JP2011146904A - 受信回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】増幅率を損ねることなく同相入力範囲を拡大することができる受信回路を提供する。
【解決手段】受信回路は、第1の抵抗R3と第2の抵抗R4との抵抗比に基づき差動信号の一方の信号BPを分圧した第1の入力信号を出力する第1の分圧回路10と、第3の抵抗R5と第4の抵抗R6との抵抗比に基づき差動信号の他方の信号BMを分圧した第2の入力信号を出力する第2の分圧回路11と、第1、第2の入力信号を増幅して出力する差動増幅器12と、差動信号の同相電圧Vcmを検出する同相電圧検出回路13と、同相電圧Vcmに基づきバイアス電圧Vbの電圧値を切り替えるバイアス電圧切替回路14と、を有する。
【選択図】図2
【解決手段】受信回路は、第1の抵抗R3と第2の抵抗R4との抵抗比に基づき差動信号の一方の信号BPを分圧した第1の入力信号を出力する第1の分圧回路10と、第3の抵抗R5と第4の抵抗R6との抵抗比に基づき差動信号の他方の信号BMを分圧した第2の入力信号を出力する第2の分圧回路11と、第1、第2の入力信号を増幅して出力する差動増幅器12と、差動信号の同相電圧Vcmを検出する同相電圧検出回路13と、同相電圧Vcmに基づきバイアス電圧Vbの電圧値を切り替えるバイアス電圧切替回路14と、を有する。
【選択図】図2
Description
本発明は受信回路に関し、特に差動信号を受信して後段回路に伝達する受信回路に関する。
半導体装置間の信号の送受信では、差動信号が多く用いられている。差動信号に外来ノイズが混入した場合、外来ノイズは、差動信号を構成する2つの信号の同相成分(又は同相電圧)に均等に影響する。一方、差動信号を受信する受信回路では、差動信号の同相成分を除く差動成分に基づき出力信号を生成する。このように信号の伝達に差動信号を用いることで、受信回路は、外来ノイズの影響を受けることなく差動成分により伝達される伝達データを受信することができる。
しかし、一般的に、受信回路は、差動増幅器を用いて構成される。そのため、差動信号の同相電圧が受信回路の同相入力範囲よりも大きくなると、受信回路は差動成分を正確に受信できないことがある。そこで、受信回路における同相入力範囲を拡大するための技術が特許文献1、2及び非特許文献1に開示されている。
特許文献1に記載の差動増幅回路は、差動増幅部と入力端子との間に電圧シフト部を有する。そして、電圧シフト部により入力信号の電圧レベルをシフトさせることで、差動増幅回路の同相入力範囲を拡大している。特許文献2に記載の半導体集積回路では、差動信号のコモンレベルをコモンレベル検知回路により検出する。そして、コモンレベルに基づきバイアス電圧の電圧レベルにより差動増幅器の動作電流を制御する。これにより、特許文献2では、差動増幅器の同相入力範囲を拡大する。
しかしながら、特許文献1に記載の差動増幅回路では、電圧シフト部が電源電圧範囲を超える大きさの同相電圧に対して電圧シフト部の出力が飽和する問題が発生する。また、特許文献2に記載の半導体集積回路では、差動増幅器の動作電流を制御しているのみであり、やはり電源電圧範囲を超える範囲まで同相入力範囲を広げることはできない問題がある。
一方、非特許文献1には電源電圧範囲を超える同相電圧にも対応可能な差動増幅回路の例が記載されている。非特許文献1に記載の差動増幅回路100の回路図を図7に示す。図7に示すように、差動増幅回路100では、抵抗Rg、Rsにより構成される分圧回路により入力信号Vinの振幅レベルを圧縮する。そして、圧縮後の入力信号Vinを差動増幅器AMPに入力して出力信号Voutを得る。
リニアテクノロジー株式会社、デザインノート333、使いやすい差動アンプによる平衡信号設計の簡素化
しかしながら、非特許文献1に記載の差動増幅回路では、同相電圧の電圧レベルに応じて抵抗Rg、Rsによる抵抗分圧比を高めなければならない。このように抵抗分圧比を高めた場合、差動増幅器回路における電圧増幅率の低下を招く問題がある。また、抵抗分圧回路により同相電圧を圧縮した場合、差動成分も圧縮されるため、抵抗分圧比を高めると差動成分の大きさが減少し、正確に信号を受信できない問題がある。
本発明にかかる受信回路の一態様は、差動信号の一方の信号が入力される第1の入力端子とバイアス電圧が与えられるバイアス端子との間に第1の抵抗及び第2の抵抗が直列に接続され、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との抵抗比に基づき前記差動信号の一方の信号を分圧した第1の入力信号を出力する第1の分圧回路と、前記差動信号の他方の信号が入力される第2の入力端子と前記バイアス端子との間に第3の抵抗及び第4の抵抗が直列に接続され、前記第3の抵抗と前記第4の抵抗との抵抗比に基づき前記差動信号の他方の信号を分圧した第2の入力信号を出力する第2の分圧回路と、前記第1、第2の入力信号を増幅して出力する差動増幅器と、前記第1、第2の入力端子の間に接続され前記差動信号の同相電圧を検出する同相電圧検出回路と、前記同相電圧に基づき前記バイアス電圧の電圧値を切り替えるバイアス電圧切替回路と、を有する。
本発明にかかる受信回路では、同相電圧に基づきバイアス電圧の電圧値を切り替える。これにより、本発明にかかる受信回路は、第1、第2の入力信号の電圧レベルを高電圧側又は低電圧側にシフトさせる。そして、第1、第2の入力信号の電圧レベルを高電圧側にシフトさせた場合、差動信号の同相電圧に対して差動増幅器に与えられる第1、第2の入力信号の電圧レベルは、抵抗比のみで決定される電圧レベルよりも高くなるため、受信回路の同相入力範囲を低電圧側に拡大することが可能になる。一方、第1、第2の入力信号の電圧レベルを低電圧側にシフトさせた場合、差動信号の同相電圧に対して差動増幅器に与えられる第1、第2の入力信号の電圧レベルは、抵抗比のみで決定される電圧レベルよりも低くなるため、受信回路の同相入力範囲を高電圧側に拡大することが可能になる。つまり、本発明にかかる受信回路では、同相電圧に基づきバイアス電圧の電圧値を切り替えることで、第1、第2の分圧回路の抵抗比により決まる同相入力範囲よりも広い同相入力範囲を実現することができる。
本発明にかかる受信回路によれば、受信回路の増幅率を損ねることなく同相入力範囲を拡大することができる。
実施の形態1
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる受信回路は、例えば、送受信回路の受信回路として用いられる。そこで、図1に本実施の形態にかかる受信回路が搭載される送受信回路1のブロック図を示す。図1に示すように、送受信回路1は、送信回路TXと、受信回路RXとを有する。送信回路TXは、例えば、コントローラ2等の処理回路から送信信号を受信して、受信した送信信号に基づき差動信号を出力する。一方、受信回路RXは、図示しない他の回路が出力した差動信号を受信して、コントローラ2等の処理回路に出力する。図1に示す受信回路RXでは、差動信号を受信してシングルエンド信号を出力する例を示したが、受信回路RXは差動信号を出力しても良い。なお、以下の説明では、差動信号を受信し、シングルエンド信号を出力する受信回路RXを例に説明する。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる受信回路は、例えば、送受信回路の受信回路として用いられる。そこで、図1に本実施の形態にかかる受信回路が搭載される送受信回路1のブロック図を示す。図1に示すように、送受信回路1は、送信回路TXと、受信回路RXとを有する。送信回路TXは、例えば、コントローラ2等の処理回路から送信信号を受信して、受信した送信信号に基づき差動信号を出力する。一方、受信回路RXは、図示しない他の回路が出力した差動信号を受信して、コントローラ2等の処理回路に出力する。図1に示す受信回路RXでは、差動信号を受信してシングルエンド信号を出力する例を示したが、受信回路RXは差動信号を出力しても良い。なお、以下の説明では、差動信号を受信し、シングルエンド信号を出力する受信回路RXを例に説明する。
本発明にかかる送受信回路1では、受信回路RXに特徴を有する。そこで、受信回路RXについて以下で詳細に説明する。受信回路RXの回路図を図2に示す。図2に示すように、受信回路RXは、第1の分圧回路10、第2の分圧回路11、差動増幅器12、同相電圧検出回路13、バイアス電圧切替回路14を有する。
第1の分圧回路10は、抵抗R3、R4を有する。抵抗R3、R4は、差動信号の一方の信号(例えば、信号BP)が入力される第1の入力端子と、バイアス電圧Vbが与えられるバイアス端子(例えば、バイアス電圧切替回路14の出力端子)との間に直列に接続される。そして、第1の分圧回路10は、抵抗R3と抵抗R4との抵抗比に基づき信号BPを分圧した第1の入力信号を出力する。
第2の分圧回路11は、抵抗R5、R6を有する。抵抗R5、R6は、差動信号の他方の信号(例えば、信号BM)が入力される第2の入力端子とバイアス端子との間に直列に接続される。そして、第2の分圧回路11は、抵抗R5と抵抗R6との抵抗比に基づき信号BMを分圧した第2の入力信号を出力する。
差動増幅器12は、第1の分圧回路10が出力する第1の入力信号と第2の分圧回路11が出力する第2の入力信号との差動成分を増幅して出力信号OUTとして出力する。なお、実施の形態1では、差動増幅器12は、P型の導電型を有するトランジスタにより第1、第2の入力信号を受信する差動対が構成されているものとする。
同相電圧検出回路13は、抵抗R1、R2を有する。抵抗R1、R2は、第1、第2の入力端子の間に接続される。そして、同相電圧検出回路13は、差動信号の同相電圧Vcmを検出する。より具体的には、抵抗R1、R2は、同一の抵抗値を有し、差動信号の中点電圧を抵抗R1、R2が互いに接続される点から出力する。このとき、差動信号の中点電圧は、差動信号の同相電圧Vcmと一致する電圧値となる。
バイアス電圧切替回路14は、同相電圧Vcmに基づきバイアス電圧Vbの電圧値を切り替える。より具体的には、バイアス電圧切替回路14は、バイアス電圧Vbの電圧値を切り替える閾値電圧を有する。そして、バイアス電圧切替回路14は、同相電圧Vcmが閾値電圧よりも高い場合(同相電圧Vcmがハイレベルの場合)、バイアス電圧Vbを同相電圧Vcmが閾値電圧よりも低い場合(同相電圧Vcmがロウレベルの場合)よりも低くする。また、バイアス電圧切替回路14は、バイアス電圧Vbの電圧値の切り替え前後のいずれの状態においても差動増幅器12の同相入力範囲に収まる範囲でバイアス電圧Vbを切り替える。
このバイアス電圧切替回路14の詳細な回路図を図3に示す。図3に示すように、バイアス電圧切替回路14は、電圧シフト回路20及びインバータ21を有する。電圧シフト回路20は、高電圧電源(例えば、電源VDD)とインバータ21との間に設けられる。そして、電圧シフト回路20は、電源VDDを降圧して電源VDDよりも低い電圧値を有する変換電圧VHを出力する。この電圧シフト回路20は、例えば、ダイオード等の素子を用いて実現される。
インバータ21は、変換電圧VHと低電圧電源(例えば、接地電源GND)とに基づき動作する。インバータ21は、NMOSトランジスタN1及びPMOSトランジスタP1を有する。NMOSトランジスタN1のソースは、低電圧電源に接続される。NMOSトランジスタN1のドレインとPMOSトランジスタP1のドレインとは互いに接続され、当該接続点からバイアス電圧Vbを出力する。PMOSトランジスタP1のソースは、電圧シフト回路20の出力端子(例えば、変換電圧VHが出力される端子)に接続される。PMOSトランジスタP1のゲートとNMOSトランジスタN1のゲートには、同相電圧Vcmが与えられる。なお、高電圧電源と低電圧電源は、バイアス電圧切替回路14と差動増幅器12に共通して与えられるものである。
インバータ21は、変換電圧VHと接地電圧とに基づき動作することで、電源電圧と接地電圧とに基づき動作する場合に比べて閾値電圧が低くなる。実施の形態1にかかるインバータ21では、閾値電圧は、電源電圧と接地電圧との1/2よりも接地電圧側の値となる。また、インバータ21に電源電圧よりも低い電圧値を有する変換電圧VHを印加することで、出力されるバイアス電圧Vbの電圧値を電源電圧よりも低くすることができる。
続いて、実施の形態1にかかる受信回路RXの同相入力範囲について説明する。図4に受信回路RXの同相入力範囲を示すグラフを示す。なお、図4に示す例では、分圧前の信号BP、BMとして−20V〜20Vの電圧が入力されるものとする。また、以下の説明では、第1の分圧回路10及び第2の分圧回路11から出力される第1の入力信号と第2の入力信号の同相電圧を分圧後の同相電圧Vcmdと称す。
図4のグラフでは、第1の分圧回路10及び第2の分圧回路11に入力される信号BP、BMの同相電圧Vcmoを横軸に示し、第1の分圧回路10及び第2の分圧回路11によって分圧された信号BP、BM(第1の入力信号と第2の入力信号に相当する)の同相電圧Vcmdを縦軸に示した。
図4に示すように、分圧前の同相電圧Vcmの電圧値がバイアス電圧切替回路14の閾値電圧よりも低い場合、バイアス電圧切替回路14はハイレベル(図4に示す例では2V程度)のバイアス電圧Vbを出力する。また、分圧前の同相電圧Vcmの電圧値がバイアス電圧切替回路14の閾値電圧よりも高い場合、バイアス電圧切替回路14はロウレベル(図4に示す例ではほぼ接地電圧)のバイアス電圧Vbを出力する。そして、受信回路RXでは、バイアス電圧Vbの切り替わりに応じて分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値が切り替える。
図4に示すように、受信回路RXにおけるバイアス電圧Vbの電圧値の切り替えは、バイアス電圧Vbをハイレベルで固定した場合の分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値と、バイアス電圧Vbをロウレベルで固定した場合の分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値と、が共に差動増幅器12の同相入力範囲内にある状態で行われる。より具体的には、受信回路RXは、分圧前の同相電圧Vcmの電圧値がバイアス電圧切替回路14の閾値電圧よりも低い場合(分圧前の同相電圧Vcmがロウレベルの場合)は、ハイレベルのバイアス電圧Vbと分圧前の同相電圧Vcmに基づき第1、第2の入力信号(分圧後の同相電圧Vcmd)が生成される。また、分圧前の同相電圧Vcmの電圧値がバイアス電圧切替回路14の閾値電圧よりも高い場合(分圧前の同相電圧Vcmがハイレベルの場合)は、ロウレベルのバイアス電圧Vbと分圧前の同相電圧Vcmに基づき分圧後の同相電圧Vcmdが生成される。
バイアス電圧Vbの切り替え前後に生成される分圧後の同相電圧Vcmdは、同一の抵抗比に基づき生成される。このようなことから、バイアス電圧Vbの切り替え前後に生成される分圧後の同相電圧Vcmdは、互いに電圧値がシフトした関係を有する。つまり、受信回路RXは、分圧前の同相電圧Vcmの電圧値に基づき、分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値をシフトさせる。
そして、受信回路RXでは、分圧前の同相電圧Vcmがロウレベルの期間にはバイアス電圧Vbをハイレベルとすることで、分圧後の同相電圧Vcmdの電圧レベルを高電圧側にシフトさせ、分圧前の同相電圧Vcmがハイレベルの期間には分圧後の同相電圧Vcmdの電圧レベルを低電圧側にシフトさせる。
受信回路RXの同相入力範囲は、分圧後の同相電圧Vcmdが差動増幅器12の同相入力範囲の範囲内となる分圧前の同相電圧Vcmの範囲である。受信回路RXではバイアス電圧切替回路14がバイアス電圧Vbの電圧値を切り替えることで、受信回路RXの同相入力範囲を拡大する。このことについて以下で詳細に説明する。
バイアス電圧切替回路14によるバイアス電圧Vbの電圧値がハイレベルで固定されていた場合、受信回路RXの同相入力範囲は、−15V〜8V程度である。また、この場合に分圧後の同相電圧Vcmdが取り得る電圧値は、−1.4V〜5.4V程度である。一方、バイアス電圧切替回路14によるバイアス電圧Vbの電圧値がロウレベルで固定されていた場合、差動増幅器12の同相入力範囲は、−3V〜19V程度である。また、この場合に分圧後の同相電圧Vcmdが取り得る電圧値は、−3.4V〜3.4V程度である。つまり、分圧前の同相電圧Vcmが−3V〜8Vの範囲内においては、バイアス電圧Vbがハイレベルとロウレベルのいずれの状態であっても分圧後の同相電圧Vcmdは差動増幅器12の同相入力範囲に収まる。
受信回路RXでは、バイアス電圧切替回路14が1.4V付近の閾値電圧を有する。つまり、受信回路RXは、分圧前の同相電圧Vcmが1.4Vよりも小さい場合はハイレベルのバイアス電圧Vbに基づき分圧後の同相電圧Vcmdを生成し、分圧前の同相電圧Vcmが1.4Vよりも大きな場合はロウレベルのバイアス電圧Vbに基づき分圧後の同相電圧Vcmdを生成する。このような動作により、受信回路RXの同相入力範囲の下限値は、ハイレベルのバイアス電圧Vbに基づき決まる−15Vとなり、受信回路RXの同相入力範囲の上限は、ロウレベルのバイアス電圧Vbに基づき決まる19Vとなる。
上記説明より、実施の形態1にかかる受信回路RXは、バイアス電圧Vbの電圧値を切り替えることで、分圧前の同相電圧Vcmがロウレベルの場合には分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値を高電圧側にレベルシフトさせて同相入力範囲を低い電圧側に拡大することができる。また、実施の形態1にかかる受信回路RXは、バイアス電圧Vbの電圧値を切り替えることで、分圧前の同相電圧Vcmがハイレベルの場合には分圧後の同相電圧Vcmdの電圧値を低電圧側にレベルシフトさせて同相入力範囲を高い電圧側に拡大することができる。つまり、実施の形態1にかかる受信回路RXは、バイアス電圧Vbを切り替えることで、第1の分圧回路10及び第2の分圧回路11における分圧比を高めることなく同相入力範囲を拡大することが可能になる。
また、実施の形態1にかかる受信回路RXは、第1の分圧回路10及び第2の分圧回路11における分圧比を低く設定しても十分な同相入力範囲を確保できることから、受信回路RXにおける差動成分の増幅率を高めることができる。
実施の形態2
実施の形態1にかかる受信回路RXでは、差動増幅器12の差動対をP型の導電型を有するトランジスタにより構成した。しかし、差動対を構成するトランジスタの導電型をN型とした場合、差動増幅器12の同相入力範囲が高電圧側にシフトする。そのため、差動対をN型の導電型を有するトランジスタで構成した場合は、バイアス電圧切替回路14の閾値を変更する必要がある。また、バイアス電圧Vbのハイレベル電圧及びロウレベル電圧も変更する必要がある。
実施の形態1にかかる受信回路RXでは、差動増幅器12の差動対をP型の導電型を有するトランジスタにより構成した。しかし、差動対を構成するトランジスタの導電型をN型とした場合、差動増幅器12の同相入力範囲が高電圧側にシフトする。そのため、差動対をN型の導電型を有するトランジスタで構成した場合は、バイアス電圧切替回路14の閾値を変更する必要がある。また、バイアス電圧Vbのハイレベル電圧及びロウレベル電圧も変更する必要がある。
そこで、N型の導電型のトランジスタの差動対に対応したバイアス電圧切替回路14aの回路図を図5に示す。図5に示すように、バイアス電圧切替回路14aは、電圧シフト回路30及びインバータ31を有する。電圧シフト回路30は、低電圧電源(例えば、接地電源GND)とインバータ21との間に設けられる。そして、電圧シフト回路30は、接地電圧よりも高い電圧値を有する変換電圧VLを出力する。この電圧シフト回路30は、例えば、ダイオード等の素子を用いて実現される。
インバータ31は、変換電圧VLと高電圧電源(例えば、電源VDD)とに基づき動作する。インバータ31は、NMOSトランジスタN1及びPMOSトランジスタP1を有する。PMOSトランジスタP1のソースは、高電圧電源に接続される。PMOSトランジスタP1のドレインとNMOSトランジスタN1のドレインとは互いに接続され、当該接続点からバイアス電圧Vbを出力する。NMOSトランジスタN1のソースは、電圧シフト回路30の出力端子(例えば、変換電圧VLが出力される端子)に接続される。PMOSトランジスタP1のゲートとNMOSトランジスタN1のゲートには、同相電圧Vcmが与えられる。なお、高電圧電源と低電圧電源は、バイアス電圧切替回路14aと差動増幅器12に共通して与えられるものである。
インバータ31は、変換電圧VLと電源電圧とに基づき動作することで、電源電圧と接地電圧とに基づき動作する場合に比べて閾値電圧が高くなる。実施の形態2にかかるインバータ31では、閾値電圧は、電源電圧と接地電圧との1/2よりも電源電圧側の値となる。また、インバータ31に接地電圧よりも高い電圧値を有する変換電圧VLを印加することで、出力されるバイアス電圧Vbの電圧値を接地電圧よりも高くすることができる。
続いて、実施の形態2にかかる受信回路RXの同相入力範囲について説明する。図6に実施の形態2にかかる受信回路RXの同相入力範囲を示すグラフを示す。図6に示すように実施の形態2にかかる受信回路RXの動作は実施の形態1の差動増幅器の同相入力範囲、分圧後の同相電圧Vcmd及び閾値電圧を高電圧側にシフトさせたものに相当し、実質的には同じものである。このような動作範囲のシフトは、差動対を構成するトランジスタの導電型の変更、バイアス電圧切替回路14のバイアス電圧切替回路14aへの置き換え、及び、分圧回路の抵抗比の変更により実現できる。
このように、バイアス電圧Vbの切り替え前後の電圧値及びバイアス電圧切替回路14aの閾値電圧は、分圧後の同相電圧Vcmdを受信する差動増幅器12の同相入力範囲に応じて適宜変更できるものである。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。バイアス電圧切替回路の構成は一例であり、他の回路であっても同様な動作が可能である。
1 送受信回路
2 コントローラ
10、11 分圧回路
12 差動増幅器
13 同相電圧検出回路
14、14a バイアス電圧切替回路
20、30 電圧シフト回路
21、31 インバータ
N1 NMOSトランジスタ
P1 PMOSトランジスタ
BP、BM 信号
OUT 出力信号
R1〜R6 抵抗
RX 受信回路
TX 送信回路
2 コントローラ
10、11 分圧回路
12 差動増幅器
13 同相電圧検出回路
14、14a バイアス電圧切替回路
20、30 電圧シフト回路
21、31 インバータ
N1 NMOSトランジスタ
P1 PMOSトランジスタ
BP、BM 信号
OUT 出力信号
R1〜R6 抵抗
RX 受信回路
TX 送信回路
Claims (6)
- 差動信号の一方の信号が入力される第1の入力端子とバイアス電圧が入力されるバイアス端子との間に第1の抵抗及び第2の抵抗が直列に接続され、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との抵抗比に基づき前記差動信号の一方の信号を分圧した第1の入力信号を出力する第1の分圧回路と、
前記差動信号の他方の信号が入力される第2の入力端子と前記バイアス端子との間に第3の抵抗及び第4の抵抗が直列に接続され、前記第3の抵抗と前記第4の抵抗との抵抗比に基づき前記差動信号の他方の信号を分圧した第2の入力信号を出力する第2の分圧回路と、
前記第1、第2の入力信号を増幅して出力する差動増幅器と、
前記第1、第2の端子の間に接続され前記差動信号の同相電圧を検出する同相電圧検出回路と、
前記同相電圧に基づき前記バイアス電圧の電圧値を切り替えるバイアス電圧切替回路と、
を有する受信回路。 - 前記バイアス電圧切替回路は、前記同相電圧が前記バイアス電圧の電圧値を切り替える閾値電圧よりも低い場合、前記バイアス電圧を前記同相電圧が前記閾値電圧よりも高い場合よりも高く設定する請求項1に記載の受信回路。
- 前記バイアス電圧は、電圧レベルの切り替え前後のいずれの状態においても前記差動増幅器の同相入力範囲に収まる請求項1又は2に記載の受信回路。
- 前記バイアス電圧切替回路は、前記差動増幅器と共通に与えられる高電圧電源及び低電圧電源に基づき動作し、
前記バイアス電圧切替回路が前記バイアス電圧の電圧値を切り替える閾値電圧は、前記差動増幅器がN型の導電型を有するトランジスタにより差動対を構成している場合、前記高電圧側電源と前記低電圧電源との中間電圧よりも前記高電圧電源側の値であり、前記差動増幅器がP型の導電型を有するトランジスタにより差動対を構成している場合、前記高電圧側電源と前記低電圧電源との中間電圧よりも前記低電圧電源側の値である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の受信回路。 - 前記バイアス電圧切替回路は、前記差動増幅器と共通に与えられる高電圧電源及び低電圧電源のいずれか一方の電源の電圧をレベルシフトして変換電圧を出力する電圧シフト回路と、
前記高電圧電源及び前記低電圧電源の他方の電源の電圧と前記変換電圧とに基づき動作するインバータと、を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の受信回路。 - 前記電圧シフト回路は、
前記差動増幅器がN型の導電型を有するトランジスタにより差動対を構成している場合、前記低電圧電源と前記インバータとの間に設けられ、前記低電圧電源の電圧値よりも高い電圧値を有する前記変換電圧を出力し、
前記差動増幅器がP型の導電型を有するトランジスタにより差動対を構成している場合、前記高電圧電源と前記インバータとの間に設けられ、前記高電圧電源の電圧値よいも低い電圧値を有する前記変換電圧を出力する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の受信回路。
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