電源端子Ｔ１４に接続される。トランジスタＰ１，Ｐ４のドレインはともにノードＮ１に接続され、トランジスタＰ２，Ｐ３のドレインはともにノードＮ２に接続される。トランジスタＰ１，Ｐ３，Ｐ５のゲートはともにノードＮ１に接続され、トランジスタＰ２，Ｐ４，Ｐ６のゲートはともにノードＮ２に接続される。トランジスタＱ１，Ｑ２のドレインはそれぞれノードＮ１，Ｎ２に接続され、それらのソースはともにノードＮ３に接続され、それらのゲートはそれぞれ入力端子１６ａ，１６ｂに接続される。

トランジスタＱ３〜Ｑ６のソースは、ともに接地端子Ｔ２４に接続される。トランジスタＱ３，Ｑ４のドレインはそれぞれトランジスタＰ５，Ｐ６のドレインに接続され、トランジスタＱ３，Ｑ４のゲートはともにトランジスタＱ３のドレインに接続される。トランジスタＰ６，Ｑ４のドレインは、ともに出力端子１６ｃに接続される。

バイアス電流源ＩＳ１は、電源端子Ｔ１４とトランジスタＱ５のドレインとの間に接続され、一定のバイアス電流を流す。トランジスタＱ６のドレインはノードＮ３に接続され、そのゲートはトランジスタＱ５のゲートに接続される。トランジスタＱ６には、一定のバイアス電流が流れる。

入力端子１６ｂ，１６ａ間の電圧Ｖ２−Ｖ１が正側トリップ電圧ＶＴＰよりも高くなると、トランジスタＱ２がオンするとともにトランジスタＱ１がオフし、ノードＮ１，Ｎ２がそれぞれ「Ｈ」レベルおよび「Ｌ」レベルになる。ノードＮ１が「Ｈ」レベルになると、トランジスタＰ５がオフし、トランジスタＰ５，Ｑ３，Ｑ４に電流が流れない。ノードＮ２が「Ｌ」レベルになると、トランジスタＰ６がオンし、信号ＣＭＰが「Ｈ」レベルになる。

ノードＮ２が「Ｌ」レベルになると、トランジスタＰ４がオンし、ノードＮ１が「Ｈ」レベルに保持される。この状態を解除するためには、入力端子１６ｂ，１６ａ間の電圧Ｖ２−Ｖ１を負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低くする必要がある。

入力端子１６ｂ，１６ａ間の電圧Ｖ２−Ｖ１が負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低くなると、トランジスタＱ１がオンするとともにトランジスタＱ２がオフし、ノードＮ１，Ｎ２がそれぞれ「Ｌ」レベルおよび「Ｈ」レベルになる。ノードＮ１が「Ｌ」レベルになると、トランジスタＰ５がオンし、トランジスタＰ５，Ｑ３，Ｑ４に電流が流れる。ノードＮ２が「Ｈ」レベルになると、トランジスタＰ６がオフし、信号ＣＭＰが「Ｌ」レベルになる。

ノードＮ１が「Ｌ」レベルになると、トランジスタＰ３がオンし、ノードＮ２が「Ｈ」レベルに保持される。この状態を解除するためには、入力端子１６ｂ，１６ａ間の電圧Ｖ２−Ｖ１を正側トリップ電圧ＶＴＰよりも高くする必要がある。

図８は、差動比較器１６の入力電圧Ｖ２−Ｖ１と出力信号ＣＭＰとの関係を示す図である。図８において、入力電圧Ｖ２−Ｖ１が十分に低い負電圧である場合は、信号ＣＭＰは「Ｌ」レベルとなる。信号ＣＭＰの「Ｌ」レベルは、接地電圧ＶＳ４＝０Ｖである。入力電圧Ｖ２−Ｖ１が負の値から徐々に上昇し、正側トリップ電圧ＶＴＰを越えると、信号ＣＭＰは「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに変化する。信号ＣＭＰの「Ｈ」レベルは、電源電圧ＶＤ４＝５Ｖである。また、入力電圧Ｖ２−Ｖ１が十分に高い正電圧である場合は、信号ＣＭＰは「Ｈ」レベルとなる。入力電圧Ｖ２−Ｖ１が正の値から徐々に低下し、負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低くなると、信号ＣＭＰは「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに変化する。この差動比較器１６の伝播遅延時間は数ｎｓに設定されている。

図１に戻って、出力バッファ１７は、差動比較器１６の出力信号ＣＭＰをバッファリングして出力端子Ｔ２に出力する。出力端子Ｔ２に現れる信号は、信号伝達回路の出力信号ＶＯとなる。

出力バッファ１７は、図９（ａ）（ｂ）に示すように、出力バッファ４と同じ構成である。ただし、プリドライバ４１は、電源端子Ｔ１４および接地端子Ｔ２４から与えられる電源電圧ＶＤ４および接地電圧ＶＳ４によって駆動され、差動比較器１６の出力信号ＣＭＰを反転させる。トランジスタ４２，４３からなるメインドライバは、電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３から与えられる電源電圧ＶＤ３および接地電圧ＶＳ３によって駆動され、プリドライバ４１の出力信号を反転させ、出力信号ＶＯとして出力端子Ｔ２に出力する。ダイオード４４のアノードおよびダイオード４５のカソードは出力端子Ｔ２に接続され、ダイオード４４のカソードおよびダイオード４５のアノードはそれぞれ電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３に接続される。また、ダイオード４４，４５をそれぞれＮチャネルＭＯＳトランジスタ４６，４７で構成してもよい。

図１０（ａ）〜（ｇ）は、図１〜図９で説明した信号伝達回路の動作を示すタイムチャートである。図１０（ａ）〜（ｇ）において、入力信号ＶＩは、一定周期で交互に「Ｈ」レベルおよび「Ｌ」レベルになるものとする。入力信号ＶＩの立ち上りエッジに応答して、エッジパルス生成回路３の出力信号Ｓ１が一定時間だけ「Ｈ」レベルになり、入力信号ＶＩの立ち下りエッジに応答して、エッジパルス生成回路３の出力信号Ｓ２が一定時間だけ「Ｈ」レベルになる。

信号Ｓ１は、出力バッファ４によってバッファリングされてトランス６の１次巻線７の第１の端子７ａに与えられる。信号Ｓ２は、出力バッファ５によってバッファリングされてトランス６の１次巻線７の第２の端子７ｂに与えられる。トランス６の２次巻線８には、バイアス回路１５によってバイアス電圧ＶＢが印加されている。

信号Ｓ１の立ち上りエッジに応答して、２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１および第２の端子８ｂの電圧Ｖ２がスパイク状に上昇する。このとき電圧Ｖ１の上昇分が電圧Ｖ２の上昇分よりも大きいので、Ｖ２−Ｖ１は負電圧側にスパイク状に低下する。また、信号Ｓ１の立ち下りエッジに応答して、電圧Ｖ１，Ｖ２がスパイク状に低下する。このとき電圧Ｖ１の低下分が電圧Ｖ２の低下分よりも大きいので、Ｖ２−Ｖ１は正電圧側にスパイク状に上昇する。

同様に、信号Ｓ２の立ち上りエッジに応答して、２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１および第２の端子８ｂの電圧Ｖ２がスパイク状に上昇する。このとき電圧Ｖ２の上昇分が電圧Ｖ１の上昇分よりも大きいので、Ｖ２−Ｖ１は正電圧側にスパイク状に上昇する。また、信号Ｓ２の立ち下りエッジに応答して、電圧Ｖ１，Ｖ２がスパイク状に低下する。このとき電圧Ｖ２の低下分が電圧Ｖ１の低下分よりも大きいので、Ｖ２−Ｖ１は負電圧側にスパイク状に上昇する。

出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルにされている場合において、差動比較器１６の入力電圧Ｖ２−Ｖ１がスパイク状に上昇して正側トリップ電圧ＶＴＰよりも高くなると、出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに立ち上げられる。

また、出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルにされている場合において、差動比較器１６の入力電圧Ｖ２−Ｖ１がスパイク状に低下して負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低くなると、出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに立ち上げられる。したがって、出力信号ＶＯは、入力信号ＶＩの遅延信号となる。

図１１は、図１に示した信号伝達回路を備えたインバータの構成を示す回路ブロック図である。図１１において、このインバータは、直流電源５０〜５３、制御回路６０、信号伝達回路６１，６２、ゲート駆動回路６３，６４、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)６５，６６、ダイオード６７，６８、コンデンサ６９、および出力端子Ｔ３を備える。

信号伝達回路６１，６２の各々は、図１で示した信号伝達回路と同様の回路である。信号伝達回路６１，６２によって制御回路６０側の低電圧領域Ａ１とＩＧＢＴ６７，６８側の高電圧領域Ａ２とが絶縁されている。低電圧領域Ａ１には直流電源５０から数Ｖの電源電圧ＶＤ１０が供給され、高電圧領域Ａ２には直流電源５１〜５３から数百Ｖ〜数千Ｖの電源電圧ＶＤ１１〜ＶＤ１３が供給される。コンデンサ６９は、直流電源５３に並列に接続され、電源電圧ＶＤ１３を安定化させる。低電圧領域Ａ１の接地端子Ｔ３０と高電圧領域Ａ２の接地端子Ｔ３０とは別々に設けられており、接地端子Ｔ３０，Ｔ３１はそれぞれ接地電圧ＶＳ１０，ＶＳ１１を受ける。

制御回路６０は、直流電源５０の出力電圧ＶＤ１０によって駆動され、制御信号ＶＩ１，ＶＩ２を生成する。信号伝達回路６１は、電源電圧ＶＤ１０によって駆動される送信回路と、領域Ａ１，Ａ２を絶縁するトランスと、電源電圧ＶＤ１１によって駆動される受信回路とを含み、制御信号ＶＩ１に応答して制御信号ＶＯ１を出力する。ＩＧＢＴ６５は出力端子Ｔ３と接地端子Ｔ３１の間に接続され、ダイオード６７はＩＧＢＴ６５に逆並列に接続される。ゲート駆動回路６３は、電源電圧ＶＤ１１によって駆動され、制御信号ＶＯ１に応答してＩＧＢＴ６５をオン／オフさせる。

信号伝達回路６２は、電源電圧ＶＤ１０によって駆動される送信回路と、領域Ａ１，Ａ２を絶縁するトランスと、電源電圧ＶＤ１２によって駆動される受信回路とを含み、制御信号ＶＩ２に応答して制御信号ＶＯ２を出力する。ＩＧＢＴ６６は直流電源５３の正極と出力端子Ｔ３の間に接続され、ダイオード６８はＩＧＢＴ６６に逆並列に接続される。ゲート駆動回路６４は、電源電圧ＶＤ１２によって駆動され、制御信号ＶＯ２に応答してＩＧＢＴ６６をオン／オフさせる。ＩＧＢＴ６５と６６は、交互にオンされる。出力端子Ｔ３には、電源電圧ＶＤ１３と接地電圧ＶＳ１１の間で変化する交流電圧ＶＡＣが出力される。

このインバータでは、信号伝達回路６１，６２によって低電圧領域Ａ１と高電圧領域Ａ２を分離したので、高電圧領域Ａ２の高電圧によって制御回路６０が破壊されたり、ＩＧＢＴ６５，６６のオン／オフに伴って発生するノイズによって制御回路６０が誤動作することを防止することができる。

［比較例の問題点１］
図１１で示したインバータにおいて、ＩＧＢＴ６５，６６を交互にオン／オフさせると、高電圧領域Ａ２の接地電圧と低電圧領域Ａ１の接地電圧との電圧差が激しく変化する。図１２（ａ）は、図１で示した受信回路１０の接地電圧ＶＳ３と送信回路１の接地電圧ＶＳ１との電圧差ＶＳ３−ＶＳ１の変化を示すタイムチャートである。また、図１２（ｂ）はトランス６の２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１の変化を示すタイムチャートであり、図１２（ｃ）はトランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂの電圧Ｖ２の変化を示すタイムチャートである。

図１２（ａ）〜（ｃ）において、受信回路１０の接地電圧ＶＳ３と送信回路１の接地電圧ＶＳ１との電圧差ＶＳ３−ＶＳ１は、０Ｖから直流電源５３の端子間電圧ＶＤＣまで変化する。この電圧差ＶＳ３−ＶＳ１の変化速度ｄＶ／ｄｔは、通常は１ｋＶ／μｓ程度であるが、動作状態によっては３０ｋＶ／μｓに達する場合もある。

電圧差ＶＳ３−ＶＳ１がＶＤＣから０Ｖに変化すると（時刻ｔ０）、トランス６の２次巻線８の端子８ａ，８ｂに正の同相ノイズが発生し、電圧Ｖ１，Ｖ２の各々がバイアス電圧ＶＢから電源電圧ＶＤ３＋ＶＦ１にスパイク状に上昇する。ＶＦ１は、ＥＳＤ保護回路１１に含まれるダイオード２１の順方向電圧であり、室温で０．７Ｖ程度である。

また、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が０ＶからＶＤＣに変化すると（時刻ｔ１）、トランス６の２次巻線８の端子８ａ，８ｂに負の同相ノイズが発生し、電圧Ｖ１，Ｖ２の各々がバイアス電圧ＶＢから接地電圧ＶＳ３−ＶＦ２にスパイク状に低下する。ＶＦ２は、ＥＳＤ保護回路１２に含まれるダイオード２２の順方向電圧であり、室温で０．７Ｖ程度である。

図１３は、トランス６の２次巻線８の端子８ａ，８ｂに正の同相ノイズが発生するメカニズムを示す回路図である。図１３において、トランス６の１次巻線７と２次巻線８の間には寄生容量が存在する。寄生容量は、１次巻線７の第１の端子７ａと２次巻線８の第１の端子８ａとの間に接続されたコンデンサＣ１と、１次巻線７の第２の端子７ｂと２次巻線８の第１の端子８ｂとの間に接続されたコンデンサＣ２とで示されている。

なお、ＥＳＤ保護回路１１，１２のダイオード２１のカソード（すなわちチップ上の電源端子Ｔ１３）とパッケージ上の電源端子Ｔ１３Ｐとの間はそれぞれボンディングワイヤＷ１，Ｗ２によって接続され、ＥＳＤ保護回路１１，１２のダイオード２２のアノード（すなわちチップ上の接地端子Ｔ２３）とパッケージ上の接地端子Ｔ２３Ｐとの間はそれぞれボンディングワイヤＷ２，Ｗ４によって接続されている。ボンディングワイヤＷ１〜Ｗ４の各々は、インダクタを構成している。

電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が一定である場合は、コンデンサＣ１，Ｃ２の各々はバイアス電圧ＶＢに充電されている。図１２の時刻ｔ０で示すように、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１がＶＤＣから０Ｖに変化すると、コンデンサＣ１，Ｃ２の容量結合によって電圧Ｖ１，Ｖ２がスパイク状に上昇する。ＥＳＤ保護回路１１，１２のダイオード２１がない場合には、電圧Ｖ１，Ｖ２は数百Ｖ上昇する。しかし、ダイオード２１が存在する場合には、図１３の矢印で示すようにダイオード２１の順方向に電流が流れるので、電圧Ｖ１，Ｖ２の各々は、受信回路１０の電源電圧ＶＤ３よりもダイオード２１の順方向電圧ＶＦ１だけ高い値となる。

逆に、図１２の時刻ｔ１で示すように、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が０ＶからＶＤＣに変化すると、コンデンサＣ１，Ｃ２の容量結合によって電圧Ｖ１，Ｖ２がスパイク状に低下する。ＥＳＤ保護回路１１，１２のダイオード２２がない場合には、電圧Ｖ１，Ｖ２は数百Ｖ低下する。しかし、ダイオード２２が存在する場合には、ダイオード２２の順方向に電流が流れるので、電圧Ｖ１，Ｖ２の各々は、受信回路１０の接地電圧ＶＳ３よりもダイオード２２の順方向電圧ＶＦ２だけ低い電圧となる。

同相ノイズは、差動比較器１６の入力端子１６ａ，１６ｂに流入する。差動比較器１６が正常に動作する入力電圧の範囲は、接地電圧（０Ｖ）よりも高い最低電圧Ｖｍｉｎ（たとえば、１．１Ｖ）と、電源電圧（たとえば、５Ｖ）よりも低い最高電圧Ｖｍａｘ（たとえば、３．８Ｖ）との間に限られる。Ｖｍｉｎ〜Ｖｍａｘから外れた値の電圧が差動比較器１６に入力されると、差動比較器１６に保持された信号の論理レベルが反転してしまい、後段の回路が誤動作するという問題がある。本発明では、この問題の解決が図られる。

［比較例の問題点２]
また、図１の信号伝達装置には、同相ノイズが発生した場合に、出力信号ＶＯの電圧が変動してしまうという問題がある。図１４（ａ）（ｂ）に示すように、出力信号ＶＯが「Ｈ」レベル（電源電圧ＶＤ３）である場合において、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１がＶＤＣから０Ｖに低下すると、図１４（ｂ）のうちの点線の円で囲まれた部分で示されるように、出力信号ＶＯの電圧が同相ノイズの影響を受けてスパイク状に低下する。

また図１４（ａ）（ｃ）に示すように、出力信号ＶＯが「Ｌ」レベル（接地電圧ＶＳ３）である場合において、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が０ＶからＶＤＣに上昇すると、図１４（ｃ）のうちの点線の円で囲まれた部分で示されるように、出力信号ＶＯの電圧が同相ノイズの影響を受けてスパイク状に上昇する。

同相ノイズの影響を受けて出力信号ＶＯの電圧が変動する理由は以下の通りである。図１５（ａ）に示すように電圧差ＶＳ３−ＶＳ１がＶＤＣから０Ｖに低下すると（時刻ｔ０）、図１３の回路においては矢印の方向に電流が流れる。この電流は、トランス６の寄生容量値と電圧の変化速度ｄＶ／ｄｔとの積に等しい値となり、ｍＡオーダーの大きな電流となる。

接地電圧ＶＳ３とＶＳ１の相対的な変化が停止して電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が一定になると、ＥＳＤ保護回路１１，１２のダイオード２１に流れる電流は急激に減少する。このときボンディングワイヤＷ１からなるインダクタには電流の変化を妨げる向きの起電力が生じ、図１５（ｂ）に示すように、ダイオード２１のカソードの電圧ＶＤ３Ａが電源電圧ＶＤ３より低くなる（時刻ｔ０）。ダイオード２１のカソード（すなわちチップ上の電源端子Ｔ１３）の電源電圧ＶＤ３Ａは、出力バッファ１７のトランジスタ４２，４３からなるメインドライバの電源電圧となる。出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルである場合には、出力端子Ｔ２にはチップ上の電源電圧ＶＤ３Ａが現われるので、出力信号ＶＯのレベルはスパイク状に低下する。

逆に、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が０ＶからＶＤＣに上昇すると（時刻ｔ１）、接地端子Ｔ２３からボンディングワイヤＷ２およびダイオード２２を介してトランス６の２次巻線８の端子８ａに大きな電流が流れる。この電流が急に止まると、ボンディングワイヤＷ２からなるインダクタに電流の変化を妨げる向きの起電力が生じ、図１５（ｂ）に示すように、ダイオード２２のアノード（すなわちチップ上の接地端子Ｔ２３）の電圧ＶＳ３Ａが接地電圧ＶＳ３よりも高くなる（時刻ｔ１）。ダイオード２２のアノード（すなわちチップ上の接地端子Ｔ２３）の電圧ＶＳ３Ａは、出力バッファ１７のトランジスタ４２，４３からなるメインドライバの接地電圧となる。出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルである場合には、出力端子Ｔ２にはチップ上の接地電圧ＶＳ３Ａが現われるので、出力信号ＶＯのレベルはスパイク状に上昇する。このように出力信号ＶＯの電圧が変化すると、後段の回路が誤動作するという問題がある。本発明では、この問題の解決が図られる。

[実施の形態１]
図１６は、本発明の実施の形態１による信号伝達回路の構成を示す回路ブロック図であって、図１と対比される図である。図１６を参照して、この信号伝達回路が図１の信号伝達回路と異なる点は、抵抗素子１３，１４が除去され、減衰回路７１，７２、電源端子Ｔ１５、および接地端子Ｔ２５が追加され、出力バッファ１７が出力バッファ７６で置換されている点である。

減衰回路７１は、トランス６の２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１を所定の減衰率で減衰させて電圧Ｖ１Ａを生成し、その電圧Ｖ１Ａを差動比較器１６の第２の入力端子（＋端子）１６ｂに与える。減衰回路７２は、トランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂの電圧Ｖ２を所定の減衰率で減衰させて電圧Ｖ２Ａを生成し、その電圧Ｖ２Ａを差動比較器１６の第１の入力端子（−端子）１６ａに与える。

詳しく説明すると、減衰回路７１は、演算増幅器７３および抵抗素子７４，７５を含む。抵抗素子７４の一方端子はＥＳＤ保護回路１１を介してトランス６の２次巻線８の第１の端子８ａに接続され、その他方端子は演算増幅器７３の反転入力端子（−端子）に接続される。抵抗素子７５は、演算増幅器７３の反転入力端子と出力端子の間に接続される。演算増幅器７３の非反転入力端子（＋端子）はバイアス回路１５からの直流バイアス電圧ＶＢを受け、その出力端子は差動比較器１６の第２の入力端子１６ｂに接続される。

演算増幅器７３は、電源端子Ｔ１４からの電源電圧ＶＤ４と接地端子Ｔ２４からの接地電圧ＶＳ４によって駆動され、反転入力端子（−端子）の電圧が非反転入力端子（＋端子）の電圧（すなわち直流バイアス電圧ＶＢ）に一致するように電流を出力する。このため、直流バイアス電圧ＶＢが抵抗素子７４を介して２次巻線８の第１の端子８ａに供給される。また、抵抗素子７４，７５の抵抗値をそれぞれＲ１，Ｒ２とすると、Ｖ１Ａ＝−Ｖ１（Ｒ２／Ｒ１）となる。したがって、Ｒ２／Ｒ１を１よりも小さな所定値（たとえば０．４）に設定することにより、Ｖ１よりも小さな電圧Ｖ１Ａを生成することができる。

図１７（ａ）は減衰回路７１の構成を示す回路図であり、図１７（ｂ）は演算増幅器７３の構成を示す回路図である。図１７（ａ）（ｂ）において、演算増幅器７３は、反転入力端子７３ａ、非反転入力端子７３ｂ、出力端子７３ｃ、バイアス電流源ＩＳ２、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１１，Ｐ１２、およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ１４を含む。トランジスタＰ１１，Ｐ１２のソースはともに電源端子Ｔ１４に接続され、それらのドレインはそれぞれノードＮ１１および出力端子７３ｃに接続され、トランジスタＰ１１，Ｐ１２のゲートはともにノードＮ１１に接続される。トランジスタＰ１１，Ｐ１２には、同じ値の電流が流れる。

トランジスタＱ１１，Ｑ１２のドレインはそれぞれノードＮ１１および出力端子７３ｃに接続され、それらのソースはともにノードＮ１２に接続される。トランジスタＱ１１，Ｑ１２のゲートはそれぞれ非反転入力端子７３ｂおよび反転入力端子７３ａに接続される。トランジスタＱ１３は、ノードＮ１２と接地端子Ｔ２４の間に接続される。バイアス電流源ＩＳ２およびトランジスタＱ１４は、電源端子Ｔ１４と接地端子Ｔ２４の間に直列接続される。トランジスタＱ１３，Ｑ１４のゲートは互いに接続されている。トランジスタＱ１３，Ｑ１４には、一定のバイアス電流が流れる。

非反転入力端子７３ｂの電圧が反転入力端子７３ａの電圧よりも高い場合は、トランジスタＰ１１，Ｐ１２，Ｑ１１に流れる電流がトランジスタＱ１２に流れる電流よりも大きくなり、出力端子７３ｃが「Ｈ」レベル（電源電圧ＶＤ４）にされる。非反転入力端子７３ｂの電圧が反転入力端子７３ａの電圧よりも低い場合は、トランジスタＰ１１，Ｐ１２，Ｑ１１に流れる電流がトランジスタＱ１２に流れる電流よりも小さくなり、出力端子７３ｃが「Ｌ」レベル（接地電圧ＶＳ４）にされる。

本実施の形態１では、信号伝達回路の伝播遅延時間が３０ｎｓ未満に設定されるので、演算増幅器７３にも高速動作が求められる。このため、トランジスタＱ１３の電流を大きな値（８００μＡ）に設定し、トランジスタＱ１１，Ｑ１２のトランジスタサイズを大きなサイズ（Ｗ／Ｌ＝１６０μｍ／１μｍ）に設定することにより、ＤＣ利得が４０ｄＢで、ユニティゲイン周波数が８００ＭＨｚの演算増幅器７３を実現している。

次に、減衰回路７１の動作について説明する。図１８（ａ）はトランス６の２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１を示すタイムチャートであり、図１８（ｂ）は減衰回路７１の出力電圧Ｖ１Ａを示すタイムチャートである。電圧Ｖ１，Ｖ１Ａの各々には、受信信号と同相ノイズが現われる。

たとえば、受信側の接地電圧ＶＳ３は０Ｖであり、電源電圧ＶＤ３は５Ｖであり、直流バイアス電圧ＶＢは２．５Ｖである。通常はＶ１＝ＶＢである。図１２（ａ）〜（ｃ）で示したように、送信側と受信側の接地電圧の差ＶＳ３−ＶＳ１がＶＤＣから０Ｖに変化すると、Ｖ１に正の同相ノイズが発生し、電圧差ＶＳ３−ＶＳ１が０ＶからＶＤＣに変化すると、Ｖ１に負のの同相ノイズが発生する。正の同相ノイズが発生すると、Ｖ１は、ＶＢからＶＤ３＋ＶＦ１にスパイク状に上昇する。ＶＤ３＋ＶＦ１は５．７Ｖとなる。負の同相ノイズが発生すると、Ｖ１は、ＶＢからＶＤ３−ＶＦ２にスパイク状に低下する。ＶＤ３−ＶＦ２は−０．７Ｖとなる。

また図１０（ａ）〜（ｇ）で示したように、入力信号ＶＩの立ち上りエッジに応答して信号Ｓ１が「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに立ち上げられると、Ｖ１がＶＢからＶＳＰにスパイク状に上昇し、信号Ｓ１が「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに立ち下げられると、Ｖ１がＶＢからＶＳＮにスパイク状に低下する。送信回路１の出力バッファ４の駆動力を調整することにより、電圧ＶＳＰ，ＶＳＮのレベルを調整することが可能である。たとえば、ＶＳＰは３Ｖに設定され、ＶＳＮは２Ｖに設定される。

また、差動比較器１６が正常に動作する最低の入力電圧Ｖｍｉｎは１．１Ｖであり、最大の入力電圧Ｖｍａｘは３．８Ｖであるとする。また、差動比較器の正のトリップ電圧ＶＴＰは０．１５Ｖであり、負のトリップ電圧ＶＴＮは−０．１５Ｖであるとする。

減衰回路７１の抵抗素子７４，７５の抵抗値Ｒ１，Ｒ２をそれぞれ１０ｋΩおよび４ｋΩとすれば、減衰率は−Ｒ２／Ｒ１＝−０．４となる。この場合、正の同相ノイズの電圧ＶＤ３＋ＶＦ１は、減衰後には（５．７−２．５）×（−０．４）＋２．５＝１．２２Ｖとなり、Ｖｍｉｎ（１．１Ｖ）とＶｍａｘ（３．８Ｖ）の範囲内に収まっている。負の同相ノイズの電圧ＶＳ３−ＶＦ２は、減衰後には（２．５＋０．７）×（−０．４）＋２．５＝３．７８Ｖとなり、Ｖｍｉｎ（１．１Ｖ）とＶｍａｘ（３．８Ｖ）の範囲内に収まっている。

また、受信信号の電圧ＶＳＰは、減衰後には（３−２．５）×（−０．４）＋２．５＝２．３Ｖとなり、ＶＢ＋ＶＴＮ＝２．３５Ｖよりも低くなり、かつＶｍｉｎ（１．１Ｖ）とＶｍａｘ（３．８Ｖ）の範囲内に収まっている。受信信号の電圧ＶＳＮは、減衰後には（２−２．５）×（−０．４）＋２．５＝２．７Ｖとなり、ＶＢ＋ＶＴＰ＝２．６５Ｖよりも高くなり、かつＶｍｉｎ（１．１Ｖ）とＶｍａｘ（３．８Ｖ）の範囲内に収まっている。

したがって、図１８（ａ）（ｂ）に示すように、同相ノイズが発生した場合でも、差動比較器１６の入力電圧Ｖ１Ａは差動比較器１６が正常に動作する範囲Ａ内に収まり、差動比較器１６が誤動作することはない。また、正常な受信信号は、減衰された後もトリップ電圧を越えており、信号伝達自体は正常に行なわれる。

図１９は、減衰回路７１の動作をシミュレーションした結果を示すタイムチャートである。正の同相ノイズが発生している期間（２００〜２２０ｎｓ）では、減衰前の電圧Ｖ１は２．５〜５．７Ｖとなるが、減衰後の電圧Ｖ１Ａは１．２〜２．５Ｖとなり、差動比較器１６が正常に動作する範囲（１．１〜３．８Ｖ）内に収まった。また、負の同相ノイズが発生している期間（４２０〜４４０ｎｓ）では、減衰前の電圧Ｖ１は−０．７〜２．５Ｖとなるが、減衰後の電圧Ｖ１Ａは２．５〜３．７８Ｖとなり、差動比較器１６が正常に動作する範囲（１．１〜３．８Ｖ）内に収まった。したがって、本実施の形態１では、比較例の問題点１を解決することができた。

図１６に戻って、減衰回路７２は、減衰回路７１と同じ構成である。ただし、減衰回路７２の抵抗素子７４の一方端子はＥＳＤ保護回路１２を介してトランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂに接続される。また、演算増幅器７３の出力端子は差動比較器１６の第１の入力端子１６ａに接続される。

このため、直流バイアス電圧ＶＢが抵抗素子７４を介して２次巻線８の第２の端子８ｂに供給される。また、Ｖ２よりも小さな電圧Ｖ２Ａが差動比較器１６の第２の入力端子１６ｂに与えられる。抵抗素子７４，７５の抵抗値をそれぞれＲ１，Ｒ２とすると、Ｖ２Ａ＝−Ｖ２（Ｒ２／Ｒ１）となる。したがって、Ｒ２／Ｒ１を１よりも小さな所定値に設定することにより、Ｖ２よりも小さな電圧Ｖ２Ａを生成することができる。Ｒ２／Ｒ１は、減衰回路７１と同じ値（たとえば０．４）に設定される。

減衰回路７２でも、減衰回路７１と同じ効果が得られる。すなわち、トランス６の２次巻線８の第２の端子８ｂに正の同相ノイズが発生した場合でも、差動比較器１６の入力電圧Ｖ２Ａは差動比較器１６が正常に動作する範囲内に収まり、差動比較器１６が誤動作することはない。また、正常な受信信号は、減衰された後もトリップ電圧を越え、信号伝達自体は正常に行なわれる。

なお、図１の比較例の信号伝達回路に減衰回路７１，７２を組み込むことは単純ではない。図１の信号伝達回路では、バイアス回路１５から抵抗素子１３，１４を介してトランス６の２次巻線８の端子８ａ，８ｂに与えられている。１次巻線７に電流が流れると、図１０（ｄ）（ｅ）で示したように、２次巻線８の端子８ａ，８ｂに電圧Ｖ１，Ｖ２が誘起されるが、差動比較器１６で判定するのは電圧差Ｖ２−Ｖ１である。したがって、電圧Ｖ１のみ、あるいは電圧Ｖ２のみを、直流バイアス電圧ＶＢをリファレンス電圧として減衰することはできない。

そこで本実施の形態１では、図１６に示すように、バイアス回路１５で生成された直流バイアス電圧ＶＢを、減衰回路７１，７２の各々の演算増幅器７３の非反転入力端子に印加する。また、減衰回路７１では演算増幅器７３の反転入力端子を抵抗素子７４を介して２次巻線８の第１の端子８ａに接続し、減衰回路７２では演算増幅器７３の反転入力端子を抵抗素子７４を介して２次巻線８の第２の端子８ｂに接続する。

演算増幅器７３の反転入力端子は、仮想接地動作によって直流バイアス電圧ＶＢに固定されるので、２次巻線８の端子８ａ，８ｂも直流バイアス電圧ＶＢにバイアスされることになる。また、２次巻線８の端子８ａ，８ｂに発生した電圧をバイアス電圧ＶＢを基準として減衰することが可能になる。

さらに、図７で説明した差動比較器１６と同様に、減衰回路７１，７２の演算増幅器７３が正常に動作する入力電圧の範囲が存在するが、演算増幅器７３の入力端子は仮想接地動作によって一定のバイアス電圧ＶＢに保たれるので、２次巻線８の端子８ａ，８ｂに同相ノイズが発生しても演算増幅器７３が誤動作することはない。

差動比較器１６は、第２の入力端子１６ｂに与えられた減衰回路７１の出力電圧Ｖ１Ａと第１の入力端子１６ａに与えられた減衰回路７２の出力電圧Ｖ２Ａとの差の電圧（Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａ）が正側トリップ電圧ＶＴＰを越えたことに応じて信号ＣＭＰを「Ｈ」レベルにし、その電圧（Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａ）が負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低下したことに応じて信号ＣＭＰを「Ｌ」レベルにする。

出力バッファ７６は、差動比較器１６の出力信号ＣＭＰをバッファリングして出力端子Ｔ２に出力する。出力端子Ｔ２に現れる信号は、信号伝達回路の出力信号ＶＯとなる。

出力バッファ７６は、図２０（ａ）（ｂ）に示すように、出力バッファ１７と同じ構成である。ただし、トランジスタ４２，４３からなるメインドライバは、電源端子Ｔ１５および接地端子Ｔ２５から与えられる電源電圧ＶＤ５および接地電圧ＶＳ５によって駆動され、プリドライバ４１の出力信号を反転させ、出力信号ＶＯとして出力端子Ｔ２に出力する。ダイオード４４のアノードおよびダイオード４５のカソードは出力端子Ｔ２に接続され、ダイオード４４のカソードおよびダイオード４５のアノードはそれぞれ電源端子Ｔ１５および接地端子Ｔ２５に接続される。また、ダイオード４４，４５をそれぞれＮチャネルＭＯＳトランジスタ４６，４７で構成してもよい。

この信号伝達回路の受信回路１０では、ＥＳＤ保護回路１１，１２の各々は電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３に接続され、バイアス回路１５、減衰回路７１，７２、および差動比較器１６は電源端子Ｔ１４および接地端子Ｔ２４に接続され、出力バッファ１６のメインドライバは電源端子Ｔ１５および接地端子Ｔ２５に接続される。したがって、受信回路１０は、３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５と３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５を備える。３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５に印加される電源電圧ＶＤ３〜ＶＤ５は同じ電圧（たとえば５Ｖ）であり、パッケージまたはボード上で短絡される。３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５に印加される接地電圧ＶＳ３〜ＶＳ５は同じ電圧（０Ｖ）であり、パッケージまたはボード上で短絡される。

図２１（ａ）に示すように、３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５と３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５のそれぞれをボード上で短絡してもよいし、図２１（ｂ）に示すように、３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５と３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５のそれぞれをパッケージ内で短絡してもよい。

図２２は、図２１（ａ）に示した第１の接続方法を具体的に示す図である。図２２において、電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５および接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５はチップ８０の表面に設けられ、チップ８０はパッケージ８１に収容されている。パッケージ８１には、それぞれ電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５および接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５に対応する６本のリードフレームＦが設けられている。各リードフレームＦの一方端部はボンディングワイヤＷを介して対応の端子Ｔに接続され、その他方端部はパッケージ８１の外部に露出している。電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５に対応する３本のリードフレームＦの他方端部はボード上の電源端子Ｔ４１に接続される。接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５に対応する３本のリードフレームＦの他方端部はボード上の接地端子Ｔ４２に接続される。

図２３は、図２１（ｂ）に示した第２の接続方法を具体的に示す図である。図２３において、電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５および接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５はチップ８０の表面に設けられ、チップ８０はパッケージ８２に収容されている。パッケージ８２には、電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５に対応する１本のリードフレームＦと、接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５に対応する１本のリードフレームＦが設けられている。各端子Ｔは、ボンディングワイヤＷを介して対応のリードフレームＦの一方端部に接続され、各リードフレームＦの他方端部はパッケージ８２の外部に露出している。電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５に対応するリードフレームＦの他方端部はボード上の電源端子Ｔ４１に接続される。接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５に対応するリードフレームＦの他方端部はボード上の接地端子Ｔ４２に接続される。

図２４は、３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５と３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５を設けた効果を示す回路図であって、図１３と対比される図である。図２４において、出力バッファ７６のメインドライバの電源端子はボンディングワイヤＷ５を介してパッケージ上の電源端子Ｔ１５Ｐに接続され、出力バッファ７６のメインドライバの接地端子はボンディングワイヤＷ６を介してパッケージ上の接地端子Ｔ２５Ｐに接続される。このように、ＥＳＤ保護回路１１，１２用の電源端子Ｔ１３Ｐおよび接地端子Ｔ２３Ｐと、出力バッファ７６のメインドライバ用の電源端子Ｔ１５Ｐおよび接地端子Ｔ２３Ｐとを別々に設けたので、受信回路１０の接地電圧ＶＳ３が低下したときにトランス６から電源端子Ｔ１３Ｐに矢印の経路で大電流が流れても電源端子Ｔ１５Ｐにはほとんど電流が流れない。

このため、出力バッファ７６の出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルであるときに同相ノイズが発生しても電源電圧ＶＤ５が変動することはないので、出力バッファ７６の出力信号ＶＯの電圧が変動することはない。同様に、出力バッファ７６の出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルであるときに同相ノイズが発生しても接地電圧ＶＳ５が変動することはないので、出力バッファ７６の出力信号ＶＯの電圧が変動することはない。

図２５（ａ）（ｂ）は、それぞれ比較例および実施の形態１において、接地電圧ＶＳ３をＶＤＣ（２１００Ｖ）から０Ｖに低下させた場合における出力信号ＶＯの電圧の変化をシミュレーションした結果を示すタイムチャートである。

比較例では、図９で示したように、ＥＳＤ保護回路１１，１２と出力バッファ１７のトランジスタ４２，４３において、電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３が共用されている。これに対して本実施の形態１では、図２０で示したように、ＥＳＤ保護回路１１，１２の電源端子Ｔ１３および接地端子Ｔ２３と、出力バッファ７６のトランジスタ４２，４３からなるメインドライバの電源端子Ｔ１５および接地端子Ｔ２５とは分離されている。

比較例では、図２５（ａ）に示すように、接地電圧ＶＳ３が変化する最初の時刻（２００ｎｓ）と最後の時刻（２２０ｎｓ）において、出力信号ＶＯの電圧がスパイク状に変動する。これに対して本実施の形態１では、図２５（ｂ）に示すように、出力信号ＶＯの電圧はほとんど変動していない。したがって、本実施の形態１では、上記比較例の問題点２が解決されたこととなる。

なお、本実施の形態１では、受信回路１０において３つの電源端子Ｔ１３〜Ｔ１５と３つの接地端子Ｔ２３〜Ｔ２５を設けたが、内部回路の電源端子Ｔ１４と出力バッファ７６の電源端子Ｔ１５を１つの電源端子にまとめるとともに、内部回路の接地端子Ｔ２４と出力バッファ７６の接地端子Ｔ２５を１つの接地端子にまとめても同じ効果が得られることは言うまでもない。

図２６（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態１の信号伝達回路の動作を示すタイムチャートであって、図１０（ａ）〜（ｇ）と対比される図である。図２６（ａ）〜（ｇ）において、入力信号ＶＩは、一定周期で交互に「Ｈ」レベルおよび「Ｌ」レベルになるものとする。入力信号ＶＩの立ち上りエッジに応答して、エッジパルス生成回路３の出力信号Ｓ１が一定時間だけ「Ｈ」レベルになり、入力信号ＶＩの立ち下りエッジに応答して、エッジパルス生成回路３の出力信号Ｓ２が一定時間だけ「Ｈ」レベルになる。

信号Ｓ１は、出力バッファ４によってバッファリングされてトランス６の１次巻線７の第１の端子７ａに与えられる。信号Ｓ２は、出力バッファ５によってバッファリングされてトランス６の１次巻線７の第２の端子７ｂに与えられる。トランス６の２次巻線８には、バイアス回路１５および減衰回路７１，７２の演算増幅器７３によってバイアス電圧ＶＢが印加されている。

信号Ｓ１の立ち上りエッジに応答して２次巻線８の第１の端子８ａの電圧Ｖ１がスパイク状に上昇し、信号Ｓ１の立ち下りエッジに応答して電圧Ｖ１がスパイク状に低下する。電圧Ｖ１は減衰回路７１によって減衰および反転されて電圧Ｖ１Ａとなる。出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルにされている場合において、差動比較器１６の入力電圧Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａがスパイク状に上昇して正側トリップ電圧ＶＴＰよりも高くなると、出力信号ＶＯが「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルに立ち上げられる。

同様に、信号Ｓ２の立ち上りエッジに応答して２次巻線８の第２の端子８ｂの電圧Ｖ２がスパイク状に上昇し、信号Ｓ２の立ち下りエッジに応答して電圧Ｖ２がスパイク状に低下する。電圧Ｖ２は減衰回路７２によって減衰および反転されて電圧Ｖ２Ａとなる。出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルにされている場合において、差動比較器１６の入力電圧Ｖ１Ａ−Ｖ２Ａがスパイク状に低下して負側トリップ電圧ＶＴＮよりも低くなると、出力信号ＶＯが「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに立ち下げられる。したがって、出力信号ＶＯは、入力信号ＶＩの遅延信号となる。

図２７は、本実施の形態１の信号伝達回路の動作をシミュレーションした結果を示すタイムチャートである。図２７では、入力信号ＶＩの電圧と出力信号ＶＯの電圧とが時間の関数としてプロットされている。図２７から、入力信号ＶＩの波形と出力信号ＶＯの波形は同じであり、入力信号ＶＩを３０ｎｓ未満の伝播遅延時間だけ遅延させた信号が出力信号ＶＯとなっていることが分かる。

なお、図１１で示したインバータのような電力変換回路では、Ｓｉ製のＩＧＢＴの他にＳｉＣ製のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が半導体スイッチング素子として用いられるようになってきている。ＳｉＣ製のＭＯＳＦＥＴのスイッチング速度は、Ｓｉ製のＩＧＢＴのスイッチング速度よりも速い。このため、ＳｉＣ製のＭＯＳＦＥＴを使用した電力変換回路では、Ｓｉ製のＩＧＢＴを使用した電力変換回路に比べて、同相ノイズの電圧変化速度が高くなり、信号伝達回路が誤動作する可能性が高くなる。したがって、本実施の形態１の信号伝達回路をＳｉＣ製のＭＯＳＦＥＴを用いた電力変換回路に設けた場合、Ｓｉ製のＩＧＢＴを用いた電力変換回路に設けた場合よりも大きな効果が得られる。

[実施の形態２]
図２８は、この発明の実施の形態２による信号伝達回路の構成を示す回路ブロック図であって、図１６と対比される図である。図２８を参照して、この信号伝達回路が図１６の信号伝達回路と異なる点は、トランス６がトランス６Ａで置換され、ＥＳＤ保護回路９１，９２が追加されている点である。

トランス６Ａは、トランス６の１次巻線７を２つの１次巻線７Ａ，７Ｂに分割し、１次巻線７Ａ，７Ｂの間に第３の端子７ｃを設けるとともに、２次巻線８を２つの２次巻線８Ａ，８Ｂに分割し、２次巻線８Ａ，８Ｂの間に第３の端子８ｃを設けたものである。図２９（ａ）に示すように２次巻線８の中央部に端子８ｃを設けてもよいし、図２９（ｂ）に示すように、２つの２次巻線８Ａ，８Ｂの一方端子同士を接続して端子８ｃとしてもよい。１次巻線７Ａ，７Ｂも２次巻線８Ａ，８Ｂと同様である。

図３０（ａ）（ｂ）はＥＳＤ保護回路９１の構成を示す回路図であって、図２（ａ）（ｂ）と対比される図である。図３０（ａ）（ｂ）を参照して、ＥＳＤ保護回路９１がＥＳＤ保護回路２と異なる点は、ダイオード２１のアノード（またはトランジスタ２３のドレイン）が入力端子Ｔ１および入力ノード３ａの代わりに接地端子Ｔ２１および端子７ｃに接続されている点である。これにより、端子７ｃの電圧はＶＳ１−ＶＦ２とＶＤ１＋ＶＦ１の間の範囲に制限される。

図３１（ａ）（ｂ）はＥＳＤ保護回路９２の構成を示す回路図であって、図６（ａ）（ｂ）と対比される図である。図３１（ａ）（ｂ）を参照して、ＥＳＤ保護回路９２がＥＳＤ保護回路１１と異なる点は、ダイオード２１のアノード（またはトランジスタ２３のドレイン）が端子８ａおよび入力端子１６ａの代わりに端子８ｃおよびバイアス回路１５の出力ノード１５ａに接続されている点である。これにより、端子８ｃの電圧は、バイアス電圧ＶＢにバイアスされるとともに、ＶＳ３−ＶＦ２とＶＤ３＋ＶＦ１の間の範囲に制限される。

他の構成および動作は、実施の形態１と同じであるので、その説明は繰り返さない。この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Ｔ１ 入力端子、Ｔ２，Ｔ３ 出力端子、Ｔ１１〜Ｔ１５，Ｔ４１ 電源端子、Ｔ２１〜Ｔ２５，Ｔ３０，Ｔ３１，Ｔ４２ 接地端子、１ 送信回路、２，１１，１２，９１，９２ ＥＳＤ保護回路、３ エッジパルス生成回路、４，５，１７，７６ 出力バッファ、６，６Ａ トランス、７，７Ａ，７Ｂ １次巻線、８，８Ａ，８Ｂ ２次巻線、１０ 受信回路、１３，１４ 抵抗素子、１５ バイアス回路、１６ 差動比較器、２１，２２，４４，４５，６７，６８ ダイオード、２３，４２，４６，Ｐ１〜Ｐ６，Ｐ１１，Ｐ１２ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ、２３ａ，２４ａ，４６ａ，４７ａ 寄生ダイオード、２４，４３，４７，Ｑ１〜Ｑ６，Ｑ１１〜Ｑ１４ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ、３１ 遅延素子、３２ ＮＡＮＤゲート、３３ インバータ、３４ ＮＯＲゲート、４１ プリドライバ、ＩＳ１，ＩＳ２ バイアス電流源、５０〜５３ 直流電源、６０ 制御回路、６１，６２ 信号伝達回路、６３，６４ ゲート駆動回路、６５，６６ ＩＧＢＴ、６９，Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ、Ａ１ 低電圧領域、Ａ２ 高電圧領域、７１，７２ 減衰回路、７３ 演算増幅器、７４，７５ 抵抗素子、Ｗ１〜Ｗ６，Ｗ ボンディングワイヤ、Ｆ リードフレーム、８０ チップ、８１，８２ パッケージ。

Claims (5)

1. １次巻線および２次巻線を含むトランスと、
   入力信号の前縁に応答して前記１次巻線の第１の端子に第１のパルス電圧を印加し、前記入力信号の後縁に応答して前記１次巻線の第２の端子に第２のパルス電圧を印加する送信回路と、
   前記第１のパルス電圧に応答して前記２次巻線の第１の端子に現れる電圧を予め定められた減衰率で減衰させる第１の減衰回路と、
   前記第２のパルス電圧に応答して前記２次巻線の第２の端子に現れる電圧を前記予め定められた減衰率で減衰させる第２の減衰回路と、
   前記第１および第２の減衰回路の出力電圧の差である第３の電圧が正側トリップ電圧よりも高くなったことに応じて第１の論理レベルの信号を出力し、前記第３の電圧が負側トリップ電圧よりも低くなったことに応じて第２の論理レベルの信号を出力する差動比較器とを備える、信号伝達回路。
2. 前記予め定められた減衰率は、
   前記１次巻線の第１の端子に前記第１のパルス電圧が印加された場合に前記第３の電圧が前記正側トリップ電圧よりも高くなり、
   前記１次巻線の第２の端子に前記第２のパルス電圧が印加された場合に前記第３の電圧が前記負側トリップ電圧よりも低くなり、かつ
   前記２次巻線の第１および第２の端子に同相ノイズが発生した場合に前記第１および第２の減衰回路の出力電圧の各々が前記差動比較器の正常動作範囲内に収まるように設定されている、請求項１に記載の信号伝達回路。
3. 前記第１の減衰回路は、
   非反転入力端子が直流バイアス電圧を受け、出力端子が前記差動比較器の第１の入力端子に接続された第１の演算増幅器と、
   前記第１の演算増幅器の反転入力端子と前記２次巻線の第１の端子との間に接続された第１の抵抗素子と、
   前記第１の演算増幅器の反転入力端子および出力端子間に接続された第２の抵抗素子とを含み、
   前記第２の減衰回路は、
   非反転入力端子が前記直流バイアス電圧を受け、出力端子が前記差動比較器の第２の入力端子に接続された第２の演算増幅器と、
   前記第２の演算増幅器の反転入力端子と前記２次巻線の第２の端子との間に接続された第３の抵抗素子と、
   前記第２の演算増幅器の反転入力端子および出力端子間に接続された第４の抵抗素子とを含む、請求項１または請求項２に記載の信号伝達回路。
4. 前記１次巻線は、
   直列接続された第１および第２の巻線と、
   前記第１および第２の巻線間に設けられ、基準電圧を受ける第３の端子とを含み、
   前記２次巻線は、
   直列接続された第３および第４の巻線と、
   前記第３および第４の巻線間に設けられ、直流バイアス電圧を受ける第４の端子とを含む、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の信号伝達回路。
5. ともに電源電圧を受け、互いに分離して設けられた第１および第２の電源端子と、
   ともに接地電圧を受け、互いに分離して設けられた第１および第２の接地端子と、
   前記２次巻線の第１および第２の端子に現れるサージ電圧を前記第１の電源端子および前記第１の接地端子に流出させる保護回路と、
   複数段のドライバを含み、前記差動比較器の出力信号をバッファリングして次段の回路に出力する出力バッファとを備え、
   前記複数段のドライバのうちの少なくとも最終段のドライバは前記第２の電源端子および前記第２の接地端子からの前記電源電圧および前記接地電圧によって駆動される、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の信号伝達回路。

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