JP2015165563A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 基板上に形成されるフラットパネルディスプレイ用の配線膜であって、
前記配線膜は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも一種以上の高融点金属を含む第一層と；
希土類元素及びＣｏをそれぞれ０．０１原子％以上含み、かつ前記希土類元素及びＣｏの合計の含有量が０．２原子％未満であるＡｌ合金からなる第二層とが積層された積層構造からなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線膜。 - 前記第一層と前記第二層との界面に、前記高融点金属の少なくとも１種とＡｌとを含む反応層を有するものである請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 前記反応層は、４００℃以上、５００℃以下の熱履歴によって形成されるものである請求項２に記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 前記希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｙ、およびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種以上である請求項１〜３のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 前記反応層は、ＡｌとＭｏの化合物を含むものである請求項２〜４のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 基板側から順に、前記第一層および前記第二層の積層構造の配線膜がこの順序で形成されているか、または、前記第二層および前記第一層の積層構造の配線膜がこの順序で形成されている請求項１〜５のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 基板側から順に、前記第一層、前記第二層、および前記第一層の積層構造の配線膜がこの順序で形成されており、前記第一層と前記第二層との界面には、いずれも、前記反応層が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- 請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ用配線膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、希土類元素及びＣｏをそれぞれ０．０１原子％以上含み、前記希土類元素及びＣｏの合計の含有量が０．２原子％未満であって、残部：Ａｌおよび不可避不純物であるＡｌ合金スパッタリングターゲット。
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