JP2016509270A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016509270A5 JP2016509270A5 JP2015561983A JP2015561983A JP2016509270A5 JP 2016509270 A5 JP2016509270 A5 JP 2016509270A5 JP 2015561983 A JP2015561983 A JP 2015561983A JP 2015561983 A JP2015561983 A JP 2015561983A JP 2016509270 A5 JP2016509270 A5 JP 2016509270A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical element
- element according
- hydrogen
- multilayer system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 24
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (15)
- 基板(52)と、
前記基板(52)に付加されたＥＵＶ放射反射多層系(51)と、
前記多層系(51)に付加され、少なくとも第１層及び第２層(57, 58)を有する保護層系(60)とを具え、
前記第１層(57)は、前記第２層(58)よりも前記多層系(51)の近くに配置され、前記第１層(57)は前記第２層(58)よりも水素の溶解度が低く、前記第１層(57)はアモルファス材料または単結晶材料で形成されることを特徴とする光学素子。 - 前記第１層(57)における水素の溶解度ｓ1について、次式：ln(ｓ1)＜３が成り立ち、及び／または、前記第２層(58)における水素の溶解度ｓ2について、次式：ln(ｓ2)＞５が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
- 前記第１層(57)が、Mo、Ru、Ir、Ni、Fe、Co、Cuから成るグループから選択した材料で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光学素子。
- 前記第１層(57)が、０．３nm〜１０nmの厚さ(ｄ1)、好適には０．３nmから２nmの厚さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学素子。
- 前記第２層(58)が、多結晶材料及び／または開孔材料で形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学素子。
- 前記第２層(58)が、Zr、Ti、Th、V、Pdから成るグループから選択した材料で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光学素子。
- 前記第２層(58)が、５nm〜２５nmの厚さ(ｄ2)を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光学素子。
- 前記第２層(58)が、１０nm〜１５nmの厚さ(ｄ2)を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光学素子。
- 前記保護層系(60)が最上の第３層(59)を有し、この第３層は、３５０Kの温度で、１０-27cm4／(原子・s)以上、特に１０-19cm4／(原子・s)以上である水素の再結合速度(ｋr)を有する材料で形成されることを特徴とする請求項１の前文、特に請求項１〜８のいずれかに記載の光学素子。
- 前記最上の第３層(59)の材料が、Mo、Ru、Cu、Ni、Fe、Pd、V、Nb、及びこれらの酸化物から成るグループから選択した材料であることを特徴とする請求項９に記載の光学素子。
- 前記第１層(57)、前記第２層(58)、及び／または前記第３層(59)が、金属または金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光学素子。
- 集光ミラー(7)として形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光学素子。
- 請求項１〜１２のいずれかに記載の光学素子(7, 9, 10, 11, 13, 14, 50)を少なくとも１つ具えていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィー用の光学系。
- 基板(52)と、前記基板(52)に付加されたＥＵＶ放射反射多層系(51)と、前記多層系(51)に付加された保護層系(60)とを具えた光学素子(50)を処理する方法であって、
前記保護層系(60)の少なくとも１つの層(57, 58, 59)及び／または前記多層系(51)の少なくとも１つの層(54, 55)から、当該層内に含まれる水素を抽出するように前記光学素子(50)を処理するステップを含み、
前記層内に含まれる水素を抽出することが、前記光学素子(50)を、５０℃以上の温度まで加熱することを含むことを特徴とする方法。 - 前記層内に含まれる水素を抽出することが、前記光学素子(50)を、１００℃以上の温度まで加熱することを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361792638P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
| DE201310102670 DE102013102670A1 (de) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zur Behandlung eines solchen optischen Elements |
| US61/792,638 | 2013-03-15 | ||
| DE102013102670.2 | 2013-03-15 | ||
| PCT/EP2014/050471 WO2014139694A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-01-13 | Optical element and optical system for euv lithography, and method for treating such an optical element |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016509270A JP2016509270A (ja) | 2016-03-24 |
| JP2016509270A5 true JP2016509270A5 (ja) | 2017-02-16 |
| JP6382856B2 JP6382856B2 (ja) | 2018-08-29 |
Family
ID=51519610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015561983A Active JP6382856B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-01-13 | Ｅｕｖリソグラフィー用の光学素子及び光学系、及びこの光学系を処理する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10690812B2 (ja) |
| JP (1) | JP6382856B2 (ja) |
| KR (1) | KR102175814B1 (ja) |
| CN (1) | CN105074576B (ja) |
| DE (1) | DE102013102670A1 (ja) |
| WO (1) | WO2014139694A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013222330A1 (de) * | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| JP6869242B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2021-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置のためのｅｕｖソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置 |
| DE102015225509A1 (de) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
| US10128016B2 (en) * | 2016-01-12 | 2018-11-13 | Asml Netherlands B.V. | EUV element having barrier to hydrogen transport |
| DE102016208850A1 (de) * | 2016-05-23 | 2017-12-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit Elementen zur Plasmakonditionierung |
| DE102016213839A1 (de) | 2016-07-27 | 2016-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungssystem und Verfahren zur Bearbeitung eines Spiegels |
| DE102016213831A1 (de) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
| DE102016223206A1 (de) | 2016-11-23 | 2017-01-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur aufarbeitung reflektiver optischer elemente für ultraviolette strahlung oder weiche röntgenstrahlung |
| DE102016224200A1 (de) | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Reparieren von reflektiven optischen Elementen für die EUV-Lithographie |
| DE102016226202A1 (de) | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102017200667A1 (de) | 2017-01-17 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem |
| DE102017206256A1 (de) | 2017-04-11 | 2018-10-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System |
| DE102017213176A1 (de) | 2017-07-31 | 2017-09-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element für die EUV-Lithographie und EUV-Lithographiesystem damit |
| DE102017213181A1 (de) * | 2017-07-31 | 2019-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für EUV-Strahlung mit einer Abschirmung zum Schutz vor der Ätzwirkung eines Plasmas |
| KR102402767B1 (ko) | 2017-12-21 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| DE102018211980A1 (de) * | 2018-07-18 | 2019-09-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
| DE102018221190A1 (de) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen an einer Oberfläche und Wafer-Inspektionssystem |
| US20220229357A1 (en) * | 2019-06-20 | 2022-07-21 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device |
| DE102019212910A1 (de) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und EUV-Lithographiesystem |
| DE102019213349A1 (de) | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegelanordnung mit Wasserstoff-Barriere und optische Anordnung |
| DE102020206117A1 (de) | 2020-05-14 | 2021-11-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, EUV-Lithographiesystem und Verfahren zum Bilden von Nanopartikeln |
| US20220066071A1 (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | Kla Corporation | Protection of optical materials of optical components from radiation degradation |
| US11402743B2 (en) * | 2020-08-31 | 2022-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask defect prevention |
| KR20220123918A (ko) * | 2021-03-02 | 2022-09-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선 마스크 및 극자외선 마스크를 이용하여 제조된 포토마스크 |
| DE102022202059A1 (de) * | 2022-03-01 | 2023-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4439870A (en) | 1981-12-28 | 1984-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | X-Ray source and method of making same |
| US6664554B2 (en) | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
| WO2003005377A2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | The Regents Of The University Of California | Passivating overcoat bilayer |
| US20030008148A1 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | Sasa Bajt | Optimized capping layers for EUV multilayers |
| US6756163B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-06-29 | Intel Corporation | Re-usable extreme ultraviolet lithography multilayer mask blank |
| DE10309084A1 (de) | 2003-03-03 | 2004-09-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät |
| US20060127780A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-15 | Manish Chandhok | Forming a capping layer for a EUV mask and structures formed thereby |
| JP2006173490A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 光学素子及びこれを用いた投影露光装置 |
| US7875863B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, lithographic apparatus, mirror, method of removing contamination from a mirror and device manufacturing method |
| WO2009043374A1 (en) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche - Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia | Aperiodic multilayer structures |
| JP2010192503A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
| JP5716038B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-05-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖリソグラフィ用反射光学素子 |
| DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| JP5091956B2 (ja) | 2010-01-15 | 2012-12-05 | パナソニック株式会社 | 火災警報システム |
| CN102621815B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 |
| DE102011076011A1 (de) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie |
| US9349593B2 (en) * | 2012-12-03 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2013
- 2013-03-15 DE DE201310102670 patent/DE102013102670A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-01-13 KR KR1020157028007A patent/KR102175814B1/ko active IP Right Grant
- 2014-01-13 CN CN201480016112.4A patent/CN105074576B/zh active Active
- 2014-01-13 JP JP2015561983A patent/JP6382856B2/ja active Active
- 2014-01-13 WO PCT/EP2014/050471 patent/WO2014139694A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-09-15 US US14/854,784 patent/US10690812B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016509270A5 (ja) | ||
| US20200316645A1 (en) | Atomic layer etching on microdevices and nanodevices | |
| JP2015061952A5 (ja) | ||
| JP2017181571A5 (ja) | ||
| JP2012129505A5 (ja) | ||
| JP2018532044A5 (ja) | ||
| JP2018534758A5 (ja) | ||
| JP2008513977A5 (ja) | ||
| JP2015200883A5 (ja) | ||
| JP2009278130A5 (ja) | ||
| JP2014179625A5 (ja) | ||
| JP2011205089A5 (ja) | 半導体膜の作製方法 | |
| JP2012134467A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016122684A5 (ja) | ||
| JP2013031842A5 (ja) | ||
| JP2017501351A5 (ja) | ||
| JP2014093119A5 (ja) | ||
| JP2015133478A5 (ja) | ||
| JP2019504865A5 (ja) | ||
| JP2014506724A5 (ja) | ||
| TWI591696B (zh) | 透明導電電路及透明導電電路之製造方法 | |
| JP2012190865A5 (ja) | ||
| JP2013234378A5 (ja) | ||
| JP2017175127A5 (ja) | ||
| JP2016058055A5 (ja) |