JP2015168261A - 金属基板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属基板を提供する。
【解決手段】第１の改質表面及び第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第２の表面に対面する第１の金属層と、第１の改質表面に貼り合わせられ、第１の絶縁基材が離型層と第１の金属層との間に位置するようにする離型層と、離型層の片側に位置し、離型層が第１の改質表面と第２の絶縁基材との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、第２の絶縁基材の片側に位置し、第２の絶縁基材が離型層と第２の金属層との間に位置するようにする第２の金属層と、を備え、第１の改質表面を離型層と分離した後、第１の改質表面の初期表面粗さの変化量が実質的に１０％よりも小さい金属基板。
【選択図】図１Ｅ

Description

本発明は、電子回路基板及びその製造方法に関し、特に、金属基板及びその製造方法に関する。
プリント回路基板は、電子製品において不可欠な材料であり、消費電子製品に対する需要の成長に従って、プリント回路基板に対する需要も日増しに増えている。フレキシブルプリント回路基板は、可撓性及び３次元配線可能性等の特性を有するため、科学技術的電子製品が軽量化、薄型化、小型化及び可撓性を強調する発展傾向において、現在、コンピュータ及びその周辺機器、通信製品及び消費電子製品等に幅広く適用されている。
典型的なプリント回路基板としては、樹脂（Ｒｅｓｉｎ）、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ ｆｉｂｅｒ）又は他の可塑化材質のような誘電体基板、及び銅箔（Ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）又は他の金属材料層のような高純度の導体層によって形成された複合構造（Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）のものである。フレキシブル銅箔基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）を例にして、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）基材を誘電体基板の主成分とし、塗布法（Ｃａｓｔｉｎｇ）又は熱ラミネート法（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）によって、ポリイミド基材の表面に接着剤無しの片面銅箔を塗布又は貼り合わせたものである。
現在、電子システムは軽量化、薄型化、小型化、且つ低コスト化の方向へ発展しているため、フレキシブルプリント回路基板の選用も、超薄、高密度及び多機能化の方向へ発展する。しかしながら、単層のポリイミド基材で超薄のフレキシブルプリント回路基板を製造する技術を採用するため、基材の剛性が不足し、加工プロセスにおいて、折り傷、衝突損傷又はデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の問題を引き起こしやすく、生産の歩留まりとサイズの安定性に影響を与えてしまう。これに鑑みて、現在では、更に塗布又は転写法によって接着層を単層のポリイミド基材の表面に形成し、補強層で接着層を貼り合わせて覆い、ラミネートして当該補強層をポリイミド基材に緊密に接着させて、超薄の銅箔基板へ補強作用を与え、超薄のフレキシブルプリント回路基板の歩留まりを向上させる複合構造を得ている。
しかしながら、高圧高温の熱ラミネートの作用で、接着剤は、ポリイミド基材と少し溶接作用を生じ、後で補強層を剥離する場合、接着剤が残りやすく、製品の不良率が高くなってしまう。補強層を保留すると、更にフレキシブルプリント回路基板の厚さを増加するにすぎない。このため、従来の技術の面する問題を解決する先進的なプリント回路基板及びその製造方法を提供する必要がある。
本発明の一側面は、第１の改質表面及び第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第２の表面に対面する第１の金属層と、第１の改質表面に貼り合わせられ、第１の絶縁基材が離型層と第１の金属層との間に位置するようにする離型層と、離型層の片側に位置し、離型層が第１の改質表面と第２の絶縁基材との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、第２の絶縁基材の片側に位置し、第２の絶縁基材が離型層と第２の金属層との間に位置するようにする第２の金属層と、を備え、第１の絶縁基材と第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＰＰ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ；ＰＶＣ）、ナイロン（Ｎｙｌｏｎ ｏｒ Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ‐Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ‐Ｓｔｙｒｅｎｅ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ；ＰＵ）、ポリアミド‐イミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ‐ｉｍｉｄｅ；ＰＡＩ）及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、第１の改質表面は、初期表面粗さを有し、離型層と分離した後、第１の改質表面の初期表面粗さの変化量が実質的に１０％よりも小さい金属基板を提供することにある。
本発明の一実施例において、金属基板は、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層を更に備える。本発明の一実施例において、金属基板は、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層を更に備える。本発明の一実施例において、金属基板は、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層と、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層と、を更に備える。
本発明の一実施例において、第２の絶縁基材の離型層に対面する側に、第１の改質表面と同様な第２の改質表面を有する。
本発明の一実施例において、離型層は、エラストマー系感圧接着剤、樹脂系感圧接着剤又は両者の組み合わせを含む。
本発明の一実施例において、第１の改質表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む。
本発明の一実施例において、第１の改質表面の表面エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｅｎｅｒｇｙ）は、実質的に３ダイン／ｃｍ（ｄｙｎ／ｃｍ）よりも大きい。
本発明の一実施例において、第１の金属層と第２の金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛−錫合金（Ｓｎ−Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又は上記の任意の組み合わせを含む。
本発明の別の側面は、まず、第１の表面及び第１の表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の金属層とを含み、第２の表面が第１の表面と第１の金属層との間に位置する第１の片面基板構造と、離型層と、第２の絶縁基材と、第２の金属層とを含む第２の片面基板構造と、を提供する工程と、同時に、第１の表面に対して第１の改質プロセスを行う工程と、次に、第１の片面基板構造、第２の片面基板構造及び離型層の３つを、離型層が第１の改質表面と第２の絶縁基材との間に位置し、第２の絶縁基材が離型層と第２の金属層との間に位置するように貼り合わせる工程と、を備え、第１の絶縁基材と第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、前記第１の表面は、初期表面粗さを有し、前記離型層と分離した後、前記初期表面粗さが実質的に１０％よりも小さい変化量を有する金属基板の製造方法を提供することにある。
本発明の一実施例において、第１の片面基板構造を提供する工程は、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に、第１の接着剤層を提供する工程を更に含む。
本発明の一実施例において、第２の片面基板構造を提供する工程は、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に、第２の接着剤層を提供する工程を更に含む。
本発明の一実施例において、第１の片面基板構造、第２の片面基板構造及び離型層を貼り合わせる前に、第２の絶縁基材の離型層に対面する表面に対して第２の改質プロセスを行う工程を更に含む。
本発明の一実施例において、改質プロセスは、プラズマ処理プロセス、紫外線照射プロセス、又はアルカリ性溶液浸潤プロセスを含む。
本発明の一実施例において、離型層は、エラストマー系感圧接着剤又は樹脂系感圧接着剤を含む。
本発明の一実施例において、第１の表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む。
本発明の一実施例において、第１の表面は、実質的に３ダイン／ｃｍよりも大きい表面エネルギーを有する。
本発明の一実施例において、第１の金属層と第２の金属層は、銅、アルミニウム、金、銀、錫、鉛、鉛−錫合金、鉄、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、ステンレス又は上記の任意の組み合わせを含む。
上記実施例によれば、本発明は、それぞれ絶縁基材と金属層を含む２つの片面基板構造の金属基板を、離型層で貼り合わせた金属基板であって、一方の片面基板構造の金属基板の絶縁基材の離型層との貼り合わせ界面に、改質プロセスを行うことにより、改質表面を有するようにし、この絶縁基材を離型層（又は別の絶縁基材）と分離した場合、この絶縁基材の改質表面の表面粗さは、離型層と貼り合わる前の初期表面粗さに比べて、その変化量が実質的に１０％よりも小さい金属基板を提供する。
このような二重金属基板によってプリント回路基板を製造する場合、片面基板構造の金属基板の構造強度を補強して、プリント回路基板のプロセスでの折り傷、衝突損傷又はデラミネーションの発生を防止し、プリント回路基板の歩留まりを向上できることに加えて、絶縁基材の改質表面の表面エネルギーが低く、離型層と貼り合わせられた後、接着剤を残さずに容易に分離できる特性を利用して、２つの片面基板構造の金属基板を一時的にラミネートし、プリント回路基板の全プロセスを経た後で更に分離することにより、２つの片面基板構造を有するプリント回路基板を同時に製造することができ、このように、一層にプリント回路基板プロセスの効率と生産能力を大幅に向上させることができる。
本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に基づいて示されたプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の別の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板の構造断面図である。 本発明のまた他の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板の構造断面図である。 本発明の更に別の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板の構造断面図である。
本発明は、離型層で互いに貼り合わせられた２つの片面基板構造の金属基板を備える両面基板構造の金属基板を提供することにある。一方の片面基板構造の金属基板で採用された絶縁基材が一時的に絶縁貼付層と貼り合わせ／離型（ｂｏｎｄ／ｄｅｂｏｎｄ）可能な特性を有することで、プロセスで基材が折り傷、衝突損傷又はデラミネーション等が発生しやすい問題を解決し、更にプロセスの歩留まりと効率を大幅に向上させることができる。本発明の前記又は他の目的、特徴、及びメリットをより分かりやすくするために、以下では、特に、複数の金属基板及びその製造方法を好ましい実施例として挙げて、添付の図面に合わせて、下記のように詳しく説明する。
図１Ａ〜１Ｅを参照されたい。図１Ａ〜１Ｅは、本発明の一実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板１００の製造プロセスの構造断面模式図である。両面基板構造の金属基板１００を製造する方法は、まず、互いに対向する第１の表面１０１ａと第２の表面１０１ｂを有する第１の絶縁基材１０１（図１Ａに示すように）を提供する工程を備える。
本発明のある実施例において、第１の絶縁基材１０１は、ベーク板、ガラス繊維板又は様々なプラスチック板材であってもよい。例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及び上記の任意の組み合わせがある。
本発明の一実施例において、第１の絶縁基材１０１は、ガラス繊維、不織布材料、及び樹脂からなる絶縁部分によって、更にエポキシ樹脂と銅箔によってプレスされてなるプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）であってもよい。本発明の別の実施例において、第１の絶縁基材１０１は、フレキシブルポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム又はテフロン（登録商標）フィルムであってもよい。本実施例において、好ましくは、第１の絶縁基材１０１は、厚さが実質的に５μｍ〜２００μｍにあるポリイミドフィルムである。第１の絶縁基材１０１は、１００℃〜２００℃での熱線膨張係数が実質的に５ｐｐｍ／℃〜６０ｐｐｍ／℃にあり、ガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）が実質的に２００℃〜４５０℃にある。
このポリイミドフィルムを形成する方式としては、二無水物化合物、ジアミン化合物モノマー及びポリアミド酸溶液を含有する溶剤によって合成する。二無水物化合物としては、２，２‐ビス（３，４‐ジカルボン酸）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、４‐（２，５‐ジオキソテトラヒドロフラン‐３‐イル）‐１，２，３，４‐テトラヒドロナフタレン‐１，２‐ジカルボン酸二無水物（ＴＤＡ）、ベンゼンテトラカルボン酸二無水物（１，２，４，５‐ベンゼンテトラカルボン酸二無水物；ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＴＤＡ）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（Ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＰＤＡ）、４，４，‐オキシジフタル酸二無水物（４，４，‐Ｏｘｙｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；４，４，‐ＯＤＰＡ）、３，４，‐オキシジフタル酸無水物（３，４，‐Ｏｘｙｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；３，４，‐ＯＤＰＡ）、ビス‐ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物（ｂｉｓ ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＳｉＤＡ）、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物（Ｂｉｓ（ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｏｘｙ）ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｉｄｅ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＤＳＤＡ）、１，４，５，８‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（１，４，５，８‐Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＮＴＣＤＡ）、ハイドロキノンジフタル酸無水物（ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｎｏｎｅ ｄｉｐｈｔａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＨＱＤＡ）、ビスフェノールＡ二無水物（４，４′‐ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＰＡＤＡ）、１，３‐ジヒドロ‐１，３‐ジオキソ‐５‐イソベンゾフランカルボン酸フェニレンエステル（１，３‐ｄｉｈｙｄｒｏ‐１，３‐ｄｉｏｘｏ‐５‐ｉｓｏｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉｄ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｓｔｅｒ；ＴＡＨＱ）、３，３′，４，４′‐ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（３，３′，４，４′‐Ｄｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＤＳＤＡ）、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ｓｕｌｆｏｎｙｌｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＳＯ ２ ＤＰＡ）、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物（Ｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ‐１，２，３，４‐ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＣＢＤＡ）、（イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸無水物）（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ ｄｉ‐ｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｓ（ｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、６ＨＢＤＡ）等の１種類又は複数種類を含むが、これらに限定されるものではない。
ジアミン化合物としては、４，４‐ジアミノジフェニルエーテル（４，４′‐ｏｘｙｄｉａｎｉｌｉｎｅ；４，４′‐ＯＤＡ）、３，４‐ジアミノジフェニルエーテル（３，４′‐Ｏｘｙｄｉａｎｉｌｉｎｅ；３，４′‐ＯＤＡ）、３，３′‐ジヒドロキシ‐４，４′‐ジアミノビフェニル（３，３′‐ｄｉｈｙｄｒｏｘｙ‐４，４′‐ｄｉａｍｉｎｏ‐ｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＨＡＢ）、パラフェニレンジアミン（ｐａｒａ‐ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ；ｐ‐ＰＤＡ）、ｍ‐フェニレンジアミン（ｍ‐ＰＤＡ）、ｐ‐メチレンジアミン（ｐＭＤＡ）、ｍ‐メチレンジアミン（ｍＭＤＡ）、ビスアミノフェノキシベンゼン（Ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｂｅｎｚｅｎｅ、１３３ＡＰＢ、１３４ＡＰＢ）、ビスアミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、４ＢＤＡＦ）、ビスアミノフェニルヘキサフルオロプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、３３‐６Ｆ、４４‐６Ｆ）、ジアミノジフェニルスルホン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｅ、４ＤＤＳ、３ＤＤＳ）、２，２‐ビス（４‐［４‐アミノフェノキシ］フェニル）プロパン（２，２‐Ｂｉｓ（４‐［４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ］ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐａｎｅ；ＢＡＰＰ）、２，２‐ビス（４‐［３‐アミノフェノキシ］フェニル）スルホン（２，２‐Ｂｉｓ（４‐［３‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ］ｐｈｅｎｙｌ）ｓｕｌｆｏｎｅ；ｍ‐ＢＡＰＳ）、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，４‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ、ＴＰＥ‐Ｑ）、１，３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ、ＴＰＥ‐Ｒ）、１，３‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３‐Ｂｉｓ（３‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ；ＡＰＢ）、４，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ビフェニル（４，４′‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＢＡＰＢ）、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）‐２，５‐ｔ‐ブチルベンゼン（１，４‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）‐２，５‐ｄｉ‐ｔ‐ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｅｎｅ；ＤＴＢＡＢ）、４，４′‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゾフェノン（４，４′‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ、ＢＡＰＫ）、ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（Ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ、ＴＦＤＢ）、シクロヘキサンジアミン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｄｉａｍｉｎｅ、１３ＣＨＤ、１４ＣＨＤ）、ビスアミノフェノキシフェニルプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｐａｎｅ、６ＨＭＤＡ）、ビスアミノヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ ａｍｉｎｏｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、ＤＢＯＨ）、ビスアミノフェノキシジフェニルスルホン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｅ、ＤＢＳＤＡ）等の１種類又は複数種類を含むが、これらに限定されるものではない。
ポリアミド酸溶液を含有する溶剤としては、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン（Ｎ‐ｍｅｔｈｙｌ‐２‐ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ；ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド（Ｎ，Ｎ‐ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ；ＤＭＡｃ）、γ‐ブチロラクトン（γ‐ｂｕｔｙｒｏｌａｃｔｏｎｅ、ＧＢＬ）、ジメチルホルムアミド（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ；ＤＭＦ）、２‐ブトキシエタノール（２‐Ｂｕｔｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）、２‐エトキシエタノール（２‐Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）等の１種類又は複数種類の溶剤の組み合わせを含むが、これらに限定されるものではない。
本発明のある好ましい実施例において、ポリイミドフィルムは、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、フェニレンジアミン（ＰＤＡ）及びジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）によって合成されたものであり、この三者の好ましいモル分率として、好ましくは１：０．５：０．５、１：０．７：０．３又は１：０．３：０．７であってもよい。
その後、第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂに第１の接着剤層１０３を形成する。更に、第１の接着剤層１０３の片側に、当該第１の接着剤層１０３が第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂと第１の金属層１０２との間に位置するように第１の金属層１０２を形成し、（図１Ｂに示すような）３層の複合構造を構成する。
本発明のある実施例において、第１の金属層１０２は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛−錫合金（Ｓｎ−Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又は上記の任意の組み合わせを含む。例えば、本実施例において、第１の金属層１０２は、厚さが実質的に３μｍ〜２１０μｍにある銅箔層であってもよい。熱ラミネート法によって、熱可塑性の第１の接着剤層１０３を用いて、高温高圧で第１の金属層１０２を第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂに貼り合わせる。第１の接着剤層１０３は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ）、フェノキシ樹脂（Ｐｈｅｎｏｘｙ Ｒｅｓｉｎ）、アクリル酸樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ Ｒｅｓｉｎ）、ウレタン樹脂（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ Ｒｅｓｉｎ）、シリコーンゴム（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）系樹脂、ポリパラキシレン（Ｐｏｌｙ‐ｐａｒａ‐ｘｙｌｙｌｅｎｅ ； Ｐａｒｙｌｅｎｅ）系樹脂、ビスマレイミド樹脂（Ｂｉｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｒｅｓｉｎ）又はその混合物を含む。
次に、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａに改質プロセス１０４を行って、改質表面１０１ｃを形成し、これにより、（図１Ｃに示すような）接着剤付きの片面基板構造の金属基板１０の調製を達成する。本発明のある実施例において、改質プロセス１０４は、プラズマ処理プロセスであってもよい。例えば、アルゴン（Ａｒ）及び窒素（Ｎ２）の反応雰囲気によって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを改質する。ガス流量が実質的に５０リットル／分（Ｌ／ｍｉｎ）〜１００リットル／分にあり、アルゴンと窒素の含有量比が実質的に１：１〜１：２０にあり、動作電圧が実質的に３００ボルト（Ｖ）〜６００ボルトにあり、操作時間が実質的に１０秒〜５０秒にある。本発明の１つの好ましい実施例において、改質プロセス１０４のガス流量が実質的に７０リットル／分であり、アルゴンと窒素の含有量比が実質的に３：８であり、動作電圧が実質的に５００ボルトであり、操作時間が２０秒である。
本発明の他のある実施例において、改質プロセス１０４は、紫外線照射プロセスであってもよい。例えば、真空度が実質的に２ｔｏｒｒの条件で、波長が実質的に１８０ｎｍ〜２７０ｎｍにある紫外線によって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを照射し、照射時間が実質的に２０秒〜８０秒にある。本発明のある実施例において、好ましくは、波長が１８２ｎｍ、１８４ｎｍ又は２５４ｎｍである紫外線で、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを６０秒照射する。中でも、特に波長が１８２ｎｍである紫外線の効果が良い。
本発明のまた他のある実施例において、改質プロセス１０４は、アルカリ性溶液浸潤プロセスであってもよい。例えば、重量パーセント濃度（％）が実質的に５よりも大きいヒドラジン（Ｈｙｄｒａｚｉｎｅ；Ｎ２Ｈ４）、水酸化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＮａＯＨ）水溶液又はその組み合わせによって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを浸潤し、反応時間が実質的に２０秒〜８０秒にある。
改質プロセス１０４で処理された改質表面１０１ｃは、導電率が約０．０５５μＳ／ｃｍ（２５°Ｃ）で、比抵抗値（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が実質的に１８ＭΩ・ｃｍ（２５°Ｃ）である脱イオン水に対して、実質的に３ダイン／ｃｍ〜３０ダイン／ｃｍにある表面エネルギーを有し、好ましくは、実質的に１５ダイン／ｃｍ〜２５ダイン／ｃｍにある。且つ改質表面１０１ｃの粗さが実質的に３μｍよりも小さい。
次に、第１の絶縁基材１０１の改質表面１０１ｃに、（図１Ｄに示すような）１層の離型層１０５を貼り合わせる。本発明のある実施例において、離型層１０５は、例えば、天然ゴム感圧接着剤、合成ゴム感圧接着剤、熱可塑性エラストマー感圧接着剤又は上記の任意の組み合わせを含むエラストマー系感圧接着剤、又はポリアクリレート（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエーテル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｅｔｈｅｒ）を含む樹脂系感圧接着剤であってもよい。
その後、離型層１０５に、少なくとも第２の絶縁基材１０６及び第２の金属層１０７を含む片面基板構造の金属基板１１を更に貼り合わせる。熱ラミネートプロセス１０９により、片面基板構造の金属基板１１と片面基板構造の金属基板１０を緊密に貼り合わせて、両面基板構造の金属基板１００の調製を達成し、離型層１０５が第１の改質表面１０１ｃと第２の絶縁基材１０６との間に位置し、第２の絶縁基材１０６が離型層１０５と第２の金属層１０７との間に位置する（図１Ｅに示すように）。
本実施例において、片面基板構造の金属基板１１と片面基板構造の金属基板１０が同様に、何れも接着剤付きの片面基板構造の金属基板である。片面基板構造の金属基板１１は、第２の金属層１０７と第２の絶縁基材１０６を貼り合わせるための、第２の絶縁基材１０６と第２の金属層１０７との間に位置する第２の接着剤層１０８を更に含む。
本発明のある実施例において、熱ラミネートプロセス１０９は、ラミネート温度が実質的に５０℃よりも大きく、好ましくは１２０℃〜５００℃にあり、より好ましくは２５０℃であるホットプレートラミネートプロセスであってもよい。ラミネートの圧力は、実質的に０．３キログラム／ｃｍ２（ｋｇ／ｃｍ２）よりも大きく、好ましくは、実質的に１５キログラム／ｃｍ２〜９０キログラム／ｃｍ２にあり、より好ましくは２０キログラム／ｃｍ２である。本発明のある実施例において、熱ラミネートプロセス１０９は、ラミネート温度が実質的に５０℃よりも大きく、好ましくは、１５０℃〜３８０℃にあり、より好ましくは２５０℃であるホットローララミネートプロセスであってもよい。ラミネートの圧力は、実質的に３ｋＮ／ｃｍよりも大きく、好ましくは実質的に３ｋＮ／ｃｍ〜３０ｋＮ／ｃｍにあり、より好ましくは２０ｋＮ／ｃｍである。ラミネートの張力は、実質的に０．５ｋｇよりも大きい。
注意すべきなのは、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃに貼り合わせられた片面基板構造の金属基板は、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃと同様な第２の改質表面を有してもよい。例えば、図２を参照されたい。図２は、本発明の別の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板２００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板２００と図１Ｅの両面基板構造の金属基板１００の構造が類似し、何れも２つの接着剤付きの片面基板構造の金属基板１０と２１（第２の絶縁基材２０６、第２の接着剤層２０８及び第２の金属層２０７を含む）からなる。片面基板構造の金属基板２１の第２の絶縁基材２０６の離型層１０５に対面する側に、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃと同様な第２の改質表面２０６ｃを有することのみが、異なっている。片面基板構造の金属基板１０の構造と製造方法について以上のように詳しく説明したので、具体的な手順はここで再度説明せず、同じ素子については同じ素子符号で説明する。
更に、注意すべきなのは、上記実施例において、両面基板構造の金属基板は何れも２つの接着剤付きの片面基板構造の金属基板から構成されるが、本発明のある実施例において、両面基板構造の金属基板の中の一方又は双方は、接着剤無しの片面基板構造の金属基板であってもよい。
例えば、図３を参照されたい。図３は、本発明のまた他の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板３００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板３００と図１Ｅの両面基板構造の金属基板１００の構造が類似し、何れも２つの片面基板構造の金属基板１０と３０から構成される。第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃに貼り合わせられた片面基板構造の金属基板３０は、接着剤無しの片面基板構造の金属基板であることのみが、異なっている。片面基板構造の金属基板３０は、第２の絶縁基材３０６、及び直接に第２の絶縁基材３０６の片側に貼り合わせられた第２の金属層３０７を含み、第２の絶縁基材３０６が第２の金属層３０７と第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃとの間に位置する。片面基板構造の金属基板１０の構造と製造方法について以上のように詳しく説明したので、具体的な手順はここで再度説明せず、同じ素子については同じ素子符号で説明する。
例えば、図４を参照されたい。図４は、本発明の更に別の実施例に基づいて示された両面基板構造の金属基板４００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板４００と図１Ｅの両面基板構造の金属基板１００の構造が類似し、何れも２つの片面基板構造の金属基板４０と４１から構成される。両面基板構造の金属基板４００を構成する２つの片面基板構造の金属基板４０と４１が、何れも接着剤無しの片面基板構造の金属基板であることのみが、異なっている。片面基板構造の金属基板４０は、第１の絶縁基材４０１、及び直接に第１の絶縁基材４０１の第１の改質表面４０１ｃに対向する側に貼り合わせられた第１の金属層４０２を含み、片面基板構造の金属基板４１は、第２の絶縁基材４０６、及び直接に第２の絶縁基材４０６の離型層１０５に対面する反対側に貼り合わせられた第２の金属層４０７を含む。
また、図１Ｅを参照されたい。その後、２つの接着剤付きの片面基板構造の金属基板１０と１１を有する両面基板構造の金属基板１００に対して、例えば露光、現像、エッチング、膜除去、及びメッキ加工のような湿式プロセス加工、並びに高温部の後加工を含むフレキシブルプリント回路基板の全プロセス加工を行った後で両面プリント回路基板を形成し、更に２つの接着剤付きのプリント回路基板を分離し、同時に２つの接着剤付きの片面フレキシブルプリント回路基板（図示せず）を形成することができ、更にフレキシブルプリント回路基板のプロセス効率と生産能力を大幅に増加することができる。
本発明のある実施例において、機械力を用いて、両面基板構造の金属基板１００を構成する２つの片面基板構造の金属基板１０又は１１を分離（図１Ｆに示すように）することができる。本発明の実施例において、両面基板構造の金属基板１００を２つの片面基板構造の金属基板１０又は１１に分離するのに必要な剥離強度は、実質的に８０ｇｆ／ｃｍよりも大きく、好ましくは、１００ｇｆ／ｃｍ〜６００ｇｆ／ｃｍにある。
熱ラミネートプロセス１０９で形成された両面基板構造の金属基板１００は、片面基板構造の金属基板１０又は１１に比べて、厚さを提供して、片面基板構造の金属基板１０又は１１の剛性を補強し、片面基板構造の金属基板１０又は１１により優れた機械的性質を付与することができるので、金属基板が例えば曝光、現像、エッチング、膜除去、及びメッキ加工のような湿式プロセス加工、並びに、例えばベーキング、高速プレス、被覆層の老化、及び表面の取付貼り合わせのような高温部の加工等を含むフレキシブルプリント回路基板の全プロセス加工の過程において、折り傷、衝突損傷又はデラミネーション等の問題を発生することを防止することができる。
また、第１の絶縁基材１０１の改質表面１０１ｃの表面エネルギーが実質的に一般的な接着剤の表面エネルギーよりも小さい（約３ダイン／ｃｍよりも大きい）ので、離型層１０５を除去しやすく、接着剤を残留させずに、片面基板構造の金属基板１０又は１１を互いに分離させることができ、フレキシブルプリント回路基板プロセスのプロセス歩留まりを向上させる。本発明の実施例において、分離した後の２つの片面基板構造の金属基板１０と１１における第１の絶縁基材１０１と第２の絶縁基材１０６の厚さは、片面基板構造の金属基板１０と１１を貼り合わせる前の第１の絶縁基材１０１と第２の絶縁基材１０６の初期厚さに比べ、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。また、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃの表面粗さは、離型層と貼り合わせる前の初期表面粗さに比べ、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。
上記実施例によれば、本発明は、それぞれ絶縁基材と金属層を含む２つの片面基板構造の金属基板を、離型層で貼り合わせた金属基板であって、一方の片面基板構造の金属基板の絶縁基材の離型層との貼り合わせ界面に、改質プロセスを行うことにより、改質表面を有するようにし、この絶縁基材を離型層（又は別の絶縁基材）と分離した場合、この絶縁基材の改質表面の表面粗さは、離型層と貼り合わせる前の初期表面粗さに比べ、その変化量が実質的に１０％よりも小さい金属基板を提供する。
このような二重金属基板によってプリント回路基板を製造する場合、片面基板構造の金属基板の構造強度を補強して、プリント回路基板のプロセスでの折り傷、衝突損傷又はデラミネーションの発生を防止し、プリント回路基板の歩留まりを向上できることに加えて、絶縁基材の改質表面の表面エネルギーが低く、離型層と貼り合わせられた後、接着剤を残さずに容易に分離できる特性を利用して、２つの片面基板構造の金属基板を一時的にラミネートし、プリント回路基板の全プロセスを経た後で更に分離することにより、２つの片面基板構造を有するプリント回路基板を同時に製造することができ、このように、一層にプリント回路基板プロセスの効率と生産能力を大幅に増加することができる。
本発明を実施例で前述の通り開示したが、本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
１０、１１、２１、３０、４０、４１ 片面基板構造の金属基板１００、２００、３００、４００ 両面基板構造の金属基板１０１、４０１ 第１の絶縁基材１０１ａ 第１の絶縁基材の第１の表面１０１ｂ 第１の絶縁基材の第２の表面１０１ｃ、４０１ｃ 第１の改質表面１０２、４０２ 第１の金属層１０３ 第１の接着剤層１０４ 改質プロセス１０５ 離型層１０６、２０６、３０６、４０６ 第２の絶縁基材１０７、２０７、３０７、４０７ 第２の金属層１０８、２０８ 第２の接着剤層１０９ 熱ラミネートプロセス２０６ｃ 第２の改質表面

Claims (18)

  1. 第１の改質表面及び前記第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、 前記第２の表面に対面する第１の金属層と、 前記第１の改質表面に貼り合わせられ、前記第１の絶縁基材が離型層と前記第１の金属層との間に位置するようにする離型層と、 前記離型層の片側に位置し、前記離型層が前記第１の改質表面と第２の絶縁基材との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、 前記第２の絶縁基材の片側に位置し、前記第２の絶縁基材が前記離型層と第２の金属層との間に位置するようにする第２の金属層と、 を備え、 前記第１の絶縁基材と前記第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＰＰ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ；ＰＶＣ）、ナイロン（Ｎｙｌｏｎ ｏｒ Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ‐Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ‐Ｓｔｙｒｅｎｅ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ；ＰＵ）、ポリアミド‐イミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ‐ｉｍｉｄｅ；ＰＡＩ）及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、前記第１の改質表面は、初期表面粗さを有し、前記離型層と分離した後、前記初期表面粗さが実質的に１０％よりも小さい変化量を有する金属基板。
  2. 前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  3. 前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  4. 前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層と、 前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層と、 を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  5. 前記第２の絶縁基材の前記離型層に対面する側に、前記第１の改質表面と同様な第２の改質表面を有する請求項１に記載の金属基板。
  6. 前記離型層は、エラストマー系感圧接着剤又は樹脂系感圧接着剤を含む請求項１に記載の金属基板。
  7. 前記第１の改質表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む請求項１に記載の金属基板。
  8. 前記第１の改質表面は、実質的に３ダイン／ｃｍ（ｄｙｎ／ｃｍ）よりも大きい表面エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有する請求項１に記載の金属基板。
  9. 前記第１の金属層と前記第２の金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛−錫合金（Ｓｎ−Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又は上記の任意の組み合わせを含む請求項１に記載の金属基板。
  10. 第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の金属層とを含み、前記第２の表面が前記第１の表面と前記第１の金属層との間に位置する第１の片面基板構造を提供する工程と、 前記第１の表面に対して第１の改質プロセスを行う工程と、 離型層を提供する工程と、 第２の絶縁基材と、第２の金属層とを含む第２の片面基板構造を提供する工程と、 前記第１の片面基板構造、前記第２の片面基板構造及び前記離型層の３つを、前記離型層が前記第１の改質表面と前記第２の絶縁基材との間に位置し、前記第２の絶縁基材が前記離型層と前記第２の金属層との間に位置するように貼り合わせる工程と、 を備え、 前記第１の絶縁基材と前記第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、前記第１の表面は、初期表面粗さを有し、前記離型層と分離した後、前記初期表面粗さが実質的に１０％よりも小さい変化量を有する金属基板の製造方法。
  11. 前記第１の片面基板構造を提供する工程は、前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に、第１の接着剤層を提供する工程を更に含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  12. 前記第２の片面基板構造を提供する工程は、前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に、第２の接着剤層を提供する工程を更に含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  13. 前記第１の片面基板構造、前記第２の片面基板構造及び前記離型層の３つを貼り合わせる前に、前記第２の絶縁基材の前記離型層に対面する表面に対して第２の改質プロセスを行う工程を更に含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  14. 前記第１の改質プロセスは、プラズマ処理プロセス、紫外線照射プロセス、又はアルカリ性溶液浸潤プロセスを含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  15. 前記離型層は、エラストマー系感圧接着剤又は樹脂系感圧接着剤を含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  16. 前記第１の表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及び上記の任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  17. 前記第１の表面は、実質的に３ダイン／ｃｍよりも大きい表面エネルギーを有する請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
  18. 前記第１の金属層と前記第２の金属層は、銅、アルミニウム、金、銀、錫、鉛、鉛−錫合金、鉄、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、ステンレス又は上記の任意の組み合わせを含む請求項１０に記載の金属基板の製造方法。
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